Produkte > PMZ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PMZ1000UN | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 17490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10843200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 17490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1000UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA | auf Bestellung 10631028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ1000UN,315 | Nexperia | MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3 | auf Bestellung 10845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ1000UN,315 | NXP | Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10843200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) FET Type: P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ1200UPEYL | Nexperia | MOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3 | auf Bestellung 8964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 310 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) | auf Bestellung 4101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4885 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ130UNE315 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 19775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | Nexperia | MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ130UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 19775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ200UNE | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ200UNE/S500,YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ200UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ200UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V | auf Bestellung 9244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ200UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3 | auf Bestellung 13010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Description: KEMET - PMZ2035RE6100K150R06 - Sicherheitskondensator, lange Lebensdauer, Metallisiertes Papier, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.1 µF tariffCode: 85322500 Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins dv/dt: - rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 25.4mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Kondensatormontage: Durchsteckmontage Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Entstörklasse: X1 Nennspannung Y: - euEccn: NLR Dielektrikum: Metallisiertes Papier Kapazität: 0.1µF Produktpalette: PMZ2035/P435 Series Nennspannung X: 440VAC productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A) SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm) Capacitance: 0.1 µF Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm) Voltage Rating - DC: 1000V (1kV) Voltage Rating - AC: 440V Dielectric Material: Paper, Metallized Ratings: X1 Termination: PC Pins Lead Spacing: 1.000" (25.40mm) Applications: EMI, RFI Suppression Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Radial Tolerance: ±10% Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Film Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Film Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL Voltage Rating - AC: 440V Dielectric Material: Paper, Metallized Ratings: X1 Termination: PC Pins Lead Spacing: 1.000" (25.40mm) Applications: EMI, RFI Suppression Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Radial Tolerance: ±10% Packaging: Box Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm) Capacitance: 0.1 µF Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm) Voltage Rating - DC: 1000V (1kV) | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ2035RE6150K330 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMZ250UN | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMZ250UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ250UN,315 | NXP | Description: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 83637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ270XN | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMZ270XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ270XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UN315 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FET | auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3005 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 3635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke | verfügbar 10 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 8978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 8978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 8582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 7097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia | MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A | auf Bestellung 33538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 7097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 11432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ290UNE315 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNEYL | Nexperia | MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 6257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNEYL | NXP | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ290UNYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V) Produktcode: 126932
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| Passive Bauelemente > Thermistoren | auf Bestellung: 1 St.
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| PMZ320UPE/S500,YL | Nexperia | PMZ320UPE/S500,YL | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ320UPE/S500,YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ320UPE/S500YL | Nexperia USA Inc. | Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V | auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | Nexperia | MOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A | auf Bestellung 15517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPE/S500,YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ350UPE/S500,YL | Nexperia | PMZ350UPE/S500,YL | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPE/S500YL | Nexperia USA Inc. | Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 85581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 10242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ350UPEYL | Nexperia | MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 12222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 9875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ350XN | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMZ350XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ350XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ370UNE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ370UNE315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ370UNEYL | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ370UNEYL | Nexperia | MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 7679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ370UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMZ370UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PMZ370UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 18250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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