Produkte > BUK

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BUK100-50
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK100-50GLNXP SemiconductorsMOSFET RAIL TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK100-50GLPHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK100-50GL,127NexperiaNexperia RAIL TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK100-50GL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 13.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK100-50GL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 13.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK10050DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10050GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10050GS
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK101-0GL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK101-50
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK101-50DL
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK101-50DL(Transistor)
Produktcode: 72810		PhilipsTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BUK101-50GLPHILIPS08+ QFN
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK101-50GL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 26A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK101-50GL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET LOGIC LVL TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 26A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK101-50GL,127
Produktcode: 156150		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK101-50GS
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK101-50GS,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 29A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK101050GSTO220/
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10150
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10150DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10150GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10150GS
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK102-50
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10250DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10250GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10250GSPHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK104-50L
Produktcode: 51395		IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Produkt ist nicht verfügbar
BUK104-50L
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10450L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10450LP
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10450S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10450SP
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK106PHI00+
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK106-50L
Produktcode: 101824		IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Produkt ist nicht verfügbar
BUK106-50L,127NXP SemiconductorsSOT263 LS TOPFET SOT2
Produkt ist nicht verfügbar
BUK10650L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10650LP
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10650S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10650SP
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK107-50DLPhilipsТранз. Пол. БМ N-MOSFET SOT223 Udss=50V; Id=0,7A; Pdmax=1,8W; Rds=0,2 Ohm
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.49 EUR
BUK107-50DLPHILIPS09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK107-50DL,115NXP SemiconductorsDescription: TOPFET LOGIC LVL 50V SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
BUK10750DL
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10750DS
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10750GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK108-500L
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK108-50DLPH
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK108-50DLPHILIPSTO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK108-50DL /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK108-50DL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK108-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 13.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK10850DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10850GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10850GS
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK109-50
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK109-500DPHILIPS
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK109-500L
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK109-50DL
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK109-50DL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK109-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK109-50DL/T3NXP SemiconductorsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK109-55
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10950DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10950GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK10950GS
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK110-50GLPHILIPSTO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK110-50GL /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK110-50GL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 45A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK110-50GL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK11050DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11050GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11050GS
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11150GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11250GL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11350DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK114-50LPH
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK114-50L
Produktcode: 46243		IC > IC Netzteile
Produkt ist nicht verfügbar
BUK114-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 15A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK11450L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11450S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK116-50LPHISOT263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK116-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 50A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK11650L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK11650S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK117-50DL
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK117-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 12A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK11750DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK118-50DLPH
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK118-50DL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 16A Automotive 3-Pin(3+Tab) SOT-78B Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK118-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 24A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK11850DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK119-50DL
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK119-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 43A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK11950DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK124-50LNXP SemiconductorsMOSFET RAIL TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK124-50L
Produktcode: 46271		IC > IC Netzteile
Produkt ist nicht verfügbar
BUK124-50L,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Produkt ist nicht verfügbar
BUK12450L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK125-50L
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK125-50L,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Produkt ist nicht verfügbar
BUK12550L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK127-50DL,115NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-73
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK127-50GT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 50V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK127-50GT,115NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-73
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK127-50GT/127GT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK12750DL
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK12750GT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK128-50DLPHILIPSTO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK128-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK128-50DL/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK12850DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK129-50DL
Produktcode: 32499		PhilipsIC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Gehäuse: SOT-404
Beschreibung: Logic level TOPFET SMD version
Spannung: 50V
Temperaturbereich: -55...+150°C
Produkt ist nicht verfügbar
BUK129-50DLPHILIPSTO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK129-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK129-50DL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK129-50DL/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK12950DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK130-50DLPHILIPSTO-263
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK130-50DL,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 20A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK13050DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK135-50LPHILIPS07PB
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK135-50LPHILIPS09+
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK135-50L,118NXP SemiconductorsDescription: TOPFET LOGIC LVL 50V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK13550L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK136-50L,118NXP USA Inc.Description: TOPFET LOGIC LVL 50V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK13650L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK138-50DL
Produktcode: 118486		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK138-50DLPH
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK138-50DLNXPTO252
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK138-50DL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK138-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK138-50DL/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TransMOSFET N-CH 50V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK138-50DL/C1,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK13850DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK139-50DL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK139-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK139-50DL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK139-50DL/C1,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK139-50DL/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TransMOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin(2+Tab)DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK13950DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK148-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK14850DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK149-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK14950DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK150-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 20A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK15050DL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK1M10050SGTD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK1M200-50SDLD
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK1M200-50SDLD,11NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 20-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK1M200-50SDLD,11NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 800mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK1M200-50SDLD,51NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 800mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK1M200-50SDLDT/RNXP SemiconductorsMOSFET TOPFET MULTICHAN FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK1M200-50SGTD,11NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK1M200-50SGTD,51NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK1M20050SDLD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK1M20050SGTD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20050X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20050Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20150X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20150Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK202-50Y
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK202-50Y
Produktcode: 143478		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
BUK202-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution RAIL TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK202-50Y,127NexperiaPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
Produkt ist nicht verfügbar
BUK202-50Y,127NXP SemiconductorsSmart High-Side Current Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK202-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CH 1:1 SOT263B
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 20A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Produkt ist nicht verfügbar
BUK202-50Y/BNXP SemiconductorsHigh-Side Current Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK20250
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20250X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20250Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20350X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20350Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK204-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
Produkt ist nicht verfügbar
BUK204-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 77mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 40V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Produkt ist nicht verfügbar
BUK20450X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20450Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK205-50Y
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK205-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 40V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Produkt ist nicht verfügbar
BUK20550X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20550Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK206PHI00+
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20650
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20650X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20650Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20750X
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK20750Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK208-50Y
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK208-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK20850Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK209-50Y
Produktcode: 139258		IC > IC Netzteile
Produkt ist nicht verfügbar
BUK209-50YPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK209-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
Produkt ist nicht verfügbar
BUK209-50Y,127NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
Produkt ist nicht verfügbar
BUK209-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CH 1:1 SOT263B
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK20950Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK210-50A
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK210-50YPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK210-50Y,127NXP SemiconductorsHigh Side Current Limit Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK210-50Y,127
Produktcode: 84224		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK210-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21050Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK2114-50SYTS /T3NXP SemiconductorsGate Drivers TOPFET HIGH SIDE FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK2114-50SYTS,118NXP SemiconductorsGate Drivers TOPFET HIGH SIDE FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK2114-50SYTS,118NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET HI SIDE SW SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 14mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK2114-50SYTS,118NXP SemiconductorsHigh Side Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK212-50YPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK212-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21250Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK213TO-263-5
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK213-50YNXP08+ SMD
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK213-50YPHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK213-50YPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK213-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK213-50Y,118NXP SemiconductorsSingle channel high-side with current limit function
Produkt ist nicht verfügbar
BUK213-50Y,118NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK213-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK214-50YPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK214-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK214-50Y,118NXP SemiconductorsHigh-Side Current Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21450Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK215TO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK215-50YPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK215-50Y,118NXP SemiconductorsHigh Side Switch with current limit function
Produkt ist nicht verfügbar
BUK215-50Y,118
Produktcode: 84226		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK215-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21550Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK21550YT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK21650YT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK217N/A
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK217-50YNXP09+ LQFP80
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK217-50Y,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 44A SOT426
Produkt ist nicht verfügbar
BUK217-50YT,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 44A SOT426
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21750Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK21750YT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK218-50DC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK218-50DC,118NXP SemiconductorsDual High Side Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK218-50DC,118NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 35V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 8A
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK218-50DYPH
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK218-50DY,118NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 35V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 8A
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK218-50DY,118NXP SemiconductorsHigh Side Current Limit Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21850DC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK21850DY
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK219-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution RAIL TOPFET2
Produkt ist nicht verfügbar
BUK219-50Y
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK219-50Y,127NXP SemiconductorsHigh Side Current Limit Switch
Produkt ist nicht verfügbar
BUK219-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Produkt ist nicht verfügbar
BUK219-50Y,127NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution BUK219-50Y/SOT263/RAILH//
Produkt ist nicht verfügbar
BUK21950Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK220-50YPH
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK220-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Produkt ist nicht verfügbar
BUK220-50Y,118NXP SemiconductorsHigh side switch with Load current limiting
Produkt ist nicht verfügbar
BUK22050Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK221-50DYPH
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK221-50DY,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK-7
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK22150DY
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK223-50Y
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK223-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Produkt ist nicht verfügbar
BUK22350Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK224-50Y
Produktcode: 48743		IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Produkt ist nicht verfügbar
BUK224-50YNXP
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK224-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
Produkt ist nicht verfügbar
BUK224-50Y,118NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
Produkt ist nicht verfügbar
BUK224-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK224-50Y,118NXP SemiconductorsHigh side switch with Load current limiting
Produkt ist nicht verfügbar
BUK22450Y
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK2914-50SYTS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK2914-50SYTS,127NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET HI SIDE SOT263B-01
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 14mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: SOT263B-01
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WDFENXP SemiconductorsController 5.5V to 52V 64-Pin PQFP
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WDFE,518Nexperia USA Inc.Description: IC 9675 AUTO 64QFP
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WDFE,518NexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WDFMNXP
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK3F00-50WDFM
Produktcode: 105113		NXPIC > IC Interface
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WDFMPHILIPS06+
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK3F00-50WDFM,518Nexperia USA Inc.Description: IC 9675 AUTO 64QFP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WDFM,518NexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WFEANexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WFEA,518Nexperia USA Inc.Description: 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WGFANexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK3F00-50WGFA,518Nexperia USA Inc.Description: 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
Produkt ist nicht verfügbar
BUK416-200AEST
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK416200AEBE
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK417-500AEST
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK417-500BEST
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK417500AEBE
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4261000AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK426100AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK42650AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK42660A.B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK426800AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK427400A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK427400B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK427450B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK427500A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK427500B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK428500AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK428800AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4361000AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436100AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK43650AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK43660APHI
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK43660AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436800AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436W1000B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436W200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436W200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436W800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK436W800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK437400A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK437400B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK437450B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK437500A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK437500B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4381000A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4381000B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK438800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK438800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK438W800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK438W800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK441100AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44160AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK442100A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK442100B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44250A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44250B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444
Produktcode: 82500		PhilipsTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-186
Uds,V: 200
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.35
Ciss, pF/Qg, nC: 700/
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.54 EUR
BUK444
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444-200A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444-200A,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK444-200BPH2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444-500ATO-220
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444200
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444800
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK444800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445(500V)
Produktcode: 72964		Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
BUK445-100B
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445-60A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445400A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445500A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44550A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK445600A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK44560ABH
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK446-800B
Produktcode: 82710		PhilipsTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-186
Uds,V: 800
Idd,A: 2
Rds(on), Ohm: 03.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1000/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4461000B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK446800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK446800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK451100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK451100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK452PH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK452-100APH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK452-100BPHI9719+
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK452-60BPHILIPS
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK452100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK452100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45260A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45260B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK453-100BPH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK453-50BPH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK453-60BPH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK453100
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK453100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK453100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45360
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45360B
Produktcode: 92529		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK45360B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454-200A
Produktcode: 139457		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK454-200B
auf Bestellung 11450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454-60H
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454-800A
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK454800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK455
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK455-50B
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK455-600B
Produktcode: 11365		PhilipsTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.26 EUR
BUK455100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK455100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK455200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK455200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45550A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45550B
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45560B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45560H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456-1000B
Produktcode: 83361		PhilipsTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 1000/
Produkt ist nicht verfügbar
BUK456-200PH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456-200B,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK456-800A
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4561000
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4561000B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456200
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45650A
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45650B
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45660A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45660B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK45660H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456800
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK456800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK457400
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK457400A
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK457400B
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK457500AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK457600AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK457600B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK462100A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK462100B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46250A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46250B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46260A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK463100A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK463100B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46350A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46350B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46360B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464200A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464200B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464400A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464400B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464450B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464500A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464500B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464600A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK464600B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK465100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK465200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46560H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK466100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK466200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK46660A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK472100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK472100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47260A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47260B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK473100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK473100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47360B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK474-200A
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK474200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK474200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK475100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK475100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK475200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK475200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47560B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK47560H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK481-100PHILIPS05+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK481-100A
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK481-60APHILIPS96+ 223
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK481100A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK48160A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK482-100A
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK482-60A
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK482100A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK482200A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK48260A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK483-60APH09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK48360A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK4D110-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D110-20PXNexperiaMOSFET BUK4D110-20P/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 5886 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
99+ 0.53 EUR
139+ 0.37 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.23 EUR
45000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 56
BUK4D110-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D110-20PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin DFN-MD EP
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D110-20PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D110-20PXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK4D122-20PXNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D122-20P/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D16-20HNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
28+ 0.93 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BUK4D16-20HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D16-20HNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK4D16-20HNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D16-20/SOT1220
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
56+ 0.94 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.43 EUR
3000+ 0.37 EUR
9000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BUK4D16-20HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D16-20XNexperiaMOSFET BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
56+ 0.94 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.66 EUR
3000+ 0.56 EUR
9000+ 0.39 EUR
24000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BUK4D16-20XNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D16-20XNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D16-20XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D16-20XNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK4D16-20XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D38-20PHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D38-20PHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D38-20PHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D38-20PHNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D38-20P/SOT1220
auf Bestellung 4420 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
59+ 0.88 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.41 EUR
3000+ 0.35 EUR
9000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BUK4D38-20PHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
30+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BUK4D38-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D38-20PXNexperiaMOSFET BUK4D38-20P/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
59+ 0.88 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.55 EUR
3000+ 0.47 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BUK4D38-20PXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK4D38-20PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D38-20PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D38-20PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D38-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D60-30XNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK4D60-30XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D60-30XNexperiaMOSFET BUK4D60-30/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 10106 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
57+ 0.91 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.41 EUR
3000+ 0.38 EUR
9000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BUK4D60-30XNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK4D60-30XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK4D72-30XNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D72-30/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
BUK542100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK542100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54260A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54260B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK543100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK543100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54350AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54360AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54360B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK545100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK545100AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK545100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK545200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK545200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54560B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK54560H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK552-100A
auf Bestellung 39732 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK552-60APHILIPS09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK552-60APH09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK552100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK552100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55260
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55260A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55260AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55260B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK553-100A,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK553100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK553100B
Produktcode: 143411		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK553100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55348C
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55350AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55360B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK554-200A
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK554200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK554200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555PHI99+ TO-220
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555-100A
Produktcode: 19244		NXPTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 24
Rds(on), Ohm: 0.085
Bem.: Log. Steuerung
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BUK555-100AQNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK555-100B
auf Bestellung 27690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555-200B,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK555-60A,127NXP SemiconductorsBUK555-60A,127^NXP
Produkt ist nicht verfügbar
BUK555-60B
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555100
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555200
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK555200B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55550A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55550B
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55560B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55560H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55660
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55660A
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55660AC
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55660C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK55660H
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK562100A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK562100B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56250A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56250B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56260A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56260B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK563-50A
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK563100A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK563100B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56348C
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56350A
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56350B
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56380B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK564200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK565-100A
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK565-60A
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK565100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK565200A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56560A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56560H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK566-50A
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56660A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK56660H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK57348C
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK57360A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK57360B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK57460H
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK581-100APH09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK581-60APHILIPSSOT223
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK581100A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK58160A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK582-100APH09+
auf Bestellung 32518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK582-100APHI2001
auf Bestellung 3504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK582-100A,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK582100A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK58260A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK583-60APH09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK58360A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK617-500AEST
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK617-500ALST
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6207-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6207-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6207-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6207-55C,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6207-55C,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6207-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 81A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6207-55C,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6208-40C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6208-40C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6209-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6209-30CNXP USA Inc.Description: PFET, 50A I(D), 30V, 0.0192OHM,
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6209-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6209-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6209-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 50A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6209-30C-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 50A I(D), 30V, 0.0192OHM,
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6210-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6210-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 78A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6210-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6211-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 74A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6211-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6211-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 74A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6211-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6212-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6212-40C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6212-40C - 50A, 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
919+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 919
BUK6212-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 50A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6212-40C,118-NEXRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 50A I(D), 40V, 0.02OHM, 1-
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6213-30A,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30A,118NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
BUK6213-30A,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30CNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 47A
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK6213-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 47A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6213-30C,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6213-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6213-30C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK621330A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6215-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6215-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 57A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6215-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 57A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6215-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 57A
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK6217-55CRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 44A I(D), 55V, 0.0285OHM,
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6217-55C
Produktcode: 179616		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1154+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1154
BUK6217-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 44A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6217-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6218-40CNXP USA Inc.Description: PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6218-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6218-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 42A
auf Bestellung 7467 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK6218-40C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6218-40C118Nexperia USA Inc.Description: BUK6218-4240N-CHANNMOSFETO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6226-75CNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6226-75CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6226-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6226-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 33A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6226-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6226-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6228-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 31A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6228-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6228-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6228-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 740
BUK6246-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6246-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6246-75C,118NexperiaMOSFET N-Chan 75V 22A 60W
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6246-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1066+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1066
BUK624R5-30CNexperia USA Inc.Description: PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
701+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 701
BUK624R5-30C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
auf Bestellung 24820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 683
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK624R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 90A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK624R5-30C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 683
BUK625R0-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 90A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R0-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R0-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R0-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R0-40C,118-NXPNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R2-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R2-30C,118NexperiaMOSFET N-Chan 30V 90A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36466 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
888+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 888
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK626R2-40CNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK626R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK626R2-40C,118NexperiaMOSFET N-Chan 30V 90A
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK626R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK626R2-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6381000
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6381000A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6381000B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK638500AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK638500B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK638800
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK638800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK638800AB
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK638800B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6507-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6507-55C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6507-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
auf Bestellung 4728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
545+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 545
BUK6507-75C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6507-75C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6510-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6510-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
auf Bestellung 4871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
468+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 468
BUK652R0-30C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R0-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
224+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 224
BUK652R0-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R1-30C,127NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R1-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
314+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 314
BUK652R1-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R1-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R3-40C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R3-40C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R3-40C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R3-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
auf Bestellung 5171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
224+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 224
BUK652R6-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R6-40C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R6-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
auf Bestellung 3041 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
314+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 314
BUK652R6-40C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
auf Bestellung 4008 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
342+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 342
BUK652R7-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK652R7-30C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R2-55C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R2-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
224+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 224
BUK653R2-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R3-30C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R4-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R5-55CNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
auf Bestellung 4931 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
290+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 290
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK653R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
auf Bestellung 5180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
503+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 503
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
226+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 226
BUK654R0-75C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK654R6-55C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
BUK654R6-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK654R8-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
398+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 398
BUK655450B
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK655500A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK655500ABC
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK655500B
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK655500C
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK655R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
BUK657450B
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK6607-55CNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6607-55C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6607-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.63 EUR
10+ 3.84 EUR
100+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BUK6607-55C,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 420A
Case: D2PAK; SOT404
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
On-state resistance: 14.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6607-55C,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 420A
Case: D2PAK; SOT404
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
On-state resistance: 14.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6607-55C,118NexperiaMOSFET BUK6607-55C/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5091 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.94 EUR
12+ 4.45 EUR
100+ 3.59 EUR
500+ 3.04 EUR
800+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+2.59 EUR
1600+ 2.19 EUR
2400+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6607-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 100A
auf Bestellung 4813 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK6607-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
452+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 452
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
auf Bestellung 7474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 740
BUK6610-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 78A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6610-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 78A
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK661R6-30C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK661R6-30C118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
370+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 370
BUK661R8-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK661R8-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
245+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 245
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.22 EUR
10+ 6.89 EUR
100+ 5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800
BUK661R9-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R4-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
417+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 417
BUK662R4-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R5-30C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK662R5-30C - 100A, 30
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
579+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 579
BUK662R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R5-30C,118-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 30V, 0.0048OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R7-55CNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK662R7-55C - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R7-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R7-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
325+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 325
BUK663R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
auf Bestellung 14413 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
601+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 601
BUK663R2-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R5-55C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
417+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 417
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R5-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R7-75CNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R7-75C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R7-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R7-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK663R7-75C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.24 EUR
4000+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800
BUK663R7-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R4-55C
Produktcode: 175664		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK664R4 - N-CHANNEL T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R4-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 100A
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK664R4-55C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK664R4 - N-CHANNEL T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R6-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
auf Bestellung 4796 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK664R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 683
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R8-75C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK664R8-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6C1R5-40C,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6C2R1-55C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6C2R1-55C,118-NXNXP USA Inc.Description: PFET, 228A I(D), 55V, 0.0037OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6C3R3-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6C3R3 - N-CHANNEL TR
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
189+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189
BUK6C3R3-75C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BUK6D120-40EXNexperiaMOSFET BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
24000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D120-40EXNEXPERIA40 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BUK6D120-40EXNexperia40 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D120-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 7.5W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 7.5W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 41618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+ 0.33 EUR
9000+ 0.31 EUR
30000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.53 EUR
393+ 0.38 EUR
406+ 0.36 EUR
501+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 295
BUK6D120-60PXNXP60 V, P-channel Trench MOSFET BUK6D120-60PX TBUK6d120-60px
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BUK6D120-60PXNexperiaMOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 43335 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.34 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+0.54 EUR
409+ 0.37 EUR
511+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 289
BUK6D120-60PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.67 EUR
289+ 0.52 EUR
409+ 0.36 EUR
511+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 233
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 41618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-60PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35908 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-60PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.65 EUR
276+ 0.55 EUR
295+ 0.49 EUR
393+ 0.36 EUR
406+ 0.33 EUR
501+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 240
BUK6D120-60PZNexperia USA Inc.Description: BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PZNexperiaMOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-60PZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D125-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D125-60EXNexperiaMOSFET BUK6D125-60E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 6536 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
57+ 0.91 EUR
103+ 0.51 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.27 EUR
24000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
29+ 0.93 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BUK6D125-60EXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D125-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D125-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D16-30EXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D16-30EXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D20-40EXNexperiaMOSFET BUK6D20-40E/SOT1220/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D210-60EXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D210-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D210-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 23A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 456mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D210-60EXNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D210-60EXNexperiaMOSFET BUK6D210-60E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 25753 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
70+ 0.74 EUR
126+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BUK6D210-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 23A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 456mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D210-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16464 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BUK6D22-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5659 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
31+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BUK6D22-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D22-30EXNexperiaMOSFET BUK6D22-30E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 14712 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
67+ 0.78 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BUK6D22-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.7A; Idm: 89A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.7A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D22-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D22-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D22-30EXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D22-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.7A; Idm: 89A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.7A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D23-40EHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
31+ 0.84 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BUK6D23-40EHNEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D23-40EHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D23-40EHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D23-40EHNexperiaMOSFET MOSFET BUK6D23-40E/SOT1220
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.39 EUR
3000+ 0.33 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BUK6D23-40EHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D23-40EXNexperiaMOSFET BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 71020 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.31 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 56
BUK6D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
32+ 0.82 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.52 EUR
306+ 0.49 EUR
440+ 0.33 EUR
445+ 0.31 EUR
572+ 0.23 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 303
BUK6D23-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+ 0.31 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.6 EUR
300+ 0.5 EUR
303+ 0.48 EUR
306+ 0.46 EUR
440+ 0.3 EUR
445+ 0.29 EUR
572+ 0.21 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 262
BUK6D23-40EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D23-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D230-80EXNexperiaMOSFET BUK6D230-80E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 15914 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
69+ 0.76 EUR
119+ 0.44 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
24000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 52
BUK6D230-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D230-80EXNexperia80 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D230-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 20.4A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D230-80EXNEXPERIA80 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D230-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 20.4A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D230-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8537 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BUK6D30-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D30-40EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 400V 18A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D30-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 73A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D30-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D30-40EXNexperiaMOSFET BUK6D30-40E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52
BUK6D30-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D30-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D30-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 73A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8326 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BUK6D38-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BUK6D38-30EXNexperiaMOSFET BUK6D38-30E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
57+ 0.92 EUR
102+ 0.51 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.31 EUR
9000+ 0.28 EUR
24000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BUK6D38-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 68A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D38-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D38-30EXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D38-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 68A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D38-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
45000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
45000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D385-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D385-100EXNEXPERIA100 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D385-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D385-100EXNexperiaMOSFET BUK6D385-100E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 12176 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
58+ 0.91 EUR
100+ 0.53 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.3 EUR
9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BUK6D385-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D385-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40PNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40P,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D43-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D43-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D43-40PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -8.9A; Idm: -56A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 12070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D43-40PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -8.9A; Idm: -56A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14061 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
27+ 0.99 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BUK6D43-40PXNexperiaMOSFET BUK6D43-40P/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 42694 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
52+ 1 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.44 EUR
3000+ 0.37 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BUK6D43-60E,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 52A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D43-60EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 52A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNexperiaMOSFET BUK6D43-60E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 97336 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
78+ 0.67 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D43-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 332694 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2511+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2511
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 327000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D56-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D56-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 44A; 15W; DFN6,SOT1220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D56-60EXNexperiaMOSFET BUK6D56-60E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.23 EUR
54+ 0.96 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 43
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.29 EUR
30000+ 0.28 EUR
75000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D56-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D56-60EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 6-Pin DFN-MD EP
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D56-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 44A; 15W; DFN6,SOT1220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 110718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
28+ 0.96 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BUK6D72-30EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D72-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11509 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
33+ 0.81 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BUK6D72-30EXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D72-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 44A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar