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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS SEMICONDUCTOR 123531.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixf-12n65x2-datasheet?assetguid=ca7fb720-7825-4c0e-b2dd-7746de20884a Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P IXYS SEMICONDUCTOR 390197.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100Q IXFP4N100Q IXYS SEMICONDUCTOR 2044613.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0007088796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N85X IXFP8N85X IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP8N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ94N30P3 IXFQ94N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20P IXFR140N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30P IXFR140N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR200N10P IXFR200N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 133
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N60P IXFR36N60P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0016860315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS SEMICONDUCTOR 2362857.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF32N170 IXGF32N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5
DC-Kollektorstrom: 44
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH20N120A3 - IGBT, 40A, 2.5V, 180W, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 180
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXGH24N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH24N170 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 IXYS SEMICONDUCTOR 1392073.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH30N60C3C1 - IGBT, Einzeltransistor, Siliziumkarbid, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-247, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 220
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 IXGH32N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH32N170 - IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS SEMICONDUCTOR 2359842.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3 IXGH48N60C3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR 2362858.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR16N170AH1 IXGR16N170AH1 IXYS SEMICONDUCTOR 1795536.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - IGBT, isoliert, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 5
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR48N60C3D1 - IGBT, 56 A, 2.3 V, 125 W, 600 V, ISOPLUS-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 56A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR25N80C IXKR25N80C IXYS SEMICONDUCTOR 89372.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS SEMICONDUCTOR 2044642.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.07 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 280
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXLF19N250A IXLF19N250A IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXLF19N250A - IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS SEMICONDUCTOR IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 IXTA3N120 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N50 IXTH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 34
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36N50P IXTH36N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH40N50L2 IXTH40N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 IXTH62N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2 IXTH80N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 180 A, 0.01 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR 609817.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P 123531.pdf
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50P IXYS-S-A0008598276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP12N50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-12n65x2-datasheet?assetguid=ca7fb720-7825-4c0e-b2dd-7746de20884a
IXFP12N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP14N60P 390197.pdf
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP4N100Q 2044613.pdf
IXFP4N100Q
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP5N100P IXYS-S-A0007088796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP5N100P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf
IXFP8N85X
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP8N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ94N30P3 LFSI-S-A0007909443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFQ94N30P3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20P IXYS-S-A0008595643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR140N20P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30P IXYS-S-A0008595646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR140N30P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR200N10P IXYS-S-A0008595655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR200N10P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 133
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR36N60P LFSI-S-A0016860315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR36N60P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60P 2362857.pdf
IXFR48N60P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT18N100Q3 LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFT18N100Q3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
IXGA30N120B3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGF32N170 IXYS-S-A0008595141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGF32N170
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5
DC-Kollektorstrom: 44
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH16N170 IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH16N170
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH20N120A3 LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH20N120A3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH20N120A3 - IGBT, 40A, 2.5V, 180W, 1.2kV, TO-247AD, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 180
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH24N170 IXYS-S-A0008595170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH24N170
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH24N170 - IGBT, 50 A, 2.5 V, 250 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3C1 1392073.pdf
IXGH30N60C3C1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH30N60C3C1 - IGBT, Einzeltransistor, Siliziumkarbid, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-247, 3 Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 220
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170 IXYS-S-A0008595177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH32N170
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH32N170 - IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 2359842.pdf
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 LFSI-S-A0007907424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3 LFSI-S-A0009972219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH48N60C3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH48N60C3D1 LFSI-S-A0007912958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH48N60C3D1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN200N60B3 2362858.pdf
IXGN200N60B3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 LFSI-S-A0007912808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR16N170AH1 1795536.pdf
IXGR16N170AH1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - IGBT, isoliert, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 5
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 LFSI-S-A0007912401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGR48N60C3D1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR48N60C3D1 - IGBT, 56 A, 2.3 V, 125 W, 600 V, ISOPLUS-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 56A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR25N80C 89372.pdf
IXKR25N80C
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR40N60C 2044642.pdf
IXKR40N60C
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.07 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 280
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXLF19N250A IXYS-S-A0008595152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXLF19N250A
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXLF19N250A - IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
IXTA10P50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA3N120
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA96P085T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60 LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH10P60
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10T LFSI-S-A0007924819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH140P10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1
IXTH15N50L2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N50 description IXYS-S-A0008595607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH24N50
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2 LFSI-S-A0007909406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH30N50L2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 LFSI-S-A0007924881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH34N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 34
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36N50P IXYS-S-A0008598162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH36N50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH40N50L2 LFSI-S-A0007909276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH40N50L2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 LFSI-S-A0007907325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH48N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 660
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 LFSI-S-A0007907481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH62N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2 LFSI-S-A0007907387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH80N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P IXYS-S-A0008595641-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK120N25P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2 LFSI-S-A0007925039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK120N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P IXYS-S-A0008595589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK140N20P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P IXYS-S-A0008595791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK180N15P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 180 A, 0.01 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK200N10P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P LFSI-S-A0007907440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTN102N65X2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T LFSI-S-A0007925131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTN210P10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 609817.pdf
IXTN60N50L2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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