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Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10843200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 17490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 10845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.78 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR
2500+	0.15 EUR
10000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ1000UN,315

PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10843200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

auf Bestellung 19831 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
49+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR
2000+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

auf Bestellung 17490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

auf Bestellung 8868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

44+	0.40 EUR
72+	0.24 EUR
155+	0.11 EUR
500+	0.10 EUR
1000+	0.09 EUR
2000+	0.09 EUR
5000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ1200UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2343 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2343 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

MOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 8964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.54 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.10 EUR
2500+	0.09 EUR
10000+	0.07 EUR
50000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

auf Bestellung 20154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

77+	0.23 EUR
113+	0.16 EUR
150+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 23458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

MOSFETs PMZ130UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 51586 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.44 EUR
10+	0.31 EUR
100+	0.18 EUR
1000+	0.13 EUR
2500+	0.12 EUR
10000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

PMZ130UNEYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 23458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNE

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNE,315

Old Part PMZ200UNE^NXP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

PMZ200UNEYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 13010 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.20 EUR
1000+	0.14 EUR
2500+	0.13 EUR
10000+	0.12 EUR
20000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

auf Bestellung 13536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
46+	0.39 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.14 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

KEMET / PARTNER STOCK

Description: KEMET / PARTNER STOCK - PMZ2035RE6100K150R06 - NOISE SUPPRESSION AND SAFETY CAPACITORS
tariffCode: 85322500
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Film Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.00 EUR
10+	5.65 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.40 EUR
500+	3.27 EUR
864+	3.04 EUR
1728+	2.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)

auf Bestellung 2381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.97 EUR
10+	5.62 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.39 EUR
500+	3.26 EUR
1000+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Category: Paper capacitors
Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203
Type of capacitor: paper
Kind of capacitor: X1
Capacitance: 0.1µF
Max. operating voltage: 440V AC; 1kV DC
Terminal pitch: 25.4mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Manufacturer series: PMZ203
Alias: P435EJ104K440CH151
Lead length: 6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R30

auf Bestellung 298 Stücke:

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PMZ2035RE6100K150R30

METALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS

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PMZ2035RE6100K150R30

PMZ2035RE6100K150R THT Film Capacitors

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PMZ2035RE6100K150R30

Film Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm

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PMZ2035RE6150K330

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PMZ2035RE6150K330R30

Cap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk

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PMZ2081MD6100M100J105

Cap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C

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PMZ250UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

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PMZ250UN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R

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PMZ250UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V

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PMZ250UN,315

Description: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 83637 Stücke:

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PMZ250UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V

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PMZ270XN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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PMZ270XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V

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PMZ270XN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R

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PMZ270XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V

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PMZ290UN315

Description: SMALL SIGNAL FET

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PMZ290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 11254 Stücke:

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PMZ290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 90506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
93+	0.19 EUR
148+	0.12 EUR
500+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 63

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ290UNE2YL

MOSFETs PMZ290UNE2/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 64971 Stücke:

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10+	0.30 EUR
14+	0.20 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.09 EUR
2500+	0.07 EUR
10000+	0.06 EUR
20000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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PMZ290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 80000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ290UNE2YL

PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors

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PMZ290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11432 Stücke:

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PMZ290UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 18000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZ290UNEYL

MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 6257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNYL

Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNYL

Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Produktcode: 126932

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PMZ320UPE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPE/S500YL

Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 9800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5828+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5828

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ320UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 400000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 26546 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
50+	0.36 EUR
113+	0.16 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

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PMZ320UPEYL

auf Bestellung 8270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 400000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 20000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

MOSFETs PMZ320UPE/SOT883/XQFN3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPE/S500YL

Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8800+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8800

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ350UPEYL

MOSFET PMZ350UPE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 14172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.20 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.11 EUR
10000+	0.08 EUR
20000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4202 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

365+	0.41 EUR
445+	0.32 EUR
449+	0.31 EUR
672+	0.20 EUR
677+	0.19 EUR
953+	0.13 EUR
1249+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 365

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PMZ350UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4202 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

672+	0.22 EUR
677+	0.21 EUR
953+	0.14 EUR
1249+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 672

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 15510 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.53 EUR
54+	0.33 EUR
131+	0.14 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR
2000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 34

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PMZ350UPEYL

PMZ350UPEYL SMD P channel transistors

auf Bestellung 9834 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

251+	0.29 EUR
1062+	0.07 EUR
1122+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 251

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PMZ350XN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350XN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNE,315

Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ370UNEYL

PMZ370UNEYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

auf Bestellung 24856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.70 EUR
41+	0.44 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.18 EUR
2000+	0.16 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ370UNEYL

MOSFET PMZ370UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 7830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.20 EUR
1000+	0.14 EUR
10000+	0.12 EUR
20000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

MOSFETs PMZ390UN/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 30727 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.39 EUR
100+	0.20 EUR
1000+	0.14 EUR
10000+	0.12 EUR
20000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

PMZ390UN.315 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

auf Bestellung 131083 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
46+	0.39 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.13 EUR
20000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNE

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNE/S500315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 16295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.12 EUR
20000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 16055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

412+	0.36 EUR
660+	0.22 EUR
763+	0.18 EUR
1415+	0.09 EUR
1471+	0.09 EUR
1489+	0.08 EUR
1539+	0.08 EUR
3000+	0.07 EUR
6000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 412

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

MOSFETs PMZ390UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 36409 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.57 EUR
10+	0.39 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.13 EUR
10000+	0.11 EUR
50000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

842+	0.18 EUR
1021+	0.14 EUR
2500+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 842

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

auf Bestellung 15682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
41+	0.44 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.15 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	0.62 EUR
404+	0.35 EUR
842+	0.16 EUR
1021+	0.13 EUR
2500+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 240

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

auf Bestellung 15795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.12 EUR
20000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

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PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 16055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1415+	0.10 EUR
1471+	0.10 EUR
1489+	0.09 EUR
1539+	0.09 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.07 EUR
15000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1415

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PMZ420UNYL

MOSFET Trench MOSFET

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PMZ420UNYL

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

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PMZ550UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 6666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

auf Bestellung 31468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
62+	0.29 EUR
109+	0.16 EUR
1000+	0.13 EUR
2000+	0.12 EUR
5000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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PMZ550UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 45134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

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PMZ550UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 154000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ550UNEYL

MOSFETs PMZ550UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 198425 Stücke:

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7+	0.43 EUR
10+	0.30 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.11 EUR
10000+	0.09 EUR
20000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.08 EUR
20000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ550UNEYL

auf Bestellung 45134 Stücke:

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ550UNEYL

PMZ550UNEYL SMD N channel transistors

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PMZ600UNELYL

MOSFETs PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 13912 Stücke:

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9+	0.34 EUR
13+	0.23 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.10 EUR
2500+	0.08 EUR
10000+	0.06 EUR

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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641+	0.23 EUR
983+	0.15 EUR
1541+	0.09 EUR
2000+	0.08 EUR
5000+	0.07 EUR
10000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 641

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PMZ600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

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PMZ600UNELYL

PMZ600UNELYL SMD N channel transistors

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.54 EUR
336+	0.42 EUR
641+	0.21 EUR
983+	0.13 EUR
1541+	0.08 EUR
2000+	0.07 EUR
5000+	0.06 EUR
10000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 275

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PMZ600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 68319 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
57+	0.31 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
2000+	0.11 EUR
5000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 4191 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
68+	0.26 EUR
108+	0.16 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.09 EUR
2000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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PMZ600UNEYL

PMZ600UNEYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ600UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

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PMZ600UNEYL

MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 95707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.43 EUR
11+	0.27 EUR
100+	0.11 EUR
2500+	0.09 EUR
10000+	0.07 EUR
20000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 11565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.40 EUR
12+	0.24 EUR
100+	0.11 EUR
1000+	0.08 EUR
2500+	0.08 EUR
10000+	0.07 EUR
20000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 18155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

44+	0.40 EUR
73+	0.24 EUR
159+	0.11 EUR
1000+	0.09 EUR
2000+	0.09 EUR
5000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

PMZ600UNEZ SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ600UNEZ

20 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ760SN T/R

MOSFET MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

MOSFET MOSFET

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PMZ760SN,315

Trans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPE,315

Description: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPE315

Description: P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 899869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.09 EUR
20000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

MOSFETs PMZ950UPEL/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 201906 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.33 EUR
100+	0.18 EUR
1000+	0.13 EUR
2500+	0.12 EUR
10000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 28050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
59+	0.30 EUR
115+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR
2000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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PMZ950UPELYL

PMZ950UPELYL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 2651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
45+	0.39 EUR
100+	0.18 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.13 EUR
2000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 18908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

638+	0.23 EUR
646+	0.22 EUR
983+	0.14 EUR
1484+	0.09 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.07 EUR
15000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 638

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PMZ950UPEYL

MOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.18 EUR
1000+	0.11 EUR
2500+	0.10 EUR
10000+	0.08 EUR
20000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 18908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.57 EUR
355+	0.40 EUR
359+	0.38 EUR
638+	0.21 EUR
646+	0.20 EUR
983+	0.12 EUR
1484+	0.08 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 260

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

624+	0.24 EUR
951+	0.15 EUR
1435+	0.10 EUR
2000+	0.09 EUR
5000+	0.07 EUR
10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 624

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

PMZ950UPEYL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.58 EUR
351+	0.41 EUR
624+	0.22 EUR
951+	0.14 EUR
1435+	0.09 EUR
2000+	0.08 EUR
5000+	0.07 EUR
10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 257

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

auf Bestellung 10016 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

33+	0.55 EUR
52+	0.34 EUR
124+	0.14 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.12 EUR
2000+	0.11 EUR
5000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 594195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

MOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 18531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.18 EUR
1000+	0.11 EUR
10000+	0.08 EUR
20000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

MOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 23565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.15 EUR
10000+	0.13 EUR
20000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

auf Bestellung 13025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

56+	0.32 EUR
80+	0.22 EUR
119+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 56

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

PMZB150UNEYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3

auf Bestellung 156850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4522+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4522

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNE315

Description: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 156850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 8136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 362

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

auf Bestellung 21746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
44+	0.40 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR
2000+	0.16 EUR
5000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

PMZB200UNEYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 8136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.41 EUR
489+	0.29 EUR
493+	0.28 EUR
828+	0.16 EUR
829+	0.15 EUR
869+	0.14 EUR
1345+	0.09 EUR
3000+	0.09 EUR
6000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 362

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 421580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

MOSFETs PMZB200UNE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 30986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.20 EUR
1000+	0.13 EUR
2500+	0.12 EUR
10000+	0.10 EUR
20000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UN,315

MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 6039 Stücke:

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10+	0.42 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PMZB290UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UN/FYL

Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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PMZB290UNE,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UNE,315

MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW

auf Bestellung 7970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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PMZB290UNE,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UNE,315

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB290UNE2315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk

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PMZB290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7561 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 770000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30000+	0.06 EUR
40000+	0.05 EUR
50000+	0.05 EUR
150000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 30000

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PMZB290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 770000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30000+	0.06 EUR
50000+	0.05 EUR
100000+	0.05 EUR
250000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 30000

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 28568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

425+	0.35 EUR
558+	0.26 EUR
567+	0.24 EUR
808+	0.16 EUR
850+	0.15 EUR
1120+	0.11 EUR
1616+	0.07 EUR
3000+	0.07 EUR
6000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 425

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 28568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

806+	0.18 EUR
848+	0.17 EUR
1114+	0.12 EUR
1593+	0.08 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.07 EUR
15000+	0.05 EUR

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PMZB290UNE2YL

PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors

auf Bestellung 7205 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

177+	0.41 EUR
1067+	0.07 EUR
1128+	0.06 EUR
10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 177

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PMZB290UNE2YL

MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 129280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.56 EUR
10+	0.34 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.10 EUR
2500+	0.09 EUR
10000+	0.07 EUR
20000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.06 EUR
30000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 16804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
59+	0.30 EUR
121+	0.15 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.10 EUR
2000+	0.10 EUR
5000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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PMZB300XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB300XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

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PMZB320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB320UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 810mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 13544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.10 EUR
20000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB320UPEYL

MOSFETs PMZB320UPE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 37814 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.47 EUR
10+	0.30 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
2500+	0.12 EUR
10000+	0.09 EUR
20000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

auf Bestellung 13544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 60338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
52+	0.34 EUR
100+	0.18 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 13521 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.40 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.11 EUR
10000+	0.10 EUR
20000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 20021 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.38 EUR
102+	0.17 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

MOSFET N-Chan 30V 900mA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

Description: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 570000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315-NEX

Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB380XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB380XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V

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PMZB390UNE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.10 EUR
20000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB390UNEYL

auf Bestellung 2465 Stücke:

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PMZB390UNEYL

PMZB390UNEYL SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

auf Bestellung 32281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.53 EUR
50+	0.35 EUR
100+	0.18 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR
2000+	0.14 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 34

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PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB390UNEYL

MOSFETs PMZB390UNE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 17024 Stücke:

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6+	0.49 EUR
10+	0.33 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
2500+	0.12 EUR
10000+	0.10 EUR

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PMZB390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB420UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

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PMZB420UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB420UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

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PMZB550UNE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB550UNE315

Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI

auf Bestellung 338000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6231+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6231

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

auf Bestellung 12853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.38 EUR
112+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 29

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PMZB550UNEYL

PMZB550UNEYL SMD N channel transistors

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PMZB550UNEYL

MOSFETs PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 8544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.43 EUR
10+	0.29 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.11 EUR
10000+	0.09 EUR
20000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

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PMZB600UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 599486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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PMZB600UNEL315

Description: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 157446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
57+	0.31 EUR
100+	0.20 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
2000+	0.11 EUR
5000+	0.10 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

MOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 19155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.34 EUR
12+	0.24 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.10 EUR
2500+	0.09 EUR
10000+	0.08 EUR
20000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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PMZB600UNELYL

N-channel Trench MOSFET

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PMZB600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 140000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.07 EUR
20000+	0.07 EUR
30000+	0.07 EUR
50000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

PMZB600UNELYL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 27263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	0.48 EUR
62+	0.29 EUR
146+	0.12 EUR
500+	0.10 EUR
1000+	0.09 EUR
2000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 38

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.07 EUR
20000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNEYL

MOSFET PMZB600UNE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 13004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.40 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.11 EUR
2500+	0.09 EUR
10000+	0.07 EUR
20000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Trans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

MOSFETs PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 8092 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
2500+	0.13 EUR
10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V

auf Bestellung 27643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.70 EUR
41+	0.44 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.18 EUR
2000+	0.16 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Description: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1934000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.13 EUR
20000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V

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PMZB790SN,315

Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V

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PMZB950UPE315

Description: P-CHANNEL MOSFET

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PMZB950UPEL315

Description: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMZB950UPELYL

P-channel Trench MOSFET

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PMZB950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1529 Stücke:

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PMZB950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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PMZB950UPELYL

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PMZB950UPELYL

MOSFETs PMZB950UPEL/SOT883B/XQFN3

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10000+	0.11 EUR
20000+	0.10 EUR

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PMZB950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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PMZB950UPEYL

PMZB950UPEYL SMD P channel transistors

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PMZB950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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PMZB950UPEYL

MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET

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PMZB950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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60+	0.30 EUR
100+	0.20 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.13 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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PMZB950UPEYL