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CY8CKIT-062-WIFI-BT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8CKIT-062-WIFI-BT - Development Kit, Pioneer-Kit, PSoC6, WiFi, Bluetooth, äußerst energiesparend, IoTtariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: PSoC 6 WiFi-BT-Pioneer-Board, CY8CKIT-028-TFT-Anzeige-Shield, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte/Näherungssensor-Drähte Prozessorhersteller: Cypress hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: - Prozessorserie: - Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Prozessorarchitektur: PSoC |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7404TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7406TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF7406TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFZ24NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm |
auf Bestellung 3196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3306PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFP3006PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7545PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 5900 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm |
auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7530PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
auf Bestellung 3679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7537PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 2750 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm |
auf Bestellung 2322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7537PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 172 A, 3300 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 172A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF6644TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60B217 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR7546TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 99W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm |
auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB52N15DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 320W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B202 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 221W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm |
auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP25R12KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP25R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 155 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: - Produktpalette: EconoPIM IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3034PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRG4PC40WPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DPS368XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DPS368XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 30 kPa, 120 kPa, 1.7 V, 3.6 V, VLGAtariffCode: 85423990 euEccn: NLR Genauigkeit: ±1hPa rohsCompliant: YES Empfindlichkeit, V/P: 500mV/kPa hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Druckmessung: Luftdruck isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebsdruck, max.: 120kPa Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: 1.7V Sensorgehäuse/-bauform: VLGA Bauform - Sensor: VLGA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Sensorausgang: Digital Betriebsdruck, min.: 30kPa Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckanschluss: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Medium: Luft Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPP039N10N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRG4PC40SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC40SPBF - IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PC40UD-EPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC40UD-EPBF - IGBT, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.15 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRG4PC40UDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC40UDPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRG4PC40FDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC40FDPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 49 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PC40KDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC40KDPBF - IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1 DC-Kollektorstrom: 42 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512B, 1 Kanal, Low-Side, MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Prozessorkern: 1EDN7512B Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512B euEccn: NLR Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isolierttariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: 2EDN7524G Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRS21084PBF. | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS21084PBF. - MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-14tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Half Bridge euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Through Hole hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Inverting, Non-Inverting MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 7239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-TreibertariffCode: 84733020 Prozessorkern: 2EDS8265H Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H euEccn: NLR Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 12575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7311TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7316TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7314TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7317TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7317PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPP80R600P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
auf Bestellung 9568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 18399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Verlustleistung: 428W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - Verlustleistung: 326W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7853TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS244ZE3043AKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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REFILD8150DC15ATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-TreibertariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Unterart Anwendung: LED-Treiber Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: ILD8150 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT1503WE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4V euEccn: NLR Durchlassspannung: 410mV Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAT15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 110mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4110PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
auf Bestellung 3932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGX50AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143 usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BGX50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 25731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGX50AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143 usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BGX50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 25731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
auf Bestellung 2692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1407PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm |
auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5302TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm |
auf Bestellung 3435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY8CKIT-062-WIFI-BT |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-062-WIFI-BT - Development Kit, Pioneer-Kit, PSoC6, WiFi, Bluetooth, äußerst energiesparend, IoT
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 6 WiFi-BT-Pioneer-Board, CY8CKIT-028-TFT-Anzeige-Shield, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte/Näherungssensor-Drähte
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: PSoC
Description: INFINEON - CY8CKIT-062-WIFI-BT - Development Kit, Pioneer-Kit, PSoC6, WiFi, Bluetooth, äußerst energiesparend, IoT
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: PSoC 6 WiFi-BT-Pioneer-Board, CY8CKIT-028-TFT-Anzeige-Shield, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte/Näherungssensor-Drähte
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: PSoC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7404TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7406TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7406TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFZ24NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.88 EUR |
| 188+ | 1.24 EUR |
| 227+ | 0.95 EUR |
| IRFP3206PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.27 EUR |
| 43+ | 5.4 EUR |
| 100+ | 3.9 EUR |
| IRF1018EPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 3196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 4.5 EUR |
| 88+ | 2.64 EUR |
| 130+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| IRFP3306PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFP3006PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.52 EUR |
| 29+ | 8.19 EUR |
| 100+ | 7.13 EUR |
| IRFB7545PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 5900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 5900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.34 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 123+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.88 EUR |
| 50+ | 4.69 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| IRFB7537PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 2750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 2750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.59 EUR |
| 76+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| IRFP7537PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 172 A, 3300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 172A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRFP7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 172 A, 3300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 172A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.79 EUR |
| 57+ | 4.13 EUR |
| 250+ | 2.63 EUR |
| 1000+ | 2.27 EUR |
| IRF60B217 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.93 EUR |
| 136+ | 1.71 EUR |
| 205+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.4 EUR |
| 52+ | 4.5 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 1000+ | 3.05 EUR |
| IRF100B202 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.88 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |
| FP25R12KE3BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 155
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FP25R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 155
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.97 EUR |
| 35+ | 6.75 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |
| IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRG4PC40WPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DPS368XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DPS368XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 30 kPa, 120 kPa, 1.7 V, 3.6 V, VLGA
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±1hPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 500mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Luftdruck
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 120kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: VLGA
Bauform - Sensor: VLGA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 30kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Medium: Luft
Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI
Description: INFINEON - DPS368XTSA1 - Drucksensor, Luftdruck, 30 kPa, 120 kPa, 1.7 V, 3.6 V, VLGA
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±1hPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 500mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Luftdruck
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 120kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: VLGA
Bauform - Sensor: VLGA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 30kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Medium: Luft
Ausgangsschnittstelle: I2C, SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP039N10N5AKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.67 EUR |
| 33+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 4.87 EUR |
| IRG4PC40SPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40SPBF - IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC40SPBF - IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC40UD-EPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40UD-EPBF - IGBT, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.15
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC40UD-EPBF - IGBT, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.15
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC40UDPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40UDPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC40UDPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC40FDPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40FDPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 49
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC40FDPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 49
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC40KDPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC40KDPBF - IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 42
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC40KDPBF - IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 42
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512B, 1 Kanal, Low-Side, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDN7512B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KITDRIVER1EDN7512BTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512B, 1 Kanal, Low-Side, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDN7512B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isoliert
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDN7524G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isoliert
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDN7524G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRS21084PBF. |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21084PBF. - MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Half Bridge
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Inverting, Non-Inverting
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
directShipCharge: 25
Description: INFINEON - IRS21084PBF. - MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Half Bridge
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Inverting, Non-Inverting
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 7239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.88 EUR |
| 25+ | 9.63 EUR |
| 30+ | 7.37 EUR |
| 50+ | 6.06 EUR |
| 100+ | 5.62 EUR |
| 250+ | 5.22 EUR |
| 500+ | 5.14 EUR |
| KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR2905TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 3.38 EUR |
| 129+ | 1.81 EUR |
| 166+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7311TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7316TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.93 EUR |
| 182+ | 1.27 EUR |
| 250+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 2000+ | 0.8 EUR |
| IRF7314TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7317TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.57 EUR |
| 111+ | 2.09 EUR |
| 166+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| IRF7317PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP80R600P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.2 EUR |
| 118+ | 1.96 EUR |
| 137+ | 1.57 EUR |
| BSR202NL6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 9568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 2.45 EUR |
| 164+ | 1.42 EUR |
| 252+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 147+ | 1.7 EUR |
| 237+ | 0.98 EUR |
| 364+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1500+ | 0.39 EUR |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.8 EUR |
| 237+ | 0.98 EUR |
| 349+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1500+ | 0.42 EUR |
| IGW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 428W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 428W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.04 EUR |
| 29+ | 8.03 EUR |
| 100+ | 6.16 EUR |
| IKW25N120H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.7 EUR |
| 27+ | 8.87 EUR |
| 100+ | 6.83 EUR |
| 500+ | 5.49 EUR |
| IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.12 EUR |
| 52+ | 4.55 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| IRF5210LPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR120ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7853TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.32 EUR |
| 91+ | 2.57 EUR |
| 136+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| BTS244ZE3043AKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.54 EUR |
| 32+ | 7.31 EUR |
| 100+ | 4.52 EUR |
| REFILD8150DC15ATOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 165.05 EUR |
| BAT1503WE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB4110PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 3932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 10.97 EUR |
| 35+ | 6.69 EUR |
| 100+ | 4.34 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
| 1000+ | 3.49 EUR |
| BGX50AE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.83 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 270+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| BGX50AE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.83 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 270+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 2692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.4 EUR |
| 40+ | 5.81 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.37 EUR |
| IRF1407PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 5.97 EUR |
| 78+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| IRFH5302TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 3.72 EUR |
| 105+ | 2.23 EUR |
| 135+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |






























