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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
SH8-0556
auf Bestellung 150 Stücke:
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SH8-0617
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8-1106
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8.0-F.S.R з'єднувач (Amass)
Produktcode: 195491		AMASSSteckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Вилка
Anzahl Kontakte: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 18.05.2024
SH8.0-F.S.B з'єднувач (Amass)
Produktcode: 195492		AMASSSteckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Розетка
Anzahl Kontakte: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 18.05.2024
SH8.0-F.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.B AMASS Z SH8.0-F-B
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8.0-F.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.R AMASS Z SH8.0-F-R
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8.0-M.S.R з'єднувач (Amass)
Produktcode: 195489		AMASSSteckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "папа", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Розетка
Anzahl Kontakte: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 18.05.2024
SH8.0-M.S.B з'єднувач (Amass)
Produktcode: 195490		AMASSSteckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Розетка
Anzahl Kontakte: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
auf Bestellung 43 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 18.05.2024
SH8.0-M.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.B AMASS Z SH8.0-M-B
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8.0-M.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.R AMASS Z SH8.0-M-R
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+12.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH800
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH801-22.5NINGBO SANHE ENCLOSURE & MOLD CO., LTD.90х23х111mm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH803B
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH81I
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8270P-HA002
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH82I
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8518F600BHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.62 EUR
10+ 23.08 EUR
25+ 21.54 EUR
50+ 18.98 EUR
100+ 16.41 EUR
250+ 14.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SH8518F600BHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 600A M3
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.66 EUR
10+ 19.53 EUR
25+ 17.32 EUR
50+ 16.22 EUR
100+ 15.13 EUR
250+ 14.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SH8518F600BHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BHEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Widerstandstechnologie: Manganin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C, ± 100ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8518F600BPEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00001OHM 1% 36W 100PPM
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.52 EUR
10+ 24.86 EUR
25+ 23.22 EUR
50+ 20.46 EUR
100+ 19.53 EUR
250+ 18.82 EUR
500+ 14.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SH8518F600BPEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BPEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Widerstandstechnologie: Manganin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C, ± 100ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8518F600BPEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
Produkt ist nicht verfügbar
SH8518F800AHEPOhmiteSH8518F800AHEP
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.65 EUR
50+ 3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 43
SH8518F800AHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.05 EUR
10+ 21.43 EUR
25+ 21.03 EUR
50+ 18.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SH8518F800AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 800A M3
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.66 EUR
10+ 19.53 EUR
25+ 17.32 EUR
50+ 16.22 EUR
100+ 15.03 EUR
250+ 14.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SH8518F800AHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800AHEP - 8518 SHUNT 800A M3
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8518F800APEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 50 µOhms
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.75 EUR
10+ 22.07 EUR
25+ 21.66 EUR
50+ 19.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SH8518F800APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 36W 100PPM
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.66 EUR
10+ 19.53 EUR
25+ 17.32 EUR
50+ 16.22 EUR
100+ 15.03 EUR
250+ 14.69 EUR
500+ 14.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SH8518F800APEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800APEP - 8518 SHUNT 800A PIN
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8518F800APEPOhmiteSH8518F800APEP
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.65 EUR
50+ 3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 43
SH8536F1K0AHEPOhmiteSH8536F1K0AHEP
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.73 EUR
25+ 8.06 EUR
50+ 7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 18
SH8536F1K0AHEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+39.39 EUR
10+ 35.45 EUR
25+ 31.51 EUR
50+ 29.54 EUR
SH8536F1K0AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8536 SHUNT 1000A M3
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+38.61 EUR
10+ 34.76 EUR
25+ 30.89 EUR
50+ 28.94 EUR
1000+ 28.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SH8536F1K0APEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+43.34 EUR
10+ 39.02 EUR
25+ 34.69 EUR
50+ 32.52 EUR
100+ 30.35 EUR
SH8536F1K0APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 50W 50PPM
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+42.51 EUR
10+ 38.27 EUR
25+ 34.01 EUR
50+ 31.88 EUR
100+ 29.77 EUR
250+ 28.26 EUR
500+ 28.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SH86117P-HC088
auf Bestellung 10546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86170P064
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86170PQ64
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
sh86270p
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86273P/064PR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86275P/064PR
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86276P/064PR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86278P/064PR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86280NP/064PR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH86311AP/064PR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
sh86312p/064pr
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH875-14-Black TexturedLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
Produkt ist nicht verfügbar
SH875-14-Blue/WhiteLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
Produkt ist nicht verfügbar
SH875-14-Semi-gloss BlackPAIRLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Sides (Pair) D W H x 13.875 x 8.5625
Produkt ist nicht verfügbar
SH875048N/A00+
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH875048W-5V36
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH875048W-5W62
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH875064W-5W61
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH88810-81
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH89BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89BK - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), schwarz, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33
Rollenlänge - metrisch: 33
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Schwarz
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97
Bandbreite - Metrisch: 50
Länge des Bands - Imperial: 108.3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3
Bandtyp: Isolierband
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH89P20
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH89RDMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89RD - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), rot, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Rot
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8G41
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8J31ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J31GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -18A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J31GZETBROHM SemiconductorMOSFET 60V Pch+Pch Si MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 185-199 Tag (e)
13+4.29 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.54 EUR
1000+ 2.11 EUR
2500+ 1.96 EUR
5000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.7 EUR
100+ 1.57 EUR
250+ 1.45 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.25 EUR
2500+ 1.16 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 92
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 7477 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.29 EUR
10+ 3.84 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 3566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.7 EUR
100+ 1.57 EUR
250+ 1.45 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.25 EUR
2500+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 92
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8J31GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -18A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J31TB1ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J62
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8J62ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J62TBROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.21 EUR
250+ 1.12 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 130
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.38 EUR
5000+ 1.31 EUR
12500+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.21 EUR
250+ 1.12 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.96 EUR
2500+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 130
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.21 EUR
250+ 1.12 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.96 EUR
2500+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 130
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 13937 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.25 EUR
10+ 2.9 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8J62TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
auf Bestellung 4528 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.17 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.03 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.4 EUR
2500+ 1.32 EUR
5000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 8140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.72 EUR
231+ 0.65 EUR
237+ 0.61 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.54 EUR
2500+ 0.49 EUR
5000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 218
SH8J65
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.55 EUR
106+ 1.42 EUR
250+ 1.32 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 102
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8J65TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8J65TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
13+4.32 EUR
15+ 3.59 EUR
100+ 2.86 EUR
250+ 2.63 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 2.05 EUR
2500+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.55 EUR
106+ 1.42 EUR
250+ 1.32 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.13 EUR
2500+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 102
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.39 EUR
121+ 1.25 EUR
128+ 1.13 EUR
200+ 1.03 EUR
500+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 113
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.26 EUR
10+ 3.53 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8J66
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 7233 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.4 EUR
10+ 5.73 EUR
100+ 4.61 EUR
500+ 3.79 EUR
1000+ 3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.83 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.56 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 86
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.8 EUR
100+ 2.49 EUR
250+ 2.19 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 73
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8J66TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -9A MOSFET
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.98 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.54 EUR
1000+ 2.94 EUR
2500+ 2.7 EUR
5000+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: -40V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 8094 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.85 EUR
10+ 4.86 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 3.27 EUR
1000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SH8JB5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8JB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8.5A; Idm: -34A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -34A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 18.7mΩ
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8JB5TB1ROHM SemiconductorMOSFET -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 16494 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.43 EUR
13+ 4.29 EUR
100+ 3.61 EUR
250+ 3.59 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.59 EUR
2500+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: -40V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.64 EUR
5000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8JB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8.5A; Idm: -34A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -34A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 18.7mΩ
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8JC5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -7.5A; Idm: -30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -30A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 35mΩ
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8JC5TB1ROHM SemiconductorMOSFET -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 11510 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.43 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.61 EUR
250+ 3.54 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.59 EUR
2500+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: -60V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 6843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.85 EUR
10+ 4.86 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 3.27 EUR
1000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SH8JC5TB1ROHM - JapanTranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7.5
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: -60V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.64 EUR
5000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8JC5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -7.5A; Idm: -30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -30A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 35mΩ
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7.5
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.03 EUR
10+ 5.02 EUR
100+ 3.99 EUR
500+ 3.38 EUR
1000+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SH8K10SGZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V NCH / NCH+SBD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SH8K11GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 140mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K11GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 140mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K12TB1ROHM SemiconductorMOSFET TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K12TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K13TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K14TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K15TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K1TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K1TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K22
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K22TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K25GZ0TBROHM SEMICONDUCTORSH8K25GZ0TB Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K25GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFET LOW POWER MOSFET
auf Bestellung 7243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
21+ 2.55 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.35 EUR
2500+ 1.14 EUR
10000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.2 A, 0.06 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 5.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 17463 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.15 EUR
10+ 2.82 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K26GZ0TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K26GZ0TBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Middle Power MOSFET SH8K26 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.18 EUR
27+ 1.93 EUR
100+ 1.48 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.94 EUR
2500+ 0.84 EUR
10000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K26GZ0TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8K26GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFET LOW POWER MOSFET
auf Bestellung 14967 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.09 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.47 EUR
2500+ 1.25 EUR
10000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 4986 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 3.08 EUR
100+ 2.4 EUR
500+ 1.98 EUR
1000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
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SH8K2TB1
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SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K3ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.6 EUR
103+ 1.47 EUR
250+ 1.36 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 98
SH8K32GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Complex type MOSFETs(N+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet var
auf Bestellung 17470 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.23 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.73 EUR
2500+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SH8K32GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 17490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.72 EUR
10+ 3.09 EUR
100+ 2.46 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.61 EUR
114+ 1.33 EUR
133+ 1.09 EUR
200+ 1 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.81 EUR
2000+ 0.73 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 97
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.6 EUR
103+ 1.47 EUR
250+ 1.36 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.17 EUR
2500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 98
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.68 EUR
5000+ 1.61 EUR
12500+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.99 EUR
100+ 1.83 EUR
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500+ 1.57 EUR
1000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 79
SH8K32TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8K32TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 10565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.03 EUR
10+ 3.62 EUR
100+ 2.91 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8K32TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
auf Bestellung 39843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.59 EUR
250+ 2.41 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.87 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8K32TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.99 EUR
100+ 1.83 EUR
250+ 1.69 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.46 EUR
2500+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 79
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.84 EUR
5000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K37GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K37GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K37GZETB is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching and motor drive.Buy Sample FAQ Contact Us Data Sheet PackageDimensions
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.47 EUR
250+ 2.28 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.77 EUR
2500+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8K37GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.75 EUR
100+ 1.61 EUR
250+ 1.49 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.28 EUR
2500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 90
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.82 EUR
10+ 3.17 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8K37GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.2 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.87 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.61 EUR
2500+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 71
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K39GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 5.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 5.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.2 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.87 EUR
500+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 71
SH8K39GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 5.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 5.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K39GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K39 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching and motor drive.
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.02 EUR
13+ 4.19 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.12 EUR
10+ 4.25 EUR
100+ 3.39 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8K3TBROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K3TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.76 EUR
12+ 2.25 EUR
100+ 1.75 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.4A; Idm: 13.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 26640 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
26+ 2 EUR
100+ 1.56 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.02 EUR
5000+ 0.93 EUR
10000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.34 EUR
13+ 2.09 EUR
100+ 1.63 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SH8K41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.4A; Idm: 13.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K41TBROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K41TBROHMDescription: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K4TB1
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.1 EUR
10+ 4.58 EUR
100+ 3.68 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8K4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K5
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.3 EUR
26+ 2.07 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K52GZETBROHM SemiconductorMOSFET 100V Nch+Nch Power MOSFET. SH8K52 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 1.87 EUR
500+ 1.58 EUR
1000+ 1.29 EUR
2500+ 1.21 EUR
5000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 18
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.19 EUR
5000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8K52GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 9895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.89 EUR
12+ 2.36 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8K52GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8K5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8KA1GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8KA1 is a power transistor with low on-resistance, suitable for switching and motor drive.
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.88 EUR
32+ 1.64 EUR
100+ 1.14 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.81 EUR
2500+ 0.7 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 28
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 7420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.85 EUR
17+ 1.61 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SH8KA2ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA2GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+0.92 EUR
250+ 0.85 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 170
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8KA2GZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.3 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.47 EUR
2500+ 1.38 EUR
5000+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA2GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.41 EUR
10+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA2TB1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 7592 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
18+ 2.91 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.93 EUR
1000+ 1.55 EUR
2500+ 1.46 EUR
5000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.46 EUR
10+ 3.09 EUR
25+ 2.93 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.25 EUR
500+ 1.99 EUR
1000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 8
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.02 EUR
250+ 0.94 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 154
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 41573 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8KA4TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.57 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.8 EUR
500+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
SH8KA4TBROHM SEMICONDUCTORSH8KA4TB Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+ 0.85 EUR
12500+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8KA4TB1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 4434 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
20+ 2.63 EUR
100+ 2.03 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.32 EUR
2500+ 1.23 EUR
5000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
10+ 2.76 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SH8KA7ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA7GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8KA7GZETB Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KA7GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8KA7 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching and mortor drive application.
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.2 EUR
12+ 4.65 EUR
100+ 3.74 EUR
500+ 3.07 EUR
1000+ 2.55 EUR
2500+ 2.37 EUR
5000+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.83 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.56 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 88
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.89 EUR
500+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 176
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
15+ 1.86 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
auf Bestellung 7541 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.22 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.55 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.01 EUR
2500+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
SH8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.96 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.55 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.13 EUR
15+ 3.69 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 1.87 EUR
25000+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.94 EUR
5000+ 0.89 EUR
12500+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 34955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
28+ 1.87 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
2500+ 0.94 EUR
5000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 19963 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
15+ 1.85 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
108+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V N&N-CHANNEL
auf Bestellung 7544 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.16 EUR
14+ 3.72 EUR
100+ 2.91 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 1.89 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.45 EUR
10+ 3.98 EUR
100+ 3.11 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.47 EUR
10+ 4.02 EUR
100+ 3.23 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8,
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
15+ 3.69 EUR
100+ 2.96 EUR
500+ 2.6 EUR
2500+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SH8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFET SH8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching and motor drive. This product includes two 100V Nch MOSFETs in a small surface mount package (SOP8).
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.86 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.44 EUR
2500+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SH8M11TB1ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M11TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M12TB1ROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 4V
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M12TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M13GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
auf Bestellung 12070 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.51 EUR
25+ 2.08 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.12 EUR
2500+ 1.01 EUR
5000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 21
SH8M14TB1ROHM SemiconductorMOSFET 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.77 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.67 EUR
2500+ 1.55 EUR
5000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8M14TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 9108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.04 EUR
11+ 2.49 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.26 EUR
5000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8M24GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet var
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.04 EUR
23+ 2.35 EUR
100+ 1.92 EUR
500+ 1.65 EUR
1000+ 1.35 EUR
2500+ 1.27 EUR
5000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6563 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.18 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.1 EUR
1000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8M24TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
16+ 3.3 EUR
100+ 2.59 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.75 EUR
2500+ 1.64 EUR
5000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8M24TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 45/-45V; 6/-6A; Idm: 14÷18A; 3.1W
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8/13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14...18A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 45/-45V
Drain current: 6/-6A
On-state resistance: 64/92mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.61 EUR
5000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8M24TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 45/-45V; 6/-6A; Idm: 14÷18A; 3.1W
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8/13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14...18A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 45/-45V
Drain current: 6/-6A
On-state resistance: 64/92mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.39 EUR
13+ 2.11 EUR
100+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SH8M3
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M31GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8M31 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.52 EUR
14+ 3.74 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.89 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.14 EUR
2500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.73 EUR
11+ 2.44 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SH8M4
auf Bestellung 6082 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M41
auf Bestellung 6067 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8M41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 2.8 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8
SH8M41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch
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SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6177 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.72 EUR
10+ 3.05 EUR
100+ 2.37 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8M41TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
auf Bestellung 19291 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.77 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2.04 EUR
1000+ 1.66 EUR
2500+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
94+ 0.76 EUR
106+ 0.67 EUR
117+ 0.61 EUR
123+ 0.58 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 66
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
94+ 0.76 EUR
106+ 0.67 EUR
117+ 0.61 EUR
123+ 0.58 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 66
SH8M4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET
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SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
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SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M5
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SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SH8M51GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 3/-2.5A
Pulsed drain current: 10...12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190/340mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5/12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.73 EUR
2500+ 1.63 EUR
5000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8M51GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 3/-2.5A
Pulsed drain current: 10...12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190/340mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5/12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SH8M5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET
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SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
auf Bestellung 173 Stücke:
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6+4.65 EUR
10+ 4.18 EUR
100+ 3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
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SH8M70
auf Bestellung 6069 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
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SH8MA2GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8MA2GZETB Multi channel transistors
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SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.64 EUR
19+ 1.44 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
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SH8MA2GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8MA2 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for Switching.
auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.91 EUR
32+ 1.67 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.81 EUR
2500+ 0.73 EUR
10000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
SH8MA3TB1ROHM SemiconductorMOSFET SH8MA3TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
auf Bestellung 7358 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.03 EUR
2500+ 0.97 EUR
5000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
SH8MA3TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8MA3TB1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SH8MA4TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5/41.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8MA4TB1ROHM SemiconductorMOSFET SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
auf Bestellung 4534 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
23+ 2.31 EUR
100+ 1.8 EUR
500+ 1.53 EUR
1000+ 1.24 EUR
2500+ 1.14 EUR
5000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 19
SH8MA4TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5/41.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.99 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 2.08 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.26 EUR
5000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SH8MB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5A; Idm: 34A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 19264 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.49 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.82 EUR
2500+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.43 EUR
100+ 2.73 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SH8MB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5A; Idm: 34A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8MC4TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
22+2.42 EUR
26+ 2 EUR
100+ 1.56 EUR
500+ 1.32 EUR
1000+ 1.08 EUR
2500+ 1.01 EUR
5000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
SH8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SH8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 6.5A-7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 18158 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.13 EUR
16+ 3.46 EUR
100+ 2.76 EUR
250+ 2.63 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.97 EUR
2500+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.68 EUR
10+ 4.2 EUR
100+ 3.38 EUR
500+ 2.77 EUR
1000+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SH8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.52 EUR
14+ 3.77 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.78 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.27 EUR
2500+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SH8R0
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)