Produkte > GD1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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| GD1000HFX170P2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 Dauer-Kollektorstrom: 1.604 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 Verlustleistung Pd: 6.25 Verlustleistung: 6.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 1.604 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1000HFX170P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 1kA Case: P2.0 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 2kA Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 8 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1000HFX170P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 1kA Case: P2.0 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 2kA Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFX170C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 168A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 632W euEccn: NLR Verlustleistung: 632W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 168A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100FFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 100A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 100A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFX65C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 331W euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100FFX65C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C5 45mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFX65C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C5 45mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFY120C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 157 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 512 Verlustleistung: 512 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke DC-Kollektorstrom: 157 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C5 45mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C5 45mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFY120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 155A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 511W euEccn: NLR Verlustleistung: 511W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 155A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100FFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100FFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1 Verlustleistung Pd: 1.136 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 200 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C1S Produktcode: 67457 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| GD100HFU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 1.136kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.136kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C2S Produktcode: 73798 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| GD100HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C2 62mm Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C2 62mm Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C8S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C8 48mm Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 16 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C8S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C8 48mm Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFU120C8S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Dauer-Kollektorstrom: 154A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V Verlustleistung Pd: 791W euEccn: NLR Verlustleistung: 791W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 154A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100HFX170C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 168A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 632W euEccn: NLR Verlustleistung: 632W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 168A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100HFX170C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Anzahl je Verpackung: 24 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFX170C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFX65C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Anzahl je Verpackung: 24 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFX65C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFX65C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 127A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 319W euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 127A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100HFY120C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C1 34mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 24 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFY120C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C1 34mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HFY120C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 155A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 511W euEccn: NLR Verlustleistung: 511W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 155A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100HHU120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 638W euEccn: NLR Verlustleistung: 638W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: H-Brücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100HHU120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 100A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100HHU120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 100A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100MLX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Case: L3.1 Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Anzahl je Verpackung: 16 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100MLX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Case: L3.1 Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100MLX65L3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 451W Bauform - Transistor: Module Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100PIX65C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 331W euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100PIX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw Technology: Trench FS IGBT Collector current: 100A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100PIX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw Technology: Trench FS IGBT Collector current: 100A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100PIY120C6SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Collector current: 100A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100PIY120C6SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Collector current: 100A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100PIY120C6SN | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 511 Verlustleistung: 511 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD100SGY120D6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: D6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100SGY120D6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 500 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: - DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD100SGY120D6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: D6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD101 | Box Partners | Description: LOW TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE, Packaging: Box Features: Clear For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD103 | Glue Dots | Description: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE Features: Clear Packaging: Box For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD1030221MAW | KYOCERA AVX Components | Micro Wave Singlelayer Ceramic Capacitor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1030221ZAW | AVX | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 220pF W/O BORDER .01pF Tol MAXI SGLYR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1030301ZA6N | KYOCERA AVX | Description: CAP CER Packaging: Tray Tolerance: -20%, +80% Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.008" (0.20mm) Part Status: Active Capacitance: 300 pF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1030301ZAW | KYOCERA AVX Components | Cap Ceramic Single 300pF 25V X7R 20% (0.254 X 0.254 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD103R | Dot Shot | Description: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE Features: Clear Packaging: Box For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD103SR | Dot Shot | Description: HIGH TACK GLUE STITCH, LOW PROFI Features: Clear Packaging: Box For Use With/Related Products: Multi-Purpose Type: Adhesive Part Status: Active | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD10GS-SP1M-C | ATGBICS | Description: CABLE SFP+ TO SFP+ M-M 1M | auf Bestellung 5690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD10MPS12A | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| GD10MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD10MPS12E SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 4127 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GD10MPS12E | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V | auf Bestellung 2816 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor | 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS12H | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD10MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD10MPS12H THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD10MPS17H THT Schottky diodes | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V | auf Bestellung 726 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD10PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD10PJX65F1S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJX65L2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD10PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD10PJX65L2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJY120F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD10PJY120F1S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJY120F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 Case: F1.1 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJY120F4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD10PJY120F4S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJY120F4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Case: F4.1 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJY120L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD10PJY120L2S IGBT modules | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10PJY120L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 Case: L2.2 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1200V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10V_10AT-0001 | Vicor | Modular Power Supplies GD10V10AT10V10AT P | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10V_5A-10V_5A | Vicor Corporation | Description: GD10V/5A-10V/5A CONVERTERPAC R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD10V_5A-10V_5A | Vicor | Modular Power Supplies GD10V5A10V5A pac R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1200HFY120C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Advanced Trench FS IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1200HFY120C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Advanced Trench FS IGBT Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1200HFY120C3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 8.196kW euEccn: NLR Verlustleistung: 8.196kW Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.23kA Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD1200SGX170C3SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT x2 Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Trench FS IGBT Anzahl je Verpackung: 8 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1200SGX170C3SN | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD1200SGX170C3SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT x2 Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Trench FS IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1250-1 | Comet America, LP | Description: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE Packaging: Bulk Temperature Range: -65°C ~ 980°C Terminal Type: Connector Length - Lead Wire: 3.281' (1m) Element Type: K - Type Conductor Type: Non-Grounded Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD1250-1/0 | Comet America, LP | Description: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE Packaging: Bulk Temperature Range: -65°C ~ 980°C Terminal Type: Exposed Lead Wires Length - Lead Wire: 3.281' (1m) Element Type: K - Type Conductor Type: Non-Grounded Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD12V_4A2AT-0V_0A | Vicor Corporation | Description: GD12V/4.2AT-0V/0A DUALPAC ROHS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD12V_4A2AT-0V_0A | Vicor | Modular Power Supplies GD12V4.2AT0V0A Ro | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD12V_8A3A-000001 | Vicor | Modular Power Supplies GD12V8.3A28V3.6A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD12V_8A3ATV2-001 | Vicor | Modular Power Supplies GD12V8.3A24V4.2ATV1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1400HFX170P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Case: P2.0 Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.8kA Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.4kA Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 8 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1400HFX170P2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 9.37kW euEccn: NLR Verlustleistung: 9.37kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.342kA Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD1400HFX170P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Case: P2.0 Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.8kA Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.4kA Topology: IGBT half-bridge | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1400HFY120P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: P2.0 Pulsed collector current: 2.8kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.4kA Anzahl je Verpackung: 8 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1400HFY120P2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: P2.0 Pulsed collector current: 2.8kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.4kA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD14LS00 | GS | 00+ DIP-14 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150FFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: C6 62mm Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed collector current: 300A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150FFX65C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 181A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 442W euEccn: NLR Verlustleistung: 442W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 181A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150FFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: C6 62mm Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed collector current: 300A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150FFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed collector current: 300A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150FFY120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 224A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 714W euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 224A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150FFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Pulsed collector current: 300A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.2kV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 280A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 1.147kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.147kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 280A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.7kV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFX170C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 280 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 1.127 Verlustleistung: 1.127 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 280 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.7kV Anzahl je Verpackung: 12 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFX65C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 180A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 437W euEccn: NLR Verlustleistung: 437W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 180A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HFX65C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 24 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFX65C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 1.2kV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 230A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 746W euEccn: NLR Verlustleistung: 746W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 230A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 24 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.2kV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 1.102 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 291 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 60 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C8S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C8 48mm Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 16 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C8S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C8 48mm Max. off-state voltage: 1.2kV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HFY120C8S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 1.102 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 291 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HHU120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 150A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150HHU120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Dauer-Kollektorstrom: 230A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V Verlustleistung Pd: 1.179kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.179kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: H-Brücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 230A Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150HHU120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 150A Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150MLX65L3S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 223A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Module Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD150MLX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Case: L3.1 Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 16 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150MLX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Case: L3.1 Max. off-state voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150P1200 | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD150PIY120C6SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: C6 62mm Max. off-state voltage: 1.2kV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150PIY120C6SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: C6 62mm Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD150R1200 | CDH4-4 | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD150UR | auf Bestellung 5673 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD1530331ZA6N | KYOCERA AVX | Description: CAP CER Tolerance: -20%, +80% Packaging: Tray Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.008" (0.20mm) Part Status: Active Capacitance: 330 pF | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD15MPS17H THT Schottky diodes | auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 36A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GD15PJX65F1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD15PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: L2.2 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: L2.2 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F2.0 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F2.0 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F4.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F4.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F5.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120F5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F5.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: L2.2 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15PJY120L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: L2.2 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15V_5A-15V_5A | Vicor | Modular Power Supplies GD15V5A15V5A PAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD15V_6A7A-000001 | Vicor | Modular Power Supplies GD15V6.7A15V6.7A p | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1600SGX170C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT x2 Case: C3 130mm Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.6kA Pulsed collector current: 3.2kA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1600SGX170C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT x2 Case: C3 130mm Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.6kA Pulsed collector current: 3.2kA Anzahl je Verpackung: 8 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD16043A-40AB | GIGA | 01+ QFP | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16043A-40AB | GIGA | 01+ | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16054A | GIGA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16054A-40AB | GIGA | 01+ | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16054A-40AB | GIGA | 01+ QFP | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16065 | INTEL | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16065 | GIGA | PLCC 06+ | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16066 | GIGA | 01+ TO3P | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16131-GLP | GIGA | 02+ QFP | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16131-GLP | GIGA | QFP 02+ | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16132-GLP | GIGA | 01+ QFP | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16132-GLP | GIGA | 01+ | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16192 | PLCC | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16192-A01 | INTEL | PLCC28 | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16333 | GIGA | 0013 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16333 | GIGA | QFP-100 | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16334 | GIGA | QFP-100 | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16334 | GIGA | 0015+ | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16361A | GIGA | O1 | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16361A-28BA | GIGA | SSOP28 01+ | auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16361A-28BA | GIGA | 01+ SSOP28 | auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16362A-28BA | GIGA | 0027+ SSOP28 | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16362A-28BA | GIGA | SSOP28 0027+ | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16367B | GIGA | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16368B | GIGA | auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16519 | GIGA | QFP-100 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16523 | GIGA | QFP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16523 | INTEL | QFP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16523 | GIGA | 01+ | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16523 | GIGA | TQFP | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16523 | GIGA | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16523-100BA | GIGA | QFP 0607+ | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16523-100BA | GIGA | 04+ QFP | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524 | INTEL | QFP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524 | GIGA | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16524 | GIGA | QFP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524 | GIGQ | 07+ QFP-108 | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524 | GIGA | O109 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524 | GIGA | TQFP | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524-100BA | GIGA | QFP 0601+ | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16524-100BA | GIGA | 0601+ QFP | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16544-68AB | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD16553 | GIGA | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16556 | GIGA | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16556 | GIGA | QFP-100 | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16556/ECL | GIGA | QFP-100 | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16556A100BAECL | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD16557 | GIGA | QFP-100 | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16557 | GIGA | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16561 | GIGA | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16571 | GDGA | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16571 | GIGA | QFP-32 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16573 | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD16575A | QFP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16584-132EA | GIGA | 01+ | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16584-EBG1 | AMCC | BGA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16584132EA | GIGA | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16585 | GIGA | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16588-FB | BGA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16589 | GIGA | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16590 | GIGA | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16590-48BA | GIGA | 08+ BGA | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16591A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD16591A | QFP | auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16591A | QFP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD16591A-48BA | GIGA | 0321+ QFP | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| GD16592A | auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD16952A | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD16952A | 08+ BGA | auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| GD18/GV18/73/120 | PEPPERL+FUCHS | Category: Standard Photoelectric Sensors Description: Sensor: photoelectric; Range: 20m; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; 100mA Type of sensor: photoelectric Range: 20m Operation mode: transmitter-receiver Output configuration: PNP IP rating: IP67 Connection: connector M12 Supply voltage: 10...30V DC Switching frequency max: 500Hz Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON Operating temperature: -25...60°C Max. operating current: 0.1A Body material: plastic Switch housing: M18 Number of pins: 4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18/GV18/73/120 | PEPPERL+FUCHS | Category: Standard Photoelectric Sensors Description: Sensor: photoelectric; Range: 20m; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; 100mA Type of sensor: photoelectric Range: 20m Operation mode: transmitter-receiver Output configuration: PNP IP rating: IP67 Connection: connector M12 Supply voltage: 10...30V DC Switching frequency max: 500Hz Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON Operating temperature: -25...60°C Max. operating current: 0.1A Body material: plastic Switch housing: M18 Number of pins: 4 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1826 | Burndy | Cable Accessories Grounding Connector Copper Alloy | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18V5V_5A4A-00001 | Vicor | Modular Power Supplies GD18.5V5.4A12V8.3Ae | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18V5V_5A4A-00001 | Vicor Corporation | Description: DC/DC CONVERTER 18.5V 12V Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18V_5A4A-00001 | Vicor | Modular Power Supplies GD18V5.4A12V8.3A p | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18V_5A4A-00001 | Vicor Corporation | Description: DC/DC CONVERTER 18V 12V Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18V_5A4A-00002 | Vicor Corporation | Description: DC/DC CONVERTER 18V Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD18V_5A4A-00002 | Vicor | Modular Power Supplies GD18V5.4A18V5.4A p | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD190UB | auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| GD1926 | Burndy | Cable Accessories Grounding Connector Copper Alloy | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| GD1X75-ST-O/B | Checkers Industrial Products | Description: 1 CH GUARD DOG, LOW PROFILE Packaging: Box Color: Orange Lid/Black Base Type: Cable Protector Part Status: Active Construction: Urethane Height (Inches): 1.25 Length (Inches): 36 Width (Inches): 10.81 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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