Produkte > HUF

Trans MOSFET N-CH Si 50V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75229P3

Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 161050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

381+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 381

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75229P3

HUF75229P3

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

421+	1.32 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 421

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75229P3

Description: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 161050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75229P3

MOSFET 44a 50V N-Ch MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75229P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75229P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75305D3ST

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307

03+ SOT-223;

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 7768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

592+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 592

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D35T

00+

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D38

auf Bestellung 373 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3S

MOSFET TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3S

08+ TSSOP

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST

99+

auf Bestellung 3043 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 109404 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

740+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 740

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 2597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

919+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 919

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST_NL

Description: ONSEMI - HUF75307D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2597 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST_SB78016

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3ST_SN00079

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307D3_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307DS3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307DS3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307P3

MOSFETs TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3S136

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST

Description: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5276 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST

SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 5176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

761+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 761

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST/5307

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST136

INTEL

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75307T3ST136

Description: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk

auf Bestellung 3263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1158+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 1687 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

Description: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 14180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 15980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3ST

auf Bestellung 17000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309P3
Produktcode: 189443

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 9584 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

683+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 683

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309P3

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309P3_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309T3ST

SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1050+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1050

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

Description: ONSEMI - HUF75321D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

701+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 701

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 3284 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	0.98 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

HUF75321D3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

285+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 285

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

auf Bestellung 2519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 112500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	0.65 EUR
253+	0.56 EUR
286+	0.48 EUR
500+	0.42 EUR
2500+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

214+	0.69 EUR
239+	0.60 EUR
241+	0.57 EUR
273+	0.48 EUR
276+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 214

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

MOSFETs 35A 55V N-Channel UltraFET

auf Bestellung 1566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	1.40 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	2.14 EUR
87+	1.65 EUR
157+	0.87 EUR
500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 70

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 7467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 468

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3
Produktcode: 53580

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

HUF75321P3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.71 EUR
157+	0.91 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 87

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.39 EUR
50+	1.92 EUR
100+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 1204 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

701+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 701

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

701+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 701

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75321S3ST

Description: ONSEMI - HUF75321S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

371+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 371

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3

Description: ONSEMI - HUF75329D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

258+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 258

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

Description: ONSEMI - HUF75329D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 1172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET

auf Bestellung 2132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.24 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.77 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

HUF75329D3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329D3STS2559

TO-252

auf Bestellung 19990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329G3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 3077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 468

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329P3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3

Description: ONSEMI - HUF75329S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3S

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3S

FAIRCHIL

09+ DIP

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75329S3ST

MOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P2

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Power dissipation: 145W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.49 EUR
35+	2.04 EUR
48+	1.52 EUR
49+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	1.91 EUR
100+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

MOSFETs 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.24 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.60 EUR
2400+	1.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3
Produktcode: 144977

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

Description: ONSEMI - HUF75332P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

29+	2.49 EUR
35+	2.04 EUR
48+	1.52 EUR
49+	1.46 EUR
50+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

683+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 683

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST

SOP-8

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 23990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

386+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 386

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST

Description: ONSEMI - HUF75332S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75332S3ST_NL

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 139017 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

365+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 365

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3

06+

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3

MOSFETs TO-220 N-CH 55V 66A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

365+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 365

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3
Produktcode: 189444

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3_NS2552

Description: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333P3_Q

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

485+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 485

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

485+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 485

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75333S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75337P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 1211

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75337S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75337S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75337S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75337S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75337S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 3009 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

268+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 268

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339G3

Description: ONSEMI - HUF75339G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3009 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339G3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339G3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P

TO-220

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 507 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.38 EUR
111+	1.29 EUR
125+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 108

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 1531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.24 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.70 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.73 EUR
50+	1.96 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 108

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

HUF75339P3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339S3

Description: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339S3ST

Description: ONSEMI - HUF75339S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

314+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 314

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75339S3S_TR4935

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343P3

MOSFET 75A 55V N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343P3_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3

Description: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 557 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

278+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 278

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3

Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 557 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3

MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

278+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 278

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3S

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

198+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 198

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75343S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344A3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344A3

Description: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.50 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	8.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3
Produktcode: 59800

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
JHGF: THT

auf Bestellung 20 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET

auf Bestellung 1252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.83 EUR
10+	5.83 EUR
30+	4.10 EUR
120+	3.38 EUR
270+	3.20 EUR
2520+	3.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 285W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 7nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.02 EUR
21+	3.53 EUR
22+	3.35 EUR
30+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	5.02 EUR
21+	3.53 EUR
22+	3.35 EUR
30+	3.33 EUR
300+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.54 EUR
120+	3.47 EUR
270+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.94 EUR
30+	4.21 EUR
120+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

HUF75344P3 THT N channel transistors

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.30 EUR
7+	10.21 EUR
17+	4.20 EUR
500+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3
Produktcode: 119353

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 4923 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

194+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 194

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET

auf Bestellung 1070 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.39 EUR
10+	4.80 EUR
50+	2.94 EUR
100+	2.69 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.46 EUR
50+	3.29 EUR
100+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3
Produktcode: 191834

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Intersil

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
JHGF: THT

auf Bestellung 39 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3_NL

Description: ONSEMI - HUF75344P3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

312+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 312

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3

Description: 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

296+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 296

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3S

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3ST

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3ST

Description: ONSEMI - HUF75344S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 41324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3ST

MOSFET 55V Single

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 41324 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

417+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 417

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345G3

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.13 EUR
10+	5.65 EUR
30+	3.89 EUR
120+	3.56 EUR
270+	3.54 EUR
510+	3.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
30+	4.25 EUR
120+	3.59 EUR
510+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345G3

HUF75345G3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

HUF75345P3 THT N channel transistors

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.58 EUR
21+	3.40 EUR
250+	2.30 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3
Produktcode: 122685

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 2656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 2697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.70 EUR
50+	2.55 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3

Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

169+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 169

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3_NS2552

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3S

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.40 EUR
10+	7.35 EUR
100+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

HUF75345S3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 362 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.13 EUR
15+	9.68 EUR
25+	8.87 EUR
100+	7.64 EUR
250+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

MOSFETs 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 1610 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.40 EUR
10+	7.37 EUR
100+	5.56 EUR
800+	5.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

1998

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 362 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.13 EUR
15+	9.68 EUR
25+	8.87 EUR
100+	7.64 EUR
250+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75345S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75531SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75531SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75531SK8T

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

MOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm

auf Bestellung 669 Stücke:

Lieferzeit 171-175 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	4.10 EUR
50+	3.96 EUR
100+	3.34 EUR
250+	3.24 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

HUF75542P3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.10 EUR
74+	1.86 EUR
100+	1.61 EUR
250+	1.53 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 71

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V

auf Bestellung 3682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.72 EUR
50+	3.16 EUR
100+	2.90 EUR
500+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3
Produktcode: 174091

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.10 EUR
74+	1.86 EUR
100+	1.61 EUR
250+	1.53 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 71

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542S3S

Description: ONSEMI - HUF75542S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

205+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 205

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75542S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P

04+

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

222+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 222

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 30200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.40 EUR

Mindestbestellmenge: 231

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 235nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

21+	3.45 EUR
31+	2.36 EUR
33+	2.23 EUR
250+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	3.45 EUR
31+	2.36 EUR
33+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.40 EUR

Mindestbestellmenge: 231

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.43 EUR
61+	2.35 EUR
100+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.98 EUR
50+	2.79 EUR
100+	2.54 EUR
500+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.63 EUR
55+	2.60 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.70 EUR
1600+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

auf Bestellung 1606 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.98 EUR
10+	3.91 EUR
50+	3.57 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 3350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.40 EUR

Mindestbestellmenge: 231

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.60 EUR
56+	2.59 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.69 EUR
1600+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.40 EUR

Mindestbestellmenge: 231

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3_Q

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545P3_R4932

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

auf Bestellung 3333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

268+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 268

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3

HUF75545S3

auf Bestellung 1729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.00 EUR

Mindestbestellmenge: 278

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3

HUF75545S3

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.00 EUR

Mindestbestellmenge: 278

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3S

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 27200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

auf Bestellung 72474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.58 EUR
10+	4.13 EUR
100+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.53 EUR
1600+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

auf Bestellung 4528 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.84 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.19 EUR
250+	3.04 EUR
800+	2.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.62 EUR
50+	2.91 EUR
100+	2.47 EUR
200+	2.27 EUR
500+	2.17 EUR
800+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 41

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75545S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF7554S3S

Description: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM

auf Bestellung 839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

217+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 217

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3

MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

auf Bestellung 5222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1110+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75617D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623P3

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V

auf Bestellung 4811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

579+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 579

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623S3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623S3ST

MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75623S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631P

auf Bestellung 569 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631P3

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 16024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 249

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3S

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 1130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

398+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 398

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

HUF75631S3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.65 EUR
10+	4.98 EUR
25+	4.86 EUR
100+	4.29 EUR
250+	4.19 EUR
500+	3.98 EUR
800+	3.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

138+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 138

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 459 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.72 EUR
10+	5.65 EUR
100+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

auf Bestellung 4484 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

317+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 317

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8

auf Bestellung 11835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8T

SOP8 08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8T

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8T

0913+ SOP8

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8T

SOP8 09+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75631SK8T_NB82083

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

auf Bestellung 651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

322+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 322

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637P3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

auf Bestellung 5595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6080 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

185+	2.70 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3S

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75637S3_NR4895

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.54 EUR
30+	4.38 EUR
120+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

HUF75639G3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639G3

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.49 EUR
10+	5.17 EUR
25+	4.14 EUR
100+	3.73 EUR
250+	3.50 EUR
450+	3.31 EUR
900+	2.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P
Produktcode: 61772

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3
Produktcode: 122687

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.10 EUR
57+	2.51 EUR
100+	2.04 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.67 EUR
800+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.33 EUR
50+	2.35 EUR
100+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

HUF75639P3 THT N channel transistors

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
9+	7.95 EUR
23+	3.10 EUR
500+	1.90 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

auf Bestellung 1675 Stücke:

Lieferzeit 143-147 Tag (e)

1+	4.61 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.11 EUR
57+	2.51 EUR
100+	2.05 EUR
250+	1.93 EUR
500+	1.68 EUR
800+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Description: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3-F102

MOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3-F102

Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3-F102

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.00 EUR
10+	3.25 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3..

Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3_F102

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639P3_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S

auf Bestellung 9500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.44 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

MOSFETs TO-262

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.22 EUR
10+	2.90 EUR
100+	2.20 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 5257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

207+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 207

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

auf Bestellung 877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.44 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

HUF75639S3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.44 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.97 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.74 EUR
800+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.44 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.44 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 33191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

HUF75639S3S

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	2.48 EUR
500+	2.30 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 224

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

HUF75639S3S

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 224

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

auf Bestellung 20586 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S

HUF75639S3S

auf Bestellung 17755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	2.48 EUR
500+	2.30 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 224

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 96165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

235+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 235

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.48 EUR
106+	1.30 EUR
107+	1.23 EUR
119+	1.07 EUR
250+	1.02 EUR
500+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST
Produktcode: 163634

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 932 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 8011 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.10 EUR
10+	3.54 EUR
100+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

auf Bestellung 4578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.42 EUR
10+	3.57 EUR
100+	2.52 EUR
800+	2.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	2.14 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 259

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST-S2515

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3STNL

Description: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST_Q

Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

256+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 256

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3ST_Q

HUF75639S3ST_Q

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	1.96 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 284

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3S_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3_NL

HUF75639S3_NL

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

271+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 271

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 655 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

245+	2.00 EUR

Mindestbestellmenge: 245

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75639S3_NL

HUF75639S3_NL

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

271+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 271

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF7563P3

TO-220

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.35 EUR
25+	2.96 EUR
28+	2.56 EUR
30+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3
Produktcode: 56156

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 85

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1515 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.73 EUR
54+	2.66 EUR
64+	2.17 EUR
100+	1.91 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1584 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.22 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.77 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 67

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 26207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.16 EUR
50+	3.13 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.15 EUR
2000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.35 EUR
25+	2.96 EUR
28+	2.56 EUR
30+	2.42 EUR
250+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1519 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.72 EUR
54+	2.65 EUR
64+	2.16 EUR
100+	1.90 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.57 EUR
50+	3.36 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.59 EUR
500+	2.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3

Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3-SB82282

HUF75645P3_SB82282

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3-SB82282

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645P3_Q

MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

375+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 375

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S

TO-263 10+PBF

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.40 EUR
40+	3.60 EUR
52+	2.66 EUR
100+	2.34 EUR
250+	1.94 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 14970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.10 EUR
10+	4.28 EUR
100+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

auf Bestellung 12652 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	3.87 EUR
25+	3.84 EUR
100+	3.20 EUR
250+	3.19 EUR
500+	2.99 EUR
800+	2.60 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 14400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.08 EUR
1600+	2.64 EUR
2400+	2.48 EUR
5600+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST-F101

N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:75mA, Drain Source Voltage Vds:100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

72+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST_Q

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

72+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75645S3S_NL

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.81 EUR
30+	10.00 EUR
120+	8.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

MOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET

auf Bestellung 776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.61 EUR
10+	16.60 EUR
30+	9.89 EUR
120+	9.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.53 EUR
25+	8.08 EUR
50+	7.64 EUR
100+	7.17 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 515W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 475nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.34 EUR
19+	7.88 EUR
25+	7.45 EUR
50+	7.05 EUR
100+	6.61 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75652G3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75823D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75823D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75823D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

346+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 346

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3

Description: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 4067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

465+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 465

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3

Description: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4067 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3S

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75829D3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75831SK8T

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75831SK8T

Description: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75831SK8T

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842P3

Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842P3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

auf Bestellung 4636 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

125+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842P3

MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.92 EUR
10+	7.16 EUR
100+	5.86 EUR
500+	4.82 EUR
1000+	4.54 EUR
2500+	4.44 EUR
5000+	4.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3

Description: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

185+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3S

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3S

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3ST

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75842S3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

auf Bestellung 3509 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

245+	2.00 EUR

Mindestbestellmenge: 245

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

auf Bestellung 2276 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

37+	14.56 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

MOSFETs 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 122-126 Tag (e)

1+	19.48 EUR
10+	14.17 EUR
30+	14.15 EUR
120+	13.57 EUR
270+	13.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

37+	14.56 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3

HUF75852G3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75852G3
Produktcode: 160801

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Fair

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400

auf Bestellung 4 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925D3ST

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925D3ST

Description: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

auf Bestellung 2631 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

390+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 390

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75925S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939P3

Description: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939P3_F102

Description: 22A, 200V, 0.125OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939S3ST

Description: ONSEMI - HUF75939S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75939S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

120+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 120

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75945G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4023 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

130+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 130

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75945P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

589+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 589

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75945S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF75945S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76

93+ SOP8P

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76/107D

01+ SOP8P

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76009D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76009D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76009D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76009D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

auf Bestellung 12359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76009P3

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76009P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V

auf Bestellung 7513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

523+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 523

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013D3S

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

auf Bestellung 1212 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1212+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1212

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

auf Bestellung 150700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

987+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 987

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

auf Bestellung 5326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013P3

MOSFETs 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76013S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76017D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76017D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76017T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76017T3ST

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105DK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105DK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105DK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105DK8T

9948+

auf Bestellung 2499 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76105SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

auf Bestellung 82500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

919+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 919

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D35ST

210

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3S

TO252

auf Bestellung 660 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

701+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 701

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3ST

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

auf Bestellung 4730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

919+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 919

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107D3ST

92 TO-252

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76107P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

701+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 701

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76112SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76112SK8

Intersil

99+

auf Bestellung 12774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113

03+ SOT-223;

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113

93+ SOP8P

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113D

00+ SOP

auf Bestellung 4838 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113DK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113DK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113DK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113DK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113DK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active

auf Bestellung 77500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

592+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 592

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

503+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 503

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113T3ST

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113T3ST

Description: ONSEMI - HUF76113T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76113T3ST

Description: 4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 544

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3S

Description: ONSEMI - HUF76121D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 2192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

650+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 650

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 76888 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

683+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 683

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121D3ST

FAI

09+

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121P3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 26402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

701+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 701

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

634+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 634

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3S

Description: ONSEMI - HUF76121S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

430+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 430

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3ST

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

606+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 606

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3ST

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121S3ST

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76121SK8

HAR

1997 SOP

auf Bestellung 81 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76127S3S

auf Bestellung 1258 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129

TO220/

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

auf Bestellung 24723 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

420+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 420

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

auf Bestellung 42200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

437+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 437

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 24775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

365+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 365

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129P3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129P3

1999

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3S

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 468

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3ST

TO263/2.5

auf Bestellung 1587 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3ST

FAIRCHLD

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76129S3ST

auf Bestellung 396 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76131

01+ SOP8P

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76131SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76131SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 25 V

auf Bestellung 10025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

567+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 567

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76131SK8T_NB82084

Description: 10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132P3

Description: 75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132S

2001

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76132SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137P

auf Bestellung 24050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137P3

Description: ONSEMI - HUF76137P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 13040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 13040 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

329+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 329

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137P3

MOSFET 75a 30V 0.009 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

197+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 197

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76137S3ST

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139P3

00+

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 12841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

293+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 293

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139P3

00+

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139P3-NS2552

Trans MOSFET N-CH Si 30V 75A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139P3_NS2552

Description: 75A, 30V, 0.01OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S

1998

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

247+	2.00 EUR

Mindestbestellmenge: 247

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3ST

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

606+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 606

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3ST

Description: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3STK

Description: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76139S3STK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

606+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 606

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143P

INTELSIL

2001

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143P3

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 108627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

430+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 430

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143S

auf Bestellung 4600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143S3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

398+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 398

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143S3

09+

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76143S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

423+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 423

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145P3

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3S

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

auf Bestellung 9980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

146+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 146

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3S

auf Bestellung 64800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3ST

Description: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1706 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3ST

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76145S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

290+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 290

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D

04+05+ TO-251(IPAK)

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

auf Bestellung 22053 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

802+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 802

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 19076 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1401+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1401

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3S

Description: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 19076 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 10853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
16+	1.13 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.70 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

MOSFETs 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 8448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.67 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407D3ST

HUF76407D3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8

SO-8

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8T

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8T

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8T

SO-8

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407DK8TR4810

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407P3

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76407P3

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

592+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 592

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

auf Bestellung 663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

663+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 663

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST-S2457

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST-SB82270

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST_S2457

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST_SB82270

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST_SN00065

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76409D3ST_SN00066

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

606+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 606

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413D3

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413D3

Description: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413P3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76413P3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3ST

MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 4274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1211

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3STR4921

Description: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3STR4921

Description: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 544

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419D3ST_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419P3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419P3

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419P3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

auf Bestellung 42556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

451+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 451

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST-F085

MOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST-Q

0546+

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST-Q

05+;

auf Bestellung 2045 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76419S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3

Description: ONSEMI - HUF76423D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

auf Bestellung 6794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

auf Bestellung 8936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423D3ST

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Description: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

HUF76423P3 THT N channel transistors

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

35+	2.06 EUR
65+	1.10 EUR
69+	1.04 EUR
250+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

MOSFETs 20a 60V N-Channel 0.037Ohm

auf Bestellung 1821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	1.60 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.18 EUR
800+	1.00 EUR
2400+	0.98 EUR
5600+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423S3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76423S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

417+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 417

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3

Description: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

347+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 347

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3S

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3S

MOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3ST

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429D3ST_NL

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429P

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429P3

Description: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429P3

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429P3

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST

HUF76429S3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST

MOSFETs 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 2821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.04 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.83 EUR
800+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76429S3ST_Q

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432P3

Description: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432P3

MOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432S3ST

Description: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 300

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76432S3STR4908

Description: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437P3

Description: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

238+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 238

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437P3

MOSFET TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 4945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 27282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76437S3ST

Description: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 27282 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439P3

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3S

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.89 EUR
1600+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

HUF76439S3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

MOSFET 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.31 EUR
10+	3.89 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.29 EUR
800+	2.18 EUR
2400+	2.04 EUR
4800+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

auf Bestellung 3171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.42 EUR
10+	3.52 EUR
100+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76443P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

auf Bestellung 7300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

163+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 163

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76443P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76443S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76443S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

180+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 180

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76443S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76443S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

182+	2.90 EUR

Mindestbestellmenge: 182

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445P3

07+ TO-220

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445S3S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445S3ST

Description: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76445S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

198+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 198

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

auf Bestellung 15455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3S

FAIRCHIL

0441

auf Bestellung 1148 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3S

Description: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

auf Bestellung 10799 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
12+	1.50 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

auf Bestellung 9111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.09 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR
10000+	0.55 EUR
25000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76609D3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3

MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3S

Description: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

auf Bestellung 5406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1031+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1031

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 33795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

326+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 326

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3S

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3S

Description: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 33795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.57 EUR
64+	2.16 EUR
100+	1.86 EUR
250+	1.70 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 17964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.75 EUR
10+	2.75 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

HUF76629D3ST SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 4100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.91 EUR
10+	2.87 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

auf Bestellung 9325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.57 EUR
64+	2.16 EUR
100+	1.86 EUR
250+	1.70 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST-F085

MOSFET UltraFET Power MOSFET

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3STNL

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3STR4885

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

auf Bestellung 2125 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

auf Bestellung 21252500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76629DS3

Description: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76633P3

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76633P3

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76633P3 F085
Produktcode: 94093

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76633P3-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 300

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HUF76633P3-F085