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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQA020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-007-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Mounting Type: Through Hole
Filter Type: DC
Packaging: Tray
Current: 20 A
Voltage - Rated DC: 40V
Applications: General Purpose
Termination Style: PC Pins
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Configuration: Single Stage
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+385.04 EUR
10+378.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+283.74 EUR
10+263.68 EUR
30+260.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-007-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+286.91 EUR
10+262.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-N07-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Applications: General Purpose
Termination Style: PC Pins
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Configuration: Single Stage
Mounting Type: Through Hole
Filter Type: DC
Packaging: Tray
Current: 20 A
Voltage - Rated DC: 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-N07-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+383.38 EUR
10+374.92 EUR
30+374.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+268.36 EUR
10+263.68 EUR
30+263.64 EUR
60+263.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.49 EUR
10+264.81 EUR
25+255.7 EUR
50+242.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA10N60C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N60CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 44477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
124+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 8195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 14881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80CFAIRCHILD2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch advance QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch QFET Advance
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+8.1 EUR
25+7.66 EUR
100+6.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.5 EUR
26+9.09 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109ON Semiconductor
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80_F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90ONS/FAITO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90-F109onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90-F109
Produktcode: 147569
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA11N90-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11.4 A, 0.75 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C
Produktcode: 196558
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C-F109onsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C-F109ON Semiconductor
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C-F109onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C-F109-NDOn SemiconductorMOSFET N-CH 900V 11A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C_F109
Produktcode: 48424
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA11N90C_F109ONS/FAIN-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA12N06CFAIRCHIL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA12N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 9750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
167+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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FQA12N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
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FQA12N60ON SemiconductorFQA12N60
auf Bestellung 9750 Stücke:
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219+2.98 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.56 EUR
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FQA12N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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FQA12N60FAIRCHILDTO-3P 05+
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FQA12P20onsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
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FQA12P20
Produktcode: 182099
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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FQA12P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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FQA13N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
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FQA13N50FAIRCHILD09+
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQA13N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FQA13N50C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQA13N50CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 8252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FQA13N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA13N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+6 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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FQA13N50C
Produktcode: 190199
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FQA13N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
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FQA13N50C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FQA13N50C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FQA13N50C-F109onsemi / FairchildMOSFET 500V CFET
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+6.28 EUR
25+5.95 EUR
100+5.15 EUR
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FQA13N50C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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FQA13N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.34 EUR
52+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQA13N50CF
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
30+5.02 EUR
120+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CFonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET)
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+4.65 EUR
25+4.41 EUR
100+3.88 EUR
450+3.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CF_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80
Produktcode: 76061
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80FAIRCHILD2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQA13N80onsemi / FairchildMOSFETs TO-3P N-CH 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.87 EUR
34+5.03 EUR
120+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109onsemiMOSFETs TO-3P N-CH 600V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.23 EUR
10+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FQA13N80-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.61 EUR
30+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80-F109ON Semiconductor
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80_F109ON-SemiconductorN-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FQA13N80_F109FAIRCHILDMOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+27.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80_F109ON-SemiconductorN-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N80_F109
Produktcode: 178511
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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FQA140N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.98 EUR
11+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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