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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IXTP10P50P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP120P065T	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP140P05T	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP14N60X2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP15N50L2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP160N10T	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 430W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP24N65X2M	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X2-Class productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP26P20P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP34N65X2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X2-Class productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP36N30P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP3N120	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP4N65X2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023)	auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP4N80P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP50N20P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP62N15P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023)	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP80N10T	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTP96P085T	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ120N20P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ150N15P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 714 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 714 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ22N50P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ40N50L2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 540 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 540 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ460P2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ50N20P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 50 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarHT Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ52N30P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ69N30P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ75N10P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarHT Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ82N25P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ88N30P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 88 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 600 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 600 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTT16P60P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTT170N10P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 170 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 715 Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Polar Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTX32P60P	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTY01N100D	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm	auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTY14N60X2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXXH110N65C4	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 880 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXXH30N60B3D1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXXH60N65B4H1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 455 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXXH80N65B4H1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYB82N120C3H1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A SVHC: Lead (17-Jan-2023)	auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYH20N120C3D1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4 Verlustleistung Pd: 230 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: XPT GenX3 DC-Kollektorstrom: 36 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYH40N65C3H1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYH55N120A4	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 175 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYH82N120C3	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYH85N120A4	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 300 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 1.15 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYN100N120C3H1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V Dauer-Kollektorstrom: 134A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V Verlustleistung Pd: 690W euEccn: NLR Verlustleistung: 690W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 134A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023)	auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LBA716S	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LBA716S - MOSFET RELAY, SPST-NO/NC, 1A, 60V, SMD tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 3.75kV Lasttyp: AC / DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Surface Mount Kontaktform: SPST-NO (1 Form A), SPST-NC (1 Form B) Laststrom: 1A Produktpalette: OptoMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 3pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 Durchlasswiderstand, max.: 0.4ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LCB110	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - LCB110 - MOSFET-Relais, 350V, 120mA, 35R, SPST-NC tariffCode: 85364190 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: PC-Pin hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Durchlassstrom If: 50mA Isolationsspannung: 3.75kV Lasttyp: AC/DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 350V Relaismontage: Durchsteckmontage Kontaktform: SPST-NC (1 Form B) Laststrom: 120mA Produktpalette: OptoMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 3pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NC Durchlasswiderstand, max.: 35ohm	auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC162-12IO1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-12IO1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 300A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 300A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y4 Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC162-16IO1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC162-16IO1 - Thyristor-Modul, 181A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 181A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 300A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y4 Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC255-12IO1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC255-12IO1 - THYRISTOR-MODUL, 250A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9.2kA usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 250A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 450A Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y1 Betriebstemperatur, max.: 125°C Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC26-12IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A RMS-Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC26-12IO8B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-12IO8B - THYRISTOR-MODUL, 27A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A RMS-Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC26-16IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC26-16IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 27A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A RMS-Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: Lead (17-Jan-2023)	auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC310-16IO1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC310-16IO1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 320A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 500A Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y2 Betriebstemperatur, max.: 140°C	auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC312-16IO1	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC312-16IO1 - THYRISTOR-MODUL, 320A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A RMS-Durchlassstrom: 520A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Y1 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC44-12IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC44-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 49A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A RMS-Durchlassstrom: 77A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC56-12IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-12IO1B - Thyristormodul, Reihenschaltung, 94A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A RMS-Durchlassstrom: 94A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC56-16IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC56-16IO1B - THYRISTOR-MODUL, 60A, 1.6KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A RMS-Durchlassstrom: 94A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC72-12IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC72-12IO1B - THYRISTOR-MODUL, 85A, 1.2KV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A RMS-Durchlassstrom: 133A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC94-22IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC94-22IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 104A, 2.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A RMS-Durchlassstrom: 180A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (17-Jan-2023)	auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC95-12IO1B	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - MCC95-12IO1B - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 116A, 1.2kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 116A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 180A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: TO-240AA Betriebstemperatur, max.: 100°C	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTP10P50P

LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 39 Stücke:

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