Produkte > RGW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| RGW-100-1Y | Panduit Corp | Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD Kit Type: Paste, Washers Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW-100-1Y | Panduit | Racks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-12-1Y | PANDUIT | Description: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe Art des Zubehörs: Unterlegscheibe Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit Produktpalette: StructuredGround RGW SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-12-1Y | Panduit Corp | Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-1273 500M | ES Cable & Wire | Old Part RGW-1273^ESCABLE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-1295 | ES Cable & Wire | Honeywell - CS 92 PVC stranded 100m reel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-1296 | ES Cable & Wire | Honeywell - CS 92 PVC solid 100m reel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-1382 | ES Cable & Wire | 2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-24-1Y | Panduit Corp | Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD Kit Type: Paste, Washers Values: 25 pcs - 24 ea of Grounding Washer, Paste | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW-24-1Y | Panduit | Racks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-32-1Y | Panduit Corp | Description: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW-45-CC-ZA-H | HIWIN | Description: HIWIN CARRIER Packaging: Bulk Type: Linear Bearing Platform Specifications: 153.2mm Length Part Status: Active | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TK65DGVC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TK65DGVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 89 W | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TK65GVC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TK65GVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 89 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65CHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65CHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT 650V 96A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 33 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 254 W | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65CHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65DGC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65DHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65DHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 254 W | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65EHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65EHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 254 W | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65EHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65GC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65HRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW00TS65HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 254 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW00TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 325-329 Tag (e) |
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| RGW40NL65DHRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40NL65DHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 144 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40NL65DHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 144 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40NL65HRBTL | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 144 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40NL65HRBTL | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 144 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40NL65HRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TK65DGVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 61 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TK65GVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 27A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 61 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65DGC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 136 W | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65DGC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40TS65GC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW40TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65GC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 136 W | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW40TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW40TS65GC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50NL65DHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 71 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 165 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50NL65DHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 71 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 165 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50NL65DHRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50NL65HRBTL | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 165 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50NL65HRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50NL65HRBTL | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-263L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 165 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TK65DGVC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50TK65DGVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 67 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TK65GVC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50TK65GVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 67 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65DGC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65DGC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65GC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50TS65GC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW50TS65GC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 73 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW50TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60NL65DHRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60NL65HRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TK65DGVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 33 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 72 W | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TK65DGVC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TK65GVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 33 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 72 W | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65CHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65CHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT 650V 64A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65CHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65DGC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 60 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 178 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65DGC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65DHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65DHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65EHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 146 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65EHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65EHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65GC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65GC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65GC13 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW60TS65HRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW60TS65HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80NL65DHRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve | auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80NL65DHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80NL65HRBTL | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod | auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80NL65HRBTL | ROHM | Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TK65DGVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 81 W | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TK65EGVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 102 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 81 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TK65EGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 25A | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TK65GVC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 81 W | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65CHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT 650V 81A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 33 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 81 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65CHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65CHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR | RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65DGC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65DHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65DHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65EHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65EHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 86 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65EHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65GC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 78 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65GC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65HRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGW80TS65HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGW80TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGWS00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs TO247 650V 50A TRNCH | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 245 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGWS00TS65GC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 245 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS00TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWS00TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS60TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs TO247 650V 30A TRNCH | auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS60TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS60TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs TO247 650V 30A TRNCH | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS60TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 51A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWS60TS65GC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 156 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 83 nC Current - Collector (Ic) (Max): 71 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 202 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs TO247 650V 40A TRNCH | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS80TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs TO247 650V 40A TRNCH | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS80TS65GC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 83 nC Current - Collector (Ic) (Max): 71 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 202 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWS80TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWSX2TS65DGC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 104 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 288 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWSX2TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 703-707 Tag (e) |
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| RGWSX2TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 288W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 104A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWSX2TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs TO247 650V 60A TRNCH | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWSX2TS65GC13 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 104 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 288 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR | RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWX5TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 101 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 213 nC Current - Collector (Ic) (Max): 132 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 348 W | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DGC13 | ROHM | Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWX5TS65DGC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 213 nC Current - Collector (Ic) (Max): 132 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 348 W | auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWX5TS65EHRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWX5TS65EHRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 213 nC Current - Collector (Ic) (Max): 132 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 348 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65EHRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBT Transistors TO247NP 650V TRNCH 75A | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65GC13 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65GC13 | ROHM | Description: ROHM - RGWX5TS65GC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWX5TS65HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 213 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 132 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 348 W | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65HRC11 | ROHM | Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RGWX5TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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