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Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

auf Bestellung 386684 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

64+	0.81 EUR
77+	0.68 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.35 EUR
6500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 64

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

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SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

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SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

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SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 2.53 mohm a. 10V, 3.45 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 4740 Stücke:

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20+	2.6 EUR
25+	2.15 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.09 EUR
6000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

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SQS140ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 8075 Stücke:

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17+	3.09 EUR
21+	2.54 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.35 EUR
3000+	1.25 EUR
6000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
10+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 10305 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
27+	1.96 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.47 EUR
3000+	1.25 EUR
6000+	1.22 EUR
9000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQS141ELNW-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -79A
Pulsed drain current: -227A
Power dissipation: 119W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 141nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 3810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS141ELNW-T1_GE3

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SQS141ELNW-T1_GE3

auf Bestellung 3810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

auf Bestellung 3044 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
12+	2.23 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 6550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

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SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 24434 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS142ENW-T1/GE3

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SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V

auf Bestellung 2958 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
13+	2.16 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS142ENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 271A
Power dissipation: 113W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

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SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V

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SQS142ENW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 29189 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.81 EUR
6000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS142ENW-T1_GE3

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SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 74261 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.37 EUR
27+	1.96 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	0.99 EUR
6000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

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SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 11823 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
31+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.29 EUR
3000+	1.09 EUR
6000+	1.07 EUR
9000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS16A33R0JL

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP

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SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

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SQS16B-2002JS

03+

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS16B1000FS

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

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SQS16B1001JL

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

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SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

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SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS16B47010JL

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

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SQS16B4701JL

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS180ELNW

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

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SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

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SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

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SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 7144 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.56 EUR
25+	2.1 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.57 EUR
3000+	1.34 EUR
6000+	1.31 EUR
9000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

Produkt ist nicht verfügbar

SQS180ELNW-T1_GE3

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9033 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

auf Bestellung 5295 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.44 EUR
27+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2967 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
14+	1.97 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 12980 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.56 EUR
25+	2.1 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 5381 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
32+	1.67 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.25 EUR
3000+	1.06 EUR
6000+	1.04 EUR
9000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SQS20B-1001FS

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS24A1001FS

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

Produkt ist nicht verfügbar

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

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SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

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SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

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SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 6798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

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SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.9 EUR
6000+	0.85 EUR
9000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS401EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

auf Bestellung 987823 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.18 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 108247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
15+	1.77 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 108781 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQS401EN-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

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SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SQS401EN-T1_GE3
Produktcode: 183342

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 1921 Stücke:

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SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

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SQS401EN-T1_GE3

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SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

auf Bestellung 4830 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 141950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.55 EUR
23+	2.28 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQS405CENW

SQS405CENW

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SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

auf Bestellung 17795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

auf Bestellung 28893 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.77 EUR
34+	1.54 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.95 EUR
3000+	0.8 EUR
6000+	0.79 EUR
9000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

auf Bestellung 17795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2977 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.49 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20778 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

Produkt ist nicht verfügbar

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR
9000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS405ENW-T1_GE3

auf Bestellung 2590 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS405ENW-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4731 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 71948 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
30+	1.75 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.99 EUR
6000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 28993 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
14+	1.92 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 28993 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.93 EUR
9000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.89 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

auf Bestellung 3303 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 8402 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

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SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

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SQS414CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 1023 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.83 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

auf Bestellung 24038 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.47 EUR
26+	2.03 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	1.03 EUR
6000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.02 EUR
6000+	0.97 EUR
9000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

auf Bestellung 13083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.47 EUR
13+	2.02 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SQS420EN-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 13865 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.03 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

auf Bestellung 5975 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

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SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3015 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFET 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

auf Bestellung 2059 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.3 EUR
29+	1.83 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

auf Bestellung 2674 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

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SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

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SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 61799 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.94 EUR
11+	2.41 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.22 EUR
6000+	1.16 EUR
9000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS460EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

auf Bestellung 34072 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
31+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 90456 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.99 EUR
22+	2.47 EUR
100+	1.91 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.32 EUR
3000+	1.24 EUR
6000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

auf Bestellung 5200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.94 EUR
11+	2.41 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 37852 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
31+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

auf Bestellung 12090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
14+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.01 EUR
6000+	0.96 EUR
9000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2893 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
14+	1.94 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS462EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 11900 Stücke:

Lieferzeit 184-198 Tag (e)

21+	2.57 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.16 EUR
3000+	1.08 EUR
6000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm

auf Bestellung 4896 Stücke:

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SQS481ENW-T1_GE3

MOSFET -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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26+	2.01 EUR
33+	1.62 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17583 Stücke:

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13+	2.03 EUR
16+	1.66 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQS481ENW-T1_GE3

auf Bestellung 4896 Stücke:

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SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.84 EUR
6000+	0.8 EUR
9000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

auf Bestellung 7987 Stücke:

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13+	2.11 EUR
16+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR

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SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS482EN-T1_GE3

MOSFET 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

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24+	2.22 EUR
27+	2 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

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SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

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SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

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SQS484CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 8997 Stücke:

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25+	2.1 EUR
29+	1.85 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.03 EUR
3000+	0.83 EUR

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SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

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SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

auf Bestellung 266620 Stücke:

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29+	1.84 EUR
35+	1.51 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 5497 Stücke:

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11+	2.37 EUR
13+	2.11 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 14249 Stücke:

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10+	2.63 EUR
12+	2.34 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS484EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 5377 Stücke:

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21+	2.49 EUR
24+	2.24 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.14 EUR
3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 34750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
14+	1.87 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.82 EUR
6000+	0.78 EUR
9000+	0.72 EUR
30000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 14980 Stücke:

Lieferzeit 1188-1202 Tag (e)

23+	2.32 EUR
26+	2.05 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 26800 Stücke:

Lieferzeit 695-709 Tag (e)

22+	2.42 EUR
25+	2.14 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17918 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
14+	1.95 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.85 EUR
6000+	0.81 EUR
9000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

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SQS660CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 71344 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.18 EUR
27+	1.94 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.85 EUR
9000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

auf Bestellung 12872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

auf Bestellung 12872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

auf Bestellung 5386 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.69 EUR
36+	1.45 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 31

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4854 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.69 EUR
18+	1.45 EUR
100+	1 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

auf Bestellung 5953 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
14+	1.94 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS840EN-T1_GE3

MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
27+	1.99 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1863 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
14+	1.94 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
14+	1.95 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

auf Bestellung 4911 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
14+	1.95 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 17114 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.88 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	0.96 EUR
5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 28

SQS940ELNW-T1/GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 26294 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
29+	1.82 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.91 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 42073 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
28+	1.89 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.03 EUR
3000+	0.98 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8691 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.86 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

Produkt ist nicht verfügbar

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
14+	1.87 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 33380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.96 EUR
6000+	0.94 EUR
9000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 31563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.87 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.95 EUR
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SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18455 Stücke:

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11+	2.55 EUR
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100+	1.63 EUR
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SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

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3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR
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SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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21+	2.56 EUR
25+	2.11 EUR
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500+	1.39 EUR
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SQSA82CENW-T1/GE3

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SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
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SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 37mohms SG

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34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
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500+	0.78 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.53 EUR
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SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

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SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

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SQSA82CENW-T1_GE3

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SQSA84CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.57 EUR

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SQSA84CENW-T1_GE3

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SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

auf Bestellung 22788 Stücke:

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36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.53 EUR

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SQSA84CENW-T1_GE3