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RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, QFN42

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SI1000-C-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray

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SI1000-C-GM

SI1000-C-GM SI1000
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1000-C-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified

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SI1000-C-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP T/R

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SI1000-C-GMR

QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1000-CSA2-GM

QFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1000-CSA2-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1000-CSA2-GMR

QFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1000-E-GM

Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1000-E-GM

QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1000-E-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

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SI1000-E-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

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SI1000-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

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SI1000-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1000-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

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SI1000-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1000-E-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 8907 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.63 EUR
10+	19.56 EUR
25+	18.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1000-E-GM2

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1000-E-GM2

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

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SI1000-E-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

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SI1000-E-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R

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SI1000-E-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1000-E-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

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SI1000-E-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R

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SI1000-E-GMR

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1000-E-GMR

SI1000-E-GMR

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SI1000-E-GMR

Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1000-ESA2-GM

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SI1000-ESA2-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI100003

Bantam Tools

Description: The Bantam Tools Desktop CNC Mil
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active

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SI1000CSA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1000DK

Description: DEVELOPMENT KIT SI101X
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si100x
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Type: Transceiver
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Part Status: Obsolete

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SI1000DK

Si1000/Si1010 Microcontroller Development Kit 20MHz/24.5MHz CPU Win 2000

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SI1000DK

DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI1000K3

Belden Inc.

Description: SPLICE AUTO SEIZE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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SI1000PX0713GMR

SI1000PX0713GMR SI1000PX0713
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI1001

3M Electronic Specialty

Wire Identification KE727004662 CLEAR PVC SLEEVE FOR CABLE TIE REF SI1001

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SI1001-C-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1001-C-GM

SI1001-C-GM SI1001
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1001-C-GMR

QFN 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1001-E-GM

Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1001-E-GM
Produktcode: 147490

IC > IC andere

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SI1001-E-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

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SI1001-E-GM

LGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1001-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

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SI1001-E-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	31.82 EUR

SI1001-E-GM2

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

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SI1001-E-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

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SI1001-E-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

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SI1001-E-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

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SI1001-E-GMR

Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1002-C-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

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SI1002-C-GM

SI1002-C-GM SI1002
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1002-C-GMR

QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1002
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1002-CSB2-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN

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SI1002-E-GM

Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1002-E-GM

QFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI1002-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 1092 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.75 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SI1002-E-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 3390 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	31.82 EUR
10+	28.8 EUR
25+	26.53 EUR
80+	24.25 EUR
364+	22.74 EUR

SI1002-E-GM2

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1002-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 1092 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	16.58 EUR
25+	15.25 EUR
50+	14.09 EUR
100+	13.07 EUR
250+	12.16 EUR
500+	11.33 EUR
1000+	10.58 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SI1002-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1002-E-GM2

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR

auf Bestellung 732 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1002-E-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

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SI1002-E-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR

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SI1002-E-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

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SI1002-E-GM2R

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1002-E-GMR

Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1002-E-GMR

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1002-E-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

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SI1002-ESB2-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN

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SI1002-ESB2-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN

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SI1002R-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30-V (D-S)

auf Bestellung 4700 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1002R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

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SI1002R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 3-Pin SC-75A

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SI1003-C-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray

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SI1003-C-GM

SI1003-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1003
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1003-C-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-C-GMR

42-QFN-5X7-LF 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QF SI1003XXX
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1003-E-GM

LGA-5X7 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GM

Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1003-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1003-E-GM2

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.82 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SI1003-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR

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SI1003-E-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1003-E-GMR

Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GMR

SI1003-E-GMR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1003-E-GMR

LGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1003
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1004-C-GM

SI1004-C-GM/Ultra-Low Power 64 kB, 10-bit ADC SI1004
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1004-C-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1004-E-GM

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1004-E-GM

Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1004-E-GM2

LGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1004-E-GM2

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

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SI1004-E-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1004-E-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

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SI1004-E-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

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SI1004-E-GMR

Description: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI10040QC

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1005-C-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1005-C-GM

SI1005-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1005
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1005-E-GM

Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1005-E-GM2

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

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SI1005-E-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

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SI1005-E-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	31.56 EUR
10+	28.55 EUR
25+	26.3 EUR
80+	24.04 EUR
364+	22.54 EUR

SI1005-E-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

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SI1005-E-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

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SI1005-E-GMR

Description: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA

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SI1007

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1007F

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1007G

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI100E445JC

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI100MOH-B

NEC

auf Bestellung 1563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1010-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1010-A-GM

SI1010-A-GM SI1010
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1010-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1010-A-GMR

QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1010-A-GMR

Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO

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SI1010-C-GM2

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR

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SI1010-C-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1010-C-GM2

LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1010-C-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1010-C-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

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SI1010-C-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1010-C-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR

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SI10102R-T1

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1010DK

Description: DEVELOPMENT KIT SI101X
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si101x
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply

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SI1010DK

Si1010-A Microcontroller Development Kit

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SI1010DK

DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI1011-A-GM

QFN 42/Ultra-Low Power 8 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz Tra SI1011
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1011-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

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SI1011-A-GMR

QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1011QFN
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1011-A-GMR

Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO

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SI1011-C-GM2

RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1011-C-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1011-C-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1011-C-GM2R

Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1011X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V SC-89

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1011X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V SC-89

Produkt ist nicht verfügbar

SI1011X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V SC-89

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1011X-T1-GE3

MOSFET -12V -.48A .19W

auf Bestellung 5644 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1012-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-A-GM

42-QFN-5X7-LF 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 SI1012
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI1012-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-A-GMR

QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1012
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-C-GM2

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	26.44 EUR
10+	23.97 EUR
25+	20.18 EUR
250+	18.9 EUR
500+	17.65 EUR
1000+	16.77 EUR
1820+	16.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1012-C-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-C-GM2

LGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1012
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-C-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-C-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.92 EUR
10+	23.47 EUR
25+	21.62 EUR
80+	19.77 EUR
364+	18.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1012-C-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-C-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	10.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI1012-C-GM2R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-C-GM2R

Micro Commercial Components (MCC)

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-TP

Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-TP

MOSFET N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1012-TP

Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012-TP

Micro Commercial Components

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SOT-523 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012CR-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012CR-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
24000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012CR-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.2 EUR
390+	0.18 EUR
440+	0.16 EUR
520+	0.14 EUR
550+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 350

SI1012CR-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
30000+	0.2 EUR
75000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012CR-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012CR-T1-GE3

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

350+	0.2 EUR
390+	0.18 EUR
440+	0.16 EUR
520+	0.14 EUR
550+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 350

SI1012CR-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012CR-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012CR-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm

auf Bestellung 36262 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012CR-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2986 Stücke:

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2986+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2986

SI1012CR-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

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3000+	0.12 EUR
24000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012CR-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 86131 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI1012CR-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm

auf Bestellung 35127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012CR-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A

auf Bestellung 177433 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

72+	0.73 EUR
98+	0.54 EUR
167+	0.31 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 72

SI1012R

09+ SOP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012R-S6-GE3

auf Bestellung 77422 Stücke:

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SI1012R-T1

auf Bestellung 15200 Stücke:

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SI1012R-T1

09+

auf Bestellung 1279 Stücke:

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SI1012R-T1

0607+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012R-T1

SOT423

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SI1012R-T1-E3

06+NOP

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012R-T1-E3

auf Bestellung 9200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012R-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm

auf Bestellung 7182 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012R-T1-GE3

N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100

SI1012R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 160925 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
30+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 16988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	0.49 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.4 EUR
5000+	0.37 EUR
10000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 319

SI1012R-T1-GE3

MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

auf Bestellung 114988 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 50

SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1012R-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2548 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

164+	0.44 EUR
183+	0.39 EUR
240+	0.3 EUR
254+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 164

SI1012R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 158447 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR
30000+	0.3 EUR
75000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012R-T1-GE3

auf Bestellung 2548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	0.44 EUR
183+	0.39 EUR
240+	0.3 EUR
254+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 164

SI1012R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012R-T1-GE3 Transistor
Produktcode: 57781

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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SI1012X

auf Bestellung 8150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012X-T1

SC89-3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012X-T1

2006 SOT23-3

auf Bestellung 1738 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1012X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1012X-T1-GE3

MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

auf Bestellung 23238 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
61+	0.85 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 52

SI1012X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1012X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 11298 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SI1012X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1012X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R

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SI1013-A-GM

SI1013-A-GM SI1013
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1013-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-A-GMR

QFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1013
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-A-GMR

Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-C-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

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SI1013-C-GM2

LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1013
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-C-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013-C-GM2

RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-C-GM2R

Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-C-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013-C-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	17.98 EUR
5000+	17.16 EUR
10000+	16.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI1013-C-GM2R

MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Si1013CX-T1-E3

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013CX-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -450mA
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.47 EUR
252+	0.28 EUR
365+	0.2 EUR
477+	0.15 EUR
782+	0.092 EUR
820+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 152

SI1013CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

393+	0.4 EUR
429+	0.35 EUR
915+	0.16 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 393

SI1013CX-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V

auf Bestellung 31536 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
34+	0.79 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI1013CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 190mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1013CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R

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SI1013CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013CX-T1-GE3

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

152+	0.47 EUR
252+	0.28 EUR
365+	0.2 EUR
477+	0.15 EUR
782+	0.092 EUR
820+	0.087 EUR
9000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 152

SI1013CX-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1013CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1013CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1013CX-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3

auf Bestellung 8837 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
65+	0.81 EUR
164+	0.32 EUR
1000+	0.24 EUR
24000+	0.23 EUR
45000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SI1013CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.71 EUR
288+	0.52 EUR
301+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 221

SI1013R

auf Bestellung 9770 Stücke:

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SI1013R-T1

SOT-3

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SI1013R-T1

auf Bestellung 7210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013R-T1-E3

06+ SOT-523

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1013R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013R-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 98425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
30+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SI1013R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

252+	0.62 EUR
338+	0.45 EUR
461+	0.31 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 252

SI1013R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

214+	0.73 EUR
249+	0.61 EUR
252+	0.58 EUR
338+	0.41 EUR
461+	0.29 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 214

SI1013R-T1-GE3

MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

auf Bestellung 84690 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
66+	0.8 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 57

SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013R-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR
30000+	0.3 EUR
75000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1013R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1013R/X

05+

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013R/X

05+

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X

SOT23 06+

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X

auf Bestellung 6300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X-T1

SOT416-B

auf Bestellung 204000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X-T1

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X-T1 SOT416-B

auf Bestellung 273200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013X-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013X-T1-E3 SOT416-BL PB-FREE

auf Bestellung 9200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1013X-T1-GE3

MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

auf Bestellung 18225 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.1 EUR
56+	0.93 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.39 EUR
24000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SI1013X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 12730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
27+	0.97 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SI1013X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	0.7 EUR
260+	0.58 EUR
263+	0.55 EUR
355+	0.39 EUR
359+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 223

SI1013X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SI1013X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1013X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

263+	0.6 EUR
355+	0.42 EUR
359+	0.4 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 263

SI1013X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R

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SI1013X-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1014-A-GM

QFN 42/I°/Ultra-Low Power 16 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz SI1014
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-A-GMR

Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.2V Automotive 42-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-A-GMR

QFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1014
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-C-GM2

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-C-GM2

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-C-GM2

Description: 16KB 768B RAM XCVR DC-DC 42LGA

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1014-C-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-C-GM2R

MCU 8-bit 80C51 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1014-C-GM2R

Description: IC MCU 16KB FLASH EZ PRO 42LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-A-GM

SI1015-A-GM SI1015
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-A-GMR

Description: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-C-GM2

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1015-C-GM2

RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-C-GM2

LGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1015
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-C-GM2R

RF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC

Produkt ist nicht verfügbar

SI1015-C-GM2R

Description: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1016

LATTICE

QFP

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1016CX-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1016CX-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
36000+	0.21 EUR
72000+	0.19 EUR
108000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1016CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1016CX-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

auf Bestellung 159497 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.85 EUR
113+	0.46 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SI1016CX-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.49A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2/2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1016CX-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 21861 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
31+	0.84 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI1016CX-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1016CX-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

569+	0.27 EUR
573+	0.26 EUR
654+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 569

SI1016CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 220mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1016CX-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1016CX-T1-GE3

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SI1016CX-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 150000 Stücke:

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3000+	0.27 EUR
6000+	0.24 EUR
12000+	0.21 EUR
15000+	0.19 EUR
24000+	0.18 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1016CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 37515 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1016X

auf Bestellung 60000 Stücke:

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SI1016X-T1

auf Bestellung 57200 Stücke:

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SI1016X-T1

0348+

auf Bestellung 1523 Stücke:

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SI1016X-T1-E3

09+

auf Bestellung 5808 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1016X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

Produkt ist nicht verfügbar

SI1016X-T1-E3

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SI1016X-T1-E3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1016X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

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SI1016X-T1-E3-AAA

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SI1016X-T1-ES

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SI1016X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1016X-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20/20V; -390/515mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20/20V
Drain current: -390/515mA
Pulsed drain current: -0.65...0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7/1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC/750pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SI1016X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1016X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1016X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 24503 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.93 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI1016X-T1-GE3

MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V

auf Bestellung 32617 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.34 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 49

SI1016X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 2349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

434+	0.36 EUR
436+	0.35 EUR
516+	0.28 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 434

SI1016X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1016X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1020-915-A-DK

Description: KIT DEV WIRELESS SI1020 915MHZ

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SI1020-915-A-DK

Development Boards & Kits - Wireless

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SI1020-915-A-SDK

Description: KIT SOFTWARE DEV SI1020 915MHZ

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SI1020-915-A-SDK

Development Boards & Kits - Wireless

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SI1020-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1020-A-GM

SI1020-A-GM SI1020
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1020-A-GMR

LGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1020
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1020-A-GMR

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1020-B-GM

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1020-B-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray

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SI1020-B-GM2R

RF Microcontrollers - MCU

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SI1020-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1020-B-GM3

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1020-B-GM3

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray

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SI1020-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1020-B-GM3R

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

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SI1020-B-GMR

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

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SI1020G

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1021-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1021-A-GMR

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1021-B-GM

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1021-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1021-B-GM3

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

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SI1021-B-GM3R

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

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SI1021-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1021-B-GMR

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

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SI1021R

auf Bestellung 13200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1021R-T1

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1021R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1021R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

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SI1021R-T1-E3

09+

auf Bestellung 279018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1021R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

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SI1021R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SI1021R-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.41 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1021R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1021R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2958 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	0.87 EUR
208+	0.73 EUR
210+	0.69 EUR
281+	0.5 EUR
284+	0.47 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 180

SI1021R-T1-GE3

MOSFET -60V Vds 20V Vgs SC75A

auf Bestellung 18300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
56+	0.94 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.4 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 46

SI1021R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2958 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	0.75 EUR
281+	0.54 EUR
284+	0.51 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 210

SI1021R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 583 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1021R-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V

auf Bestellung 25525 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SI1021R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-A-GMR

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-B-GM

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-B-GM3

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1022-B-GM3R

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-B-GM3R

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022-B-GMR

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

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SI1022-B-GMR

Ultra Low Power 128K, LCD MCU Family

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022DWF

Vishay / Dale

Vishay SI1022R IN WAFER FORM (UNPROBE

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1022R-T1

SOT23

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1022R-T1

SOT416-E

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1022R-T1 SOT416-E

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1022R-T1-E3

09+

auf Bestellung 102018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1022R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1022R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

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SI1022R-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SI1022R-T1-GE3

auf Bestellung 29117 Stücke:

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19+	1.43 EUR
22+	1.24 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SI1022R-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4180 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

177+	0.41 EUR
197+	0.36 EUR
270+	0.27 EUR
285+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 177

SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 2990 Stücke:

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359+	0.44 EUR
360+	0.42 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 359

SI1022R-T1-GE3

auf Bestellung 4180 Stücke:

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177+	0.41 EUR
197+	0.36 EUR
270+	0.27 EUR
285+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 177

SI1022R-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC75A

auf Bestellung 110570 Stücke:

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36+	1.45 EUR
42+	1.24 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.47 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SI1022R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1022R-T1-GE3

auf Bestellung 21000 Stücke:

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3000+	0.49 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1022R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 3849000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1022R-T1SOT41

auf Bestellung 21000 Stücke:

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SI1022R-TI-E3

auf Bestellung 1658 Stücke:

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SI1023-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1023-A-GMR

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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SI1023-A-GMR

LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1023LGA
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1023-B-GM

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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SI1023-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023-B-GM3

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1023-B-GM3R

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023-B-GMR

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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Si1023CX-T1-E3

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1023CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1023CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: TrenchFET Series
Bauform - Transistor: SC-89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 220mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 18620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1023CX-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 220mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SI1023CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1023CX-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 59655 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
30+	0.89 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI1023CX-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023CX-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

492+	0.32 EUR
654+	0.23 EUR
661+	0.22 EUR
714+	0.2 EUR
777+	0.17 EUR
851+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 492

SI1023CX-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-6

auf Bestellung 115934 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

72+	0.73 EUR
84+	0.62 EUR
125+	0.42 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR
24000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 72

SI1023CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 18620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1023CX-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1023R-T1

auf Bestellung 2938 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1023X

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1023X-T1

SOT-666 0406+

auf Bestellung 16372 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1023X-T1

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1023X-T1 SOT563-B

auf Bestellung 24200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1023X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023X-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1023X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023X-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SI1023X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023X-T1-GE3

MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V

auf Bestellung 45117 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
65+	0.81 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 56

SI1023X-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
27+	0.97 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SI1023X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023X-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1023X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1023X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

263+	0.6 EUR
352+	0.43 EUR
355+	0.41 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 263

SI1023X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	0.7 EUR
260+	0.58 EUR
263+	0.55 EUR
352+	0.4 EUR
355+	0.38 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 223

SI1024-868-A-DK

KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ

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SI1024-868-A-DK

Development Boards & Kits - Wireless

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-868-A-DK

Description: KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-868-A-SDK

Wireless MCU Development Kit

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-868-A-SDK

Development Boards & Kits - Wireless

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-868-A-SDK

Description: KIT SOFTWARE DEV SI1024 868MHZ

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SI1024-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-A-GM

QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1024
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1024-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray

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SI1024-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-B-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-B-GM3

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-B-GM3R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1024-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1024-B-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1024X

auf Bestellung 21200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1024X-T1

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1024X-T1

SOT-666

auf Bestellung 2799 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1024X-T1

N/A

09+

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SI1024X-T1

04+

auf Bestellung 2900 Stücke:

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SI1024X-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F

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SI1024X-T1-E3

30000

auf Bestellung 1250 Stücke:

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SI1024X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1024X-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F

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SI1024X-T1-E3

09+

auf Bestellung 6508 Stücke:

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SI1024X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 515mA
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SI1024X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

199+	0.79 EUR
242+	0.62 EUR
256+	0.57 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 199

SI1024X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1024X-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V

auf Bestellung 288933 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
51+	1.04 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.39 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SI1024X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.99 EUR
190+	0.79 EUR
199+	0.73 EUR
242+	0.58 EUR
256+	0.52 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 158

SI1024X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 109122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SI1024X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1024X-T1-GE3

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SI1024X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1024X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.41 EUR
9000+	0.38 EUR
30000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1025-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1025-A-GM

LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1025
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1025-A-GMR

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

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SI1025-B-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1025-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1025-B-GM3

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1025-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1025-B-GM3R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1025-B-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

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SI1025X

auf Bestellung 1408 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1025X-T1

auf Bestellung 4369 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1025X-T1-E3

SOT-666 0629+

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1025X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

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SI1025X-T1-E3

09+

auf Bestellung 648018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1025X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

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SI1025X-T1-E3

sot363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1025X-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1025X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

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SI1025X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1852 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

201+	0.78 EUR
231+	0.65 EUR
244+	0.6 EUR
310+	0.45 EUR
314+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 201

SI1025X-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

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SI1025X-T1-GE3

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SI1025X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 17133 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1025X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1025X-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1025X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1025X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1025X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1852 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	0.64 EUR
310+	0.49 EUR
314+	0.46 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 244

SI1025X-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 26760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SI1025X-T1-GE3

MOSFET -60V Vds 20V Vgs SC89-6

auf Bestellung 59491 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
54+	0.96 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 46

SI1026-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026-B-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1026-B-GM3

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026-B-GM3R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026-B-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026DX-T1

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X

auf Bestellung 9200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-E3

SOT-363 08+

auf Bestellung 13991 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1

0635+

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1

SOT23-6

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1

09+

auf Bestellung 571 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1(EVA)

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-E3

SOT663

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1-E3

09+

auf Bestellung 12788 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-E3

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1026X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 272713 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR
30000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1026X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 305
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1026X-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6

auf Bestellung 60689 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.2 EUR
52+	1.02 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SI1026X-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1026X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 274703 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SI1027-A-GM

QFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1027
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1027-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1027-A-GMR

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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SI1027-B-GM

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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Si1027-B-GM3

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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Si1027-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1027-B-GM3R

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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SI1027-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1027-B-GMR

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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SI1028X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V SC89-6

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SI1028X-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 2756 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1029X

07+ SOT-563

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X

01+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X-T1

SOT153-HMA

auf Bestellung 23180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X-T1 SOT153-HMA

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X-T1 SOT463-H

auf Bestellung 27200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

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SI1029X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

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SI1029X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

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SI1029X-T1-E3

09+

auf Bestellung 1048 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 13755 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
26+	1.03 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SI1029X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
12000+	0.29 EUR
15000+	0.27 EUR
24000+	0.26 EUR
30000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1029X-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR

auf Bestellung 72454 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
52+	1.01 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SI1029X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1029X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 305
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 250
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1029X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1029X-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22/-0.135A
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3/8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SI1029X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.4 EUR
6000+	0.38 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1029X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1029X-T1-GE3

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SI1029X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 305
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 250
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1029X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1029X-T1SOT153-HMA

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1029X-T1SOT463-H

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1030-A-GM

QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1030
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1030-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1030-A-GMR

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

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SI1030-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1030-B-GM3

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

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SI1030-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1030-B-GM3R

Description: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA

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SI1030G

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031-A-GM

QFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1031-A-GM

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1031-A-GMR

LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1031-A-GMR

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1031-B-GM3

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1031-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1031-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1031-B-GM3R

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

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si1031a-t1-e3

VIS

sot416 04+

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R

auf Bestellung 36200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R

09+

auf Bestellung 108818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R-T1

SOT-323

auf Bestellung 10314 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R-T1

09+

auf Bestellung 42018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R-T1-E3

09+

auf Bestellung 72018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

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SI1031R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

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SI1031R-T1-E3

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031R-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

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SI1031R-T1-GE3

MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V

auf Bestellung 6616 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.17 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 45

SI1031R-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 19800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1031R-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 20366 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
26+	1.02 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SI1031R-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1031R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 140
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 8
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1031R-T1-GE3

SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SI1031X

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031X-T1

SOT416-H

auf Bestellung 117000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031X-T1 SOT416-H

auf Bestellung 240200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031X-T1-E3

09+

auf Bestellung 765018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1031X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1031X-T1-GE3

MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V

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SI1031X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

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SI1031X-T1SOT416-H

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032-80LT

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

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SI1032-A-GM

QFN 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

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SI1032-A-GMR

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032-A-GMR

LGA 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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SI1032-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032-B-GM3

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

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SI1032-B-GM3R

Description: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA

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SI1032-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

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SI1032E-70CT

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R

auf Bestellung 10080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1

SOT-423

auf Bestellung 7330 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1

05+

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1

SOT416

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1

auf Bestellung 7080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032R-T1-E3

auf Bestellung 26800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

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SI1032R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

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SI1032R-T1-E3

09+

auf Bestellung 69018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1032R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm

auf Bestellung 5596 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 258 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

238+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 238

SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1032R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 21689 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
27+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1032R-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 140
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1140 Stücke:

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SI1032R-T1-GE3

MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V

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53+	0.99 EUR
67+	0.78 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 53

SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

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3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors

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202+	0.35 EUR
309+	0.23 EUR
327+	0.22 EUR

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SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
15000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

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3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1032R-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R

auf Bestellung 258 Stücke:

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SI1032X

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SI1032X-T1

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SI1032X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

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SI1032X-T1-E3

auf Bestellung 84200 Stücke:

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SI1032X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032X-T1-E3

SOT-523 06+

auf Bestellung 12000 Stücke:

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SI1032X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

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SI1032X-T1-E3

09+

auf Bestellung 18018 Stücke:

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SI1032X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R

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SI1032X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R

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275+	0.57 EUR
373+	0.4 EUR
380+	0.38 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 275

SI1032X-T1-GE3

MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V

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62+	0.85 EUR
73+	0.72 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.34 EUR
9000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 62

SI1032X-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SI1032X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

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26+	1.01 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SI1032X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1032X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R

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SI1032X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SI1032X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R

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218+	0.72 EUR
272+	0.55 EUR
275+	0.53 EUR
373+	0.37 EUR
380+	0.35 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 218

SI1032X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 2634 Stücke:

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SI1032X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 210mA; Idm: 0.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1032X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-A-GM

QFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-A-GMR

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-A-GMR

LGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-B-GM3

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033-B-GM3R

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

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SI1033X-T1

auf Bestellung 6600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1033X-T1-E3

06+

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1033X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033X-T1-E3

09+

auf Bestellung 54018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1033X-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F

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SI1033X-T1-E3-E3

09+

auf Bestellung 9018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1033X-T1-GE3

MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1033X-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89

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SI1034-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

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SI1034-A-GM

QFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-A-GMR

LGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-B-GM3

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-B-GM3

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-B-GM3R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034-B-GM3R

MCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034CX-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.49A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 610 mA, 0.33 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 610
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 220
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1034CX-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034CX-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034CX-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1034CX-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034CX-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6

auf Bestellung 148520 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.93 EUR
71+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 57

SI1034CX-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 610 mA, 0.33 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 610
Verlustleistung Pd: 220
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1034CX-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034CX-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)

auf Bestellung 71822 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

32+	0.83 EUR
40+	0.66 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 32

SI1034X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-E3

09+

auf Bestellung 2738 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1034X-T1-E3

06+ SOP

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1034X-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 0.65A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V

auf Bestellung 134141 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.34 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 49

SI1034X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1034X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1034X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
26+	1.02 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SI1034X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-A-GM

LGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035
Anzahl je Verpackung: 43 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-A-GM

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-A-GMR

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-A-GMR

QFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-B-GM3

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-B-GM3R

Description: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035DL-T1-E3

auf Bestellung 1722 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1035X-T1

SOT-666 0347+

auf Bestellung 12321 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1035X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035X-T1-E3

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1035X-T1-E3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.145A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1035X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 7673 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
26+	1.02 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SI1035X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1035X-T1-GE3

MOSFET 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V

auf Bestellung 16711 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.35 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 49

SI1036-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036-B-GM3

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036-B-GM3R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1036X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1036X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

143+	0.5 EUR
200+	0.36 EUR
269+	0.27 EUR
358+	0.2 EUR
603+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 143

SI1036X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung Pd: 220mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1036X-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 8V Vgs SC89-6

auf Bestellung 74380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

51+	1.03 EUR
63+	0.83 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 51

SI1036X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1036X-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	0.5 EUR
200+	0.36 EUR
269+	0.27 EUR
358+	0.2 EUR
603+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 143

SI1036X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active

auf Bestellung 8609 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SI1036X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1036X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: TrenchFET Series
Bauform - Transistor: SC-89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 220mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1037-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037-A-GMR

Description: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037-B-GM3

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037-B-GM3

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037-B-GM3R

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037-B-GM3R

RF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037X-T1

SOT-6

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1037X-T1

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1037X-T1-E3

09+

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1037X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Produkt ist nicht verfügbar

SI1037X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Produkt ist nicht verfügbar

SI1039X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1039X-T1-E3

09+

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1039X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1039X-T1-E3

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1039X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1039X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Produkt ist nicht verfügbar

SI1039X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Produkt ist nicht verfügbar

SI1039X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Produkt ist nicht verfügbar

SI104-221

DELTA

2005+

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1040X-T1-E3

Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1040X-T1-E3

Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

SI1040X-T1-GE3

Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active

auf Bestellung 11287 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.92 EUR
16+	1.68 EUR
25+	1.58 EUR
100+	1.29 EUR
250+	1.2 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SI1040X-T1-GE3

Load Switch with Level-Shift

Produkt ist nicht verfügbar

SI1040X-T1-GE3

Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.43A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC89-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.43A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC89-6
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC

Produkt ist nicht verfügbar

SI1040X-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 0.43A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1040X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1040X-T1-GE3

MOSFET -8V Vds V Vgs SC89-6

auf Bestellung 36464 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
38+	1.39 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SI1040X-T1-GE3

Load Switch with Level-Shift

auf Bestellung 2280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.14 EUR
150+	1.01 EUR
181+	0.81 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 138

SI1040X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 430 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 430
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5
Verlustleistung Pd: 174
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung, p-Kanal: 174
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1040X-T1-GE3

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.74 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1040X-T1-GE3

Load Switch with Level-Shift

auf Bestellung 2280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	1.28 EUR
138+	1.1 EUR
150+	0.97 EUR
181+	0.77 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 123

SI1041

N/A

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1041A

auf Bestellung 5750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1041ADY

auf Bestellung 32200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1041DY-T1

auf Bestellung 4893 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1045A

SOP-8

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1045ADY-T1

auf Bestellung 936 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1046R-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046R-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046R-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046X-T1-GE3

MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1046X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1047DL

auf Bestellung 12563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1047DL-T1-E3

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1049

TSSOP-16

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1049AG

auf Bestellung 1225 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1050G

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1050GH

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1050GS

auf Bestellung 54380 Stücke:

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SI1050VISHAY

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1050X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

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SI1050X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1050X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

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SI1050X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1050X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 1.34
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 236
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350
Verlustleistung: 236
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 16325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1050X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1050X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
15000+	0.41 EUR
30000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1050X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1050X-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs SC89-6

auf Bestellung 5917 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.22 EUR
50+	1.06 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SI1050X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1050X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 16325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1050X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V

auf Bestellung 58940 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.33 EUR
24+	1.13 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SI1050X-T1-GE3

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SI1051X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1051X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1051X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1051X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1054X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1054X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1054X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1054X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

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SI1056X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1056X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1056X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1056X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

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SI1056X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1056X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1058X-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1058X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1058X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

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SI1058X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC89

Produkt ist nicht verfügbar

SI1058X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R

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SI106-101

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI106-220

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1060-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1555 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	28.52 EUR
10+	26.14 EUR
25+	23.76 EUR
80+	21.39 EUR
230+	19.6 EUR
490+	17.82 EUR
980+	16.04 EUR

SI1060-A-GM

QFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1060-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	28.65 EUR
10+	26.16 EUR
25+	21.55 EUR
100+	19.76 EUR
250+	17.97 EUR
500+	16.17 EUR
2450+	16.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1060-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1060-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1060-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI1060-A-GMR

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	27.51 EUR
10+	25.22 EUR
25+	22.93 EUR
100+	20.64 EUR
250+	18.9 EUR
500+	17.21 EUR
1000+	16.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1060-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1060-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1061-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.28 EUR
25+	9.8 EUR
50+	9.33 EUR
100+	8.87 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SI1061-A-GM

SILICON LABS

Description: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Si106x
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O's
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1061-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1061-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm

auf Bestellung 2440 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	23.37 EUR
10+	21.79 EUR
25+	18.77 EUR
100+	17.55 EUR
250+	15.94 EUR
500+	15.91 EUR
1000+	15.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI1061-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.57 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SI1061-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1061-A-GMR

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm

Produkt ist nicht verfügbar

SI1061-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1061-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1061-A-GMR

Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm

auf Bestellung 2444 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	25.92 EUR
10+	23.43 EUR
25+	19.6 EUR
100+	17.97 EUR
250+	16.35 EUR
500+	14.69 EUR
1000+	14.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SI1062-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GM

QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

SI1062-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1062-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	13.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SI1062-A-GMR

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1062-A-GMR

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 4748 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.69 EUR
10+	23.55 EUR
25+	21.41 EUR
100+	19.27 EUR
250+	17.66 EUR
500+	16.06 EUR
1000+	14.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1062X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1062X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 114835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SI1062X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

325+	0.22 EUR
460+	0.16 EUR
515+	0.14 EUR
660+	0.11 EUR
695+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 325

SI1062X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 14930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1062X-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	0.22 EUR
460+	0.16 EUR
515+	0.14 EUR
660+	0.11 EUR
695+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 325

SI1062X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R

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SI1062X-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-3

auf Bestellung 98150 Stücke:

Lieferzeit 562-576 Tag (e)

47+	1.12 EUR
64+	0.82 EUR
112+	0.47 EUR
500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 47

SI1062X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

auf Bestellung 114000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
30000+	0.15 EUR
75000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1062X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SI1062X-T1-GE3

auf Bestellung 14930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1063-A-GM

SILICON LABS

Description: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Si106x
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O's
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C

auf Bestellung 384 Stücke:

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SI1063-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

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SI1063-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SI1063-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1063-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1063-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1063-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 30 Stücke:

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SI1063-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1063-A-GMR

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm

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SI1063-A-GMR

Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN

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SI1063-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1064-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.56 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SI1064-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 60 Stücke:

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SI1064-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1064-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	24.52 EUR
10+	22.47 EUR
25+	20.43 EUR
80+	18.39 EUR
230+	16.86 EUR
490+	15.32 EUR
980+	15.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1064-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 310 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1064-A-GM

QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke

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SI1064-A-GMR

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm

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SI1064-A-GMR

Description: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN

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SI1064-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	22.1 EUR
10+	20.25 EUR
25+	18.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SI1065-A-GMR

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm

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SI1065-A-GMR

Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065-A-GMR

QFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065-A-GMR

MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R

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SI1065X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1065X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

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SI1067X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

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SI1067X-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 20V 1.06A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1067X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1067X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1067X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

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SI1069X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

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SI1069X-T1-GE3

MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SI1069X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

auf Bestellung 1851 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1069X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

SI1069X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

auf Bestellung 1851 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1070X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1070X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1070X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 2413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

201+	0.78 EUR
230+	0.66 EUR
235+	0.62 EUR
307+	0.46 EUR
314+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 201

SI1070X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1070X-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Power dissipation: 236mW
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A

Produkt ist nicht verfügbar

SI1070X-T1-GE3

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1070X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V

auf Bestellung 1011 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SI1070X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1070X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1070X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1070X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 2413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

235+	0.67 EUR
307+	0.49 EUR
314+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 235

SI1070X-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6

auf Bestellung 3093 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 53

SI1070X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 236
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1070X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Si1071X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1071X-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Si1071X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1071X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1071X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1071X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SI1072X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Produkt ist nicht verfügbar

SI1072X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

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SI1072X-T1-E3

09+

auf Bestellung 958 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1072X-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

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SI1072X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SC89

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SI1072X-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1073X-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

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SI1073X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

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SI1073X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

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SI1073X-T1-GE3

SOT26

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SI1073X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

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SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

132+	0.54 EUR
481+	0.15 EUR
511+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 132

SI1077X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

261+	0.6 EUR
381+	0.4 EUR
385+	0.38 EUR
514+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 261

SI1077X-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-6

auf Bestellung 9354 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.17 EUR
54+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 45

SI1077X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R

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SI1077X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V

auf Bestellung 21197 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
27+	0.99 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SI1077X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.75
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1077X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	0.75 EUR
258+	0.58 EUR
261+	0.56 EUR
381+	0.37 EUR
385+	0.35 EUR
514+	0.25 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 210

SI1077X-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
15000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SI1077X-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SI1077X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Si1078X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

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SI1078X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.02
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1078X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Si1078X-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

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SI1078X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.02
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Si1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Si1078X-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6

auf Bestellung 6454 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

60+	0.88 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.27 EUR
24000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 60

SI1078X-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 5960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1109+	0.14 EUR
1125+	0.13 EUR
1161+	0.12 EUR
1180+	0.11 EUR
1219+	0.1 EUR
1238+	0.099 EUR
3000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 1109

SI1079X-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SI1079X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1079X-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SC89
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.44A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -8A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SI1079X-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC89-6

auf Bestellung 4999 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
59+	0.88 EUR
100+	0.6 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.26 EUR
24000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SI1079X-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SI1079X-T1-GE3

Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SI1080-A-GM

RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +20 dBm

Produkt ist nicht verfügbar

SI1080-A-GM

Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs

Produkt ist nicht verfügbar

SI1080-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.69 EUR
29+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 28

SI1080-A-GM

MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray

Produkt ist nicht verfügbar

SI1080-A-GMR