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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326 		IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
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auf Bestellung 30 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.03 EUR
10+ 16.3 EUR
25+ 15.39 EUR
100+ 13.6 EUR
240+ 11.15 EUR
480+ 10.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.08 EUR
10+ 12.95 EUR
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250+ 10.76 EUR
500+ 9.49 EUR
1000+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 374 Stücke:
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AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf IGBT Transistors SIC_DISCRETE
auf Bestellung 80 Stücke:
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2+30.58 EUR
10+ 26.96 EUR
20+ 26.23 EUR
50+ 24.75 EUR
100+ 23.32 EUR
200+ 22.59 EUR
500+ 21.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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5040+ 11.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN-1730854.pdf IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 461 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.16 EUR
7+ 11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.16 EUR
7+ 11.01 EUR
150+ 10.75 EUR
600+ 10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.26 EUR
7+ 10.42 EUR
8+ 9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
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7+ 10.42 EUR
8+ 9.85 EUR
150+ 9.51 EUR
600+ 9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
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5+12.95 EUR
10+ 10.89 EUR
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FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH150N65F_D-2311797.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 4
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3_D-2311922.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1693 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 7
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F_D-2311777.pdf MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 onsemi FCPF250N65S3L1_F154_D-2311890.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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5000+ 4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L_F154_D-2255841.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.46 EUR
10+ 8.55 EUR
25+ 7.64 EUR
100+ 7.15 EUR
250+ 6.71 EUR
500+ 6.21 EUR
1000+ 4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.16 EUR
10+ 6.86 EUR
25+ 6.47 EUR
100+ 5.56 EUR
250+ 5.25 EUR
500+ 4.94 EUR
1000+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN-3361666.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.16 EUR
10+ 6.86 EUR
25+ 6.47 EUR
100+ 5.56 EUR
250+ 5.25 EUR
500+ 4.94 EUR
1000+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IGW50N65F5 IGW50N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1731516.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.65 EUR
10+ 9.8 EUR
25+ 9.23 EUR
100+ 7.93 EUR
240+ 7.44 EUR
480+ 7.02 EUR
1200+ 6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN-1226759.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.98 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 6.76 EUR
240+ 6.34 EUR
480+ 5.82 EUR
1200+ 4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGZ50N65H5_DS_v02_01_EN-1731582.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.58 EUR
10+ 10.53 EUR
100+ 8.87 EUR
240+ 7.51 EUR
480+ 7.38 EUR
1200+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.76 EUR
10+ 7.36 EUR
25+ 6.94 EUR
100+ 5.95 EUR
240+ 5.62 EUR
480+ 5.28 EUR
1200+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.06 EUR
14+ 5.35 EUR
16+ 4.63 EUR
17+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.06 EUR
14+ 5.35 EUR
16+ 4.63 EUR
17+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.94 EUR
25+ 7.07 EUR
100+ 6.06 EUR
480+ 4.52 EUR
1200+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.29 EUR
10+ 7.07 EUR
25+ 6.58 EUR
100+ 5.64 EUR
240+ 5.23 EUR
480+ 4.32 EUR
1200+ 4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.59 EUR
10+ 17.65 EUR
25+ 16.02 EUR
100+ 15.24 EUR
240+ 12.92 EUR
1200+ 12.01 EUR
2640+ 11.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ150N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.04 EUR
10+ 27.38 EUR
25+ 26.62 EUR
50+ 25.14 EUR
100+ 23.66 EUR
240+ 22.91 EUR
480+ 21.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.09 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 11.18 EUR
100+ 9.52 EUR
240+ 9.02 EUR
480+ 7.28 EUR
1200+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.44 EUR
10+ 10.95 EUR
25+ 9.52 EUR
100+ 8.45 EUR
240+ 8.4 EUR
480+ 6.81 EUR
1200+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.97 EUR
10+ 10.95 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.46 EUR
240+ 6.89 EUR
480+ 5.56 EUR
1200+ 5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.22 EUR
18+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.22 EUR
18+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
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IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3361989.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076 IGBT Transistors INDUSTRY 14
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IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBT Transistors INDUSTRY 14
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IKZ50N65EH5XKSA1 IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ50N65EH5_DS_v02_01_EN-1731549.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ50N65ES5_DS_v02_01_EN-1122021.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
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240+ 8.24 EUR
480+ 7.98 EUR
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IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069 IGBT Transistors INDUSTRY 14
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25+ 12.4 EUR
100+ 11.41 EUR
240+ 10.71 EUR
480+ 10.04 EUR
1200+ 9.05 EUR
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IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
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240+ 12.04 EUR
480+ 11.34 EUR
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IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
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3+32.79 EUR
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS media-3322674.pdf MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
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1+77.71 EUR
10+ 73.24 EUR
25+ 64.43 EUR
50+ 63.49 EUR
100+ 59.33 EUR
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS IXFN150N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS media-3320042.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+117 EUR
10+ 108.58 EUR
20+ 106.99 EUR
50+ 105.09 EUR
100+ 103.64 EUR
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.02 EUR
12+ 6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.02 EUR
12+ 6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS media-3321896.pdf IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+30.52 EUR
10+ 26.88 EUR
30+ 24.7 EUR
120+ 23.24 EUR
270+ 21.09 EUR
510+ 20.62 EUR
1020+ 19.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326		 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 30 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+19.03 EUR
10+ 16.3 EUR
25+ 15.39 EUR
100+ 13.6 EUR
240+ 11.15 EUR
480+ 10.76 EUR
1200+ 10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.08 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 12.92 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.76 EUR
500+ 9.49 EUR
1000+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.08 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 12.84 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.76 EUR
500+ 9.52 EUR
1000+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC_DISCRETE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+30.58 EUR
10+ 26.96 EUR
20+ 26.23 EUR
50+ 24.75 EUR
100+ 23.32 EUR
200+ 22.59 EUR
500+ 21.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+22.15 EUR
10+ 19.01 EUR
25+ 16.17 EUR
100+ 15.21 EUR
240+ 13.75 EUR
480+ 12.56 EUR
5040+ 11.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN-1730854.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+23.61 EUR
10+ 20.23 EUR
25+ 18.36 EUR
100+ 15.5 EUR
240+ 13.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.16 EUR
7+ 11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.16 EUR
7+ 11.01 EUR
150+ 10.75 EUR
600+ 10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+14.26 EUR
7+ 10.42 EUR
8+ 9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+14.26 EUR
7+ 10.42 EUR
8+ 9.85 EUR
150+ 9.51 EUR
600+ 9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BIDW50N65T Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
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FCH150N65F-F155 FCH150N65F_D-2311797.pdf
FCH150N65F-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
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FCMT250N65S3 FCMT250N65S3_D-2311922.pdf
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
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FCPF150N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
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FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1_F154_D-2311890.pdf
FCPF250N65S3L1-F154
Hersteller: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
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FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L_F154_D-2255841.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
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IGB50N65H5ATMA1 Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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IGB50N65S5ATMA1 Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN-3361666.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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IGW50N65F5 Infineon_IGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1731516.pdf
IGW50N65F5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
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IGW50N65H5FKSA1 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN-1226759.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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IGZ50N65H5XKSA1 Infineon_IGZ50N65H5_DS_v02_01_EN-1731582.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
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IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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12+6.06 EUR
14+ 5.35 EUR
16+ 4.63 EUR
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IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
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12+6.06 EUR
14+ 5.35 EUR
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IHW50N65R5XKSA1 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
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6+8.94 EUR
25+ 7.07 EUR
100+ 6.06 EUR
480+ 4.52 EUR
1200+ 4.26 EUR
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IHW50N65R6XKSA1 Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 251 Stücke:
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7+8.29 EUR
10+ 7.07 EUR
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100+ 5.64 EUR
240+ 5.23 EUR
480+ 4.32 EUR
1200+ 4.08 EUR
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IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
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3+20.59 EUR
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25+ 16.02 EUR
100+ 15.24 EUR
240+ 12.92 EUR
1200+ 12.01 EUR
2640+ 11.26 EUR
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IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon-IKQ150N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
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2+31.04 EUR
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25+ 26.62 EUR
50+ 25.14 EUR
100+ 23.66 EUR
240+ 22.91 EUR
480+ 21.42 EUR
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IKW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
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4+14.09 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 11.18 EUR
100+ 9.52 EUR
240+ 9.02 EUR
480+ 7.28 EUR
1200+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 185 Stücke:
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5+11.44 EUR
10+ 10.95 EUR
25+ 9.52 EUR
100+ 8.45 EUR
240+ 8.4 EUR
480+ 6.81 EUR
1200+ 6.42 EUR
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IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 201 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.97 EUR
10+ 10.95 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.46 EUR
240+ 6.89 EUR
480+ 5.56 EUR
1200+ 5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.22 EUR
18+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.22 EUR
18+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 1074 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
4+16.07 EUR
10+ 13.78 EUR
25+ 12.51 EUR
100+ 11.49 EUR
240+ 10.79 EUR
480+ 10.5 EUR
2640+ 8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+23.87 EUR
10+ 20.49 EUR
25+ 18.56 EUR
100+ 17.06 EUR
240+ 16.04 EUR
480+ 15.03 EUR
1200+ 13.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.99 EUR
12+ 6.29 EUR
15+ 4.82 EUR
16+ 4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.99 EUR
12+ 6.29 EUR
15+ 4.82 EUR
16+ 4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IKW50N65WR5XKSA1 Infineon_IKW50N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3361989.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.13 EUR
10+ 7.67 EUR
25+ 7.2 EUR
100+ 6.19 EUR
240+ 5.3 EUR
480+ 4.68 EUR
1200+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.79 EUR
10+ 12.43 EUR
25+ 11.75 EUR
100+ 10.06 EUR
240+ 9.49 EUR
480+ 8.92 EUR
1200+ 7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.02 EUR
10+ 8.22 EUR
25+ 7.15 EUR
100+ 6.14 EUR
240+ 5.93 EUR
480+ 5.56 EUR
1200+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+37.26 EUR
10+ 32.84 EUR
25+ 31.95 EUR
50+ 30.19 EUR
100+ 28.42 EUR
240+ 27.48 EUR
480+ 25.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon_IKZ50N65EH5_DS_v02_01_EN-1731549.pdf
IKZ50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.13 EUR
10+ 13.39 EUR
25+ 11.91 EUR
100+ 10.84 EUR
240+ 9.75 EUR
480+ 8.58 EUR
1200+ 8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon_IKZ50N65ES5_DS_v02_01_EN-1122021.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.59 EUR
10+ 12.25 EUR
25+ 11.57 EUR
100+ 9.91 EUR
240+ 8.24 EUR
480+ 7.98 EUR
1200+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069
IKZA50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.96 EUR
10+ 13.68 EUR
25+ 12.4 EUR
100+ 11.41 EUR
240+ 10.71 EUR
480+ 10.04 EUR
1200+ 9.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+18.02 EUR
10+ 15.44 EUR
25+ 14.01 EUR
100+ 12.06 EUR
240+ 12.04 EUR
480+ 11.34 EUR
1200+ 9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+25.82 EUR
10+ 22.15 EUR
25+ 20.07 EUR
100+ 17.32 EUR
240+ 15.73 EUR
480+ 15.31 EUR
1200+ 15.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+32.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+32.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXFB150N65X2 media-3322674.pdf
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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1+77.71 EUR
10+ 73.24 EUR
25+ 64.43 EUR
50+ 63.49 EUR
100+ 59.33 EUR
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2.pdf
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN150N65X2 media-3320042.pdf
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+117 EUR
10+ 108.58 EUR
20+ 106.99 EUR
50+ 105.09 EUR
100+ 103.64 EUR
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.02 EUR
12+ 6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.02 EUR
12+ 6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+13.07 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+13.07 EUR
8+ 9.37 EUR
9+ 8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXYH50N65C3H1 media-3321896.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+30.52 EUR
10+ 26.88 EUR
30+ 24.7 EUR
120+ 23.24 EUR
270+ 21.09 EUR
510+ 20.62 EUR
1020+ 19.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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