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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQ4-A21-NPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4-A21-PPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR LEVEL LIQ PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: Polypropylene (PP)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+432.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4-A22-NPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Material - Housing & Prism: PFA
Output Configuration: NPN
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Type: Liquid
Mounting Type: Bracket Mount
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Packaging: Box
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+504.77 EUR
10+458.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4-A22-PPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+523.3 EUR
10+475.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4-A22-PPanasonic Industrial AutomationLiquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+508.37 EUR
10+457.54 EUR
25+437.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4-C11Panasonic Industrial Automation SalesDescription: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Packaging: Box
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1242.44 EUR
10+1129.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4-C11Panasonic Industrial AutomationLiquid Level Sensors Control category 4, PLe SIL3.Safety liquid leak sensors can be connected up to 4 units.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 12V
auf Bestellung 3275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
15+1.49 EUR
100+1.15 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
14+1.57 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 12008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.59 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4005EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4050EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 40V
auf Bestellung 6715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.4 EUR
100+1.13 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4050EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V
auf Bestellung 7768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
13+1.64 EUR
100+1.27 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4050EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4050EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 32955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
13+1.62 EUR
100+1.13 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 14550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.62 EUR
100+1.15 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4064EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 8608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
13+1.62 EUR
100+1.13 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4080EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
10+2.38 EUR
100+1.86 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4080EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4080EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+2.01 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4080EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150V SO-8
auf Bestellung 24125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4080EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
12500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4080EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
98+2.39 EUR
137+1.57 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ40T
auf Bestellung 14936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4120-R62MHFITG Electronics, Inc.Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4120-R82MHFITG Electronics, Inc.Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4120-R90MHFITG Electronics, Inc.Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4126-1R0MHFITG Electronics, Inc.Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4126-2R2MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4126-R42MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Current Rating (Amps): 26 A
Inductance: 420 nH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Material - Core: Ferrite
Current - Saturation (Isat): 45A
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
10+2.49 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 12V
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.14 EUR
10000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
10+2.49 EUR
100+1.93 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4153EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 25 A, 0.00832 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 7.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00832ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
70+3.32 EUR
100+2.3 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 29085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4153EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 25 A, 0.00832 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+2.3 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.81 EUR
108+1.5 EUR
129+1.21 EUR
250+1.15 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 30V
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+3.25 EUR
100+2.53 EUR
500+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.56 EUR
100+1.86 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4182EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4184EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 7.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4184EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4184EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 7.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
70+3.32 EUR
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4184EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 29926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ41P00001
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET DUAL N-CHANNEL 30V
auf Bestellung 21028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+2.32 EUR
100+1.8 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
10+2.86 EUR
100+2.23 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
10+2.86 EUR
100+2.23 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
119+1.81 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
89+2.62 EUR
119+1.81 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
72+3.22 EUR
79+2.73 EUR
88+2.44 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SQ4284EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.54 EUR
122+1.38 EUR
123+1.32 EUR
135+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET DUAL N-CHANNEL 40V
auf Bestellung 11460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+2.53 EUR
100+2.01 EUR
250+1.86 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
10+2.56 EUR
100+2.03 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 6727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+2.53 EUR
100+2.01 EUR
250+1.86 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEYVishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEYVishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEYVishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SQ4401CEY-T1/GE3VishayVishay
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
92+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
42+5.59 EUR
45+4.82 EUR
50+4.45 EUR
100+4.12 EUR
250+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40V
auf Bestellung 7642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.37 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.73 EUR
2500+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+4.53 EUR
100+3.61 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.46 EUR
5000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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