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Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10843200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ1000UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ1000UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ1000UN,315

Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ1000UN,315

Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10843200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ1000UN,315

auf Bestellung 17490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1000UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

auf Bestellung 19831 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
49+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR
2000+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 31

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PMZ1000UN,315

MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 10845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.78 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR
2500+	0.15 EUR
10000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ1200UPEYL

MOSFETs PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 8964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.54 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.099 EUR
2500+	0.092 EUR
10000+	0.07 EUR
50000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2343 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2343 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

auf Bestellung 4101 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
49+	0.36 EUR
69+	0.26 EUR
100+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 31

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PMZ130UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ130UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.8A

auf Bestellung 12145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

auf Bestellung 7613 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
38+	0.47 EUR
52+	0.34 EUR
100+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 19775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

auf Bestellung 19775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNE

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNE,315

Old Part PMZ200UNE^NXP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 13010 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.14 EUR
2500+	0.13 EUR
10000+	0.12 EUR
20000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

auf Bestellung 9244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
51+	0.35 EUR
115+	0.15 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Description: KEMET - PMZ2035RE6100K150R06 - Sicherheitskondensator, lange Lebensdauer, Metallisiertes Papier, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.1 µF
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 25.4mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes Papier
Kapazität: 0.1µF
Produktpalette: PMZ2035/P435 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R06

Film Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7 EUR
10+	5.65 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.4 EUR
500+	3.27 EUR
864+	3.04 EUR
1728+	2.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R30

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.31 EUR
10+	9.27 EUR
50+	8.04 EUR
100+	7.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R30

METALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6100K150R30

Film Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.15 EUR
10+	7.87 EUR
50+	7.13 EUR
100+	5.9 EUR
300+	5.49 EUR
500+	5.12 EUR
1000+	4.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6150K330

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2035RE6150K330R30

Cap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ2081MD6100M100J105

Cap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ250UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ250UN,315

Description: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 83637 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ250UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ250UN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R

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PMZ270XN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ270XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ270XN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ270XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ290UN315

Description: SMALL SIGNAL FET

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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PMZ290UNE2YL

MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A

auf Bestellung 33538 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.26 EUR
16+	0.18 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.1 EUR
1000+	0.072 EUR
10000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 80000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 7097 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1409+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 1409

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PMZ290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 3635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1185+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1185

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 8978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3832+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 3832

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 8978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3832+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 3832

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 90506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
93+	0.19 EUR
148+	0.12 EUR
500+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 7097 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1409+	0.1 EUR
3000+	0.096 EUR
6000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 1409

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.048 EUR
20000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ290UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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PMZ290UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNEYL

MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 6257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNYL

Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ290UNYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Produktcode: 126932

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PMZ320UPE/S500,YL

PMZ320UPE/S500,YL

auf Bestellung 9800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPE/S500YL

Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 9800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5828+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 5828

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1502+	0.095 EUR

Mindestbestellmenge: 1502

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
43+	0.42 EUR
59+	0.3 EUR
100+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

MOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A

auf Bestellung 15517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.53 EUR
10+	0.33 EUR
100+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.11 EUR
2500+	0.1 EUR
5000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1502+	0.095 EUR
2500+	0.088 EUR
5000+	0.069 EUR
10000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 1502

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

auf Bestellung 7600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 20000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 20000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPE/S500,YL

PMZ350UPE/S500,YL

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6536+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 6536

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPE/S500YL

Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8800+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPEYL

PMZ350UPEYL SMD P channel transistors

auf Bestellung 7478 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

202+	0.35 EUR
348+	0.21 EUR
926+	0.077 EUR
981+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ350UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

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PMZ350UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 16210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 85581 Stücke:

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8721+	0.061 EUR
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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

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1946+	0.083 EUR
3000+	0.078 EUR
6000+	0.049 EUR

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PMZ350UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.38 EUR
65+	0.27 EUR
100+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 29

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 570000 Stücke:

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8721+	0.061 EUR
10000+	0.053 EUR
100000+	0.043 EUR

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PMZ350UPEYL

auf Bestellung 16210 Stücke:

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PMZ350UPEYL

MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 12222 Stücke:

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11+	0.28 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR
5000+	0.088 EUR
10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8721+	0.061 EUR
10000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 8721

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PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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PMZ350XN

auf Bestellung 120000 Stücke:

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PMZ350XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V

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PMZ350XN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R

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PMZ350XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V

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PMZ370UNE,315

Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMZ370UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

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PMZ370UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

auf Bestellung 24340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.15 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4935+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4935

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PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 6260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4935+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4935

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PMZ370UNEYL

MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 7679 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.14 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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PMZ370UNEYL
Produktcode: 215727

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-883
Uds,V: 30 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 370 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 52/0,77
Bem.: 30 V, N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD

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erwartet 25 Stück:

25 Stück - erwartet

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PMZ370UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

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PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 18250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

638+	0.36 EUR
1000+	0.3 EUR
2000+	0.21 EUR
10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 638

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PMZ370UNEZ

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN

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PMZ370UNEZ

MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET

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PMZ370UNEZ

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN

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PMZ370UNEZ

Description: PMZ370UNE/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

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PMZ390UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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PMZ390UN

MOSFET

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PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 20000

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PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

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PMZ390UN,315

MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 7962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.41 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.14 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 20000

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PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

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PMZ390UNE

MOSFET

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PMZ390UNE/S500315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMZ390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2041+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2041

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PMZ390UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A

auf Bestellung 24726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.58 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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PMZ390UNEYL

auf Bestellung 4944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5129+	0.1 EUR
10000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5129

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PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 15655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1279+	0.14 EUR
1734+	0.074 EUR
1752+	0.07 EUR
1777+	0.066 EUR
1802+	0.062 EUR
3000+	0.061 EUR
6000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 1279

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PMZ390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

auf Bestellung 13132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
43+	0.42 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 31

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PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2041+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2041

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PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 4455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1027+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 1027

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PMZ420UNYL

MOSFET Trench MOSFET

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PMZ420UNYL

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ550UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 6666 Stücke:

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PMZ550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ550UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 45134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

auf Bestellung 3169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
47+	0.37 EUR
66+	0.27 EUR
100+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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PMZ550UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A

auf Bestellung 162690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.51 EUR
11+	0.28 EUR
100+	0.17 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.11 EUR
2500+	0.1 EUR
5000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PMZ550UNEYL

auf Bestellung 45134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ550UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 154000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZ600UNELYL

MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A

auf Bestellung 11847 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.32 EUR
14+	0.21 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.092 EUR
5000+	0.081 EUR
10000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.52 EUR
336+	0.41 EUR
641+	0.21 EUR
983+	0.13 EUR
1541+	0.079 EUR
2000+	0.072 EUR
5000+	0.059 EUR
10000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 275

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PMZ600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 33319 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	0.35 EUR
76+	0.23 EUR
143+	0.12 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.099 EUR
2000+	0.092 EUR
5000+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

641+	0.22 EUR
983+	0.14 EUR
1541+	0.086 EUR
2000+	0.078 EUR
5000+	0.065 EUR
10000+	0.052 EUR

Mindestbestellmenge: 641

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 12118 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

48+	0.37 EUR
75+	0.24 EUR
120+	0.15 EUR
500+	0.091 EUR
1000+	0.08 EUR
2000+	0.071 EUR
5000+	0.061 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A

auf Bestellung 80298 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.38 EUR
13+	0.23 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.09 EUR
1000+	0.07 EUR
5000+	0.06 EUR
10000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.063 EUR
20000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 11565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.4 EUR
12+	0.24 EUR
100+	0.11 EUR
1000+	0.084 EUR
2500+	0.076 EUR
10000+	0.069 EUR
20000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

20 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ600UNEZ

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 22733 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

46+	0.39 EUR
77+	0.23 EUR
108+	0.16 EUR
124+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 46

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN T/R

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

Trans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ760SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPE,315

Description: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPE315

Description: P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 899869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZ950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 2341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
50+	0.35 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.15 EUR
2000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 31

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PMZ950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ950UPELYL

MOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A

auf Bestellung 114617 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.45 EUR
10+	0.31 EUR
100+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.11 EUR
2500+	0.1 EUR
5000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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PMZ950UPELYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.56 EUR
351+	0.39 EUR
624+	0.21 EUR
951+	0.13 EUR
1435+	0.085 EUR
2000+	0.081 EUR
5000+	0.064 EUR
10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 257

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PMZ950UPEYL

MOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.18 EUR
1000+	0.11 EUR
2500+	0.1 EUR
10000+	0.083 EUR
20000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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PMZ950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.53 EUR
55+	0.32 EUR
76+	0.23 EUR
100+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 34

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PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 18908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

638+	0.22 EUR
646+	0.21 EUR
983+	0.13 EUR
1484+	0.086 EUR
3000+	0.081 EUR
6000+	0.069 EUR
15000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 638

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PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 18908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.55 EUR
355+	0.39 EUR
359+	0.37 EUR
638+	0.2 EUR
646+	0.19 EUR
983+	0.12 EUR
1484+	0.076 EUR
3000+	0.075 EUR
6000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 260

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PMZ950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

624+	0.23 EUR
951+	0.14 EUR
1435+	0.092 EUR
2000+	0.088 EUR
5000+	0.069 EUR
10000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 624

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PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

auf Bestellung 4352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2299+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2299

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PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 594195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZB1200UPEYL

MOSFETs SOT883 P-CH 30V .41A

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.39 EUR
50+	0.25 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

auf Bestellung 5967 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
83+	0.21 EUR
123+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.5A

auf Bestellung 17272 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.5 EUR
50+	0.36 EUR
100+	0.32 EUR
2500+	0.27 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB150UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB170VNEYL

Description: PMZB170VNE/SOT883B/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 820mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.4 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNE315

Description: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 156850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3

auf Bestellung 156850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4522+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4522

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 8136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 362

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 23966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.39 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
2500+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

auf Bestellung 5543 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
39+	0.46 EUR
53+	0.33 EUR
100+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 8136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.39 EUR
489+	0.28 EUR
493+	0.27 EUR
828+	0.15 EUR
869+	0.14 EUR
1345+	0.083 EUR
6000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 362

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB200UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 421580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB290UN,315

MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 6039 Stücke:

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6+	0.56 EUR
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100+	0.24 EUR
500+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UN/FYL

Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UNE,315

MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW

auf Bestellung 7970 Stücke:

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PMZB290UNE,315

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

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PMZB290UNE2315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 770000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30000+	0.053 EUR
50000+	0.051 EUR
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250000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 30000

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PMZB290UNE2YL

MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 129280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.56 EUR
10+	0.34 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.1 EUR
2500+	0.088 EUR
10000+	0.07 EUR
20000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 28568 Stücke:

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425+	0.34 EUR
558+	0.25 EUR
567+	0.23 EUR
808+	0.16 EUR
850+	0.14 EUR
1120+	0.1 EUR
1616+	0.069 EUR
3000+	0.067 EUR
6000+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 425

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 28568 Stücke:

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848+	0.16 EUR
1114+	0.12 EUR
1593+	0.08 EUR
3000+	0.073 EUR
6000+	0.065 EUR
15000+	0.049 EUR

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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PMZB290UNE2YL

PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors

auf Bestellung 3835 Stücke:

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213+	0.34 EUR
400+	0.18 EUR
725+	0.099 EUR
770+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 213

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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10000+	0.055 EUR
30000+	0.052 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

auf Bestellung 9870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
59+	0.3 EUR
82+	0.22 EUR
100+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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10000+	0.066 EUR

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PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 770000 Stücke:

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30000+	0.055 EUR
40000+	0.051 EUR
50000+	0.049 EUR
150000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 30000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB300XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB300XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 631 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

auf Bestellung 14153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
39+	0.46 EUR
53+	0.33 EUR
100+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

MOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.43 EUR
50+	0.29 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.18 EUR
2500+	0.14 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

auf Bestellung 631 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

auf Bestellung 20021 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.38 EUR
102+	0.17 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 13521 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.11 EUR
10000+	0.1 EUR
20000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB350UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

Description: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 570000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315

MOSFET N-Chan 30V 900mA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB370UNE,315-NEX

Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB380XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB380XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB390UNE

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PMZB390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB390UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A

auf Bestellung 14862 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.5 EUR
11+	0.27 EUR
100+	0.17 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.11 EUR
5000+	0.1 EUR
10000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

auf Bestellung 29486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
40+	0.45 EUR
55+	0.32 EUR
100+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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PMZB390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.13 EUR
20000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB390UNEYL

auf Bestellung 1620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB420UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

Produkt ist nicht verfügbar

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PMZB420UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

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PMZB420UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

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PMZB550UNE/S500,YL

Description: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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PMZB550UNE315

Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI

auf Bestellung 338000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6231+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6231

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PMZB550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

auf Bestellung 5272 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
42+	0.43 EUR
58+	0.31 EUR
100+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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PMZB550UNEYL

MOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A

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PMZB600UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 599486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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PMZB600UNEL315

Description: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

N-channel Trench MOSFET

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PMZB600UNELYL

MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A

auf Bestellung 13933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.45 EUR
10+	0.28 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.093 EUR
5000+	0.086 EUR
10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNELYL

N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

auf Bestellung 3435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

33+	0.55 EUR
53+	0.34 EUR
74+	0.24 EUR
100+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB600UNEYL

MOSFETs SOT883B N CHAN 20V

auf Bestellung 12348 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.46 EUR
10+	0.28 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.09 EUR
2500+	0.086 EUR
5000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

MOSFETs PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3

auf Bestellung 7892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.48 EUR
50+	0.34 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.17 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Trans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Description: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1934000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB670UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V

auf Bestellung 16960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
47+	0.37 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.14 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB790SN,315

Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V

auf Bestellung 168722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2959+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2959

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB950UPE315

Description: P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 490000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB950UPEL315

Description: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6086+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 6086

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB950UPELYL

P-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB950UPELYL

MOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A

auf Bestellung 19024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.45 EUR
50+	0.33 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.16 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PMZB950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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PMZB950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R

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MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET

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