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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HUF40244BTPHILIPS09+
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF65343G3
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3FAIRCHILDHUF75229P3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 161050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
auf Bestellung 161050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
312+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3FAIRCHILDHUF75229P3
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3onsemi / FairchildMOSFETs 44a 50V N-Ch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75229P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75305D3ST
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307FAIR03+ SOT-223;
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3ONS/FAIMOSFET N-CH 55V 15A IPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 8110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
404+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3onsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D35T00+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D38HARRIS
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3Sonsemi / FairchildMOSFET TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 109404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3STHARRIS99+
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3ST_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1106+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3ST_SB78016onsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3ST_SN00079onsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307D3_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307DS3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307P3onsemi / FairchildMOSFETs TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3S136INTERSIL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3STONS/FAITrans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 5276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
519+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 915 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3ST/5307FAIR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3ST136INTEL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75307T3ST136Harris CorporationDescription: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
790+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 975 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1232+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3Sonsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 14180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3STFAIRCHILD
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
auf Bestellung 9334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309P3
Produktcode: 189443
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309P3onsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
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HUF75309P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75309T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
844+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 844 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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HUF75321D3STonsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.98 EUR
100+0.8 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.76 EUR
253+0.67 EUR
286+0.56 EUR
500+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
239+0.7 EUR
241+0.67 EUR
273+0.57 EUR
276+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STonsemiMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; 93W; TO252AA
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 36mΩ
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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HUF75321P
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.52 EUR
87+1.94 EUR
157+1.02 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 34mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 93W
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
58+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3onsemi / FairchildMOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.67 EUR
100+1.38 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 6831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
318+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
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HUF75321P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
157+1.09 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3onsemiMOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
50+1.81 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321P3
Produktcode: 53580
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Transistoren > MOSFET N-CH
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HUF75321S3onsemi / FairchildMOSFET
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HUF75321S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
844+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 844 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321S3SHARRISHUF75321S3S
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321S3Sonsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75321S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1069+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3onsemi / FairchildMOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75329D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3FAIRCHILDHUF75329D3
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.69 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3SFAIRCHILDHUF75329D3S
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.44 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75329D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
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