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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVH040N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.68 EUR
30+19.04 EUR
60+17.65 EUR
120+17.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH040N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH050N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.35 EUR
10+14.41 EUR
120+14.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.75 EUR
30+14.41 EUR
60+13.29 EUR
120+12.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH082N65S3FonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.8 EUR
30+9.89 EUR
120+8.37 EUR
510+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH18NEC09+
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C0CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+292.06 EUR
5+265.74 EUR
20+240.42 EUR
40+239.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C0CP2SApemJoysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+271.36 EUR
5+251.68 EUR
10+249.9 EUR
20+230.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C0CP7SApemJoysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP2SApemJoysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+262.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP2SAPEM ComponentsNVH1D1C1CP2S
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+322.37 EUR
3+314.35 EUR
5+281.52 EUR
10+269.3 EUR
20+242.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP2SApemSWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V Кнопки та клавіатури
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP2SAPEM Inc.Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+331.74 EUR
5+289.34 EUR
20+257.1 EUR
40+242.31 EUR
60+234.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH1D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH2D1C0CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH2D1C0CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH2D1C0CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH2D1C1CP4SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH2D1C1CP6SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH2D1C1CP7SApemInput Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L012N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.6 EUR
10+29.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.67 EUR
30+48.23 EUR
60+45.33 EUR
120+45.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.48 EUR
10+52.74 EUR
120+51.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 483A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 283C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L016N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.49 EUR
10+24.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM SIC M3S MOSFET
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31 EUR
30+19.08 EUR
120+16.47 EUR
510+15.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L018N075SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.88 EUR
30+50.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N090SC1onsemiDescription: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.24 EUR
10+41.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.62 EUR
10+50.6 EUR
120+48.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 510W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+97.14 EUR
5+81.24 EUR
10+66.72 EUR
50+58.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.77 EUR
10+73.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.37 EUR
30+66.26 EUR
60+64.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L022N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.26 EUR
10+89.32 EUR
25+87.44 EUR
50+86.26 EUR
100+81.96 EUR
450+78.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L022N120M3SONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
auf Bestellung 246803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.06 EUR
30+52.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.77 EUR
5+64.78 EUR
10+52.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L023N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.3 EUR
7+35.66 EUR
10+29.94 EUR
50+28.43 EUR
100+26.97 EUR
250+26.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.66 EUR
10+24.78 EUR
120+22.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.01 EUR
10+24.3 EUR
450+19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.12 EUR
10+40.27 EUR
50+33.95 EUR
450+31.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L027N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.77 EUR
30+24.55 EUR
60+23.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L027N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.14 EUR
10+26.51 EUR
120+26.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.28 EUR
10+34.28 EUR
120+32.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.66 EUR
30+32.57 EUR
60+30.42 EUR
120+28.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L030N120M3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 193A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
On-state resistance: 58mΩ
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -3...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.87 EUR
30+15.78 EUR
120+13.58 EUR
510+13.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.51 EUR
9+27.19 EUR
11+20.62 EUR
50+18.59 EUR
100+15.58 EUR
250+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.76 EUR
10+15.73 EUR
120+15.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.83 EUR
10+24.42 EUR
120+24.19 EUR
510+23.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3SONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.48 EUR
30+24.82 EUR
120+21.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 40MOHM M3S 1200
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.48 EUR
30+24.82 EUR
120+21.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.98 EUR
30+33.49 EUR
120+29.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.69 EUR
10+32.94 EUR
120+30.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+30 EUR
10+27.68 EUR
50+27.66 EUR
100+27.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.11 EUR
12+20.52 EUR
15+14.63 EUR
50+14.46 EUR
100+14.27 EUR
250+13.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.65 EUR
30+18.24 EUR
60+16.89 EUR
120+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247-4L
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.16 EUR
10+18.6 EUR
120+17.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.33 EUR
30+27.79 EUR
120+26.16 EUR
510+23.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.03 EUR
10+22.66 EUR
120+21.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.17 EUR
30+14.02 EUR
60+12.94 EUR
120+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L050N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L050N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.79 EUR
10+13.91 EUR
120+13.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.21 EUR
30+20.47 EUR
60+18.96 EUR
120+17.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.68 EUR
10+18.64 EUR
120+17.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 88W
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 152A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N090SC1onsemiDescription: -
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.93 EUR
30+20.62 EUR
120+18.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.7 EUR
10+30.64 EUR
25+28.08 EUR
50+28.05 EUR
100+26.43 EUR
250+25.61 EUR
450+23.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32 EUR
30+19.74 EUR
120+17.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.83 EUR
10+18.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L070N120M3S-IEonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L070N120M3S-IEonsemiSiC MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.18 EUR
10+19.08 EUR
450+12.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.29 EUR
10+19.16 EUR
120+14.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.04 EUR
13+19.33 EUR
15+15.08 EUR
50+14.95 EUR
100+14.83 EUR
250+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.81 EUR
30+17.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L080N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.93 EUR
10+12.67 EUR
1020+11.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.85 EUR
10+13.72 EUR
120+13.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L095N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L095N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 129W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.42 EUR
12+20.42 EUR
16+14.2 EUR
50+13.9 EUR
100+13.63 EUR
250+13.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L110N65S3FONN
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L110N65S3FonsemiDescription: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.86 EUR
30+8.03 EUR
60+7.34 EUR
120+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 377mΩ
Power dissipation: 55.5W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 69A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+13.58 EUR
50+13.39 EUR
100+13.13 EUR
250+12.91 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.85 EUR
34+15.42 EUR
102+13.65 EUR
510+12.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.29 EUR
10+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH640S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1137.07 EUR
12+1058.15 EUR
52+1058.14 EUR
100+1058.11 EUR
252+1058.06 EUR
500+1058.05 EUR
1000+1058.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH640S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1113.13 EUR
12+1077.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH660S75L4SPFBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1165.89 EUR
12+1128.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH660S75L4SPFConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1165.89 EUR
12+1128.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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