Produkte > SQ4

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4-A21-P

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID PNP

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4-A22-N

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN
Material - Housing & Prism: PFA

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	626.63 EUR
10+	569.66 EUR

SQ4-A22-P

Panasonic Industrial Automation

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	620.23 EUR
10+	563.86 EUR

SQ4-A22-P

Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	631.1 EUR
10+	568 EUR
25+	542.75 EUR

SQ4-C11

Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Packaging: Box
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1536.39 EUR

SQ4005EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V

auf Bestellung 4913 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.03 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
12+	2.34 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 15481 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.03 EUR
2500+	0.97 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.95 EUR
5000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9164 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.31 EUR
14+	1.88 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQ400M2R20B5S-1012

Yageo

Cap Aluminum Lytic 2.2uF 400V 20% (10 x 12mm) Radial 5mm Bulk

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.03 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

auf Bestellung 6715 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.08 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	1.01 EUR
5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

auf Bestellung 7768 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.5 EUR
13+	2.04 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 1536 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQ4050EY-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 19A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Case: SO8

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4050EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1272 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
14+	1.97 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

auf Bestellung 50488 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.44 EUR
26+	2 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQ4064EY-T1_GE3

auf Bestellung 9813 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
14+	1.97 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 14915 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.44 EUR
26+	2 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQ4064EY-T1_GE3

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

auf Bestellung 2388 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.27 EUR
5000+	1.21 EUR
12500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFET N-Channel 150V SO-8

auf Bestellung 1811 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQ4080EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15982 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.07 EUR
11+	2.51 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQ4080EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 18A Automotive 8-Pin SOIC N

Produkt ist nicht verfügbar

SQ40T

auf Bestellung 14936 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4120-R62MHF

Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

250+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 250

SQ4120-R82MHF

Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

250+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 250

SQ4120-R90MHF

Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

250+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 250

SQ4126-1R0MHF

Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4126-2R2MHF

Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

700+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 700

SQ4126-R42MHF

Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 45A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Part Status: Active
Inductance: 420 nH
Current Rating (Amps): 26 A

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

700+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 700

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 12V

auf Bestellung 9618 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.54 EUR
5000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 42256 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.55 EUR
5000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4153EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4153EY-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 2.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8.32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	2.45 EUR
33+	2.23 EUR
45+	1.6 EUR
48+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SQ4153EY-T1_GE3

auf Bestellung 4680 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4153EY-T1_GE3

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	2.45 EUR
33+	2.23 EUR
45+	1.6 EUR
48+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SQ4153EY-T1_GE3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.63 EUR
108+	1.35 EUR
129+	1.09 EUR
250+	1.04 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 97

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.47 EUR
13+	4.03 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3170 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4184EY-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 35503 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.09 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.58 EUR
5000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4184EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ41P00001

auf Bestellung 1843 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

auf Bestellung 2608 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.95 EUR
10+	3.55 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.28 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4282EY-T1_BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V

auf Bestellung 21028 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.45 EUR
5000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQ4282EY-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.95 EUR
10+	3.55 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4282EY-T1_GE3

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 13836 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQ4284EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5062 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.85 EUR
10+	3.18 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V

auf Bestellung 11460 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.77 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.3 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.79 EUR
2500+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.38 EUR
122+	1.24 EUR
123+	1.18 EUR
135+	1.03 EUR
250+	0.98 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 114

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 6727 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.77 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.3 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.79 EUR
2500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4284EY-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6816 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.85 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4284EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401CEY-T1/GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V

auf Bestellung 3871 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
23+	2.34 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.32 EUR
2500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2092 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.83 EUR
12+	2.33 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SQ4401CEY-T1_GE3

auf Bestellung 4882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 15.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.05 EUR
5000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V

auf Bestellung 26913 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	5.38 EUR
100+	4.52 EUR
250+	4.16 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.25 EUR
2500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
10+	5.62 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.78 EUR
1000+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFET 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 40233 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	5.69 EUR
100+	4.52 EUR
250+	4.16 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.25 EUR
2500+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

auf Bestellung 17252 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
10+	5.62 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.78 EUR
1000+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQ4401EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 25895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.05 EUR
5000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4401EY-T1_GE3

auf Bestellung 25895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.57 EUR
53+	2.88 EUR
100+	2.63 EUR
200+	2.51 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	1.96 EUR
2500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SQ4410EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V

auf Bestellung 5801 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.56 EUR
18+	2.91 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.56 EUR
2500+	1.47 EUR
5000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.21 EUR
10+	3.76 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFET 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 22201 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.56 EUR
18+	2.91 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.56 EUR
2500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.42 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.31 EUR
78+	1.95 EUR
79+	1.77 EUR
100+	1.42 EUR
250+	1.28 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 68

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30 V

auf Bestellung 17680 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.65 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.06 EUR
2500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.31 EUR
78+	1.95 EUR
79+	1.77 EUR
100+	1.42 EUR
250+	1.28 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 68

SQ4425EY-T1_GE3

auf Bestellung 35617 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.42 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.91 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4425EY-T1_GE3

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.99 EUR
5000+	1.91 EUR
12500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4425EY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 26380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.5 EUR
14+	3.74 EUR
100+	2.96 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.13 EUR
2500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQ443-13110

First Sensor

Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

auf Bestellung 2493 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
14+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V

auf Bestellung 42315 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
27+	1.96 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.99 EUR
5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 124840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

auf Bestellung 7383 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
12+	2.18 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQ4431EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 124840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFET 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3541 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.57 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.16 EUR
2500+	1.08 EUR
5000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQ4435BEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4435EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.33 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4435EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30 V

auf Bestellung 2436 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
19+	2.76 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.47 EUR
2500+	1.39 EUR
5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4435EY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 11405 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
19+	2.76 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.47 EUR
2500+	1.34 EUR
5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SQ4435EY-T1_GE3

auf Bestellung 2317 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.33 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4435EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

auf Bestellung 14503 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.54 EUR
5000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 7.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 7.1
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4470EY-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 12955 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.85 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	1.75 EUR
2500+	1.63 EUR
5000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ4470EY-T1_GE3

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4483BEEY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4483BEEY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483BEEY-T1-GE3

Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.8 EUR
5000+	1.73 EUR
12500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 23793 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.06 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.7 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	1.93 EUR
2500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQ4483BEEY-T1_GE3

Automotive P-Channel 30 V MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4483EEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 22A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1913 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.43 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V

auf Bestellung 3730 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.5 EUR
5000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 56356 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.45 EUR
5000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQ4483EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4483EY-T1_GE3

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.43 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQ4483EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ44PL210

Souriau

Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4532470JMB

4532(1812)

auf Bestellung 6700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532470JMB

auf Bestellung 3350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532560JMB

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532560JMB

4532(1812)

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532561JSB

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532680J9C

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532681KAB

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2369 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

169+	0.93 EUR
185+	0.82 EUR
186+	0.78 EUR
215+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 169

SQ4532AEY-T1_BE3

MOSFET N/P CHANNEL 30V

auf Bestellung 25301 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.01 EUR
32+	1.65 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
16+	1.64 EUR
100+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021
Verlustleistung Pd: 3.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 3.3
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.3
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3178 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
15+	1.79 EUR
25+	1.7 EUR
100+	1.4 EUR
250+	1.31 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 24873 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
31+	1.68 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SQ48-5D-500

ASIA

K1-2

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ48-5D500

ASIA

1999

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4840CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

auf Bestellung 4766 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	3.02 EUR
21+	2.49 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.4 EUR
2500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SQ4840EY

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4840EY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4840EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4840EY-T1-GE3

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

auf Bestellung 12488 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.7 EUR
10+	6.45 EUR
25+	6.08 EUR
100+	5.23 EUR
250+	4.94 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

auf Bestellung 1963 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.45 EUR
10+	7.59 EUR
100+	6.22 EUR
500+	5.29 EUR
1000+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.7 EUR
10+	6.45 EUR
25+	6.08 EUR
100+	5.23 EUR
250+	4.94 EUR
500+	4.65 EUR
1000+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQ4850CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V

auf Bestellung 3902 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.42 EUR
27+	1.99 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.12 EUR
2500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQ4850EY

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4850EY-T1-E3

auf Bestellung 87520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4850EY-T1-GE3

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ4850EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

auf Bestellung 57843 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.2 EUR
20+	2.6 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.4 EUR
2500+	1.32 EUR
5000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ4850EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2497 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
11+	2.57 EUR
100+	2 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQ4850EY-T1_GE3

MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 59216 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
23+	2.27 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.3 EUR
2500+	1.25 EUR
5000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

187+	0.84 EUR
197+	0.77 EUR
198+	0.73 EUR
199+	0.7 EUR
211+	0.64 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 187

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.3 EUR
5000+	1.24 EUR
12500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.9A; 6.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 6.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

197+	0.8 EUR
198+	0.76 EUR
199+	0.73 EUR
211+	0.66 EUR
250+	0.63 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 197

SQ4850EY-T1_GE3

auf Bestellung 5520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ4850EY-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ4850EY-T1_GE3