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MOSFET 44a 50V N-Ch MOSFET

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HUF75229P3

Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

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HUF75229P3

Description: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 161050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75229P3

auf Bestellung 161050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

381+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 381

HUF75229P3

Trans MOSFET N-CH Si 50V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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HUF75229P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

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HUF75305D3ST

auf Bestellung 2500 Stücke:

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HUF75307

03+ SOT-223;

auf Bestellung 92 Stücke:

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HUF75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK

auf Bestellung 8653 Stücke:

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642+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 642

HUF75307D3

auf Bestellung 2100 Stücke:

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HUF75307D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

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HUF75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK

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HUF75307D3

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

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HUF75307D35T

00+

auf Bestellung 2500 Stücke:

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HUF75307D38

auf Bestellung 373 Stücke:

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HUF75307D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75307D3S

MOSFET TO-252

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HUF75307D3S

08+ TSSOP

auf Bestellung 223 Stücke:

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HUF75307D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

auf Bestellung 110710 Stücke:

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802+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 802

HUF75307D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252

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HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

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HUF75307D3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

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HUF75307D3ST

99+

auf Bestellung 3043 Stücke:

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HUF75307D3ST_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

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HUF75307D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2597 Stücke:

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995+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 995

HUF75307D3ST_SB78016

onsemi

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HUF75307D3ST_SN00079

onsemi

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HUF75307D3_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

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HUF75307DS3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75307DS3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75307P3

MOSFET TO-220

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HUF75307T3S136

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 5276 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

761+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 761

HUF75307T3ST

Description: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5276 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75307T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

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HUF75307T3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

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HUF75307T3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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HUF75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

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HUF75307T3ST

SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75307T3ST/5307

auf Bestellung 2000 Stücke:

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HUF75307T3ST136

INTEL

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75307T3ST136

Description: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk

auf Bestellung 3263 Stücke:

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1158+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1158

HUF75309D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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HUF75309D3S

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

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HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

auf Bestellung 2466 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

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HUF75309D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

auf Bestellung 14180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309D3S

Description: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 14180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75309D3ST

auf Bestellung 17000 Stücke:

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HUF75309D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

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HUF75309D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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HUF75309D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

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HUF75309P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

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HUF75309P3
Produktcode: 189443

Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF75309P3

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

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HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

auf Bestellung 10244 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

740+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 740

HUF75309P3_Q

MOSFET

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HUF75309S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223

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HUF75309T3ST

SOT-223

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

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HUF75321D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

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HUF75321D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

auf Bestellung 6085 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.85 EUR
12500+	0.75 EUR
25000+	0.67 EUR
37500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 15472 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
13+	2.01 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 12

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.96 EUR
5000+	0.91 EUR
12500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

HUF75321D3ST

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

auf Bestellung 2244 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.64 EUR
37+	1.42 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.91 EUR
2500+	0.9 EUR
5000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 32

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321P

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 200

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 13417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75321P3
Produktcode: 53580

Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF75321P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 93W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 31A

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	2.05 EUR
100+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 78

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 20

HUF75321P3

MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 99-113 Tag (e)

15+	3.59 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 15

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321P3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.95 EUR
10+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 7

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321P3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321S3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

auf Bestellung 1204 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

760+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 760

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75321S3S

Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75321S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

991+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 991

HUF75321S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

962+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 962

HUF75329D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

452+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 452

HUF75329D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

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HUF75329D3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3

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HUF75329D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329D3S

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

314+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 314

HUF75329D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329D3ST

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

auf Bestellung 2208 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.13 EUR
28+	1.86 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.08 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 25

HUF75329D3STS2559

TO-252

auf Bestellung 19990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329G3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO-247

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HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

auf Bestellung 3077 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

507+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 507

HUF75329P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329P3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 42A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329S3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329S3S

FAIRCHIL

09+ DIP

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75329S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329S3S

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75329S3ST

MOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S

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HUF75332P2

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75332P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 145W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

31+	2.32 EUR
36+	2.02 EUR
43+	1.7 EUR
48+	1.52 EUR
50+	1.43 EUR
250+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 31

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1317 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.37 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.9 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

HUF75332P3
Produktcode: 144977

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 50

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332P3

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	2.32 EUR
36+	2.02 EUR
43+	1.7 EUR
48+	1.52 EUR
50+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 31

HUF75332P3

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.45 EUR
14+	3.72 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 12

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 9713 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

336+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 336

HUF75332P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332S3

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2788 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

683+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 683

HUF75332S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75332S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75332S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75332S3ST

SOP-8

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75332S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332S3ST

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 23990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

386+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 386

HUF75332S3ST_NL

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3
Produktcode: 189444

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2197 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

365+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 365

HUF75333P3

06+

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75333P3

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3

auf Bestellung 41417 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

365+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 365

HUF75333P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3_NS2552

Description: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333P3_Q

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1257 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

485+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 485

HUF75333S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75333S3S

TO-263

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HUF75333S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75333S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75337P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

auf Bestellung 2600 Stücke:

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1312+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1312

HUF75337S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75337S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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HUF75337S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75337S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75337S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339G3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 3009 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

289+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 289

HUF75339G3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339P

TO-220

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75339P3

Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 12mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; HUF75339P3 THUF75339p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339P3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 115-129 Tag (e)

12+	4.68 EUR
14+	3.9 EUR
100+	3.04 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.54 EUR
1000+	2.11 EUR
5000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 12

HUF75339P3

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm

auf Bestellung 398 Stücke:

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HUF75339P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 12mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339P3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.65 EUR
50+	3.74 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 6

HUF75339P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339S3

Description: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75339S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75339S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75339S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

340+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 340

HUF75339S3S_TR4935

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343P3

MOSFET 75A 55V N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343P3_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3

Description: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 557 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

278+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 278

HUF75343S3

MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

278+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 278

HUF75343S3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3

Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 557 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75343S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75343S3S

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75343S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75343S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

198+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 198

HUF75343S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

202+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 202

HUF75344A3

Description: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75344A3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.36 EUR
40+	3.89 EUR
46+	3.23 EUR
120+	2.74 EUR
270+	2.47 EUR
510+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 37

HUF75344G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	5.02 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR
300+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 15

HUF75344G3

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.02 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 15

HUF75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.05 EUR
30+	7.16 EUR
120+	6.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

HUF75344G3

MOSFET 75a 55V NCh UltraFET

auf Bestellung 1855 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.49 EUR
10+	7.12 EUR
30+	6.14 EUR
120+	5.04 EUR
270+	4.65 EUR
510+	4.63 EUR
1020+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344G3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	8.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

HUF75344G3

Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm

auf Bestellung 377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75344G3
Produktcode: 59800

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
JHGF: THT

auf Bestellung 20 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344P3
Produktcode: 191834

Intersil

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
JHGF: THT

auf Bestellung 40 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 4923 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

194+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 194

HUF75344P3
Produktcode: 119353

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344P3

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344P3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344P3 THUF75344p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

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10+	8.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF75344P3

MOSFET 75a 55V NCh UltraFET

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 82-96 Tag (e)

8+	6.94 EUR
10+	5.82 EUR
50+	5.49 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.45 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75344P3_NL

Description: ONSEMI - HUF75344P3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75344P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

312+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 312

HUF75344S3

Description: 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 678 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

296+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 296

HUF75344S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344S3S

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344S3S

MOSFET

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HUF75344S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344S3ST

MOSFET 55V Single

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

auf Bestellung 41485 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

417+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 417

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75344S3ST

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75344S3ST

Description: ONSEMI - HUF75344S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 41485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75345G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.31 EUR
10+	10.17 EUR
100+	8.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

HUF75345G3

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 892 Stücke:

Lieferzeit 131-145 Tag (e)

5+	10.48 EUR
30+	8.32 EUR
120+	7.12 EUR
510+	6.03 EUR
1020+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75345P3

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 634 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.68 EUR
10+	5.36 EUR
100+	4.39 EUR
500+	3.72 EUR
1000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75345P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 325W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 325W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.33 EUR
25+	2.97 EUR
32+	2.29 EUR
34+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 22

HUF75345P3

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.33 EUR
25+	2.97 EUR
32+	2.29 EUR
34+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 22

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345P3

Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

auf Bestellung 763 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345P3
Produktcode: 122685

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75345P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.63 EUR
50+	5.32 EUR
100+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75345P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

169+	4.63 EUR

Mindestbestellmenge: 169

HUF75345P3_NS2552

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75345S3S

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3ST

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

auf Bestellung 2013 Stücke:

Lieferzeit 522-536 Tag (e)

4+	14.53 EUR
10+	12.69 EUR
25+	12.27 EUR
100+	10.74 EUR
800+	8.5 EUR
2400+	8.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 362 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.88 EUR
15+	10.34 EUR
25+	9.48 EUR
100+	8.16 EUR
250+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75345S3ST

1998

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 362 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.88 EUR
15+	10.34 EUR
25+	9.48 EUR
100+	8.16 EUR
250+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

HUF75345S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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HUF75531SK8

SO-8

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HUF75531SK8

07+ SO-8

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HUF75531SK8T

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

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HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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71+	2.25 EUR
74+	1.98 EUR
100+	1.72 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 71

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75542P3
Produktcode: 174091

IC > IC andere

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HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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71+	2.25 EUR
74+	1.98 EUR
100+	1.72 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.42 EUR

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HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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HUF75542P3

MOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm

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8+	7.12 EUR
10+	6.06 EUR
50+	5.85 EUR
100+	4.94 EUR
250+	4.78 EUR
500+	4.42 EUR
1000+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

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HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75542P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V

auf Bestellung 724 Stücke:

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3+	8.76 EUR
10+	7.87 EUR
100+	6.45 EUR
500+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75542P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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HUF75542S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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205+	3.6 EUR

Mindestbestellmenge: 205

HUF75542S3S

Description: ONSEMI - HUF75542S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 400 Stücke:

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HUF75542S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75542S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75542S3S

TO-263

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HUF75545P

04+

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HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75545P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 130 Stücke:

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24+	3.09 EUR
27+	2.72 EUR
31+	2.36 EUR
33+	2.23 EUR
250+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 24

HUF75545P3

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

auf Bestellung 1371 Stücke:

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8+	6.63 EUR
10+	5.62 EUR
100+	4.65 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.28 EUR
2500+	3.2 EUR
5000+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75545P3

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

210+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 210

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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44+	3.67 EUR
50+	2.94 EUR
54+	2.62 EUR
100+	1.86 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 44

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

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HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2050 Stücke:

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43+	3.68 EUR
50+	2.95 EUR
54+	2.63 EUR
100+	1.86 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 43

HUF75545P3

Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 2934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2050 Stücke:

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HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HUF75545P3

auf Bestellung 130 Stücke:

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24+	3.09 EUR
27+	2.72 EUR
31+	2.36 EUR
33+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 24

HUF75545P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

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HUF75545P3_Q

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

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HUF75545P3_R4932

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK

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HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK

auf Bestellung 3713 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

352+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 352

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

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HUF75545S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75545S3S

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

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HUF75545S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

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HUF75545S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

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HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

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HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

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HUF75545S3ST

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

auf Bestellung 4795 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.45 EUR
10+	7.1 EUR
25+	6.89 EUR
100+	5.75 EUR
250+	5.69 EUR
500+	5.38 EUR
800+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 7

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75545S3ST

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75545S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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HUF7554S3S

Description: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM

auf Bestellung 839 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

217+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 217

HUF75617D3

MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75617D3

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

auf Bestellung 5222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1110+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

HUF75617D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75617D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75617D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75617D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

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HUF75617D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75617D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

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HUF75623P3

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V

auf Bestellung 4811 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

579+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 579

HUF75623S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75623S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75623S3S

MOSFET

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HUF75623S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75623S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75623S3ST

MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75631P

auf Bestellung 569 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631P3

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 16024 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

249+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 249

HUF75631S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631S3S

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 1130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 398

HUF75631S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 459 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.93 EUR
10+	8.35 EUR
100+	6.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.6 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75631S3ST

MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.35 EUR
10+	7.36 EUR
25+	7.18 EUR
100+	6.34 EUR
250+	6.19 EUR
500+	5.88 EUR
800+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

auf Bestellung 321 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

138+	5.36 EUR

Mindestbestellmenge: 138

HUF75631SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631SK8

auf Bestellung 11835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

auf Bestellung 4484 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

317+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 317

HUF75631SK8T

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75631SK8T

SOP8 08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631SK8T

0913+ SOP8

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631SK8T

SOP8 09+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75631SK8T_NB82083

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

auf Bestellung 651 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

392+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 392

HUF75637P3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

auf Bestellung 5595 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

533+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 533

HUF75637S3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

185+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 185

HUF75637S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75637S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75637S3S

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75637S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75637S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1429 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

204+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 204

HUF75637S3_NR4895

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639G3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 418 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.27 EUR
10+	6.93 EUR
100+	5.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4

HUF75639G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639G3

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

auf Bestellung 1555 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.11 EUR
10+	6.79 EUR
30+	5.95 EUR
120+	5.49 EUR
270+	4.76 EUR
510+	4.34 EUR
1020+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

HUF75639G3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639G3

Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

auf Bestellung 109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P
Produktcode: 61772

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

auf Bestellung 1246 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.03 EUR
11+	4.84 EUR
100+	3.98 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

HUF75639P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 83 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.16 EUR
25+	2.86 EUR
35+	2.06 EUR
37+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 23

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75639P3

Description: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A HUF75639P3 THUF75639p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 20

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3
Produktcode: 122687

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.46 EUR
51+	3.03 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 46

HUF75639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.14 EUR
10+	5.08 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF75639P3

auf Bestellung 83 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.16 EUR
25+	2.86 EUR
35+	2.06 EUR
37+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 23

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.47 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 46

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3-F102

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.75 EUR
10+	4.76 EUR
100+	3.79 EUR
500+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF75639P3-F102

MOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3-F102

Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75639P3..

Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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HUF75639P3_F102

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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HUF75639P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

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HUF75639P3_Q

MOSFET

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HUF75639S

auf Bestellung 9500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75639S3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.66 EUR
10+	5.58 EUR
100+	4.52 EUR
500+	4.01 EUR

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HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

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HUF75639S3

auf Bestellung 5937 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

207+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 207

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

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HUF75639S3

MOSFET TO-262

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.53 EUR
10+	5.49 EUR
50+	5.38 EUR
100+	4.42 EUR
250+	4.34 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75639S3

Description: ONSEMI - HUF75639S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-262AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-262AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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HUF75639S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 20586 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

202+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 202

HUF75639S3S

TO-263

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HUF75639S3S

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75639S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

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HUF75639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

235+	3.15 EUR

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HUF75639S3ST
Produktcode: 163634

Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.52 EUR
40+	3.87 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 35

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75639S3ST

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 844 Stücke:

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HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75639S3ST

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.53 EUR
10+	5.36 EUR
100+	4.32 EUR
800+	3.09 EUR
2400+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.5 EUR
10+	5.39 EUR
100+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75639S3ST

auf Bestellung 844 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75639S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

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HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

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HUF75639S3ST

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HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75639S3ST-S2515

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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HUF75639S3STNL

Description: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

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HUF75639S3ST_Q

Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

257+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 257

HUF75639S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75639S3S_Q

MOSFET

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HUF75639S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 655 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

245+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 245

HUF7563P3

TO-220

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75645P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.35 EUR
25+	2.96 EUR
28+	2.56 EUR
30+	2.42 EUR
250+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 22

HUF75645P3

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.35 EUR
25+	2.96 EUR
28+	2.56 EUR
30+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 22

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645P3

Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.47 EUR
50+	5.14 EUR
100+	4.41 EUR
500+	3.92 EUR
1000+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF75645P3

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.34 EUR
10+	5.43 EUR
50+	5.33 EUR
100+	4.42 EUR
250+	4.37 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 9

HUF75645P3
Produktcode: 56156

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645P3-SB82282

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645P3-SB82282

HUF75645P3_SB82282

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645P3_Q

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

375+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 375

HUF75645S3S

TO-263 10+PBF

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75645S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75645S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75645S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 19150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.64 EUR
10+	6.42 EUR
100+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

HUF75645S3ST

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

auf Bestellung 12652 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.63 EUR
10+	5.72 EUR
25+	5.67 EUR
100+	4.73 EUR
250+	4.71 EUR
500+	4.42 EUR
800+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.7 EUR
40+	3.85 EUR
52+	2.84 EUR
100+	2.5 EUR
250+	2.07 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 34

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 18400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.62 EUR
1600+	3.96 EUR
2400+	3.72 EUR
5600+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 800

HUF75645S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645S3ST

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75645S3ST-F101

N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:75mA, Drain Source Voltage Vds:100V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75645S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

72+	10.26 EUR

Mindestbestellmenge: 72

HUF75645S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75645S3ST_Q

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

72+	10.26 EUR

Mindestbestellmenge: 72

HUF75645S3S_NL

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75652G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 515W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 475nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.91 EUR
19+	8.41 EUR
25+	7.96 EUR
50+	7.53 EUR
100+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 18

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 614 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75652G3

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HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75652G3

Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.11 EUR
25+	8.63 EUR
50+	8.16 EUR
100+	7.65 EUR

Mindestbestellmenge: 17

HUF75652G3

MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 177-191 Tag (e)

3+	23.3 EUR
10+	19.94 EUR
30+	18.12 EUR
120+	16.64 EUR
270+	15.65 EUR
510+	14.69 EUR
1020+	13.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

HUF75652G3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	23.71 EUR
10+	20.33 EUR
100+	16.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

HUF75823D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75823D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

346+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 346

HUF75823D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75829D3

Description: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 4067 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

567+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 567

HUF75829D3

Description: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4067 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75829D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75829D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75829D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75829D3S

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75829D3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75831SK8T

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75831SK8T

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75831SK8T

Description: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842P3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

auf Bestellung 4636 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

125+	5.88 EUR

Mindestbestellmenge: 125

HUF75842P3

MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.7 EUR
10+	10.58 EUR
100+	8.66 EUR
500+	7.12 EUR
1000+	6.71 EUR
2500+	6.55 EUR
5000+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF75842P3

Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842S3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

185+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 185

HUF75842S3

Description: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75842S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75842S3S

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75842S3S

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842S3ST

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75842S3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

auf Bestellung 3509 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

245+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 245

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75852G3

MOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	30.42 EUR
10+	27.4 EUR
120+	23.61 EUR
510+	19.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2

HUF75852G3
Produktcode: 160801

Fair

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400

auf Bestellung 4 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

37+	21.5 EUR

Mindestbestellmenge: 37

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

auf Bestellung 2276 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

37+	21.5 EUR

Mindestbestellmenge: 37

HUF75925D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75925D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75925D3ST

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75925D3ST

Description: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

auf Bestellung 2631 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75925P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

390+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 390

HUF75925S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75925S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75939P3

Description: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75939P3

auf Bestellung 35157 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

296+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 296

HUF75939P3_F102

Description: 22A, 200V, 0.125OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HUF75939S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75939S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75939S3ST

Description: ONSEMI - HUF75939S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF75939S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

120+	5.97 EUR

Mindestbestellmenge: 120

HUF75945G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4023 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

130+	6.01 EUR

Mindestbestellmenge: 130

HUF75945P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

589+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 589

HUF75945S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF75945S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76

93+ SOP8P

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76/107D

01+ SOP8P

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76009D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76009D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76009D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76009D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

auf Bestellung 12359 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76009P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V

auf Bestellung 7513 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

523+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 523

HUF76013D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76013D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76013D3S

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

auf Bestellung 1212 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1212+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1212

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

auf Bestellung 150700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1069+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1069

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3

auf Bestellung 5326 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1110+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

HUF76013S3S

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76013S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76017D3S

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76017D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76017T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76017T3ST

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105DK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105DK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105DK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105DK8T

9948+

auf Bestellung 2499 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76105SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

auf Bestellung 82500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

919+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 919

HUF76107D35ST

210

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76107D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76107D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

701+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 701

HUF76107D3S

TO252

auf Bestellung 660 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76107D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76107D3ST

92 TO-252

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76107D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

auf Bestellung 4730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

919+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 919

HUF76107D3ST

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76107P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

701+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 701

HUF76112SK8

Intersil

99+

auf Bestellung 12774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76112SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113

03+ SOT-223;

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113

93+ SOP8P

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113D

00+ SOP

auf Bestellung 4838 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113DK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113DK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113DK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113DK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113DK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active

auf Bestellung 77500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

592+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 592

HUF76113SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

503+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 503

HUF76113SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113T3ST

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113T3ST

Description: 4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 544

HUF76113T3ST

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76113T3ST

Description: ONSEMI - HUF76113T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76121D

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121D3S

Description: ONSEMI - HUF76121D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76121D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 2192 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

650+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 650

HUF76121D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 76888 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

683+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 683

HUF76121D3ST

FAI

09+

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121P3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 26402 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

701+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 701

HUF76121S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

634+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 634

HUF76121S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121S3S

Description: ONSEMI - HUF76121S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76121S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

430+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 430

HUF76121S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121S3ST

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121S3ST

SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76121S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 606

HUF76121SK8

HAR

1997 SOP

auf Bestellung 81 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76127S3S

auf Bestellung 1258 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129

TO220/

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129D

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

auf Bestellung 24723 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

513+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 513

HUF76129D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

auf Bestellung 42200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

533+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 533

HUF76129P3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76129P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 24775 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

365+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 365

HUF76129P3

1999

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

468+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 468

HUF76129S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129S3ST

FAIRCHLD

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129S3ST

auf Bestellung 396 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76129S3ST

TO263/2.5

auf Bestellung 1587 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76131

01+ SOP8P

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76131SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76131SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 25 V

auf Bestellung 10025 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

567+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 567

HUF76131SK8T_NB82084

Description: 10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76132P3

Description: 75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 307

HUF76132S

2001

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76132S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76132S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 307

HUF76132S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76132S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76132S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 307

HUF76132SK8

07+ SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76132SK8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76132SK8

SO-8

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76137P

auf Bestellung 24050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76137P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 13040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

329+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 329

HUF76137S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76137S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

197+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 197

HUF76137S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76137S3ST

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139P3

00+

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139P3

00+

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 12841 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

293+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 293

HUF76139P3-NS2552

Trans MOSFET N-CH Si 30V 75A

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76139P3_NS2552

Description: 75A, 30V, 0.01OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76139S

1998

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

247+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 247

HUF76139S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139S3ST

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76139S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

HUF76139S3ST

Description: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76139S3STK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

HUF76139S3STK

Description: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76143P

INTELSIL

2001

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76143P3

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76143P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 108627 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

430+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 430

HUF76143S

auf Bestellung 4600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76143S3

09+

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76143S3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 398

HUF76143S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76143S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1364 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

423+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 423

HUF76145P3

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76145S3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76145S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76145S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76145S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

auf Bestellung 9980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

146+	5.36 EUR

Mindestbestellmenge: 146

HUF76145S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76145S3S

auf Bestellung 64800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76145S3S

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76145S3ST

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76145S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1706 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

290+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 290

HUF76145S3ST

Description: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1706 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76407D

04+05+ TO-251(IPAK)

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

auf Bestellung 22053 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

802+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 802

HUF76407D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407D3S

Description: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 19076 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76407D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 19076 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1401+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1401

HUF76407D3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407D3ST

MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 4359 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 26

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407D3ST

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 4976 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
13+	2.11 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 11

HUF76407DK8

SO-8

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407DK8

MOSFET

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HUF76407DK8

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407DK8T

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407DK8T

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407DK8T

SO-8

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76407DK8TR4810

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407P3

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76407P3

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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HUF76409D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76409D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

592+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 592

HUF76409D3

MOSFET

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HUF76409D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76409D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76409D3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76409D3ST

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76409D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

auf Bestellung 663 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

663+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 663

HUF76409D3ST-S2457

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HUF76409D3ST-SB82270

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76409D3ST_S2457

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76409D3ST_SB82270

onsemi

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HUF76409D3ST_SN00065

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76409D3ST_SN00066

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76413D3

Description: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76413D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76413D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

HUF76413D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76413D3

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76413D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76413P3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76413P3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419D3

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419D3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419D3S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419D3ST

MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 4274 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1210+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1210

HUF76419D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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HUF76419D3STR4921

Description: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76419D3STR4921

Description: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 544

HUF76419D3ST_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R

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HUF76419P3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419P3

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419P3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

auf Bestellung 42556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

451+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 451

HUF76419S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419S3ST

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF76419S3ST-F085

MOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

HUF76419S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF76419S3ST-Q

05+;

auf Bestellung 2045 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419S3ST-Q

0546+

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76419S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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HUF76423D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

auf Bestellung 6794 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

auf Bestellung 8936 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423D3ST

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423P3

MOSFET 20a 60V N-Channel 0.037Ohm

auf Bestellung 2016 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	2.94 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.52 EUR
5000+	1.44 EUR
10000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 15

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76423P3

Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3

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HUF76423P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 23A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76423P3

Description: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 27900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76423P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

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HUF76423P3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 30

HUF76423S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423S3S

MOSFET

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HUF76423S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76423S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

417+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 417

HUF76429D3

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429D3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429D3

Description: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76429D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

423+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 423

HUF76429D3S

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

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HUF76429D3S

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

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HUF76429D3S

SOT-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

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HUF76429D3S

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429D3ST

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429D3ST_NL

MOSFET

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HUF76429P

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429P3

Description: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB

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HUF76429P3

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429P3

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76429S3ST

MOSFET 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 2068 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.9 EUR
16+	3.35 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.68 EUR
800+	2.07 EUR
2400+	2 EUR
4800+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 14

HUF76429S3ST_Q

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

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HUF76432P3

Description: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76432P3

MOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76432P3

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HUF76432S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76432S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76432S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76432S3ST

Description: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76432S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

auf Bestellung 3124 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

300+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 300

HUF76432S3STR4908

Description: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76437P3

Description: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76437P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

238+	3.1 EUR

Mindestbestellmenge: 238

HUF76437P3

MOSFET TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76437S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76437S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76437S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76437S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 4945 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76437S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 27282 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76437S3ST

Description: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 27282 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76439P3

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76439P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76439S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76439S3S

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76439S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76439S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76439S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
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10+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.98 EUR
10+	4.97 EUR
100+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF76439S3ST

MOSFET 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch

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9+	6.37 EUR
10+	5.75 EUR
100+	4.63 EUR
500+	3.38 EUR
800+	3.22 EUR
2400+	3.02 EUR
4800+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 9

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF76443P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

auf Bestellung 7300 Stücke:

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163+	4.81 EUR

Mindestbestellmenge: 163

HUF76443P3

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HUF76443S3S

07+ SOT-263

auf Bestellung 30000 Stücke:

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HUF76443S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

180+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 180

HUF76443S3S

SOT-263

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76443S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

182+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 182

HUF76445P3

07+ TO-220

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HUF76445P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

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HUF76445S3S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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HUF76445S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

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HUF76445S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76445S3ST

Description: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76445S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

198+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 198

HUF76609D3

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

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HUF76609D3

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

auf Bestellung 15455 Stücke:

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HUF76609D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

auf Bestellung 10799 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76609D3S

FAIRCHIL

0441

auf Bestellung 1148 Stücke:

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HUF76609D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76609D3S

Description: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76609D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76609D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
12+	2.21 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

HUF76609D3ST

MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

auf Bestellung 9111 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.61 EUR
37+	1.42 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR
10000+	0.81 EUR
25000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 33

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76609D3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76619D3

MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

auf Bestellung 5406 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1031+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1031

HUF76619D3S

Description: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76619D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76619D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3S

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76629D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

458+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 458

HUF76629D3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76629D3S

Description: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 33795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 33795 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 398

HUF76629D3ST

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm

auf Bestellung 4624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.87 EUR
5000+	2.76 EUR

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HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5933 Stücke:

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58+	2.75 EUR
64+	2.31 EUR
100+	1.99 EUR
250+	1.82 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.47 EUR
3000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 58

HUF76629D3ST

auf Bestellung 4624 Stücke:

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HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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HUF76629D3ST

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 7491 Stücke:

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9+	6.4 EUR
10+	5.3 EUR
100+	4.24 EUR
250+	3.9 EUR
500+	3.54 EUR
1000+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 9

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

auf Bestellung 17040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.37 EUR
10+	5.28 EUR
100+	4.2 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5933 Stücke:

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58+	2.75 EUR
64+	2.31 EUR
100+	1.99 EUR
250+	1.82 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.47 EUR
3000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 58

HUF76629D3ST-F085

MOSFET UltraFET Power MOSFET

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

HUF76629D3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3STNL

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3STR4885

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

auf Bestellung 2125 Stücke:

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HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

auf Bestellung 21252500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76629D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

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HUF76629DS3

Description: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET

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HUF76633P3

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633P3

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

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HUF76633P3 F085
Produktcode: 94093

Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF76633P3-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

auf Bestellung 1200 Stücke:

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300+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 300

HUF76633P3-F085

MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

HUF76633P3-F085

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HUF76633P3-F085

Description: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633P3-R4883

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633P3-R4883

MOSFET N-CHAN 100V 38A TO-220AB

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HUF76633P3_NL

MOSFET 38A,100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

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HUF76633P3_R4883

ON Semiconductor

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633P3_SN00075

ON Semiconductor

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76633S3S

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

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HUF76633S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76633S3ST

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST

Description: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 12648 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HUF76633S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

auf Bestellung 12648 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

HUF76633S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST-F085
Produktcode: 132414

Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF76633S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST-F085

MOSFET NMOS D2PAK 100V 36 MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76633S3ST-SB82274

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639P3
Produktcode: 46829

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639P3

FAIRCHIL

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76639P3

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639P3

MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639P3_NL

MOSFET 100V,50A,0.027 OHM,NCH,LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639P3_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639S3S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76639S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639S3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HUF76639S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HUF76639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HUF76639S3ST

MOSFET 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch

auf Bestellung 1599 Stücke:

Lieferzeit 157-171 Tag (e)

10+	5.46 EUR
12+	4.39 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.41 EUR
800+	2.68 EUR
2400+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 10

HUF76639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

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HUF76639S3ST
Produktcode: 176379

Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF76639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

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HUF76639S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF76639S3ST-F085