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NVH040N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5812 Stücke:

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1+	25.29 EUR
30+	15.63 EUR
120+	13.56 EUR

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NVH040N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247

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NVH040N65S3F

ON Semiconductor

Single N Channel Power MOSFET, 650 V, 65 A, 40 m

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NVH040N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 40mΩ

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NVH050N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2243 Stücke:

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1+	19.57 EUR
30+	11.84 EUR
120+	10.14 EUR
510+	9.74 EUR

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NVH050N65S3F

MOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFET, FRFET650V, 50 mohm, 58A

auf Bestellung 450 Stücke:

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1+	19.45 EUR
10+	11.79 EUR
120+	10.1 EUR
510+	10.08 EUR

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NVH082N65S3F

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2688 Stücke:

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2+	14.12 EUR
30+	8.31 EUR
120+	7.03 EUR
510+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NVH082N65S3F

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3S

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NVH18

09+

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NVH18

SOP18 06+

auf Bestellung 729 Stücke:

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NVH1D1C0CP2S

Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V

auf Bestellung 44 Stücke:

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1+	245.43 EUR
5+	223.31 EUR
20+	202.03 EUR
40+	200.98 EUR

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NVH1D1C0CP2S

Joysticks No PushBtn Cstl Act 50mA Blk

auf Bestellung 24 Stücke:

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1+	228.03 EUR
5+	211.5 EUR
10+	210 EUR
20+	193.69 EUR

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NVH1D1C0CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator

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NVH1D1C0CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator

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NVH1D1C0CP7S

Joysticks THUMBSTICK JOYSTICK NV

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NVH1D1C1CP2S

Joysticks Pshbtn Cstl Act 50mA Blk

auf Bestellung 39 Stücke:

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1+	224.63 EUR

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NVH1D1C1CP2S

Description: SWITCH THUMBSTCK CASTLE 50MA 12V
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 50mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Output: Digital (Mechanical Switch)
Type: Thumbstick, 2 - Axis
Switch Function: 4-Way Directional, Center Select
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Actuator Type: Castle
Ingress Protection: IP69K - Dust Tight, High Temp Water Jets, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.20mm Dia
Voltage Rating - DC: 12 V

auf Bestellung 387 Stücke:

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1+	264.04 EUR
5+	230.29 EUR
20+	204.63 EUR
40+	192.86 EUR
60+	186.28 EUR

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NVH1D1C1CP2S

APEM Components

NVH1D1C1CP2S

auf Bestellung 56 Stücke:

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1+	270.9 EUR
3+	258.42 EUR
5+	227.81 EUR
10+	214.3 EUR
20+	188.2 EUR

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NVH1D1C1CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator

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NVH1D1C1CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator

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NVH1D1C1CP7S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Castle Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator

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NVH2D1C0CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Grey Actuator

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NVH2D1C0CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton Red Actuator

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NVH2D1C0CP7S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector No Pushbutton White Actuator

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NVH2D1C1CP4S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Grey Actuator

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NVH2D1C1CP6S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton Red Actuator

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NVH2D1C1CP7S

Input Devices NV Series Switch Based Miniature Joystick Conical Actuator Drop In 50mA Connector Pushbutton White Actuator

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NVH4L015N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6520 Stücke:

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1+	56 EUR
30+	40.75 EUR

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NVH4L015N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L

auf Bestellung 408 Stücke:

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1+	56.14 EUR
10+	43.19 EUR
120+	42.63 EUR

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NVH4L015N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A Automotive Tube

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NVH4L015N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 483A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 283C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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NVH4L018N075SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 750V 140A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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NVH4L018N075SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 750V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 66A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5010 pF @ 375 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	57.04 EUR
30+	42.55 EUR

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NVH4L020N090SC1

Description: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	53.57 EUR
10+	39.7 EUR

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NVH4L020N090SC1

SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	53.63 EUR
10+	38.33 EUR
120+	37.51 EUR

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NVH4L020N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	60.84 EUR
10+	55.72 EUR

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NVH4L020N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71.4A; Idm: 408A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71.4A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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NVH4L020N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVH4L020N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1716 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	64.19 EUR
30+	53.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L022N120M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	83.37 EUR
10+	78.32 EUR
30+	75.79 EUR
120+	70.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L022N120M3S

ON Semiconductor

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L022N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	80.89 EUR
10+	75.06 EUR
25+	73.48 EUR
50+	72.49 EUR
100+	68.87 EUR
450+	66.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L023N065M3S

Description: ONSEMI - NVH4L023N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

auf Bestellung 421 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.57 EUR
10+	24.32 EUR
120+	21.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L025N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L025N065SC1

ON Semiconductor

Single N-Channel MOSFET SiC Power Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L025N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L

auf Bestellung 438 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	36.13 EUR
10+	30.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L025N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.77 EUR
10+	31.24 EUR
450+	26.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L027N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.94 EUR
30+	20.15 EUR
120+	18.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L027N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 27mohm

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.8 EUR
10+	20.06 EUR
120+	18.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34 EUR
30+	24.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L030N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3

auf Bestellung 141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.26 EUR
10+	27.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L030N120M3S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 193A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L030N120M3S

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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NVH4L032N065M3S

ON Semiconductor

SiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L032N065M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14289 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.74 EUR
30+	13.26 EUR
120+	11.41 EUR
510+	11.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L032N065M3S

Description: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVH4L032N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.23 EUR
10+	16.6 EUR
120+	14.34 EUR
510+	13.59 EUR
1020+	12.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N120M3S

Description: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.62 EUR
30+	19.25 EUR
120+	17.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.81 EUR
10+	19.73 EUR

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NVH4L040N120M3S

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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NVH4L040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.56 EUR
10+	25.47 EUR

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NVH4L040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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NVH4L040N120SC1

ON Semiconductor

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36221 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34.28 EUR
30+	24.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N65S3F

Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 33.8mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.04 EUR
30+	14.13 EUR
120+	12.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N65S3F

Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L040N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.29 EUR
10+	13.83 EUR
120+	13.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L045N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1344 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.85 EUR
30+	23.35 EUR
120+	21.98 EUR
510+	19.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.6 EUR
10+	19.04 EUR
120+	18.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L045N065SC1

ON Semiconductor

SiC MOS TO247-4L 650V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L050N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.1 EUR
30+	11.52 EUR
120+	9.86 EUR
510+	9.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L050N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 50mohm

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.41 EUR
10+	18.39 EUR
30+	11.32 EUR
120+	10.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L050N65S3F

ON Semiconductor

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N065SC1

ON Semiconductor

Silicon Carbide MOSFET, N Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1343 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.68 EUR
30+	12.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.21 EUR
10+	17.78 EUR
120+	14.43 EUR
510+	14.36 EUR
1020+	14.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 152A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 88W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N090SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247-4L

auf Bestellung 464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.16 EUR
10+	25.75 EUR
25+	23.6 EUR
50+	23.57 EUR
100+	22.21 EUR
250+	21.52 EUR
450+	19.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N090SC1

ON Semiconductor

Automotive MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L060N090SC1

Description: -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.51 EUR
30+	17.33 EUR
120+	15.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9162 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.05 EUR
30+	18.21 EUR
120+	17.62 EUR
510+	15.39 EUR

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NVH4L070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

auf Bestellung 412 Stücke:

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1+	24.13 EUR
10+	21.24 EUR
30+	20.68 EUR
60+	19.52 EUR
120+	18.37 EUR
270+	17.81 EUR
510+	16.65 EUR

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NVH4L075N065SC1

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 90190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.37 EUR
10+	14.99 EUR
450+	12.05 EUR

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NVH4L075N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

auf Bestellung 874 Stücke:

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1+	21.44 EUR
10+	15.05 EUR
120+	12.53 EUR

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NVH4L075N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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NVH4L080N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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NVH4L080N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVH4L080N120SC1

ON Semiconductor

auf Bestellung 285 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVH4L080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 51642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.17 EUR
30+	14.95 EUR

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NVH4L080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

auf Bestellung 689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.53 EUR
10+	13.83 EUR
120+	12.27 EUR
510+	10.49 EUR
1020+	9.08 EUR

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NVH4L095N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.2 EUR
10+	11.53 EUR
120+	10.95 EUR

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NVH4L110N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 110mohm

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.34 EUR
10+	5.54 EUR
120+	5.49 EUR
510+	5.47 EUR

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NVH4L110N65S3F

Description: SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.44 EUR
30+	6.61 EUR
120+	5.55 EUR
510+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NVH4L160N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 377mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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NVH4L160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART

auf Bestellung 193 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.37 EUR

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NVH4L160N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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NVH4L160N120SC1

Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH4L160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.67 EUR
34+	11.05 EUR

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NVH640S75L4SPB

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; SSDC33
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 750V
Collector current: 640A
Case: SSDC33
Application: automotive industry
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.28kA
Mechanical mounting: screw

Produkt ist nicht verfügbar

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NVH640S75L4SPB

IGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	955.52 EUR
12+	889.2 EUR
52+	889.19 EUR
100+	889.17 EUR
252+	889.13 EUR
500+	889.12 EUR
1000+	889.1 EUR

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NVH640S75L4SPC

IGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 640A Single Side Direct Cooling 6-Pack Power Module

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	935.4 EUR
12+	905.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH660S75L4SPFB

IGBT Modules VE-Trac Direct - Automotive 750V, 660A Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Short Power Terminals

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	979.74 EUR
12+	948.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH660S75L4SPFC

IGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	979.74 EUR
12+	948.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPB

ON Semiconductor

Automotive 750 V, 820 A IGBT Module Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPB

IGBT Modules 750V, 820A SSD

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	823.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPC

Power Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPC

Description: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA

auf Bestellung 824 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	988.38 EUR
12+	958.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPC

ON Semiconductor

Automotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPC

ON Semiconductor

Automotive IGBT Module Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH820S75L4SPM

IGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	995.37 EUR
12+	963.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH950S75L4SPB

Description: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH950S75L4SPB

IGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1218.43 EUR
12+	1215.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH950S75L4SPC

Description: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1325 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVH950S75L4SPC

IGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1231.51 EUR
12+	1231.49 EUR
100+	1228.34 EUR
252+	1227.37 EUR
500+	1222.43 EUR
1000+	1215.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL015N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	54.89 EUR
10+	40.73 EUR
450+	40.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL015N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL015N065SC1

ON Semiconductor

NVHL015N065SC1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL015N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	55.04 EUR
10+	41.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL015N065SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 321W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 136A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	43.38 EUR
100+	39.74 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

SiC MOSFETs 20MOHM 900V

auf Bestellung 367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.2 EUR
10+	42.17 EUR
30+	39.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 77850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

450+	33.25 EUR

Mindestbestellmenge: 450

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	43.38 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.22 EUR
30+	34.88 EUR
120+	34.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL020N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	50.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVHL020N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 267A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 267A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	86.4 EUR
5+	82.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NVHL020N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	74.38 EUR
30+	52.79 EUR

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	58.38 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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NVHL020N120SC1

SiC MOSFETs 20MW 1200V

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	57.9 EUR
10+	54.67 EUR

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NVHL020N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	50.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NVHL023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.09 EUR
10+	18.66 EUR
120+	16.12 EUR
1020+	16.1 EUR

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NVHL025N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.54 EUR
10+	31.06 EUR
450+	26.3 EUR

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NVHL025N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

450+	25.15 EUR

Mindestbestellmenge: 450

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NVHL025N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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NVHL025N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	39.71 EUR
10+	30.64 EUR
120+	29.94 EUR

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NVHL025N65S3

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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NVHL025N65S3

ON Semiconductor

Power MOSFET, Automotive N-Channel, SUPERFET III, Easy-drive

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NVHL025N65S3

MOSFETs SUPERFET3 650V

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.52 EUR
10+	21.72 EUR
120+	21.35 EUR

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NVHL025N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.56 EUR
30+	20.58 EUR
120+	18.74 EUR

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NVHL025N65S3

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

450+	17.92 EUR

Mindestbestellmenge: 450

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NVHL025N65S3

ON Semiconductor

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVHL025N65S3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVHL027N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

auf Bestellung 449 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.2 EUR
10+	20.06 EUR
120+	20.03 EUR
510+	20.01 EUR

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NVHL027N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.47 EUR
30+	19.83 EUR
120+	17.95 EUR

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NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	18.01 EUR
120+	17.19 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL027N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 187.5A; 595W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL027N65S3F

Description: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0274 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL027N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	18.01 EUR
120+	17.19 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	22.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	43.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	43.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.64 EUR
10+	24.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2754 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	39.14 EUR
30+	25.15 EUR
120+	23.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	22.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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NVHL040N120SC1
Produktcode: 190306

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N120SC1

ON Semiconductor

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N60S5F

MOSFETs SUPERFET5 FRFET 40MOHM TO-247-3

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.88 EUR
10+	11.7 EUR
120+	8.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.95 EUR
10+	11.74 EUR
450+	8.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N65S3

Description: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2916 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.13 EUR
30+	11.55 EUR
120+	9.89 EUR
510+	9.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N65S3

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N65S3

MOSFETs SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.03 EUR
10+	11.14 EUR
120+	10.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL040N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 40mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL040N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL040N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.96 EUR
10+	13.64 EUR
120+	13.04 EUR

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NVHL040N65S3F

ON Semiconductor

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVHL040N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.6 EUR
30+	14.51 EUR
120+	12.52 EUR
510+	12.41 EUR

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NVHL040N65S3F

Description: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL040N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL040N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL040N65S3HF

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOHM TO-247-3

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.03 EUR
10+	12.5 EUR
120+	12.02 EUR

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NVHL040N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.84 EUR
30+	12.67 EUR
120+	10.88 EUR
510+	10.56 EUR

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NVHL040N65S3HF

ON Semiconductor

NVHL040N65S3HF

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL040N65S3HF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 40mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL045N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.35 EUR
10+	18.5 EUR
120+	17.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL045N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.04 EUR
10+	25.78 EUR
25+	24.71 EUR
100+	21.77 EUR
450+	19.37 EUR

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NVHL050N65S3F

MOSFETs N-Channel, SUPERFET III MOSFETm 650V, 50 mohm, 58A

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.89 EUR
10+	10.89 EUR
120+	10.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL050N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.15 EUR
30+	11.56 EUR
120+	9.9 EUR
510+	9.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL050N65S3HF

ON Semiconductor

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NVHL050N65S3HF

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.71 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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NVHL050N65S3HF

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL050N65S3HF

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.71 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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NVHL050N65S3HF

Description: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL050N65S3HF

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL050N65S3HF

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL050N65S3HF

MOSFETs Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm

auf Bestellung 539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.76 EUR
10+	6.64 EUR
120+	6.35 EUR
1020+	6.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL050N65S3HF

Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.65 EUR
30+	6.73 EUR
120+	5.66 EUR
510+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL055N60S5F

MOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM TO-247-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL055N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.71 EUR
10+	9.38 EUR
450+	6.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL055N60S5F

ON Semiconductor

Power MOSFET, N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.57 EUR
10+	16.63 EUR
120+	14.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N065SC1

Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.67 EUR
10+	16.7 EUR
450+	12.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N090SC1

ON Semiconductor

SiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N090SC1

SiC MOSFETs 60MOHM

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.61 EUR
50+	17.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N090SC1

ON Semiconductor

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 59563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.41 EUR
75+	16.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N090SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL060N090SC1

Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL065N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.19 EUR
10+	14.08 EUR
30+	8.57 EUR
120+	7.27 EUR
270+	7.25 EUR
510+	7.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL065N65S3F

Description: SUPERFET3 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1298 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.34 EUR
30+	8.45 EUR
120+	7.15 EUR
510+	6.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL065N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL065N65S3F

ON Semiconductor

NVHL065N65S3F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL070N120M3S

ON Semiconductor

Silicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL070N120M3S

Description: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL070N120M3S

ON Semiconductor

Silicon Carbide MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	39.86 EUR
10+	35.43 EUR
30+	33.07 EUR
60+	32.03 EUR
120+	30.99 EUR
270+	28.92 EUR
510+	26.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL070N120M3S

Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12560 Stücke:

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1+	26.88 EUR
10+	25.28 EUR
450+	20.56 EUR

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NVHL072N65S3

ON Semiconductor

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NVHL072N65S3

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL072N65S3

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

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120+	6.6 EUR
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NVHL072N65S3

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 182 Stücke:

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2+	8.96 EUR
30+	6.87 EUR
120+	6.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NVHL072N65S3

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL075N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

auf Bestellung 366 Stücke:

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1+	17.65 EUR
10+	12.04 EUR

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NVHL075N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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NVHL075N065SC1

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 407 Stücke:

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1+	20.22 EUR
30+	12.58 EUR
120+	10.8 EUR

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NVHL075N065SC1

Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVHL075N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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NVHL075N065SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 450 Stücke:

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450+	13.25 EUR

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NVHL080N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL080N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

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450+	15.72 EUR

Mindestbestellmenge: 450

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NVHL080N120SC1
Produktcode: 178409

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NVHL080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

auf Bestellung 1204 Stücke:

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1+	20.29 EUR
10+	15.86 EUR
120+	13.87 EUR

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NVHL080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 134411 Stücke:

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1+	21.89 EUR
10+	15.53 EUR
450+	14.74 EUR

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NVHL080N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVHL080N120SC1

ON Semiconductor

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NVHL080N120SC1A

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

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NVHL080N120SC1A

Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.76 EUR
30+	14.33 EUR

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NVHL080N120SC1A

Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NVHL080N120SC1A

ON Semiconductor

auf Bestellung 164 Stücke:

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NVHL080N120SC1A

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL080N120SC1A

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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NVHL082N65S3F

ON Semiconductor

auf Bestellung 323 Stücke:

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NVHL082N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL082N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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NVHL082N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL082N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET82MOHM TO247

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.25 EUR
10+	9.03 EUR
120+	7.27 EUR

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NVHL082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.48 EUR
10+	9.19 EUR
450+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL082N65S3HF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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NVHL082N65S3HF

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL082N65S3HF

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOHM TO-247-3

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.53 EUR
10+	7.18 EUR
120+	6.92 EUR
510+	6.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL082N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3627 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6258 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.74 EUR
30+	7.16 EUR
120+	6.84 EUR
510+	6.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL082N65S3HF

ON Semiconductor

N-Channel Power MOSFET

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NVHL095N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.19 EUR
10+	9.98 EUR
30+	6.04 EUR
120+	5.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 404 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.5 EUR
30+	7.28 EUR
120+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL095N65S3HF

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 650V, 95mohm, 36A FRFET fast recovery

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL095N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.58 EUR
30+	7.33 EUR
120+	6.18 EUR
510+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL1000N170M1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.37 EUR
10+	9.1 EUR
25+	8.45 EUR
100+	7.57 EUR
250+	6.76 EUR
450+	6.62 EUR
900+	5.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.81 EUR
30+	6.22 EUR
120+	5.21 EUR
510+	4.47 EUR
1020+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL110N65S3F

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL110N65S3F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC

Produkt ist nicht verfügbar

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NVHL110N65S3F

ON Semiconductor

auf Bestellung 43848 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVHL110N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247

auf Bestellung 734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.47 EUR
10+	5.35 EUR
120+	4.68 EUR

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NVHL110N65S3F

Description: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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NVHL110N65S3HF

ON Semiconductor

N-Channel Power MOSFET

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NVHL110N65S3HF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC

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NVHL110N65S3HF

MOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MOHM TO-247-3

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NVHL110N65S3HF

Description: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2753 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

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120+	5.68 EUR
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NVHL160N120SC1

ON Semiconductor

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NVHL160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

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NVHL160N120SC1

Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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NVHL160N120SC1

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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NVHL160N120SC1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 337mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

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NVHL160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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