Produkte > SI1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| SI100 | Applied Motion | Motor Drives STEPPER MOTOR INDEXER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI100 1LB | 3M | Description: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI100 20G BTL | 3M | Description: SURFACT INSENSITIVE INSTANT ADHE | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI100 3G TUBE | 3M | Description: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Labs | SI1000-C-GM SI1000 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, QFN42 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-C-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-C-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-CSA2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-CSA2-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-CSA2-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 6897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1000-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GMR | Silicon Laboratories | SI1000-E-GMR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-E-GMR | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-ESA2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000-ESA2-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI100003 | Bantam Tools | Description: The Bantam Tools Desktop CNC Mil Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000CSA | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1000DK | Silicon Laboratories | Si1000/Si1010 Microcontroller Development Kit 20MHz/24.5MHz CPU Win 2000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000DK | Silicon Labs | Description: DEVELOPMENT KIT SI101X Packaging: Box For Use With/Related Products: Si100x Frequency: 240MHz ~ 960MHz Type: Transceiver Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply Utilized IC / Part: Si100x Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000DK | Silicon Labs | DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000K3 | Belden Inc. | Description: SPLICE AUTO SEIZE Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1000PX0713GMR | Silicon Labs | SI1000PX0713GMR SI1000PX0713 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001 | 3M Electronic Specialty | Wire Identification KE727004662 CLEAR PVC SLEEVE FOR CABLE TIE REF SI1001 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-C-GM | Silicon Labs | SI1001-C-GM SI1001 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-C-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM | Silicon Labs | LGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM Produktcode: 147490
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| SI1001-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1001-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1001-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-C-GM | Silicon Labs | SI1002-C-GM SI1002 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-C-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1002 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-CSB2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1002-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1002-E-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1002-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1002-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-E-GMR | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-ESB2-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002-ESB2-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 3-Pin SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 30-V (D-S) | auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75A Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Silicon Labs | SI1003-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1003 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-C-GMR | Silicon Labs | 42-QFN-5X7-LF 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QF SI1003XXX Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM | Silicon Labs | LGA-5X7 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1003-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 22 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GMR | Silicon Labs | LGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1003 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GMR | Silicon Laboratories | SI1003-E-GMR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1003-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-C-GM | Silicon Labs | SI1004-C-GM/Ultra-Low Power 64 kB, 10-bit ADC SI1004 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1004-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI10040QC | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1005-C-GM | Silicon Labs | SI1005-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1005 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-C-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-E-GM | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1005-E-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 19 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1005-E-GMR | Silicon Laboratories Inc | Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1007 | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1007F | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1007G | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI100E445JC | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI100MOH-B | NEC | auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-A-GM | Silicon Labs | SI1010-A-GM SI1010 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI10102R-T1 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Labs | DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Laboratories | Si1010-A Microcontroller Development Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1010DK | Silicon Labs | Description: DEVELOPMENT KIT SI101X Packaging: Box For Use With/Related Products: Si101x Frequency: 915MHz Type: Transceiver Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-A-GM | Silicon Labs | QFN 42/Ultra-Low Power 8 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz Tra SI1011 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1011QFN Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -12V -.48A .19W | auf Bestellung 5644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-A-GM | Silicon Labs | 42-QFN-5X7-LF 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 SI1012 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1012 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA Packaging: Tray Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1012 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-LGA (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 83493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | auf Bestellung 69090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A | auf Bestellung 160955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 84333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R | VISHAY | 09+ SOP | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-S6-GE3 | auf Bestellung 77422 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | 0607+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | SOT423 | auf Bestellung 2494 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1012R-T1 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 1279 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | VISHAY | 06+NOP | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | auf Bestellung 55767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 133689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 16988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012R-T1-GE3 Transistor Produktcode: 57781
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| SI1012X | VISHAY | auf Bestellung 8150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1012X-T1 | VISHAY | SC89-3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1 | VISHAY | 2006 SOT23-3 | auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | VISHAY | SI1012X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 6469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1012X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Labs | SI1013-A-GM SI1013 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1013 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1013 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1013CX-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Case: SC89 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -1.5A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | auf Bestellung 28365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3 | auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Case: SC89 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -1.5A Mounting: SMD | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013DWF | Vishay / Siliconix | MOSFETs SI1013X IN WAFER FORM (UNPROBED) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R | VISHAY | auf Bestellung 9770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013R-T1 | VISHAY | auf Bestellung 7210 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013R-T1 | VISHAY | SOT-3 | auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | VISHAY | 06+ SOT-523 | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | VISHAY | SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 79680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | auf Bestellung 84690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013R/X | 05+ | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013R/X | 05+ | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013X | VISHAY | SOT23 06+ | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X | VISHAY | auf Bestellung 6300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013X-T1 | VISHAY | SOT416-B | auf Bestellung 204000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1 | SI | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013X-T1 SOT416-B | VISHAY | auf Bestellung 273200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1-E3 SOT416-BL PB-FREE | VISHAY | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 13296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | auf Bestellung 7982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013X-T1-GE3 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1013X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013X-T1-GE3 | VISHAY | SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-A-GM | Silicon Labs | QFN 42/I°/Ultra-Low Power 16 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz SI1014 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN Packaging: Tube Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 42-QFN (5x7) GPIO: 15 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-A-GMR | Silicon Labs | QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1014 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.2V Automotive 42-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Silicon Labs | Description: 16KB 768B RAM XCVR DC-DC 42LGA | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB FLASH EZ PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 80C51 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-A-GM | Silicon Labs | SI1015-A-GM SI1015 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Silicon Labs | LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1015 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1015-C-GM2R | Silicon Labs | Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016 | LATTICE | QFP | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 34079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 34079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.49/-0.49A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.14W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 33882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR | auf Bestellung 83822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.49/-0.49A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.14W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396/756mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2/2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1016X | VISHAY | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1016X-T1 | VISHAY | 0348+ | auf Bestellung 1523 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1 | VISHAY | auf Bestellung 57200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 5808 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3-AAA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-ES | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 2349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1016X-T1-GE3 | VISHAY | SI1016X-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 12628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1016X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V | auf Bestellung 1547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1020-915-A-DK | Silicon Labs | Description: KIT DEV WIRELESS SI1020 915MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-915-A-DK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-915-A-SDK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-915-A-SDK | Silicon Labs | Description: KIT SOFTWARE DEV SI1020 915MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-A-GM | Silicon Labs | SI1020-A-GM SI1020 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1020 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM2R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1020G | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1021-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R | VISHAY | auf Bestellung 13200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1021R-T1 | VISHAY | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 279018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | VISHAY | SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A | auf Bestellung 6266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1021R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1021R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V | auf Bestellung 20539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1022-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GMR | Silicon Laboratories | Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022DWF | Vishay / Dale | Vishay SI1022R IN WAFER FORM (UNPROBE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1022R-T1 | VISHAY | SOT416-E | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1 | VISHAY | SOT23 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1 SOT416-E | VISHAY | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 102018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A | auf Bestellung 99168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | auf Bestellung 22425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3849000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 2985000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1022R-T1SOT41 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1022R-TI-E3 | auf Bestellung 1658 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1023-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1023LGA Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1023CX-T1-E3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 99605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 59655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1023R-T1 | auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1023X | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1023X-T1 | VISHAY | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1023X-T1 | VISHAY | SOT-666 0406+ | auf Bestellung 16372 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1 SOT563-B | VISHAY | auf Bestellung 24200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | VISHAY | SI1023X-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V | auf Bestellung 7189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1023X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1024-868-A-DK | Silicon Laboratories | KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Labs | Description: KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-DK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Labs | Description: KIT SOFTWARE DEV SI1024 868MHZ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Labs | Development Boards & Kits - Wireless | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-868-A-SDK | Silicon Laboratories | Wireless MCU Development Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1024 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X | VISHAY | auf Bestellung 21200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | VISHAY | 04+ | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | VISHAY | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | VISHAY | SOT-666 | auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1 | N/A | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 6508 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | VISHAY | 30000 | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 53149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V | auf Bestellung 256013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1024X-T1-GE3 | VISHAY | SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1024X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-A-GM | Silicon Labs | LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1025 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X | auf Bestellung 1408 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1 | auf Bestellung 4369 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | VISHAY | sot363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | VISHAY | SOT-666 0629+ | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 648018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 31592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1025X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 16383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 16543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1025X-T1-GE3 | VISHAY | SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1025X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1026-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026DX-T1 | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1026X | VISHAY | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1026X-E3 | VISHAY | SOT-363 08+ | auf Bestellung 13991 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1 | VISHAY | 0635+ | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1 | VISHAY | SOT23-6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1(EVA) | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | VISHAY | SOT663 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 12788 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 292259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 305 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 40443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 291000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1026X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 305 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1027 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-B-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1027-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1027-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1027-B-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1028X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1028X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 2756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X | VISHAY | 01+ | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X | VISHAY | 07+ SOT-563 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1 | VISHAY | SOT153-HMA | auf Bestellung 23180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1 SOT153-HMA | VISHAY | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1029X-T1 SOT463-H | VISHAY | auf Bestellung 27200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR | auf Bestellung 65440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 14480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1029X-T1SOT153-HMA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1029X-T1SOT463-H | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1030-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1030 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1030G | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1031-A-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| si1031a-t1-e3 | VIS | sot416 04+ | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 108818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R | VISHAY | auf Bestellung 36200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1031R-T1 | VISHAY | SOT-323 | auf Bestellung 10314 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 42018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 72018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 11992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | VISHAY | SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V | auf Bestellung 4956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 20366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1031R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 11992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 19800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1031X | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1031X-T1 | VISHAY | SOT416-H | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031X-T1 SOT416-H | VISHAY | auf Bestellung 240200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1031X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 765018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1031X-T1SOT416-H | VISHAY | auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032-80LT | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1032-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032E-70CT | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1032R | VISHAY | auf Bestellung 10080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | SOT416 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | auf Bestellung 7080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | SOT-423 | auf Bestellung 7330 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | SI | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032R-T1 | VISHAY | 05+ | auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 69018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 26800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 2858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V | auf Bestellung 130528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 21689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2858 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X | VISHAY | auf Bestellung 58100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032X-T1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 18018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 84200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-E3 | VISHAY | SOT-523 06+ | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | VISHAY | SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V | auf Bestellung 78948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1033-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1 | VISHAY | auf Bestellung 6600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 54018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | VISHAY | 06+ | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 9018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1033X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Silicon Labs | QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Silicon Labs | LGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3 | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3R | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 37055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1034CX-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 22307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1034CX-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 2738 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | VISHAY | 06+ SOP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | VISHAY | SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V | auf Bestellung 100505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 5211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1034X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1035-A-GM | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-A-GM | Silicon Labs | LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035 Anzahl je Verpackung: 43 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-A-GMR | Silicon Labs | QFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035DL-T1-E3 | auf Bestellung 1722 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1035X-T1 | VISHAY | SOT-666 0347+ | auf Bestellung 12321 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V | auf Bestellung 6661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1035X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.145A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 5365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1036-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA Packaging: Tray Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 13dBm (Max) Protocol: EZRadioPro Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 85-LGA (6x8) GPIO: 53 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Case: SC89; SOT563 Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1036X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active | auf Bestellung 6689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Case: SC89; SOT563 Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1036X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1036X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1036X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 50936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1037-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3 | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3R | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037-B-GM3R | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037X-T1 | VISHAY | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1037X-T1 | VISHAY | SOT-6 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1037X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1039X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI104-221 | DELTA | 2005+ | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Slew Rate Controlled Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 174mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 174mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 Produktcode: 207696
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Slew Rate Controlled Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 174mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 174mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -8V Vds V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 29796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | VISHAY | SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Features: Slew Rate Controlled Package / Case: SOT-563, SOT-666 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 500mOhm Voltage - Load: 1.8V ~ 8V Current - Output (Max): 430mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active | auf Bestellung 6566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Power Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1040X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 0.43A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1041 | N/A | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI1041A | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1041ADY | auf Bestellung 32200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1041DY-T1 | auf Bestellung 4893 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1045A | si | SOP-8 | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1045ADY-T1 | auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046R-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1047DL | auf Bestellung 12563 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1047DL-T1-E3 | auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1049 | SI | TSSOP-16 | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1049AG | auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1050G | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1050GH | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1050GS | auf Bestellung 54380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1050VISHAY | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | auf Bestellung 34821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | SI1050X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Verlustleistung: 236 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 16325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 5660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1054X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1056X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1056X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1056X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1058X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1058X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI106-101 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI106-220 | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1060-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060 Anzahl je Verpackung: 60 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1060-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1061-A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36 tariffCode: 85423119 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 25MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Si106x RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm | auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1061-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062 Anzahl je Verpackung: 60 Stücke | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm | auf Bestellung 2444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1062-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3 | auf Bestellung 61202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 762mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 5896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 762mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 5896 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | auf Bestellung 90960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36 tariffCode: 85423119 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 25MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Si106x RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -116dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1064-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064 Anzahl je Verpackung: 60 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -116dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1065-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | QFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.06A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1067X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1069X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V | auf Bestellung 2705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | auf Bestellung 1851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | auf Bestellung 1851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si1071X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1071X-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | VISHAY | SOT26 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V | auf Bestellung 15035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.75 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 18809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.75 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 6417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si1078X-T1-GE3 | VISHAY | SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 240mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | auf Bestellung 4792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1078X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 240mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1079X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1079X-T1-GE3 | Vishay | P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 11709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC89-6 | auf Bestellung 4839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 11709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +20 dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Tray Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |