Produkte > RGW

Old Part RGW-1273^ESCABLE

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-1295

Honeywell - CS 92 PVC stranded 100m reel

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-1296

Honeywell - CS 92 PVC solid 100m reel

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-1382

2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-24-1Y

Panduit

Racks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-24-1Y

Panduit Corp

Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-32-1Y

Panduit Corp

Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Produkt ist nicht verfügbar

RGW-45-CC-ZA-H

HIWIN

Description: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	598 EUR

RGW00TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.61 EUR
30+	13.27 EUR
120+	11.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW00TK65DGVC11

Description: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW00TK65DGVC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	17.08 EUR
10+	14.33 EUR
25+	13.81 EUR
100+	11.93 EUR
250+	11.88 EUR
500+	10.53 EUR
1000+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW00TK65GVC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.17 EUR
10+	13.6 EUR
100+	10.97 EUR
500+	9.54 EUR
1000+	7.7 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW00TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W

Produkt ist nicht verfügbar

RGW00TK65GVC11

Description: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW00TS65CHRC11

Description: IGBT 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	31.12 EUR
10+	27.42 EUR
100+	23.72 EUR

RGW00TS65CHRC11

Description: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW00TS65CHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

auf Bestellung 463 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	31.75 EUR
10+	27.98 EUR
30+	27.74 EUR
60+	24.18 EUR
270+	21.92 EUR
510+	20.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW00TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

Produkt ist nicht verfügbar

RGW00TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

RGW00TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.03 EUR
10+	16.33 EUR
25+	13.6 EUR
250+	11.99 EUR
450+	10.79 EUR
900+	10.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW00TS65DHRC11

Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW00TS65DHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.9 EUR
10+	16.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW00TS65EHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.33 EUR
10+	17.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW00TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

Produkt ist nicht verfügbar

RGW00TS65EHRC11

Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW00TS65GC11

IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.82 EUR
10+	13.29 EUR
25+	12.58 EUR
100+	10.89 EUR
500+	9.28 EUR
1000+	7.64 EUR
2500+	7.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW00TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.87 EUR
10+	13.35 EUR
100+	10.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW00TS65HRC11

Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW00TS65HRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.68 EUR
10+	13.43 EUR
450+	9.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW00TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 329-343 Tag (e)

4+	16.72 EUR
10+	15.13 EUR
30+	14.43 EUR
120+	12.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW40NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

RGW40NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.63 EUR
10+	7.25 EUR
25+	6.84 EUR
100+	5.85 EUR
250+	5.54 EUR
500+	5.2 EUR
1000+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RGW40NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.5 EUR
10+	7.63 EUR
25+	7.21 EUR
100+	6.25 EUR
250+	5.93 EUR
500+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW40NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 115-129 Tag (e)

8+	7.31 EUR
10+	6.14 EUR
25+	5.77 EUR
100+	4.97 EUR
250+	4.68 EUR
500+	4.39 EUR
1000+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RGW40NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

RGW40NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.2 EUR
10+	6.46 EUR
25+	6.11 EUR
100+	5.29 EUR
250+	5.02 EUR
500+	4.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW40TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.66 EUR
30+	11.63 EUR
120+	9.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW40TK65DGVC11

IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.77 EUR
10+	12.4 EUR
25+	12.01 EUR
100+	10.04 EUR
250+	9.72 EUR
450+	8.89 EUR
900+	7.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW40TK65GVC11

IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.58 EUR
10+	10.56 EUR
25+	10.22 EUR
100+	8.53 EUR
250+	8.27 EUR
450+	7.77 EUR
900+	6.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW40TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.48 EUR
30+	9.89 EUR
120+	8.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW40TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.35 EUR
30+	9.78 EUR
120+	8.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW40TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.56 EUR
10+	10.53 EUR
30+	9.93 EUR
120+	8.5 EUR
270+	8.06 EUR
510+	7.57 EUR
1020+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW40TS65DGC11

Description: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW40TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.24 EUR
10+	8.61 EUR
450+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW40TS65GC11

IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.43 EUR
10+	8.79 EUR
30+	7.07 EUR
270+	6.29 EUR
510+	5.38 EUR
1020+	5.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW40TS65GC11

Description: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW50NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.28 EUR
10+	7.77 EUR
25+	7.36 EUR
100+	6.32 EUR
250+	5.95 EUR
500+	5.62 EUR
1000+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 6

RGW50NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.15 EUR
10+	8.21 EUR
25+	7.76 EUR
100+	6.73 EUR
250+	6.38 EUR
500+	5.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW50NL65DHRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

RGW50NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

RGW50NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 115-129 Tag (e)

7+	7.96 EUR
10+	6.68 EUR
25+	6.32 EUR
100+	5.38 EUR
250+	5.1 EUR
500+	4.78 EUR
1000+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RGW50NL65HRBTL

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

RGW50TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.72 EUR
30+	11.66 EUR
120+	10 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW50TK65DGVC11

Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW50TK65DGVC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.82 EUR
10+	12.45 EUR
30+	12.06 EUR
120+	10.06 EUR
270+	9.75 EUR
510+	8.94 EUR
1020+	7.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW50TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.61 EUR
30+	9.99 EUR
120+	8.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW50TK65GVC11

Description: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW50TK65GVC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.69 EUR
10+	10.66 EUR
30+	10.32 EUR
120+	8.61 EUR
270+	8.35 EUR
510+	7.64 EUR
1020+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW50TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W

auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.84 EUR
30+	10.16 EUR
120+	8.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW50TS65DGC11

Description: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW50TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.05 EUR
10+	10.95 EUR
25+	8.84 EUR
250+	7.85 EUR
450+	6.73 EUR
900+	6.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW50TS65GC11

IGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.92 EUR
10+	9.18 EUR
25+	7.41 EUR
250+	6.58 EUR
450+	5.64 EUR
900+	5.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW50TS65GC11

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.74 EUR
10+	9.01 EUR
450+	6.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW50TS65GC11

Description: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 115-129 Tag (e)

6+	10.3 EUR
10+	8.66 EUR
25+	8.16 EUR
100+	6.99 EUR
250+	6.6 EUR
500+	6.21 EUR
1000+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

RGW60NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.74 EUR
10+	7.33 EUR
25+	6.92 EUR
100+	5.93 EUR
250+	5.59 EUR
500+	5.28 EUR
1000+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6

RGW60TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.29 EUR
10+	12.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TK65DGVC11

Description: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TK65DGVC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.39 EUR
10+	12.95 EUR
25+	12.61 EUR
100+	10.89 EUR
450+	9.07 EUR
900+	7.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW60TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.49 EUR
30+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TK65GVC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.57 EUR
10+	11.39 EUR
25+	11.05 EUR
100+	9.2 EUR
250+	8.92 EUR
500+	8.19 EUR
1000+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW60TS65CHRC11

Description: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TS65CHRC11

Description: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	31.72 EUR
10+	27.95 EUR
100+	24.18 EUR

RGW60TS65CHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

auf Bestellung 473 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	29.51 EUR
10+	26.03 EUR
25+	25.61 EUR
50+	24.8 EUR
100+	22.46 EUR
250+	22.07 EUR
450+	20.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.66 EUR
10+	12.32 EUR
100+	9.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

RGW60TS65DGC11

Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

Produkt ist nicht verfügbar

RGW60TS65DHRC11

Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TS65DHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.5 EUR
10+	13.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TS65EHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.3 EUR
10+	13.96 EUR
450+	10.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.74 EUR
10+	14.43 EUR
25+	12.97 EUR
100+	12.77 EUR
250+	11.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW60TS65EHRC11

Description: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.09 EUR
10+	10.86 EUR
100+	8.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW60TS65GC11

IGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 544 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.88 EUR
10+	10.69 EUR
25+	10.11 EUR
100+	8.76 EUR
500+	7.44 EUR
1000+	6.14 EUR
2500+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW60TS65GC11

Description: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TS65HRC11

Description: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW60TS65HRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.56 EUR
10+	12.23 EUR
450+	8.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW60TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.66 EUR
10+	12.32 EUR
25+	9.93 EUR
250+	8.84 EUR
450+	7.57 EUR
900+	7.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW80NL65DHRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.53 EUR
10+	10.53 EUR
25+	9.93 EUR
100+	8.5 EUR
250+	8.03 EUR
500+	7.57 EUR
1000+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW80NL65HRBTL

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.14 EUR
10+	8.5 EUR
25+	8.03 EUR
100+	6.89 EUR
250+	6.5 EUR
500+	6.11 EUR
1000+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

RGW80TK65DGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.03 EUR
30+	12 EUR
120+	10.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TK65DGVC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.11 EUR
10+	12.95 EUR
25+	11.75 EUR
100+	10.82 EUR
250+	9.75 EUR
500+	9.52 EUR
1000+	8.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW80TK65EGVC11

IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 25A

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	17.08 EUR
10+	14.66 EUR
25+	13.91 EUR
100+	12.19 EUR
250+	11.8 EUR
450+	11 EUR
900+	9.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW80TK65EGVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.95 EUR
30+	13.54 EUR
120+	12.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TK65GVC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.64 EUR
30+	11.61 EUR
120+	9.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TK65GVC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.72 EUR
10+	12.38 EUR
25+	11.99 EUR
100+	10.01 EUR
250+	9.7 EUR
500+	8.89 EUR
1000+	7.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW80TS65CHRC11

Description: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	30.39 EUR
30+	24.61 EUR
120+	23.16 EUR

RGW80TS65CHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	31.72 EUR
10+	29.15 EUR
30+	27.4 EUR
120+	24.65 EUR
270+	24.13 EUR
510+	21.45 EUR
1020+	20.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TS65CHRC11

Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW80TS65DGC11

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 107W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RGW80TS65DGC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

RGW80TS65DGC11

Produkt ist nicht verfügbar

RGW80TS65DGC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

auf Bestellung 438 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17 EUR
10+	15.27 EUR
100+	12.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TS65DHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.77 EUR
10+	14.38 EUR
450+	10.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TS65DHRC11

Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW80TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	17.24 EUR
10+	14.85 EUR
25+	13.36 EUR
100+	13.16 EUR
250+	12.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGW80TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.85 EUR
10+	16.22 EUR
25+	14.64 EUR
100+	14.38 EUR
250+	13.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGW80TS65EHRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.33 EUR
10+	15.72 EUR
450+	11.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TS65EHRC11

Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW80TS65GC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.2 EUR
10+	12.74 EUR
100+	10.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TS65GC11

Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW80TS65GC11

IGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

auf Bestellung 595 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.63 EUR
10+	9.57 EUR
30+	9.54 EUR
120+	8.55 EUR
510+	7.25 EUR
1020+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGW80TS65HRC11

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.99 EUR
10+	13.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGW80TS65HRC11

Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGW80TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.43 EUR
10+	14.01 EUR
25+	13.1 EUR
250+	11.65 EUR
450+	8.32 EUR
900+	7.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWS00TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.05 EUR
10+	12.92 EUR
120+	10.76 EUR
510+	9.49 EUR
1020+	7.98 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWS00TS65DGC13

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

Produkt ist nicht verfügbar

RGWS00TS65GC13

Description: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGWS00TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.33 EUR
10+	12.04 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWS60TS65DGC13

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

Produkt ist nicht verfügbar

RGWS60TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 594 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.6 EUR
10+	11.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWS60TS65GC13

Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

Produkt ist nicht verfügbar

RGWS60TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.49 EUR
10+	9.65 EUR
120+	7.8 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RGWS80TS65DGC13

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 71A TO247G

Produkt ist nicht verfügbar

RGWS80TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.03 EUR
10+	12.61 EUR
30+	12.25 EUR
120+	10.19 EUR
270+	9.85 EUR
510+	8.84 EUR
1020+	7.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWS80TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 707-721 Tag (e)

4+	13.68 EUR
10+	12.32 EUR
25+	11.62 EUR
100+	10.09 EUR
600+	8.58 EUR
1200+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWS80TS65GC13

Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGWSX2TS65DGC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 707-721 Tag (e)

3+	18.1 EUR
10+	16.38 EUR
25+	15.63 EUR
100+	13.57 EUR
600+	11.8 EUR
1200+	10.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGWSX2TS65DGC13

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G

Produkt ist nicht verfügbar

RGWSX2TS65GC13

IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 707-721 Tag (e)

3+	17.78 EUR
10+	15.99 EUR
25+	15.11 EUR
100+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGWSX2TS65GC13

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G

Produkt ist nicht verfügbar

RGWSX2TS65GC13

Description: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 104A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGWX5TS65DGC11

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 213nC

Produkt ist nicht verfügbar

RGWX5TS65DGC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

Produkt ist nicht verfügbar

RGWX5TS65DGC11

Produkt ist nicht verfügbar

RGWX5TS65DGC11

IGBT Transistors IGBT

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.29 EUR
10+	17.45 EUR
30+	16.64 EUR
120+	14.4 EUR
510+	12.56 EUR
1020+	11.1 EUR
2520+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGWX5TS65DHRC11

Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGWX5TS65DHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.26 EUR
10+	13.16 EUR
25+	11.86 EUR
100+	11.65 EUR
250+	10.71 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWX5TS65DHRC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W

auf Bestellung 332 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.85 EUR
10+	12.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RGWX5TS65EHRC11

Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGWX5TS65EHRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

Produkt ist nicht verfügbar

RGWX5TS65EHRC11

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W

Produkt ist nicht verfügbar

RGWX5TS65GC11

IGBT Transistors IGBT

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.99 EUR
10+	14.46 EUR
30+	13.78 EUR
120+	11.96 EUR
510+	10.43 EUR
1020+	9.2 EUR
2520+	8.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RGWX5TS65HRC11

IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.15 EUR
10+	17.45 EUR
25+	16.9 EUR
250+	14.9 EUR
450+	11.18 EUR
900+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3

RGWX5TS65HRC11

Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RGWX5TS65HRC11