| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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Транзистор польовий IRFR4104TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=40V; Id=119 A; Pdmax=140 W; Rds=0,0055 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR540ZPBF Infineon | Infineon | Транз. MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR5505PBF Infineon | Infineon | Транз. MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR7740TRPBF Infineon | Infineon | MOSFET N-CH 75V 87A 140W DPAK IRFR7740TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFS3107-7PPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK-6 Udss=75V; Id=240 A; Pdmax=370 W; Rds=2,6 mOhm @ 160A, 10V Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFS4115TRLPBF Infineon | Infineon | MOSFET 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg D2PAK-3 N-Channel Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFS4410PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=88 A; Pdmax=200 W; Rds=0,01 Ohm IRFS4410PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRL3705NSPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRL3713 Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=30V; Id=260A; Pdmax=330W; Rds=3 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLD014PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLI530N Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik TO220FullPak Udss=100V; Id=12A; Pdmax=41W; Rds=0,1 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLIB9343PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220FullPak Udss=55 V; Id=14 A; Pdmax=33 W; Rds=0,105 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLL110TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT-223-3 Udss=100V; Id=1,5A; Pdmax=3,1W; Rds=0,54 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML2246TRPBF Infineon | Infineon | MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR024NPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,065 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR120NTRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR2703PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET DPAK Udss=30V; Id=23A; Pdmax=45W; Rds=0,045Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR2705PBF Infineon | Infineon | Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR8726PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП DPAK MOSFET N-Channel U=30V I=30A Rds=5,8 mOhm @ 25A, 10V, 75 W IRLR8726PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLU014 Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLZ44N Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=47A; Pdmax=110W; Rds=0,02 Ohm IRLZ44N.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий N-Channel MOSFET BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon | Infineon | Транзистор польовий TSDSON-8 N-Channel MOSFET Udss=25 V; Id=40 A; Rds=0,0032 Ohm Pd=30 W Транзистори польові |
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Транзистор польовий N-Channel MOSFET IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon | Infineon | Транзистор польовий TSDSON-8 N-Channel MOSFET Udss=40 V; Id=40 A; Rds=0,0074 Ohm Pd=34 W AEC-Q101 Транзистори польові |
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Транзистор польовий SPP03N60C3HKSA1 Infineon | Infineon | Транзистор N-MOSFET 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 Транзистори польові |
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Транзистор польовий SPW17N80C3A Infineon | Infineon | MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD SPW17N80C3A.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий SPW32N50C3 Infineon | Infineon | Транз. Пол. TO247/COOLMOS TRANSISTOR Транзистори польові |
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Транзисторна збірка польова BGA622H6820XTSA1 Infineon | Infineon | Транзисторна збірка польова SOT-343-4 Si-Ge MMIC-Amplifier 0,5-6 GHz Us=2,75V; Id=5,8 mA; Gain=15 dB, -65...+150 C Транзистори польові |
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Транзистор IGBT IGW15N120H3 Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IKW25N120T2FKSA1 Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W Транзистори IGBT |
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Модуль IGBT FS100R12KE Infineon | Infineon | Транз. модуль IGBT Uces=1200V; Ic=100A; Pd=480W; Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT 2MBI100NC-120 Infineon | Infineon | Транз. IGBT модуль 2 в 1; Uces=1200V; Ic=100A; Pdmax=780W 2MBI100NC-120.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT BSM25GD120DN2 Infineon | Infineon | Транз. IGBT Econopack Uces=1200V; Ic=50A; Ic=25A(100°C); Pdmax=200W; BSM25GD120DN2.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT BSM50GD120DN2E3226 Infineon | Infineon | IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A BSM50GD120DN2E3226.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IGB10N60TATMA1 Infineon | Infineon | IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Surface Mount PG-TO263-3-2 Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IKW15N120H3 Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IKW50N60H3 Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=600V; Ic=100A; Ic=50A(100°C); Pdmax=333W; 5mkc (з діодом) IKW50N60H3.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PC50WPBF Infineon | Infineon | Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=600V; Ic=55A; Ic=27A(100°C); Pdmax=200W RoHS compliant IRG4PC50WPBF.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PF50WPBF Infineon | Infineon | Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=900V; Ic=51A; Ic=28A(100°C); Pdmax=200W IRG4PF50WPBF.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH20KD Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=11A; Ic=5A(100°C); Pdmax=60W; (з діодом) IRG4PH20KD.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH30K Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=20A; Ic=10A(100°C); Pdmax=100W IRG4PH30K.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH40K Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=30A; Ic=15A(100°C); Pdmax=160W IRG4PH40K.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH40KD Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=30A; Ic=15A(100°C); Pdmax=160W (з діодом) IRG4PH40KD.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH40UDPBF Infineon | Infineon | IGBT 1200V 41A 160W TO247AC IRG4PH40UDPBF.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH50KD Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=45A; Ic=24A(100°C); Pdmax=200W (з діодом) IRG4PH50KD.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PH50SPBF Infineon | Infineon | Транзистор IRG4PH50SPBF, Виробник: IR Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRG4PSH71UDPBF Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AA Uces=1200V; Ic=99A; Pdmax=350W; (з діодом) Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF Infineon | Infineon | Транзистор 600V, 50A IRGP50B60PD1PBF.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRGPC50U Infineon | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=600V; Ic=55A; Ic=27A(100°C); Pdmax=200W IRGPC50U.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT IRGS15B60KD Infineon | Infineon | IGBT 600V 15A (Tc=100 C) Vce(on) =1,8V; n-channel; D2PAK IRGS15B60KD.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT SPP20N60C3 Infineon | Infineon | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220; CoolMOS™-247; 600 V; 40A SPP20N60C3.pdf Транзистори IGBT |
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Транзистор IGBT SPP20N60S5 Infineon | Infineon | MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5 SPP20N60S5.pdf Транзистори IGBT |
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Транзисторний IGBT модуль BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon | Infineon | Транз. IGBT Econopack Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=350W; BSM50GD120DN2BOSA1.pdf Транзистори IGBT |
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Транзисторний IGBT модуль FP15R12KE3G Infineon | Infineon | Транз. модуль IGBT EconoPIM2-24 Uces=1200V; Ic=15A; Pdmax=100W; FP15R12KE3G.pdf Транзистори IGBT |
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Транзисторний IGBT модуль FP50R12KT3 Infineon | Infineon | Транз. IGBT Econo 3 Uces=1200V; Ic=75A; Pdmax=280W; FP50R12KT3.pdf Транзистори IGBT |
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Транзисторний модуль FP40R12KT3G Infineon | Infineon | Транз. модуль 3 Phase Bridge IGBT Module, 55 A 1200 V, 35-Pin ECONO3, PCB Mount Транзистори IGBT |
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Транзисторна збірка польова BGA420 Infineon | Infineon | Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W BGA420.pdf Транзисторні збірки польові |
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Транзисторна збірка польова BGA427H6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W Транзисторні збірки польові |
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Транзисторна збірка польова BGA427 Infineon | Infineon | Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W BGA427.pdf Транзисторні збірки польові |
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Транзисторна збірка польова BGA622E6327 Infineon | Infineon | Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W BGA622E6327.pdf Транзисторні збірки польові |
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Оптрон PVT322S | Infineon | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD Оптрони |
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| Транзистор польовий IRFR4104TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=40V; Id=119 A; Pdmax=140 W; Rds=0,0055 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=40V; Id=119 A; Pdmax=140 W; Rds=0,0055 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR540ZPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC Транзистори польові
Транз. MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR5505PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR7740TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 75V 87A 140W DPAK IRFR7740TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFS3107-7PPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK-6 Udss=75V; Id=240 A; Pdmax=370 W; Rds=2,6 mOhm @ 160A, 10V Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFS4115TRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg D2PAK-3 N-Channel Транзистори польові
MOSFET 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg D2PAK-3 N-Channel Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFS4410PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=88 A; Pdmax=200 W; Rds=0,01 Ohm IRFS4410PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRL3705NSPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRL3713 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=30V; Id=260A; Pdmax=330W; Rds=3 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLD014PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
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| Транзистор польовий IRLI530N Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik TO220FullPak Udss=100V; Id=12A; Pdmax=41W; Rds=0,1 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik TO220FullPak Udss=100V; Id=12A; Pdmax=41W; Rds=0,1 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLIB9343PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220FullPak Udss=55 V; Id=14 A; Pdmax=33 W; Rds=0,105 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220FullPak Udss=55 V; Id=14 A; Pdmax=33 W; Rds=0,105 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLL110TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT-223-3 Udss=100V; Id=1,5A; Pdmax=3,1W; Rds=0,54 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT-223-3 Udss=100V; Id=1,5A; Pdmax=3,1W; Rds=0,54 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML2246TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V Транзистори польові
MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR024NPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,065 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR120NTRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W Транзистори польові
Транз. Пол. ВП DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR2703PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET DPAK Udss=30V; Id=23A; Pdmax=45W; Rds=0,045Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. ВП N-HEXFET DPAK Udss=30V; Id=23A; Pdmax=45W; Rds=0,045Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR2705PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR8726PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП DPAK MOSFET N-Channel U=30V I=30A Rds=5,8 mOhm @ 25A, 10V, 75 W IRLR8726PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLU014 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET logik I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLZ44N Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=47A; Pdmax=110W; Rds=0,02 Ohm IRLZ44N.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий N-Channel MOSFET BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий TSDSON-8 N-Channel MOSFET Udss=25 V; Id=40 A; Rds=0,0032 Ohm Pd=30 W Транзистори польові
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| Транзистор польовий N-Channel MOSFET IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий TSDSON-8 N-Channel MOSFET Udss=40 V; Id=40 A; Rds=0,0074 Ohm Pd=34 W AEC-Q101 Транзистори польові
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| Транзистор польовий SPP03N60C3HKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 Транзистори польові
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| Транзистор польовий SPW17N80C3A Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD SPW17N80C3A.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий SPW32N50C3 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. TO247/COOLMOS TRANSISTOR Транзистори польові
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| Транзисторна збірка польова BGA622H6820XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзисторна збірка польова SOT-343-4 Si-Ge MMIC-Amplifier 0,5-6 GHz Us=2,75V; Id=5,8 mA; Gain=15 dB, -65...+150 C Транзистори польові
Транзисторна збірка польова SOT-343-4 Si-Ge MMIC-Amplifier 0,5-6 GHz Us=2,75V; Id=5,8 mA; Gain=15 dB, -65...+150 C Транзистори польові
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| Транзистор IGBT IGW15N120H3 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IKW25N120T2FKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W Транзистори IGBT
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| Модуль IGBT FS100R12KE Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. модуль IGBT Uces=1200V; Ic=100A; Pd=480W; Транзистори IGBT
Транз. модуль IGBT Uces=1200V; Ic=100A; Pd=480W; Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT 2MBI100NC-120 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT модуль 2 в 1; Uces=1200V; Ic=100A; Pdmax=780W 2MBI100NC-120.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT модуль 2 в 1; Uces=1200V; Ic=100A; Pdmax=780W 2MBI100NC-120.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT BSM25GD120DN2 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT Econopack Uces=1200V; Ic=50A; Ic=25A(100°C); Pdmax=200W; BSM25GD120DN2.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT BSM50GD120DN2E3226 Infineon |
Hersteller: Infineon
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A BSM50GD120DN2E3226.pdf Транзистори IGBT
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A BSM50GD120DN2E3226.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IGB10N60TATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Surface Mount PG-TO263-3-2 Транзистори IGBT
IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Surface Mount PG-TO263-3-2 Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IKW15N120H3 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W Транзистори IGBT
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IKW50N60H3 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=600V; Ic=100A; Ic=50A(100°C); Pdmax=333W; 5mkc (з діодом) IKW50N60H3.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PC50WPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=600V; Ic=55A; Ic=27A(100°C); Pdmax=200W RoHS compliant IRG4PC50WPBF.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PF50WPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=900V; Ic=51A; Ic=28A(100°C); Pdmax=200W IRG4PF50WPBF.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH20KD Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=11A; Ic=5A(100°C); Pdmax=60W; (з діодом) IRG4PH20KD.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH30K Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=20A; Ic=10A(100°C); Pdmax=100W IRG4PH30K.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH40K Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=30A; Ic=15A(100°C); Pdmax=160W IRG4PH40K.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=30A; Ic=15A(100°C); Pdmax=160W IRG4PH40K.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH40KD Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=30A; Ic=15A(100°C); Pdmax=160W (з діодом) IRG4PH40KD.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=30A; Ic=15A(100°C); Pdmax=160W (з діодом) IRG4PH40KD.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH40UDPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC IRG4PH40UDPBF.pdf Транзистори IGBT
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC IRG4PH40UDPBF.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH50KD Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=45A; Ic=24A(100°C); Pdmax=200W (з діодом) IRG4PH50KD.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=1200V; Ic=45A; Ic=24A(100°C); Pdmax=200W (з діодом) IRG4PH50KD.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PH50SPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор IRG4PH50SPBF, Виробник: IR Транзистори IGBT
Транзистор IRG4PH50SPBF, Виробник: IR Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRG4PSH71UDPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AA Uces=1200V; Ic=99A; Pdmax=350W; (з діодом) Транзистори IGBT
Транз. IGBT UltraFast TO247AA Uces=1200V; Ic=99A; Pdmax=350W; (з діодом) Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор 600V, 50A IRGP50B60PD1PBF.pdf Транзистори IGBT
Транзистор 600V, 50A IRGP50B60PD1PBF.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRGPC50U Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=600V; Ic=55A; Ic=27A(100°C); Pdmax=200W IRGPC50U.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT UltraFast TO247AC Uces=600V; Ic=55A; Ic=27A(100°C); Pdmax=200W IRGPC50U.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT IRGS15B60KD Infineon |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 15A (Tc=100 C) Vce(on) =1,8V; n-channel; D2PAK IRGS15B60KD.pdf Транзистори IGBT
IGBT 600V 15A (Tc=100 C) Vce(on) =1,8V; n-channel; D2PAK IRGS15B60KD.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT SPP20N60C3 Infineon |
Hersteller: Infineon
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220; CoolMOS™-247; 600 V; 40A SPP20N60C3.pdf Транзистори IGBT
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220; CoolMOS™-247; 600 V; 40A SPP20N60C3.pdf Транзистори IGBT
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| Транзистор IGBT SPP20N60S5 Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5 SPP20N60S5.pdf Транзистори IGBT
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5 SPP20N60S5.pdf Транзистори IGBT
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| Транзисторний IGBT модуль BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT Econopack Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=350W; BSM50GD120DN2BOSA1.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT Econopack Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=350W; BSM50GD120DN2BOSA1.pdf Транзистори IGBT
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| Транзисторний IGBT модуль FP15R12KE3G Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. модуль IGBT EconoPIM2-24 Uces=1200V; Ic=15A; Pdmax=100W; FP15R12KE3G.pdf Транзистори IGBT
Транз. модуль IGBT EconoPIM2-24 Uces=1200V; Ic=15A; Pdmax=100W; FP15R12KE3G.pdf Транзистори IGBT
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Stück im Wert von UAH
| Транзисторний IGBT модуль FP50R12KT3 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT Econo 3 Uces=1200V; Ic=75A; Pdmax=280W; FP50R12KT3.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT Econo 3 Uces=1200V; Ic=75A; Pdmax=280W; FP50R12KT3.pdf Транзистори IGBT
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Stück im Wert von UAH
| Транзисторний модуль FP40R12KT3G Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. модуль 3 Phase Bridge IGBT Module, 55 A 1200 V, 35-Pin ECONO3, PCB Mount Транзистори IGBT
Транз. модуль 3 Phase Bridge IGBT Module, 55 A 1200 V, 35-Pin ECONO3, PCB Mount Транзистори IGBT
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| Транзисторна збірка польова BGA420 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W BGA420.pdf Транзисторні збірки польові
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W BGA420.pdf Транзисторні збірки польові
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| Транзисторна збірка польова BGA427H6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W Транзисторні збірки польові
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W Транзисторні збірки польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзисторна збірка польова BGA427 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W BGA427.pdf Транзисторні збірки польові
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W BGA427.pdf Транзисторні збірки польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзисторна збірка польова BGA622E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W BGA622E6327.pdf Транзисторні збірки польові
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W BGA622E6327.pdf Транзисторні збірки польові
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| Оптрон PVT322S |
Hersteller: Infineon
Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD Оптрони
Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD Оптрони
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