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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1309(TE85L,F) RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1312(TE85L,F) RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1313(TE85L,F) RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1314(TE85L,F) RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1316,LF RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1317(TE85L,F) RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1318(TE85L,F) RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1413(TE85L,F) RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18794&prodName=RN1412 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1507(TE85L,F) RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
45+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CT RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904(T5L,F,T) RN1904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902 Description: TRANSISTOR NPN US6
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1906(T5L,F,T) RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1961FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1962FE(TE85L,F) RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1963FE(TE85L,F) RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1964FE(TE85L,F) RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1966FE(TE85L,F) RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2301,LF RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2303(TE85L,F) RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2304(TE85L,F) RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2305(TE85L,F) RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2307(TE85L,F) RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2309(TE85L,F) RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2311(TE85L,F) RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2313(TE85L,F) RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2314(TE85L,F) RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2316(TE85L,F) RN2316(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2317(TE85L,F) RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2318(TE85L,F) RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2506(TE85L,F) RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
auf Bestellung 21093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2711(TE85L,F) RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4603(TE85L,F) RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
auf Bestellung 6309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4906(T5L,F,T) RN4906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4981,LF(CT RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 7895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4983(T5L,F,T) RN4983(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983 Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984(T5L,F,T) RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CT RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
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RN4986(T5L,F,T) RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2730 Stücke:
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RN4988(T5L,F,T) RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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RN4989(T5L,F,T) RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RN4990(T5L,F,T) RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RN4991(T5L,F,T) RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18994&prodName=RN4991 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3J118TU(TE85L) SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
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SSM3J15CT(TPL3) SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J15CT Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 885 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3) SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J16CT Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
auf Bestellung 9153 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F) SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7567&prodName=SSM3J304T Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
auf Bestellung 12 Stücke:
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SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SSM3J35MFV,L3F SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10000&prodName=SSM3J35MFV Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 64429 Stücke:
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56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SSM3J36MFV,L3F SSM3J36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J36MFV Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
auf Bestellung 9353 Stücke:
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SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 31920 Stücke:
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26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
58+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SSM3K01T(TE85L,F) SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K16CT(TPL3) SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
auf Bestellung 3531 Stücke:
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SSM3K301T(TE85L,F) SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
auf Bestellung 11 Stücke:
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SSM3K302T(TE85L,F) SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K309T(TE85L,F) SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K309T Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K310T(TE85L,F) SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K310T Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
auf Bestellung 4791 Stücke:
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RN1309(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307
RN1309(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 1995 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1310(TE85L,F)
RN1310(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1312(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1313(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1314(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1316,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1316,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1317(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1317(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1318(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1413(TE85L,F) docget.jsp?did=18794&prodName=RN1412
RN1413(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1507(TE85L,F)
RN1507(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
45+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1602(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
RN1602(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CT RN190x.pdf
RN1903,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902
RN1904(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN US6
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1961FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE
RN1961FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1962FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1962FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1963FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1963FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1964FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1964FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1966FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1966FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2301,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301
RN2301,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2303(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2304(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2304(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2305(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2307(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2309(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2309(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2311(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310
RN2311(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2312(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2313(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2314(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2316(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2316(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2317(TE85L,F) docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318
RN2317(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2318(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2506(TE85L,F) RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501
RN2506(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
auf Bestellung 21093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2711(TE85L,F) docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711
RN2711(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Produkt ist nicht verfügbar
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RN4603(TE85L,F) docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603
RN4603(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
RN4606(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
auf Bestellung 6309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN4906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
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RN4981,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981
RN4981,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 7895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN4983(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983
RN4983(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Produkt ist nicht verfügbar
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RN4984(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984
RN4984(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN4985,LF(CT RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985
RN4985,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+0.5 EUR
62+0.35 EUR
126+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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RN4986(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986
RN4986(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988
RN4988(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4989(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989
RN4989(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4990(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990
RN4990(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4991(T5L,F,T) docget.jsp?did=18994&prodName=RN4991
RN4991(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3J118TU(TE85L)
SSM3J118TU(TE85L)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J15CT
SSM3J15CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J16CT
SSM3J16CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F) docget.jsp?did=7567&prodName=SSM3J304T
SSM3J304T(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LF SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F
SSM3J325F,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+0.65 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35MFV,L3F docget.jsp?did=10000&prodName=SSM3J35MFV
SSM3J35MFV,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 64429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J36MFV,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J36MFV
SSM3J36MFV,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
auf Bestellung 9353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV
SSM3J56MFV,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 31920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
58+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SSM3K01T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T
SSM3K01T(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K16CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K16CT
SSM3K16CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K301T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T
SSM3K301T(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K302T(TE85L,F) SSM3K302T.pdf
SSM3K302T(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K309T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K309T
SSM3K309T(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
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SSM3K310T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K310T
SSM3K310T(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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