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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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100N03LS | infineon | 08+ |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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100N03MS | infineon | 08+ |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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381LL682M100N062 | Cornell Dubilier - CDE | Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 18524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 36088 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 3652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3652 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 41865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 3259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 4875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 14347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 9198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8 |
auf Bestellung 2618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 16252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N06NS | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 18839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 32943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI100N04PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101 |
auf Bestellung 4915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HSMH-A100-N00J1 | BROADCOM (AVAGO) |
Category: SMD colour LEDs Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA Mounting: SMD Operating voltage: 1.9...2.6V LED colour: red Type of diode: LED Wavelength: 637nm LED lens: transparent Luminosity: 28.5...50mcd LED current: 20mA Viewing angle: 120° Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm Case: 3528; PLCC2 Power: 60mW Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L014ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 8724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 20373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L025ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 4014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6N015ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6N022ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6N028ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N08S5N031ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 3635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N08S5N043ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 19938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30/40V |
auf Bestellung 12898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
auf Bestellung 18651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30/40V |
auf Bestellung 9795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 39890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
auf Bestellung 16116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD100N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 11789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD100N06S403ATMA2 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPD100N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 4739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP100N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 70A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP100N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 70A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP100N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 34ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP100N04T2 | IXYS | MOSFET 100 Amps 40V |
auf Bestellung 271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LQM21FN100N00L | MURATA |
Category: SMD 0805 inductors Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM Type of inductor: ferrite Mounting: SMD Case - inch: 0805 Case - mm: 2012 Inductance: 10µH Operating current: 60mA Resistance: 0.65Ω Resonant frequency: 15MHz Tolerance: ±30% Operating temperature: -40...85°C Manufacturer series: LQM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 35500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NP100N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NP100N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET POWER AUTO MOS MP-25LZP ANL2 OTHER |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSS100N03HZGTB | ROHM Semiconductor | MOSFET AECQ |
auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 3881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SDA100N08B | SIRECTIFIER |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 800V; If: 100A; 21MM; screw Case: 21MM Semiconductor structure: common anode; double Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Load current: 100A Max. forward impulse current: 1.54kA Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 180A |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SDA100N08B | SIRECTIFIER |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 800V; If: 100A; 21MM; screw Case: 21MM Semiconductor structure: common anode; double Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode Load current: 100A Max. forward impulse current: 1.54kA Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 180A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQD100N02-3M5L_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 5942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQD100N03-3M2L_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 1482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQD100N03-3M4_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 1654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQD100N04-3m6L_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 2752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQD100N04-3m6_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQM100N04-2m7_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TK 100N 02 1,35 S 280 N | TEKON |
Category: Contact Probes Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 3.4mm Maksimum spring compression: 4.2mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 3A Contact plating: nickel plated Max. contact resistance:: 55mΩ Contact material: steel Blade tip shape: head 02 Related items: TK100N Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK 100N 03 1,90 S 280 N | TEKON |
Category: Contact Probes Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 3.4mm Maksimum spring compression: 4.2mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 3A Contact plating: nickel plated Max. contact resistance:: 55mΩ Contact material: steel Blade tip shape: head 03 Related items: TK100N Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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381LL682M100N062 |
Hersteller: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 32.4 EUR |
10+ | 31.75 EUR |
20+ | 26.45 EUR |
50+ | 23.65 EUR |
BSC100N03MSGATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 18524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 0.88 EUR |
10+ | 0.78 EUR |
100+ | 0.59 EUR |
500+ | 0.51 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
BSC100N06LS3 G |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 36088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.88 EUR |
10+ | 1.56 EUR |
100+ | 1.21 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
1000+ | 0.84 EUR |
2500+ | 0.79 EUR |
5000+ | 0.75 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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73+ | 0.99 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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73+ | 0.99 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 41865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.9 EUR |
10+ | 1.56 EUR |
100+ | 1.21 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
5000+ | 0.75 EUR |
10000+ | 0.74 EUR |
BSZ100N03LS G |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 1.1 EUR |
10+ | 1.09 EUR |
100+ | 0.76 EUR |
500+ | 0.64 EUR |
1000+ | 0.48 EUR |
5000+ | 0.44 EUR |
BSZ100N03MS G |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 4875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 1.34 EUR |
10+ | 1.18 EUR |
100+ | 0.81 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
5000+ | 0.48 EUR |
BSZ100N03MSGATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 14347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 1.15 EUR |
10+ | 1 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
1000+ | 0.49 EUR |
2500+ | 0.48 EUR |
BSZ100N06LS3 G |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.8 EUR |
10+ | 1.49 EUR |
100+ | 1.16 EUR |
500+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.72 EUR |
BSZ100N06LS3 G |
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
auf Bestellung 2618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 1.12 EUR |
10+ | 0.97 EUR |
100+ | 0.85 EUR |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 16252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.81 EUR |
10+ | 1.49 EUR |
100+ | 1.16 EUR |
500+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.76 EUR |
5000+ | 0.72 EUR |
10000+ | 0.71 EUR |
BSZ100N06NS |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 18839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 1.37 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.61 EUR |
5000+ | 0.54 EUR |
BSZ100N06NSATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 32943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 1.36 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
5000+ | 0.54 EUR |
DI100N04PQ-AQ |
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.87 EUR |
10+ | 2.24 EUR |
100+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.33 EUR |
1000+ | 1.29 EUR |
2500+ | 1.14 EUR |
5000+ | 1.07 EUR |
HSMH-A100-N00J1 |
Hersteller: BROADCOM (AVAGO)
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.9...2.6V
LED colour: red
Type of diode: LED
Wavelength: 637nm
LED lens: transparent
Luminosity: 28.5...50mcd
LED current: 20mA
Viewing angle: 120°
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Case: 3528; PLCC2
Power: 60mW
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.9...2.6V
LED colour: red
Type of diode: LED
Wavelength: 637nm
LED lens: transparent
Luminosity: 28.5...50mcd
LED current: 20mA
Viewing angle: 120°
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Case: 3528; PLCC2
Power: 60mW
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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115+ | 0.62 EUR |
190+ | 0.38 EUR |
295+ | 0.24 EUR |
315+ | 0.23 EUR |
IAUC100N04S6L014ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 8724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.45 EUR |
10+ | 1.85 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
5000+ | 0.95 EUR |
IAUC100N04S6L020ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 20373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.04 EUR |
10+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 0.88 EUR |
2500+ | 0.87 EUR |
5000+ | 0.83 EUR |
IAUC100N04S6L025ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 4014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.78 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.13 EUR |
500+ | 0.96 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
5000+ | 0.7 EUR |
IAUC100N04S6N015ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.48 EUR |
10+ | 1.9 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
5000+ | 0.96 EUR |
IAUC100N04S6N022ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 0.88 EUR |
2500+ | 0.87 EUR |
5000+ | 0.83 EUR |
IAUC100N04S6N028ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.78 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.13 EUR |
500+ | 0.96 EUR |
1000+ | 0.74 EUR |
5000+ | 0.7 EUR |
IAUC100N08S5N031ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 3635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.07 EUR |
10+ | 3.38 EUR |
100+ | 2.69 EUR |
250+ | 2.68 EUR |
500+ | 2.27 EUR |
1000+ | 1.83 EUR |
5000+ | 1.76 EUR |
IAUC100N08S5N043ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.31 EUR |
10+ | 2.75 EUR |
100+ | 2.2 EUR |
500+ | 1.85 EUR |
1000+ | 1.49 EUR |
5000+ | 1.44 EUR |
IPB100N04S4-H2 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.47 EUR |
10+ | 3.71 EUR |
100+ | 2.94 EUR |
250+ | 2.71 EUR |
500+ | 2.48 EUR |
1000+ | 2.09 EUR |
2000+ | 2.01 EUR |
IPB100N04S4H2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.9 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
500+ | 1.95 EUR |
IPC100N04S51R2ATMA1 |
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 14.72 EUR |
IPC100N04S51R2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 19938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.01 EUR |
10+ | 3.12 EUR |
100+ | 2.66 EUR |
250+ | 2.45 EUR |
500+ | 2.22 EUR |
1000+ | 1.81 EUR |
5000+ | 1.75 EUR |
IPC100N04S51R7ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.15 EUR |
10+ | 2.62 EUR |
100+ | 2.08 EUR |
250+ | 1.92 EUR |
500+ | 1.74 EUR |
1000+ | 1.5 EUR |
2500+ | 1.42 EUR |
IPC100N04S51R9ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
auf Bestellung 12898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.99 EUR |
10+ | 1.72 EUR |
100+ | 1.45 EUR |
250+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.31 EUR |
1000+ | 1.16 EUR |
IPC100N04S52R8ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 18651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.22 EUR |
10+ | 1.7 EUR |
100+ | 1.4 EUR |
500+ | 1.21 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
5000+ | 0.88 EUR |
IPC100N04S5L1R1ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
auf Bestellung 9795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.2 EUR |
10+ | 2.76 EUR |
100+ | 2.31 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.81 EUR |
2500+ | 1.78 EUR |
5000+ | 1.75 EUR |
IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 39890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 1.83 EUR |
10+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.21 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
IPC100N04S5L2R6ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 16116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.22 EUR |
10+ | 1.69 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
500+ | 1.21 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
5000+ | 0.88 EUR |
IPD100N04S4-02 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 11789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.71 EUR |
10+ | 2.9 EUR |
100+ | 2.46 EUR |
250+ | 2.27 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.76 EUR |
2500+ | 1.67 EUR |
IPD100N04S4L02ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.21 EUR |
10+ | 3.5 EUR |
100+ | 2.78 EUR |
250+ | 2.57 EUR |
500+ | 2.32 EUR |
1000+ | 1.99 EUR |
2500+ | 1.9 EUR |
IPD100N06S403ATMA2 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 10.19 EUR |
IPD100N06S403ATMA2 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 4739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.54 EUR |
10+ | 2.8 EUR |
100+ | 2.34 EUR |
250+ | 2.16 EUR |
500+ | 1.97 EUR |
1000+ | 1.69 EUR |
2500+ | 1.6 EUR |
IPP100N06S2L05AKSA2 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 6.46 EUR |
10+ | 5.42 EUR |
25+ | 5.12 EUR |
100+ | 4.38 EUR |
250+ | 4.14 EUR |
500+ | 3.73 EUR |
1000+ | 3.13 EUR |
IPP100N08N3GXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
IPP100N08N3GXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
250+ | 1.06 EUR |
1000+ | 1.04 EUR |
IXTP100N04T2 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
30+ | 2.46 EUR |
33+ | 2.22 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
250+ | 1.63 EUR |
IXTP100N04T2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V
MOSFET 100 Amps 40V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.35 EUR |
10+ | 3.5 EUR |
100+ | 2.87 EUR |
250+ | 2.75 EUR |
500+ | 2.43 EUR |
1000+ | 2.34 EUR |
LQM21FN100N00L |
Hersteller: MURATA
Category: SMD 0805 inductors
Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM
Type of inductor: ferrite
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Inductance: 10µH
Operating current: 60mA
Resistance: 0.65Ω
Resonant frequency: 15MHz
Tolerance: ±30%
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: LQM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: SMD 0805 inductors
Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM
Type of inductor: ferrite
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Inductance: 10µH
Operating current: 60mA
Resistance: 0.65Ω
Resonant frequency: 15MHz
Tolerance: ±30%
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: LQM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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480+ | 0.15 EUR |
780+ | 0.092 EUR |
1000+ | 0.072 EUR |
1060+ | 0.068 EUR |
NP100N04PUK-E1-AY |
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFET Power MOSFET
MOSFET Power MOSFET
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.84 EUR |
10+ | 4.07 EUR |
25+ | 3.84 EUR |
100+ | 3.29 EUR |
250+ | 3.12 EUR |
500+ | 2.92 EUR |
800+ | 2.5 EUR |
NP100N055PUK-E1-AY |
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFET POWER AUTO MOS MP-25LZP ANL2 OTHER
MOSFET POWER AUTO MOS MP-25LZP ANL2 OTHER
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.91 EUR |
10+ | 4.96 EUR |
25+ | 4.8 EUR |
100+ | 4.03 EUR |
250+ | 3.89 EUR |
500+ | 3.57 EUR |
800+ | 2.87 EUR |
RSS100N03HZGTB |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET AECQ
MOSFET AECQ
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.48 EUR |
10+ | 2.08 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
250+ | 1.62 EUR |
500+ | 1.38 EUR |
1000+ | 1.2 EUR |
2500+ | 1.12 EUR |
RXH100N03TB1 |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 3881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.43 EUR |
10+ | 1.99 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.3 EUR |
1000+ | 1.06 EUR |
2500+ | 1.02 EUR |
5000+ | 0.95 EUR |
SDA100N08B |
Hersteller: SIRECTIFIER
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 800V; If: 100A; 21MM; screw
Case: 21MM
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Load current: 100A
Max. forward impulse current: 1.54kA
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 180A
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 800V; If: 100A; 21MM; screw
Case: 21MM
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Load current: 100A
Max. forward impulse current: 1.54kA
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 180A
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 14.36 EUR |
SDA100N08B |
Hersteller: SIRECTIFIER
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 800V; If: 100A; 21MM; screw
Case: 21MM
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Load current: 100A
Max. forward impulse current: 1.54kA
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 800V; If: 100A; 21MM; screw
Case: 21MM
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Load current: 100A
Max. forward impulse current: 1.54kA
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 14.36 EUR |
10+ | 13.8 EUR |
SQD100N02-3M5L_GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.52 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.6 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
2000+ | 1.02 EUR |
4000+ | 0.98 EUR |
SQD100N03-3M2L_GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.94 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
250+ | 1.8 EUR |
500+ | 1.64 EUR |
1000+ | 1.4 EUR |
2000+ | 1.33 EUR |
SQD100N03-3M4_GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.53 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
250+ | 1.55 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.2 EUR |
2000+ | 1.14 EUR |
SQD100N04-3m6L_GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.53 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
250+ | 1.55 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.2 EUR |
2000+ | 1.14 EUR |
SQD100N04-3m6_GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.52 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.67 EUR |
250+ | 1.55 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.2 EUR |
2000+ | 1.14 EUR |
SQM100N04-2m7_GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.59 EUR |
10+ | 3.84 EUR |
100+ | 3.04 EUR |
250+ | 2.82 EUR |
500+ | 2.34 EUR |
800+ | 2.06 EUR |
4800+ | 2.01 EUR |
TK 100N 02 1,35 S 280 N |
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 02
Related items: TK100N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 02
Related items: TK100N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
17+ | 4.2 EUR |
TK 100N 03 1,90 S 280 N |
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 03
Related items: TK100N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 03
Related items: TK100N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 3.58 EUR |
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