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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
58+0.36 EUR
110+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
auf Bestellung 7889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
auf Bestellung 9366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 6039.pdf Description: TRANSISTOR NPN SSM
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106MFV(TL3,T) RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1108(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1109(T5L,F,T) RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113(T5L,F,T) RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114(T5L,F,T) RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(T5L,F,T) RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1130MFV,L3F RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
94+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
163+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
2000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1301,LF RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
124+0.17 EUR
200+0.1 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1303(TE85L,F) RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1308,LF RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
auf Bestellung 7466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1309(TE85L,F) RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1312(TE85L,F) RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1313(TE85L,F) RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1314(TE85L,F) RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1316,LF RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1317(TE85L,F) RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1318(TE85L,F) RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1413(TE85L,F) RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18794&prodName=RN1412 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1507(TE85L,F) RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
45+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CT RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904(T5L,F,T) RN1904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902 Description: TRANSISTOR NPN US6
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1906(T5L,F,T) RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1961FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1962FE(TE85L,F) RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1963FE(TE85L,F) RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1964FE(TE85L,F) RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1966FE(TE85L,F) RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2301,LF RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2303(TE85L,F) RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2304(TE85L,F) RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2305(TE85L,F) RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RN2307(TE85L,F) RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2309(TE85L,F) RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2311(TE85L,F) RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2313(TE85L,F) RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2314(TE85L,F) RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2316(TE85L,F) RN2316(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2317(TE85L,F) RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2318(TE85L,F) RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2506(TE85L,F) RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
auf Bestellung 21093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2711(TE85L,F) RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4603(TE85L,F) RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
auf Bestellung 6309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4906(T5L,F,T) RN4906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4981,LF(CT RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 7895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN4983(T5L,F,T) RN4983(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983 Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984(T5L,F,T) RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CT RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
62+0.35 EUR
126+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(T5L,F,T) RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(T5L,F,T) RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101
RN1103,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
58+0.36 EUR
110+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104MFV,L3F RN110xMFV.pdf
RN1104MFV,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
auf Bestellung 7889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1105MFV,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
auf Bestellung 9366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105(T5L,F,T) 6039.pdf
RN1105(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN SSM
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106MFV(TL3,T) RN110xMFV.pdf
RN1106MFV(TL3,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1108(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1108(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1109(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1109(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112
RN1112(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113(T5L,F,T)
RN1113(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1114(T5L,F,T)
RN1114(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1115,LF(CT docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1115,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1118(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114
RN1118(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1130MFV,L3F docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV
RN1130MFV,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
94+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1131MFV(TL3,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
163+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
2000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1301,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301
RN1301,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
124+0.17 EUR
200+0.1 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1303(TE85L,F) docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1303(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1308,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1308,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
auf Bestellung 7466 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1309(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307
RN1309(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 1995 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1310(TE85L,F)
RN1310(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2553 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1312(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1313(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
auf Bestellung 2990 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1314(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2975 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1316,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1316,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 618 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1317(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1317(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2925 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1318(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 2835 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1413(TE85L,F) docget.jsp?did=18794&prodName=RN1412
RN1413(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
auf Bestellung 5675 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1507(TE85L,F)
RN1507(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
45+0.46 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1602(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
RN1602(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CT RN190x.pdf
RN1903,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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RN1904(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902
RN1904(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN US6
auf Bestellung 2960 Stücke:
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RN1906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
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RN1961FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE
RN1961FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 2000 Stücke:
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RN1962FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1962FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3850 Stücke:
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RN1963FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1963FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1964FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1964FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3970 Stücke:
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RN1966FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1966FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
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RN2301,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301
RN2301,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 13 Stücke:
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RN2303(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RN2304(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2304(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2305(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2307(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2309(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2309(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2311(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310
RN2311(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2312(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2313(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2314(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2316(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2316(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2317(TE85L,F) docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318
RN2317(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2318(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2506(TE85L,F) RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501
RN2506(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
auf Bestellung 21093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2711(TE85L,F) docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711
RN2711(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4603(TE85L,F) docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603
RN4603(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
RN4606(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
auf Bestellung 6309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4981,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981
RN4981,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 7895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4983(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983
RN4983(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984
RN4984(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN4985,LF(CT RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985
RN4985,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2981 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
42+0.5 EUR
62+0.35 EUR
126+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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RN4986(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986
RN4986(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2730 Stücke:
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RN4988(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988
RN4988(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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