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Crimpers / Crimping Tools SQS Applicator and Die Set

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS-A03GF-P-P

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

auf Bestellung 378811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.49 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.21 EUR
6500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS121ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS121ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS124ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.27 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS124ELNW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2848 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
10+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 6062 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 1819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.68 EUR
6000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.36 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS141ELNW-T1_GE3

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS141ELNW-T1_GE3

SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ELNW

MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

auf Bestellung 24226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1872 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 6550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ENW-T1/GE3

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ENW-T1_GE3

SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFETs

auf Bestellung 37239 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.49 EUR
10+	1.31 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS146ELNW-T1/GE3

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS146ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 1009 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.38 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS146ENW-T1/GE3

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS146ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.32 EUR
12+	1.51 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 71940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS161ELNW-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.92 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.78 EUR
6000+	0.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1937 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 6850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS166ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 3692 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.49 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
24+	0.76 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.6 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16A33R0JL

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP
Packaging: Tube
Resistance (Ohms): 33
Tolerance: ±5%
Power Per Element: 100mW
Circuit Type: Isolated
Number of Pins: 16
Package / Case: 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.193" L x 0.154" W (4.89mm x 3.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-QSOP, 16-SSOP
Height - Seated (Max): 0.069" (1.75mm)
Number of Resistors: 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B-2002JS

03+

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B1000FS

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B1001JL

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B47010JL

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS16B4701JL

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS174ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 0.0038 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS174ELNW-T1_GE3

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS174ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 6502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.53 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS178ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW

MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
15+	1.21 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1_GE3

auf Bestellung 1956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 1319 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.28 EUR
25+	1.26 EUR
100+	1.13 EUR
500+	1.09 EUR
3000+	0.92 EUR
6000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2967 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
14+	1.33 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

auf Bestellung 5140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 25085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11834 Stücke:

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8+	2.41 EUR
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500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

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SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

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SQS181ELNW-T1_GE3

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SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.66 EUR
9000+	0.65 EUR

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SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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2+	1.68 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.88 EUR
250+	0.87 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2736 Stücke:

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10+	1.85 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.92 EUR
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1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SQS201CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 8444 Stücke:

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100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.53 EUR

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SQS20B-1001FS

auf Bestellung 51 Stücke:

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SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

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SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

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SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

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SQS24A1001FS

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

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SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

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SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

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SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

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SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

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SQS2F-02-1T

Automotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART

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SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

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SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

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SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

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SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25

auf Bestellung 2997 Stücke:

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SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

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SQS401EN-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

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10+	1.18 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.58 EUR

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SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 61314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
14+	1.27 EUR
100+	1 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.63 EUR
6000+	0.6 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 1921 Stücke:

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SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

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SQS401EN-T1_GE3
Produktcode: 183342

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SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

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SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 108781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

auf Bestellung 4830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 141950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW

SQS405CENW

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SQS405CENW-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 17714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 17714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

auf Bestellung 23781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.5 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.67 EUR
9000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20778 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4731 Stücke:

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SQS405ENW-T1_GE3

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SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SQS405ENW-T1_GE3

auf Bestellung 2590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.66 EUR
6000+	0.65 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

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SQS407ENW-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 71475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.11 EUR
13+	1.44 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0273 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4510 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
13+	1.41 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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SQS411ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

auf Bestellung 4969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.38 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
18+	1 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 33129 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1 GE3

MOSFETs POWRPK P CHAN 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

auf Bestellung 10729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	0.95 EUR
25+	0.94 EUR
100+	0.85 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

235+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 235

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4823 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

227+	0.64 EUR
229+	0.61 EUR
230+	0.58 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 227

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

235+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 235

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	0.66 EUR
227+	0.62 EUR
229+	0.59 EUR
230+	0.56 EUR
250+	0.54 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 219

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1052 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
9000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS420EN-T1_GE3

MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 22356 Stücke:

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2+	2.04 EUR
10+	1.37 EUR
100+	1.04 EUR
250+	1.03 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.76 EUR

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SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

auf Bestellung 5975 Stücke:

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SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

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SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3015 Stücke:

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SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

auf Bestellung 2750 Stücke:

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SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

auf Bestellung 2674 Stücke:

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SQS423ENW-T1_GE3

MOSFETs 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

auf Bestellung 13274 Stücke:

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2+	1.66 EUR
10+	1.27 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

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SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

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SQS460CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS460CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2266 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	0.99 EUR
25+	0.98 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SQS460CENW-T1_GE3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

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SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 57855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.8 EUR
6000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS460EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

auf Bestellung 30487 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.91 EUR
3000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS460EN-T1_GE3

auf Bestellung 3353 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SQS460EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 74865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.91 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SQS460EN-T1_GE3

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SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5041 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS460ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14352 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 31669 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.65 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15060 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4078 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
12+	1.55 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS462ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
17+	1.09 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 1.095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS481ENW-T1_GE3

MOSFETs -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 123346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2576 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
12+	1.52 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.63 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3822 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482EN-T1_GE3

MOSFETs 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 2160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.31 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFETs 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 2539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS482ENW-T1_GE3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 9629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.49 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V

auf Bestellung 247369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.66 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.85 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 5497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4859 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.02 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.66 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

auf Bestellung 14249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
12+	1.58 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 35201 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.22 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR
15000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 8945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SQS484ENW-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 4412 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS486CENW-T1 GE3

MOSFET 40V N-CHANNEL (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

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SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17918 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.85 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS486CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5727 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS486CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5727 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 26496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.38 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
14+	1.32 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 63340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.33 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFETs 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

auf Bestellung 6566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.04 EUR
25+	1.02 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 12532 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 12532 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8928 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.11 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS840EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 2959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.56 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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SQS850EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS850EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQS850EN-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 12770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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SQS850EN-T1_GE3

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS940ELNW-T1/GE3

Produkt ist nicht verfügbar

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SQS940ELNW-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

Produkt ist nicht verfügbar

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SQS944ENW-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 15019 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS965ELNW-T1_GE3

MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

auf Bestellung 2065 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SQS966ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS966ENW-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 10313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

auf Bestellung 40122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.51 EUR
10+	1.1 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQS966ENW-T1_GE3

auf Bestellung 10313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 20678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 31563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.55 EUR
14+	1.27 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0554ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3547 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR
9000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3547 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
13+	1.42 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 7366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.72 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

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SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SQSA82CENW-T1/GE3

MOSFETs

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SQSA82CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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27+	0.67 EUR
100+	0.57 EUR
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SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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10+	0.68 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
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SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR

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SQSA82CENW-T1_GE3

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SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

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SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

auf Bestellung 22786 Stücke:

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3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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18+	1 EUR
21+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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SQSA84CENW-T1_GE3

SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SQSA84CENW-T1_GE3