Produkte > IXYS SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers IXYS SEMICONDUCTOR (473) > Seite 7 nach 8
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IXTP3N120 | IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP4N65X2 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP4N80P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP50N20P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP62N15P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP80N10T | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP96P085T | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ120N20P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 714W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ150N15P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 714 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 714 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ22N50P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ40N50L2 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 540 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 540 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTQ460P2 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ50N20P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 50 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarHT Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ52N30P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ69N30P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 69 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Polar Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTQ75N10P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarHT Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ82N25P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ88N30P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 88 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 600 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 600 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT170N10P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 170 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 715 Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Polar Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTX32P60P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTY01N100D | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTY14N60X2 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 880 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH30N60B3D1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH60N65B4H1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 455 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXXH80N65B4H1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XPT GenX4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYB82N120C3H1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04 Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYH20N120C3D1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4 Verlustleistung Pd: 230 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: XPT GenX3 DC-Kollektorstrom: 36 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYH40N65C3H1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYH55N120A4 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 175 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYH82N120C3 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYH85N120A4 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 300 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 1.15 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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LBA716S | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LBA716S - MOSFET RELAY, SPST-NO/NC, 1A, 60V, SMD tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 3.75kV Lasttyp: AC / DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Surface Mount Kontaktform: SPST-NO (1 Form A), SPST-NC (1 Form B) Laststrom: 1A Produktpalette: OptoMOS Series productTraceability: No I/O-Kapazität: 3pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 Durchlasswiderstand, max.: 0.4ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LCB110 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LCB110 - MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 35R, SPST-NC tariffCode: 85364190 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: PC-Pin hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Durchlassstrom If: 50mA Isolationsspannung: 3.75kV Lasttyp: AC/DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 350V Relaismontage: Durchsteckmontage Kontaktform: SPST-NC (1 Form B) Laststrom: 120mA Produktpalette: OptoMOS productTraceability: No I/O-Kapazität: 3pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NC Durchlasswiderstand, max.: 35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC162-12IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-12IO1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 300A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A RMS-Durchlassstrom: 300A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC162-16IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-16IO1 - Thyristor-Modul, 181A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 300A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y4 Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC255-12IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC255-12IO1 - THYRISTOR-MODUL, 250A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9.2kA usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 250A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 450A Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y1 Betriebstemperatur, max.: 125°C Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC26-12IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A RMS-Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC26-12IO8B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO8B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A RMS-Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC26-16IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-16IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 27A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A RMS-Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC310-16IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC310-16IO1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 320A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 500A Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y2 Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC312-16IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC312-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 320A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A RMS-Durchlassstrom: 520A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y1 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC44-12IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC44-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 49A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A RMS-Durchlassstrom: 77A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC56-12IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-12IO1B - Thyristormodul, Reihenschaltung, 94A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A RMS-Durchlassstrom: 94A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC72-12IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC72-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 85A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A RMS-Durchlassstrom: 133A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC94-22IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC94-22IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 104A, 2.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A RMS-Durchlassstrom: 180A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC95-12IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 116A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 180A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC95-12IO8B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO8B - Thyristor-Modul, 116A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A RMS-Durchlassstrom: 182A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCC95-16IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-16IO1B - Thyristor-Diodenmodul, 116A, 1600V tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A RMS-Durchlassstrom: 180A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCD200-16IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD200-16IO1 - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 216A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 216A RMS-Durchlassstrom: 340A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y4 Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCD56-16IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD56-16IO1B - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 60A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A RMS-Durchlassstrom: 94A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCD95-12IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD95-12IO1B - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 116A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A RMS-Durchlassstrom: 182A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCD95-16IO1B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD95-16IO1B - Thyristor- / Diodenmodul, Reihenschaltung, 116A, 1600V tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 180A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCMA110P1600TA | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA110P1600TA - THYRISTOR-MODUL, 110A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 1.9kA usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 110A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 170A Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 125°C Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCMA140P1600TA | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA140P1600TA - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 140A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140A RMS-Durchlassstrom: 200A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCMA65P1600TA | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA65P1600TA - THYRISTOR-MODUL, 65A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A RMS-Durchlassstrom: 105A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCMA700P1600CA | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA700P1600CA - THYRISTOR-MODUL, 700A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 19kA usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 700A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1.1kA Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 95mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Compack Betriebstemperatur, max.: 125°C Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCO100-12IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCO100-12IO1 - Thyristor-Modul, 99A, 1200V tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 99A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 156A Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: SCR einfach Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: SOT-227B Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCO150-16IO1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCO150-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 158A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 158A RMS-Durchlassstrom: 250A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.4V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: SCR einfach Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: SOT-227B Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MDD172-12N1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MDD172-12N1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 190 A, 1.07 V, Zweifach, Reihenschaltung, Y4, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Y4 Durchlassstoßstrom: 6.6kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.07V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 190A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| IXTP3N120 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTP4N65X2 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTP4N80P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTP50N20P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTP62N15P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTP80N10T |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTP96P085T |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ120N20P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 714W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 714W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ150N15P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ22N50P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ40N50L2 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXTQ460P2 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ50N20P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ52N30P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ69N30P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXTQ75N10P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ82N25P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTQ88N30P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXTT170N10P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXTX32P60P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTY01N100D |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXTY14N60X2 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXXH110N65C4 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXXH30N60B3D1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXXH60N65B4H1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXXH80N65B4H1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXYB82N120C3H1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXYH20N120C3D1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXYH40N65C3H1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXYH55N120A4 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| IXYH82N120C3 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IXYH85N120A4 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| LBA716S |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LBA716S - MOSFET RELAY, SPST-NO/NC, 1A, 60V, SMD
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC / DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Surface Mount
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A), SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1A
Produktpalette: OptoMOS Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Durchlasswiderstand, max.: 0.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LBA716S - MOSFET RELAY, SPST-NO/NC, 1A, 60V, SMD
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC / DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Surface Mount
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A), SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 1A
Produktpalette: OptoMOS Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Durchlasswiderstand, max.: 0.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LCB110 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LCB110 - MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 35R, SPST-NC
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 50mA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: OptoMOS
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NC
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LCB110 - MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 35R, SPST-NC
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 50mA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 350V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NC (1 Form B)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: OptoMOS
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 3pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NC
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC162-12IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-12IO1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 300A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
RMS-Durchlassstrom: 300A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-12IO1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 300A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
RMS-Durchlassstrom: 300A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC162-16IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-16IO1 - Thyristor-Modul, 181A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 300A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-16IO1 - Thyristor-Modul, 181A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 300A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC255-12IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC255-12IO1 - THYRISTOR-MODUL, 250A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9.2kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 250A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 450A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC255-12IO1 - THYRISTOR-MODUL, 250A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9.2kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 250A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 450A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC26-12IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC26-12IO8B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO8B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO8B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC26-16IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-16IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 27A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-16IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 27A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
RMS-Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC310-16IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC310-16IO1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 320A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 500A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y2
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC310-16IO1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 320A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 500A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y2
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC312-16IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC312-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 320A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC312-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 320A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
RMS-Durchlassstrom: 520A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y1
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC44-12IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC44-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 49A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
RMS-Durchlassstrom: 77A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC44-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 49A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
RMS-Durchlassstrom: 77A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC56-12IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-12IO1B - Thyristormodul, Reihenschaltung, 94A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-12IO1B - Thyristormodul, Reihenschaltung, 94A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
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Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC72-12IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC72-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 85A, 1.2KV
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SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
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Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
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Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC72-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 85A, 1.2KV
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
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Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC94-22IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC94-22IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 104A, 2.2kV
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
RMS-Durchlassstrom: 180A
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Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC94-22IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 104A, 2.2kV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
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Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC95-12IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 116A, 1.2kV
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Zündstrom, max.: 150mA
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Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 116A, 1.2kV
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC95-12IO8B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO8B - Thyristor-Modul, 116A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
RMS-Durchlassstrom: 182A
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Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO8B - Thyristor-Modul, 116A, 1.2kV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
RMS-Durchlassstrom: 182A
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Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCC95-16IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-16IO1B - Thyristor-Diodenmodul, 116A, 1600V
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
RMS-Durchlassstrom: 180A
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Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-16IO1B - Thyristor-Diodenmodul, 116A, 1600V
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
RMS-Durchlassstrom: 180A
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Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCD200-16IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD200-16IO1 - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 216A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 216A
RMS-Durchlassstrom: 340A
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Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD200-16IO1 - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 216A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 216A
RMS-Durchlassstrom: 340A
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Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Y4
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCD56-16IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD56-16IO1B - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 60A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
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usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
RMS-Durchlassstrom: 94A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD56-16IO1B - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 60A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
RMS-Durchlassstrom: 94A
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Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCD95-12IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD95-12IO1B - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 116A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
RMS-Durchlassstrom: 182A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD95-12IO1B - THYRISTOR-/DIODENMODUL, 116A, 1.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
RMS-Durchlassstrom: 182A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 100°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCD95-16IO1B |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD95-16IO1B - Thyristor- / Diodenmodul, Reihenschaltung, 116A, 1600V
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 180A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCD95-16IO1B - Thyristor- / Diodenmodul, Reihenschaltung, 116A, 1600V
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 180A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCMA110P1600TA |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA110P1600TA - THYRISTOR-MODUL, 110A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 1.9kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 110A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 170A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA110P1600TA - THYRISTOR-MODUL, 110A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 1.9kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 110A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 170A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCMA140P1600TA |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA140P1600TA - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 140A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140A
RMS-Durchlassstrom: 200A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA140P1600TA - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 140A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140A
RMS-Durchlassstrom: 200A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCMA65P1600TA |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA65P1600TA - THYRISTOR-MODUL, 65A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A
RMS-Durchlassstrom: 105A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA65P1600TA - THYRISTOR-MODUL, 65A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A
RMS-Durchlassstrom: 105A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: TO-240AA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCMA700P1600CA |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA700P1600CA - THYRISTOR-MODUL, 700A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 19kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 700A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.1kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 95mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Compack
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCMA700P1600CA - THYRISTOR-MODUL, 700A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 19kA
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 700A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.1kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 95mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Compack
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCO100-12IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCO100-12IO1 - Thyristor-Modul, 99A, 1200V
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 99A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 156A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: SOT-227B
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCO100-12IO1 - Thyristor-Modul, 99A, 1200V
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 99A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 156A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: SOT-227B
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MCO150-16IO1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCO150-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 158A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 158A
RMS-Durchlassstrom: 250A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.4V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: SOT-227B
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCO150-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 158A, 1.6KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 158A
RMS-Durchlassstrom: 250A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.4V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: SOT-227B
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MDD172-12N1 |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MDD172-12N1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 190 A, 1.07 V, Zweifach, Reihenschaltung, Y4, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Y4
Durchlassstoßstrom: 6.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.07V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 190A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MDD172-12N1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 190 A, 1.07 V, Zweifach, Reihenschaltung, Y4, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Y4
Durchlassstoßstrom: 6.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.07V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 190A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)