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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MUN 5114T1MOTSOT23
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MUN 5215T1MOTSOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 24000 Stücke:
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1000+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD01-SGDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 6V 1A 6-Pin DFN T/R
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MUN12AD01-SGDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
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6+8.84 EUR
10+ 8.74 EUR
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100+ 7.96 EUR
250+ 7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 24781 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.15 EUR
5+ 9.02 EUR
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25+ 8.63 EUR
50+ 8.37 EUR
100+ 8.11 EUR
250+ 7.85 EUR
500+ 7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN12AD01-SG EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD01-SG
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MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 20196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.15 EUR
5+ 11 EUR
10+ 10.84 EUR
25+ 10.52 EUR
50+ 10.2 EUR
100+ 9.88 EUR
250+ 9.57 EUR
500+ 8.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN12AD01-SHDelta Electronics Inc.MUN12AD01-SH
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MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+8.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 44425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+12.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
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MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 56932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.16 EUR
5+ 14.92 EUR
10+ 14.71 EUR
25+ 14.28 EUR
50+ 13.84 EUR
100+ 13.41 EUR
250+ 12.98 EUR
500+ 12.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD03-SECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
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MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 54000 Stücke:
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2000+12.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 9452 Stücke:
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4+14.51 EUR
5+ 14.3 EUR
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25+ 13.65 EUR
50+ 13.26 EUR
100+ 12.87 EUR
250+ 12.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN12AD03-SEC EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD03-SEC
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MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 31250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+14.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 31402 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.54 EUR
5+ 18.28 EUR
10+ 18.01 EUR
25+ 17.48 EUR
50+ 16.95 EUR
100+ 16.42 EUR
250+ 15.89 EUR
500+ 14.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD03-SMDelta Electronics Inc.MUN12AD03-SM
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MUN12AD05-SMFHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 1.9V to 5V 5A SMD 21-Pin QFN T/
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MUN12AD05-SMFHDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.51 EUR
5+ 16.28 EUR
10+ 16.07 EUR
25+ 15.57 EUR
50+ 15.11 EUR
100+ 14.64 EUR
250+ 14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.24 EUR
5+ 17.01 EUR
10+ 16.76 EUR
25+ 16.27 EUR
50+ 15.78 EUR
100+ 15.28 EUR
250+ 14.79 EUR
500+ 13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.59 EUR
5+ 16.34 EUR
10+ 16.1 EUR
25+ 15.63 EUR
50+ 15.16 EUR
100+ 14.68 EUR
250+ 14.21 EUR
500+ 13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
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MUN12AD05-SMFLDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.51 EUR
5+ 16.28 EUR
10+ 16.07 EUR
25+ 15.57 EUR
50+ 15.11 EUR
100+ 14.64 EUR
250+ 14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 22441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.26 EUR
5+ 15.03 EUR
10+ 14.81 EUR
25+ 14.37 EUR
50+ 13.94 EUR
100+ 13.5 EUR
250+ 13.07 EUR
500+ 12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD06-SMDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 6A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.5 EUR
5+ 15.29 EUR
10+ 15.05 EUR
25+ 14.64 EUR
50+ 14.2 EUR
100+ 13.73 EUR
250+ 13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN12AD06-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 15V 6A 25-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN20AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 5.5V 3A 25-Pin QFN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2110LT1
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2110LT1(6L*)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111ON06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111LT1G
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1ON99+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
auf Bestellung 143230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2111T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 143230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111T1ONSOT23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1(6A)
auf Bestellung 53625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1(6A*)
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.072 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 29920 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
135+0.39 EUR
282+ 0.18 EUR
572+ 0.091 EUR
1000+ 0.078 EUR
3000+ 0.065 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 135
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1001846 Stücke:
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MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 11729 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
63+0.42 EUR
88+ 0.3 EUR
164+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
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Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2111T1G/6A
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T3 - MUN2111T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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MUN2111T3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
MUN2111T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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MUN2112onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
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MUN2112T
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MUN2112/6BON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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MUN2112LT1
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MUN2112LT1(6B*)
auf Bestellung 226500 Stücke:
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MUN2112LT1/A6B
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MUN2112LT1G
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MUN2112T1MOTOROLA04+ SOT23
auf Bestellung 6100 Stücke:
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MUN2112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2112T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
auf Bestellung 51000 Stücke:
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5770+0.12 EUR
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MUN2112T1(6B*)
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MUN2112T1/6BMOTO
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MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
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15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2112T1G
auf Bestellung 15000 Stücke:
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MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
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MUN2112T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP
auf Bestellung 122384 Stücke:
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143+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 143
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2112T3onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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MUN2112T3MOT
auf Bestellung 24000 Stücke:
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MUN2112\6BONSOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2113ON06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MUN2113-TXMOTOROLA09+
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MUN2113LT1
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113LT1(6C*)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113LT1G
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 108500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
auf Bestellung 108500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.074 EUR
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MUN2113T1
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MUN2113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2113T1(6C*)
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MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 35569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15000+ 0.017 EUR
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Mindestbestellmenge: 6330
MUN2113T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2113T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 17233 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
143+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 143
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1450+0.11 EUR
1891+ 0.08 EUR
4630+ 0.031 EUR
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MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 15364 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
67+0.39 EUR
94+ 0.28 EUR
174+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1GON08+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4630+0.034 EUR
7519+ 0.02 EUR
9091+ 0.016 EUR
9616+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 4630
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 35569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4167+0.037 EUR
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5525+ 0.026 EUR
5781+ 0.024 EUR
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6330+ 0.02 EUR
6623+ 0.019 EUR
6994+ 0.018 EUR
7353+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4167
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+ 0.064 EUR
9000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2113T3
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113XLT1
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2114MOTOROLA
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114-T1
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114LT1
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2114T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2114T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2114T1OnsemiSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1(6D)
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1(6D*)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
67+0.39 EUR
97+ 0.27 EUR
178+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2114T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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191+ 0.27 EUR
445+ 0.12 EUR
1000+ 0.07 EUR
3000+ 0.057 EUR
9000+ 0.055 EUR
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Mindestbestellmenge: 135
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
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Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2115LT1(6E)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2115T1
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2115T1(6E)
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MUN2115T1/6EMALAYSIA
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MUN2115T1G
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MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2115T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
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MUN2115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN2116LT1
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MUN2116LT1(6F*)
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MUN2116T1ON
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MUN2116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2117LT1
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MUN2117LT1(6H*)
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MUN2119
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MUN211ET1(6N)
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MUN211T1
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MUN2130T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2130T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2130T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2130T1MOT
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MUN2130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2130T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2130T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2130T1G
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MUN2131T1
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MUN2131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2131T1G
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MUN2131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2132onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2132LT1
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MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2132T1ONS0426+
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MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2132T1(6J)
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MUN2132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
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MUN2132T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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MUN2132T1GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN2132T1G
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MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2132T3
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MUN2132T3(6J)
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MUN2133onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2133LT1
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MUN2133LT1G
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MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Part Status: Obsolete
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MUN2133T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2133T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2133T1
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MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Part Status: Obsolete
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MUN2133T1GON
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MUN2133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Part Status: Active
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MUN2133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2134T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2134T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2134T1GON
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MUN2134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN2135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2137T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2137T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN2140T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59
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MUN2140T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2141T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN2141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2210
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MUN2211MOTSOT-23
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MUN2211onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2211MOT
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mun2211jt1
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mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SC-59
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MUN2211JT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2211JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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MUN2211JT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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11539+0.072 EUR
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MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2211LT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MUN2211T1ON04+ SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
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MUN2211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 97000 Stücke:
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MUN2211T1ONSOT23
auf Bestellung 50000 Stücke:
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MUN2211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SC-59
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Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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auf Bestellung 97000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUN2211T1/8A
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1BONSOT23/SOT323
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5495+0.028 EUR
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Mindestbestellmenge: 5495
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 47299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
67+0.39 EUR
97+ 0.27 EUR
178+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.048 EUR
2000+ 0.036 EUR
2275+ 0.032 EUR
2600+ 0.028 EUR
2750+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5556+0.028 EUR
30000+ 0.021 EUR
60000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5556
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5556+0.028 EUR
30000+ 0.021 EUR
60000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5556
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 18840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 29851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4017+0.039 EUR
4066+ 0.037 EUR
4348+ 0.033 EUR
4673+ 0.03 EUR
6000+ 0.027 EUR
15000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 4017
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33432 Stücke:
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MUN2211T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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154+0.34 EUR
225+ 0.23 EUR
445+ 0.12 EUR
1000+ 0.068 EUR
2500+ 0.055 EUR
10000+ 0.044 EUR
30000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 154
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.063 EUR
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30000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 818282 Stücke:
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MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1500+0.048 EUR
2000+ 0.036 EUR
2275+ 0.032 EUR
2600+ 0.028 EUR
2750+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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5495+0.028 EUR
30000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 5495
MUN2211T1G
Produktcode: 103955		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 29851 Stücke:
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1323+0.12 EUR
1931+ 0.078 EUR
1969+ 0.074 EUR
3938+ 0.035 EUR
4017+ 0.033 EUR
4066+ 0.032 EUR
4348+ 0.028 EUR
4673+ 0.026 EUR
6000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1323
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 18840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 36812 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
197+0.27 EUR
274+ 0.19 EUR
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2500+ 0.06 EUR
10000+ 0.044 EUR
20000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 197
MUN2211T3G
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
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MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 28261 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
67+0.39 EUR
97+ 0.27 EUR
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500+ 0.12 EUR
1000+ 0.08 EUR
2000+ 0.066 EUR
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Mindestbestellmenge: 67
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 88340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
MUN2212MOTO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212MOTSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212LT1G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1MOTOROLA09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1ONSOT23-8B
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1ONSOT23
auf Bestellung 5460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 11861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 5935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
59+0.44 EUR
64+ 0.41 EUR
117+ 0.22 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 11861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN
auf Bestellung 15636 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
119+0.44 EUR
126+ 0.41 EUR
233+ 0.22 EUR
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3000+ 0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 119
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GONSEMIMUN2212T1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
1060+ 0.067 EUR
2915+ 0.024 EUR
12000+ 0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MUN2212T1SOT23-8BON
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T3Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212XLT1
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2213ON07+ SOT-23
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213/8CON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213JT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN2213JT1
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2213JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213JT1G - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2213LT1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213LT1G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 545350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2213T1ON07+;
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1ON00+ SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 545350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MUN2213T1ONSOT23
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1/8C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
765+0.094 EUR
1765+ 0.041 EUR
1985+ 0.036 EUR
2430+ 0.029 EUR
2565+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 765
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 39202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
684+0.23 EUR
994+ 0.15 EUR
1005+ 0.14 EUR
2062+ 0.068 EUR
2084+ 0.064 EUR
2110+ 0.061 EUR
3650+ 0.034 EUR
4311+ 0.028 EUR
6000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 684
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1279+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1279
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.094 EUR
1765+ 0.041 EUR
1985+ 0.036 EUR
2430+ 0.029 EUR
2565+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 765
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12257 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
147+ 0.18 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 56
MUN2213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 21998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
127+0.41 EUR
182+ 0.29 EUR
371+ 0.14 EUR
1000+ 0.083 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.052 EUR
45000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6536+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+ 0.076 EUR
9000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 39202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2084+0.075 EUR
2110+ 0.071 EUR
3650+ 0.04 EUR
4311+ 0.032 EUR
6000+ 0.028 EUR
15000+ 0.025 EUR
30000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2084
MUN2214
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214LT1
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2214T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T1FON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 10795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2214T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 14485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 44461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1188+0.13 EUR
1913+ 0.079 EUR
2748+ 0.053 EUR
3379+ 0.041 EUR
6000+ 0.039 EUR
15000+ 0.03 EUR
30000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 1188
MUN2214T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 22048 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
135+0.39 EUR
197+ 0.27 EUR
409+ 0.13 EUR
1000+ 0.075 EUR
3000+ 0.065 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 135
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 5089 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
59+0.44 EUR
87+ 0.3 EUR
162+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 44461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+0.24 EUR
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1178+ 0.12 EUR
1188+ 0.11 EUR
1913+ 0.067 EUR
2748+ 0.045 EUR
3379+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 640
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T3
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 19240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
119+0.44 EUR
126+ 0.41 EUR
233+ 0.22 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.096 EUR
2500+ 0.073 EUR
10000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 119
MUN2214T3GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2215LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2215LT1G
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2215T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2215T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2215T1 - MUN2215T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4150+0.038 EUR
6000+ 0.036 EUR
15000+ 0.034 EUR
30000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4150
MUN2215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 6313 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
113+0.46 EUR
158+ 0.33 EUR
250+ 0.21 EUR
1000+ 0.091 EUR
3000+ 0.081 EUR
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24000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 113
MUN2215T1G
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4150+0.038 EUR
6000+ 0.036 EUR
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30000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4150
MUN2215T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN2215T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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MUN2215ZT1
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MUN2215ZT1(ON)
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MUN2215ZT1.
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MUN2216onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2216
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MUN2216-(TX)
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MUN2216LT1GON10+ SOT-23
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MUN2216T1ON09+
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MUN2216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2216T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2216T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
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MUN2216T1ON08+ SOT-23
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MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
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30000+ 0.093 EUR
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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1467+0.11 EUR
2440+ 0.062 EUR
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24000+ 0.037 EUR
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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3000+0.061 EUR
6000+ 0.058 EUR
9000+ 0.046 EUR
15000+ 0.043 EUR
24000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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MUN2216T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2216T1G
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN221JT1
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MUN2230
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MUN2230T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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MUN2230T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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3000+ 0.1 EUR
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MUN2230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2231T1
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MUN2231T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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MUN2231T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2231T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2231T1GON
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MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2231T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2232LT1
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MUN2232LT1G
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MUN2232T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2232T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2232T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1/8JMOTO
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2232T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4558 Stücke:
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MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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MUN2232T1G
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 4194000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2232T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
112+0.47 EUR
121+ 0.43 EUR
220+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.073 EUR
9000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 112
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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MUN2233MOTOROLA04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2233LT1G
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233RT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2233T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2233T1
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4927+0.032 EUR
6000+ 0.03 EUR
9000+ 0.028 EUR
15000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 4927
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.062 EUR
9000+ 0.053 EUR
30000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2233T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 19849 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
166+0.31 EUR
218+ 0.24 EUR
477+ 0.11 EUR
1000+ 0.07 EUR
3000+ 0.057 EUR
9000+ 0.055 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 166
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1140+0.063 EUR
1640+ 0.043 EUR
1740+ 0.041 EUR
12000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.063 EUR
1640+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4588+0.034 EUR
6000+ 0.033 EUR
9000+ 0.03 EUR
15000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 4588
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 175529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 57061 Stücke:
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67+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 67
MUN2234T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2234T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2234T1GON Semiconductor
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MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
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MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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440+0.36 EUR
539+ 0.28 EUR
1029+ 0.14 EUR
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3040+ 0.042 EUR
9000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 440
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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1029+0.15 EUR
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2337+ 0.062 EUR
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9000+ 0.037 EUR
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MUN2234T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2235onsemionsemi NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
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MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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5848+0.027 EUR
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MUN2235T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
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127+0.41 EUR
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24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 128829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
59+0.44 EUR
69+ 0.38 EUR
125+ 0.21 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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27000+0.028 EUR
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MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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3000+0.075 EUR
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75000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MUN2235T1GSanyoDescription: DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
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Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN2236onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2236T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99000 Stücke:
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MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
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MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Supplier Device Package: SC-59
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auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10606+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 10606
MUN2236T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
83+0.63 EUR
121+ 0.43 EUR
191+ 0.27 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 83
MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2236T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 216000 Stücke:
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MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2237T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2237T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 920995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2237T1ONSOT23
auf Bestellung 2600 Stücke:
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MUN2237T1ON04+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MUN2237T1ONSOT23-8P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 920995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1 SOT23-8PON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2237T1G
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2237T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 24219 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN2237T1SOT23-
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1SOT23-BPON
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2238T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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MUN2238T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN2238T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2240T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 1415500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2240T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2240T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1415500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2240T1ON07+;
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2240T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 35847 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
79+0.66 EUR
95+ 0.55 EUR
179+ 0.29 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 79
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2240T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 378000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2241T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2241T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 80975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2241T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2241T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2241T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 17764 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
79+0.66 EUR
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MUN2241T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN24AD01-SHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 2V to 8.5V 1A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.87 EUR
5+ 14.64 EUR
10+ 14.43 EUR
25+ 14 EUR
50+ 13.58 EUR
100+ 13.15 EUR
250+ 12.73 EUR
500+ 11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN24AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 3V to 12V 3A 25-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1BR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1BR6-EB
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
5+ 6.93 EUR
10+ 6.83 EUR
25+ 6.63 EUR
50+ 6.43 EUR
100+ 6.23 EUR
250+ 6.03 EUR
500+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1BR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.2Vout inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.53 EUR
9+ 6.45 EUR
10+ 6.37 EUR
25+ 6.16 EUR
50+ 5.98 EUR
100+ 5.8 EUR
250+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
5+ 6.93 EUR
10+ 6.83 EUR
25+ 6.63 EUR
50+ 6.43 EUR
100+ 6.23 EUR
250+ 6.03 EUR
500+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3C1DR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.35Vout inductor-integrated DC-DC converters
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8+6.53 EUR
9+ 6.45 EUR
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25+ 6.16 EUR
50+ 5.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3C1ER6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.5Vout inductor-integrated DC-DC converters
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8+6.53 EUR
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100+ 5.8 EUR
250+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
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4+7.02 EUR
5+ 6.93 EUR
10+ 6.83 EUR
25+ 6.63 EUR
50+ 6.43 EUR
100+ 6.23 EUR
250+ 6.03 EUR
500+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1HR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1HR6-EB
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1HR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.8Vout inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1714 Stücke:
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8+6.53 EUR
9+ 6.45 EUR
10+ 6.37 EUR
25+ 6.16 EUR
50+ 5.98 EUR
100+ 5.8 EUR
250+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
5+ 6.93 EUR
10+ 6.83 EUR
25+ 6.63 EUR
50+ 6.43 EUR
100+ 6.23 EUR
250+ 6.03 EUR
500+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3CAD01-EEDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-EE
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MUN3CAD01-SBCyntec CoModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD01-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 885 Stücke:
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8+6.53 EUR
9+ 6.45 EUR
10+ 6.37 EUR
25+ 6.16 EUR
50+ 5.98 EUR
100+ 5.8 EUR
250+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
MUN3CAD01-SBDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.76 EUR
5+ 6.65 EUR
10+ 6.55 EUR
25+ 6.36 EUR
50+ 6.17 EUR
100+ 5.97 EUR
250+ 5.78 EUR
500+ 5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3CAD01-SB EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD01-SB
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 20807 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.81 EUR
5+ 8.69 EUR
10+ 8.57 EUR
25+ 8.32 EUR
50+ 8.06 EUR
100+ 7.81 EUR
250+ 7.56 EUR
500+ 7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN3CAD01-SCDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-SC
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD01-SCDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 8.74 EUR
25+ 8.48 EUR
50+ 8.19 EUR
100+ 7.96 EUR
250+ 7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 10849 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.81 EUR
5+ 8.69 EUR
10+ 8.57 EUR
25+ 8.32 EUR
50+ 8.06 EUR
100+ 7.81 EUR
250+ 7.56 EUR
500+ 7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN3CAD03-SEDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 4351 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 8.74 EUR
25+ 8.48 EUR
50+ 8.19 EUR
100+ 7.96 EUR
250+ 7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD03-SE EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD03-SE
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 194469 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MUN3CAD03-SFDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.44 EUR
8+ 7.33 EUR
10+ 7.23 EUR
25+ 7.02 EUR
50+ 6.79 EUR
100+ 6.58 EUR
250+ 6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CADR6-ECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 0.6A 6-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111DW1T1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+ 0.043 EUR
12000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5111DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 26350 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111DW1T1GONSEMIMUN5111DW1T1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
542+0.13 EUR
1619+ 0.044 EUR
1713+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 542
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
42+0.62 EUR
50+ 0.53 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111RT1
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111T1ON07+;
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5953+0.026 EUR
6025+ 0.025 EUR
12000+ 0.024 EUR
18000+ 0.023 EUR
24000+ 0.022 EUR
30000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 5953
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111T1GONSEMIMUN5111T1G NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 26990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2017+0.077 EUR
2045+ 0.074 EUR
3704+ 0.039 EUR
5953+ 0.023 EUR
6025+ 0.022 EUR
15000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2017
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 26990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
660+0.24 EUR
718+ 0.21 EUR
725+ 0.2 EUR
1887+ 0.074 EUR
2017+ 0.066 EUR
2045+ 0.063 EUR
3704+ 0.033 EUR
5953+ 0.021 EUR
6025+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 660
MUN5111T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 39288 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 25289 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6290+0.025 EUR
6370+ 0.024 EUR
12000+ 0.022 EUR
18000+ 0.021 EUR
24000+ 0.02 EUR
30000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 6290
MUN5112onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5112DW1T1
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5112DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 23576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
50+ 0.52 EUR
103+ 0.25 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.18 EUR
725+ 0.099 EUR
1000+ 0.072 EUR
1055+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 395
MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
395+0.18 EUR
725+ 0.099 EUR
1000+ 0.072 EUR
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Mindestbestellmenge: 395
MUN5112DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 22341 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
68+0.77 EUR
99+ 0.53 EUR
241+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.099 EUR
24000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 68
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5112DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 774000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
Packaging: Bulk
auf Bestellung 774000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
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MUN5112T1/6BMOTO
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 467900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 9435 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
127+0.41 EUR
177+ 0.29 EUR
417+ 0.12 EUR
1000+ 0.075 EUR
3000+ 0.062 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+ 0.067 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2198+0.071 EUR
2223+ 0.068 EUR
3760+ 0.039 EUR
4220+ 0.033 EUR
6000+ 0.024 EUR
15000+ 0.022 EUR
30000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 2198
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5618+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 5618
MUN5112T1G
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 13240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
63+0.42 EUR
90+ 0.29 EUR
166+ 0.16 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.041 EUR
6000+ 0.039 EUR
9000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6025+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 6025
MUN5113MOTSOT-323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7788+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7788
MUN5113DW1T1
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
64+ 0.41 EUR
130+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 44
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+0.39 EUR
544+ 0.28 EUR
619+ 0.23 EUR
1117+ 0.12 EUR
1527+ 0.084 EUR
1985+ 0.062 EUR
3000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 405
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.64 EUR
395+ 0.19 EUR
1085+ 0.066 EUR
12000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
50+ 0.52 EUR
103+ 0.25 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1128+0.14 EUR
1527+ 0.099 EUR
1985+ 0.073 EUR
3000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1128
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 110
MUN5113DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 5067 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
68+0.77 EUR
99+ 0.53 EUR
241+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.099 EUR
24000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 68
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN5113T1ONSOT323
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T1ON09+
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 1629
MUN5113T1GON Semiconductor
auf Bestellung 266900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5113T1GON09+
auf Bestellung 291018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113T3ON0403+
auf Bestellung 8050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113T3ON0403+ SOT23-5
auf Bestellung 16100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T3GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 209850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN5114
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MUN5114DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5114DW1T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5114DW1T1
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MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
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177+ 0.29 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
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9000+ 0.086 EUR
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MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
auf Bestellung 135 Stücke:
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135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 135
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
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Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
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Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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400+ 0.17 EUR
1100+ 0.064 EUR
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MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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46+0.57 EUR
56+ 0.47 EUR
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500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
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MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114RT1
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MUN5114T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5114T1ON2001
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MUN5114T1GON07+;
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MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
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Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5114T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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127+0.41 EUR
193+ 0.27 EUR
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3000+ 0.062 EUR
9000+ 0.057 EUR
24000+ 0.052 EUR
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MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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11539+0.072 EUR
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MUN5115D
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MUN5115DW
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115DW1T1GONSEMIMUN5115DW1T1G PNP SMD transistors
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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1127+ 0.13 EUR
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2850+ 0.047 EUR
2882+ 0.045 EUR
4185+ 0.029 EUR
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115DW1T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN5115T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5115T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5115T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5115T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MUN5115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN5115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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MUN5115T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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187+ 0.28 EUR
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3000+ 0.11 EUR
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24000+ 0.078 EUR
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MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5115T1G
auf Bestellung 150000 Stücke:
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MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5115T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5116DW1T1MOT
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MUN5116DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5116DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
auf Bestellung 144000 Stücke:
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MUN5116DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
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9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3840 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 28
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8890 Stücke:
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MUN5116RT1
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5116T1
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5116T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5116T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5116T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5117T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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37+ 0.71 EUR
100+ 0.38 EUR
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1000+ 0.17 EUR
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MUN5130DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 5591 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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73+ 0.71 EUR
138+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN5130DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MUN5130T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5130T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5131DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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Mindestbestellmenge: 59
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5131DW1T1GONSEMIMUN5131DW1T1G PNP SMD transistors
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Mindestbestellmenge: 780
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
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MUN5131T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5131T1
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 25803 Stücke:
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MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5131T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5132DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
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MUN5132DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
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MUN5132DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5132RT1
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MUN5132T1
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MUN5132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5132T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5132T1G
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MUN5132T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5133onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
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MUN5133DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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2885+0.26 EUR
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MUN5133DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5133DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
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MUN5133DW1T1
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MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5133DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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Mindestbestellmenge: 55
MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 60302 Stücke:
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35+0.75 EUR
50+ 0.52 EUR
103+ 0.25 EUR
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1000+ 0.15 EUR
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MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; SOT363; R2: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 350 Stücke:
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350+0.2 EUR
500+ 0.14 EUR
960+ 0.074 EUR
3000+ 0.04 EUR
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MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 54000 Stücke:
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3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
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30000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; SOT363; R2: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 350 Stücke:
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350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 350
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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875+ 0.15 EUR
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1637+ 0.075 EUR
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MUN5133RT1
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MUN5133T1
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MUN5133T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
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MUN5133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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60+ 0.44 EUR
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500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
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MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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9000+ 0.032 EUR
24000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.09 EUR
6000+ 0.081 EUR
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MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 40433 Stücke:
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684+0.23 EUR
739+ 0.2 EUR
800+ 0.18 EUR
1734+ 0.08 EUR
1749+ 0.077 EUR
1767+ 0.073 EUR
2208+ 0.056 EUR
3000+ 0.051 EUR
6000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 684
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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MUN5133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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112+0.47 EUR
121+ 0.43 EUR
230+ 0.23 EUR
500+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
MUN5134DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5134DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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MUN5134DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 51000 Stücke:
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MUN5134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5134T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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MUN5135DW1T1
auf Bestellung 50 Stücke:
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MUN5135DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.099 EUR
30000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5135DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 43229 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
75+0.7 EUR
91+ 0.57 EUR
171+ 0.3 EUR
500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 75
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.38 EUR
516+ 0.29 EUR
521+ 0.28 EUR
1048+ 0.13 EUR
1076+ 0.12 EUR
1357+ 0.095 EUR
1740+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 415
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 45184 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
50+ 0.53 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хТранзистора
Produktcode: 153435		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-363
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,1 A
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MUN5135T1
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5135T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 33043 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN5135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
117+0.44 EUR
131+ 0.4 EUR
236+ 0.22 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.083 EUR
3000+ 0.068 EUR
9000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 117
MUN5135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
58+0.9 EUR
72+ 0.73 EUR
135+ 0.39 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 58
MUN5136DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5136T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136T1ONSOT-323 01+
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5136T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC70 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 29749 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
125+0.42 EUR
135+ 0.39 EUR
247+ 0.21 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.094 EUR
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Mindestbestellmenge: 125
MUN5137DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5137DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5137DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5137DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
130+ 0.4 EUR
205+ 0.25 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.086 EUR
24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 90
MUN5137DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5137T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5137T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW
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MUN5138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN5138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5140RT1
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MUN5140T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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MUN5140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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MUN5141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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MUN5141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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MUN5211MOTOROLA
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MUN5211onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5211-(TX)
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MUN5211DW1onsemionsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V
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MUN5211DW1T
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MUN5211DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5211DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
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MUN5211DW1T1
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MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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1786+0.087 EUR
1815+ 0.083 EUR
2273+ 0.064 EUR
3068+ 0.045 EUR
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MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
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939+ 0.15 EUR
1539+ 0.091 EUR
1786+ 0.075 EUR
1815+ 0.071 EUR
2273+ 0.054 EUR
3068+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 696
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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MUN5211DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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137+ 0.38 EUR
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1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.091 EUR
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Mindestbestellmenge: 98
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.092 EUR
6000+ 0.085 EUR
9000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 71234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3096+0.05 EUR
9000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3096
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
48+0.55 EUR
70+ 0.37 EUR
143+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 71234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3096+0.05 EUR
9000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3096
MUN5211T1
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 310 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3611+0.043 EUR
9000+ 0.032 EUR
24000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3611
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 73820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
63+0.42 EUR
89+ 0.29 EUR
164+ 0.16 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5211T1GON-SemicoductorNPN 100mA 50V 202mW MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
MUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 21864 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
143+0.36 EUR
200+ 0.26 EUR
318+ 0.16 EUR
1000+ 0.073 EUR
2500+ 0.062 EUR
10000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 143
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.072 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.058 EUR
30000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4445+0.035 EUR
6290+ 0.024 EUR
9000+ 0.023 EUR
24000+ 0.022 EUR
30000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 4445
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1650+0.043 EUR
1825+ 0.039 EUR
2075+ 0.034 EUR
2300+ 0.031 EUR
2425+ 0.03 EUR
3000+ 0.029 EUR
12000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1650+0.043 EUR
1825+ 0.039 EUR
2075+ 0.034 EUR
2300+ 0.031 EUR
2425+ 0.03 EUR
3000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211T1G
Produktcode: 113765		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211T1G/DTC114EUPANASONIC09+ SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212DW1T1ON09+
auf Bestellung 27018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5212DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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3000+0.053 EUR
9000+ 0.042 EUR
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MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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458+0.34 EUR
677+ 0.22 EUR
1648+ 0.088 EUR
2370+ 0.059 EUR
3087+ 0.043 EUR
9000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 458
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 496 Stücke:
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MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON-Semicoductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 400
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 7780 Stücke:
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MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
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3000+0.064 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.045 EUR
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MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
50+ 0.52 EUR
103+ 0.25 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
auf Bestellung 117819 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
131+ 0.4 EUR
313+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 90
MUN5212PW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 110724 Stücke:
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MUN5212T1ONSOT323
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MUN5212T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5212T1GON Semiconductor
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 60186 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN5212T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
auf Bestellung 18003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
9000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5212T2
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5213MOTSOT-323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213-T1
auf Bestellung 2091000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213/8CON09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
auf Bestellung 233800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T1ON07+;
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 233800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1150+0.063 EUR
1275+ 0.056 EUR
1525+ 0.047 EUR
1625+ 0.044 EUR
12000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1150+0.063 EUR
1275+ 0.056 EUR
1525+ 0.047 EUR
1625+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.099 EUR
30000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5213DW1T1G
Produktcode: 174648		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 41095 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
50+ 0.53 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213DW1T3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 9164 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
82+0.63 EUR
102+ 0.51 EUR
191+ 0.27 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
2500+ 0.099 EUR
10000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 82
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
50+ 0.53 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
2000+ 0.11 EUR
5000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MUN5213DW1T3GON Semiconductor
auf Bestellung 19545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
MUN5213RT1
auf Bestellung 1266000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213T1/CK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 30713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1158+0.13 EUR
1891+ 0.08 EUR
2802+ 0.052 EUR
3534+ 0.039 EUR
6000+ 0.036 EUR
15000+ 0.032 EUR
30000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
MUN5213T1G
Produktcode: 177311		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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63+0.42 EUR
89+ 0.29 EUR
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MUN5213T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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107+0.49 EUR
120+ 0.43 EUR
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3000+ 0.075 EUR
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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539+0.29 EUR
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617+ 0.24 EUR
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1891+ 0.068 EUR
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MUN5213T1GON-SemicoductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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30000+0.028 EUR
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Mindestbestellmenge: 30000
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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3000+0.072 EUR
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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358+0.2 EUR
527+ 0.14 EUR
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2646+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 358
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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358+0.2 EUR
527+ 0.14 EUR
754+ 0.095 EUR
1053+ 0.068 EUR
1793+ 0.04 EUR
2146+ 0.033 EUR
2500+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 358
MUN5213T2
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MUN5213TI
auf Bestellung 5000 Stücke:
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MUN5213\8CONSOT-323
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MUN5214onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5214
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MUN5214DW1T1
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MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
MUN5214DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1195+0.06 EUR
1325+ 0.054 EUR
1820+ 0.039 EUR
1925+ 0.037 EUR
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MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5214DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1195+0.06 EUR
1325+ 0.054 EUR
1820+ 0.039 EUR
1925+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1195
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
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6000+ 0.058 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 14262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
48+0.55 EUR
68+ 0.38 EUR
139+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 420000 Stücke:
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3000+0.061 EUR
6000+ 0.05 EUR
15000+ 0.046 EUR
30000+ 0.039 EUR
75000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5214DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 84026 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
94+0.56 EUR
137+ 0.38 EUR
328+ 0.16 EUR
1000+ 0.096 EUR
3000+ 0.075 EUR
9000+ 0.065 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 94
MUN5214DW1T1G
Produktcode: 56814		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.094 EUR
6000+ 0.087 EUR
9000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5214T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5214T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5214T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5214T1/8D
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 33000
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
651+0.24 EUR
944+ 0.16 EUR
1027+ 0.14 EUR
1924+ 0.073 EUR
2050+ 0.065 EUR
2054+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 651
MUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.072 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.058 EUR
30000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2050+0.076 EUR
2054+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2050
MUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5214T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
127+0.41 EUR
203+ 0.26 EUR
417+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.068 EUR
9000+ 0.055 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 30625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
63+0.42 EUR
89+ 0.29 EUR
164+ 0.16 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5215D
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5215DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 72520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5215DW1T1ON07+;
auf Bestellung 13520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW1T1MOT
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW1T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
auf Bestellung 72520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW1T1(7E)
auf Bestellung 6680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW1T1/7EY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.058 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.058 EUR
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MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 26480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
802+0.19 EUR
1231+ 0.12 EUR
1829+ 0.079 EUR
3000+ 0.065 EUR
6000+ 0.049 EUR
15000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 802
MUN5215DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 25902 Stücke:
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67+0.78 EUR
82+ 0.64 EUR
151+ 0.35 EUR
500+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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18000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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344+0.45 EUR
425+ 0.35 EUR
430+ 0.34 EUR
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1231+ 0.1 EUR
1829+ 0.067 EUR
3000+ 0.057 EUR
6000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 344
MUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 8150 Stücke:
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35+0.75 EUR
50+ 0.52 EUR
103+ 0.25 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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4033+0.039 EUR
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MUN5215DW1T1G
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MUN5215DWITIMOTO
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MUN5215DWT1
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MUN5215T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5215T1LRCSOT-323 03+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5215T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.202W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 1 Stücke:
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127+0.41 EUR
179+ 0.29 EUR
417+ 0.12 EUR
1000+ 0.073 EUR
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9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5215T1GON07+;
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MUN5215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
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MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5215T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.202W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MUN5216
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MUN5216onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5216/8FON09+
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MUN5216DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216DW1T1
auf Bestellung 96000 Stücke:
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MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5216DW1T1GON07+;
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MUN5216DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
auf Bestellung 81000 Stücke:
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89+0.58 EUR
110+ 0.48 EUR
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500+ 0.17 EUR
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9000+ 0.075 EUR
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MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 4631 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
50+ 0.53 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216DW1T1GON Semiconductor
auf Bestellung 712 Stücke:
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MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5216T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216T1PANASONIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5216T1 - MUN5216T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5216T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
MUN5216T1G
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
15000+ 0.085 EUR
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75000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 379320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11402+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 11402
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
49+ 0.54 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MUN5216T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 5517 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
86+0.61 EUR
105+ 0.5 EUR
195+ 0.27 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 86
MUN5216\8FONSOT-323
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5217DW1T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5230DW1T1
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5230DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 29743 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
53+ 0.5 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5230DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5230DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q100, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5230DW1T1G
auf Bestellung 9319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5230DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
auf Bestellung 8606 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
69+0.75 EUR
84+ 0.62 EUR
158+ 0.33 EUR
500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 69
MUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.092 EUR
15000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5230T1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5230T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 18612 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
116+ 0.45 EUR
282+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.094 EUR
9000+ 0.075 EUR
24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 80
MUN5230T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
auf Bestellung 5504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
50+ 0.53 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MUN5230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5230T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5231/8HON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5231DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5231DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 41900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
50+ 0.53 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5231DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 70075 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
129+ 0.41 EUR
313+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.075 EUR
24000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 90
MUN5231DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5231T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
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MUN5231T1
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MUN5231T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
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MUN5231T1(8H*)
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