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Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM09N20-270-E3

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SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

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SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

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SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM10250E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhancement

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26+	2.76 EUR
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SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

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SUM10250E-GE3

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SUM10250E-GE3

MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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10+	4.26 EUR
100+	2.99 EUR
2400+	2.87 EUR
5600+	2.82 EUR

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SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM10250E-GE3

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16+	4.62 EUR
26+	2.76 EUR
28+	2.60 EUR
50+	2.56 EUR
100+	2.50 EUR

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SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

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SUM10F0FM120

Amphenol Positronic

Array

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SUM10M0FM00

Amphenol Positronic

Array

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SUM110N02-03

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SUM110N02-03P

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SUM110N03-03

auf Bestellung 8000 Stücke:

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SUM110N03-03P

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SUM110N03-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V

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SUM110N03-04P
Produktcode: 167466

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SUM110N03-04P

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

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SUM110N03-04P

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SUM110N03-04P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

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SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

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SUM110N03-04P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3

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SUM110N03-04P-T1-E3

MOSFET

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SUM110N04

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SUM110N04-02L

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SUM110N04-02L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3

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SUM110N04-02L

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM110N04-02L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

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SUM110N04-03

MOSFETs OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3

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SUM110N04-03-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V

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SUM110N04-03-E3

MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V

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SUM110N04-03L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3

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SUM110N04-03L

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SUM110N04-03P

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

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SUM110N04-03P

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N04-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

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SUM110N04-03P-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

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SUM110N04-04

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N04-04-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N04-04-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N04-05H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N04-05H-E3

MOSFET 40V 110A 150W

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

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SUM110N04-2M1P-E3

08+ DO

auf Bestellung 500 Stücke:

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SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

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SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM110N04-2M1P-E3
Produktcode: 164383

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

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SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

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SUM110N04-2M3L

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N04-2M3L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N04-2M3L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

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SUM110N04-2M7H-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

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SUM110N05

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N05-06L

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N05-06L

MOSFET 55V 110A 158W

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SUM110N05-06L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

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SUM110N05-06L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N05-06L-E3

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N05-06L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N05-06L-T1-E3

MOSFET

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SUM110N05H

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N06-04L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N06-04L

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N06-04L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N06-05L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-05L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-05L-T1-E3

MOSFET

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SUM110N06-06

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N06-06-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N06-3M4L

T2BAC

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M4L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M9H-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-05

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N08-05

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-05-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110N08-07

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N08-07L

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110N08-07L

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-10

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-10

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-10-E3

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N08-10-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-0

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-08

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110N10-09-E3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09

07+

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.73 EUR
22+	3.39 EUR
23+	3.20 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	5.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.80 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

MOSFETs 100V 110A 375W

auf Bestellung 1218 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.81 EUR
10+	5.39 EUR
100+	3.84 EUR
800+	3.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.73 EUR
22+	3.39 EUR
23+	3.20 EUR
800+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

auf Bestellung 3236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.59 EUR
10+	5.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110N1009

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.60 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM1

auf Bestellung 1041 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.88 EUR
10+	6.00 EUR
25+	5.54 EUR
100+	4.51 EUR
250+	4.31 EUR
500+	3.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.49 EUR
50+	3.28 EUR
500+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

auf Bestellung 11370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.36 EUR
10+	6.31 EUR
100+	4.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.50 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.00 EUR
2400+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

auf Bestellung 31850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.60 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.10 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.00 EUR
2400+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.29 EUR
30+	4.81 EUR
33+	4.21 EUR
100+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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SUM110P04-05-E3

MOSFETs 40V 110A 375W

auf Bestellung 6443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.48 EUR
10+	5.98 EUR
25+	5.74 EUR
100+	4.40 EUR
250+	4.38 EUR
800+	3.43 EUR
2400+	3.38 EUR

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

auf Bestellung 31910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.96 EUR
10+	6.31 EUR
100+	4.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUM110P04-05-E3

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5429 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P04-05-E3

P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	10.01 EUR
10+	8.63 EUR
100+	7.59 EUR

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SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.29 EUR
30+	4.81 EUR
33+	4.21 EUR
100+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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SUM110P06-07L

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110P06-07L

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110P06-07L

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	13.99 EUR
10+	12.05 EUR
100+	10.60 EUR

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SUM110P06-07L

TO-263

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110P06-07L

MOSFET,P CH,60V,110A,D2PAK

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	17.60 EUR
10+	15.84 EUR
100+	14.08 EUR

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SUM110P06-07L-E3

Siliconix

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.27 EUR
42+	3.30 EUR
100+	2.74 EUR
250+	2.62 EUR
500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 20800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

auf Bestellung 48334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.39 EUR
10+	5.50 EUR
100+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 36117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P06-07L-E3
Produktcode: 141393

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SUM110P06-07L-E3

SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 751 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.45 EUR
26+	2.82 EUR
27+	2.66 EUR
800+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.79 EUR
1600+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 20800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P06-07L-E3

MOSFETs 60V 110A 375W

auf Bestellung 11441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.02 EUR
10+	5.21 EUR
25+	5.09 EUR
100+	3.91 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.50 EUR
800+	3.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.81 EUR
1600+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.27 EUR
42+	3.30 EUR
100+	2.74 EUR
250+	2.62 EUR
500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.24 EUR
1600+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P06-07L-E3

auf Bestellung 36117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P06-07L-E3-L

MOSFETs 60V 110A 375W

Produkt ist nicht verfügbar

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sum110p06-08l

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

auf Bestellung 1831 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.00 EUR
10+	5.18 EUR
100+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4857 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 777 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.30 EUR
36+	2.03 EUR
38+	1.92 EUR
1600+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.27 EUR
1600+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

auf Bestellung 4857 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

auf Bestellung 777 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.30 EUR
36+	2.03 EUR
38+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l

auf Bestellung 258 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P06-08L-E3

MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

auf Bestellung 154736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.88 EUR
10+	5.09 EUR
25+	4.42 EUR
100+	3.87 EUR
250+	3.84 EUR
500+	3.50 EUR
800+	3.48 EUR

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SUM110P0608LE3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110P08-11-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110P08-11L

09+ SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110P08-11L

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.69 EUR
17+	4.42 EUR
18+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.53 EUR
1600+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 25525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM110P08-11L-E3

MOSFETs 80V 110A 375W

auf Bestellung 84886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.06 EUR
10+	6.16 EUR
100+	4.42 EUR
500+	3.82 EUR

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SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM110P08-11L-E3

auf Bestellung 25525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

auf Bestellung 36976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.41 EUR
10+	6.20 EUR
100+	4.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM11N08-07

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM120N04-1M7L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM120N04-1M7L-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM120N04-1M7L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM1234

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM1500RMXL2U

American Power Conversion

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM1500RMXL2U

UPS Line Interactive Rack Mount 120V 1425W 1440VA

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM1500RMXLI2U

American Power Conversion

UPS Rack Mount/Tower 230V 1425W 1500VA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM1500RMXLI2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 1500VA 230V Rackmount/Tower

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM18N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM23N15-73

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM23N15-73-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM25P10-138-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM25P10-138-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM27N20

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM27N20-78

DO-41

auf Bestellung 4000000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM2891 ISS.1 FAIR

SUM2891 ISS.1 FAIR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3000RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3016-1 ISS. 14

SUM3016-1 ISS. 14

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3016-10 ISS. 14

SUM3016-10 ISS. 14

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3016-2 ISS.14

SUM3016-2 ISS.14

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM36N20-54P

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40010EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40010EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.30 EUR
10+	4.13 EUR
100+	2.90 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40010EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40010EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.29 EUR
10+	3.64 EUR
25+	3.59 EUR
100+	3.12 EUR
2400+	2.97 EUR
4800+	2.92 EUR

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SUM40010EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.03 EUR
1600+	1.89 EUR
2400+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM40012EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM40012EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM40012EL-GE3

MOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-263

auf Bestellung 1761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.80 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.60 EUR
800+	1.95 EUR

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SUM40012EL-GE3

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

auf Bestellung 2408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.77 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SUM40012EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD

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SUM40012EL-GE3

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SUM40014M-GE3

MOSFETs TO263 N CHAN 40V

auf Bestellung 4586 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.85 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.75 EUR

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SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.74 EUR
1600+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM40014M-GE3

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2082 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM40014M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD

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SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.76 EUR
43+	3.21 EUR
50+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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SUM40014M-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM40014M-GE3

auf Bestellung 2082 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

auf Bestellung 4879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.90 EUR
10+	4.57 EUR
100+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM40N02-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK

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SUM40N05-19L-E3

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM40N10-30

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM40N10-30-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM40N10-30-E3

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40N15-38-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40N15-38-E3

MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V

auf Bestellung 1407 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4285 ISS.1 FAIR

SUM4285 ISS.1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4293 ISS. 1 FAIR

SUM4293 ISS. 1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4298 ISS. 2 FAIR

London Nameplate Manufacturing

SUM4298 ISS. 2 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Invotec Group

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4460 FAIR

SUM4460 FAIR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58

MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.80 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.08 EUR
10+	5.95 EUR
100+	4.80 EUR
500+	4.45 EUR
800+	3.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

auf Bestellung 4420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.27 EUR
10+	5.75 EUR
100+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4685-1 ISS. 3

SUM4685-1 ISS. 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4760-1 ISS.1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4792

SUM4792

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM4792 FAIR

SUM4792 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM47N10

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

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SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM47N10-24L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM4810 ISS. 3 FAIR

SUM4810 ISS. 3 FAIR

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SUM48RMXLBP2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack

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SUM48RMXLBP2U

Schneider Electric

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack

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SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.18 EUR
50+	2.88 EUR
100+	2.52 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 47

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SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM50010E-GE3

MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 1811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.44 EUR
10+	4.75 EUR
25+	4.21 EUR
100+	3.64 EUR
250+	3.38 EUR
500+	2.87 EUR

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SUM50010E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.80 EUR
10+	5.16 EUR
100+	3.66 EUR
800+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM50010EL-GE3

MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C

auf Bestellung 727 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.78 EUR
10+	5.68 EUR
25+	5.37 EUR
100+	4.59 EUR
250+	4.35 EUR
500+	4.10 EUR
800+	3.50 EUR

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SUM50010EL-GE3

Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM50010EL-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET D2PAK (TO-263) 250M SG , 1.75 m @ 10V 2.2 m @ 7.5V m @ 4.5V

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SUM50020E-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

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SUM50020E-GE3

MOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3

auf Bestellung 2627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.37 EUR
10+	3.82 EUR
25+	3.45 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.71 EUR
500+	2.32 EUR
800+	2.25 EUR

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SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SUM50020EL-GE3

Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

auf Bestellung 1094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SUM50020EL-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SUM50020EL-GE3

auf Bestellung 747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors

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SUM50N03

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM50N03-13LC

auf Bestellung 19975 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM50N03-13LC-E3

MOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal

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SUM50N03-13LC-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

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SUM50N06-16L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM50N06-16L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM50P10-42-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263

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SUM50UF

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM52N20-39P

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM52N20-39P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM5550A

SUM

04+ TSSOP-28P

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55N03-16P-E3

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L

09+ DIP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 1124 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.87 EUR
54+	1.33 EUR
57+	1.26 EUR
9600+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

auf Bestellung 3913 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.45 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.37 EUR
3200+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 463 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 23200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.73 EUR
1600+	1.52 EUR
2400+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.03 EUR
1600+	1.94 EUR
2400+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 23200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

MOSFETs 60V 55A 125W

auf Bestellung 2036 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.63 EUR
10+	3.34 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.71 EUR
800+	2.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM55P0619L

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

MOSFETs TO263 N CHAN 80V

auf Bestellung 18437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.81 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.19 EUR
500+	2.48 EUR
800+	2.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.79 EUR
10+	4.31 EUR
100+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.03 EUR
75+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.83 EUR
55+	2.62 EUR
100+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 53

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

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SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM60020E-GE3

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.03 EUR
75+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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SUM60030E-GE3

Description: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM60030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.68 EUR
10+	4.25 EUR
100+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SUM60030E-GE3

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM60030E-GE3

MOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

auf Bestellung 2059 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.54 EUR
10+	4.15 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.68 EUR
2400+	2.57 EUR
4800+	2.46 EUR

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SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM60061EL-GE3

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors

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SUM60061EL-GE3

MOSFETs SC70 P CHAN 80V

auf Bestellung 10668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.24 EUR
10+	7.06 EUR
100+	5.19 EUR
2400+	4.98 EUR
5600+	4.89 EUR

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SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.44 EUR
10+	7.23 EUR
100+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60061EL-GE3

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM60N02-3M9P-E3

MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N02-3M9P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N02-3M9P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM60N04-05C

auf Bestellung 599 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-05LT-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-05T-E3

MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode

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SUM60N04-06T

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-06T-E3

MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-12

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-12LT

09+

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-12LT

auf Bestellung 5852 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-12LT

MOSFET 40V 60A 110W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-12LT-E3

MOSFET 40V 60A 110W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-12LT-E3

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N04-1ZLT

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N0412LT

N/A

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N06-15

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N06-15-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

MOSFETs 100V 60A 150W

auf Bestellung 1618 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.70 EUR
10+	3.92 EUR
25+	3.91 EUR
100+	2.99 EUR
800+	2.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.98 EUR
60+	2.30 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Description: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2117 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.86 EUR
10+	4.04 EUR
100+	3.20 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.98 EUR
60+	2.30 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.20 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 660 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	2.39 EUR
34+	2.16 EUR
44+	1.63 EUR
47+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60N10-17-E3

auf Bestellung 660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	2.39 EUR
34+	2.16 EUR
44+	1.63 EUR
47+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60P05

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60P05-11LT

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60P05-11LT-E3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM60P05-11LT-E3

Trans MOSFET P-CH 55V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM65N20-30

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM65N20-30

MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.10 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM65N20-30-E3

MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

auf Bestellung 3167 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.20 EUR
10+	5.81 EUR
100+	4.44 EUR
800+	4.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM65N20-30-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

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3+	7.76 EUR
10+	5.68 EUR
100+	4.35 EUR

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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800+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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800+	3.15 EUR

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SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM65N20-30-E3

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SUM65N20-30-E3
Produktcode: 192327

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SUM6600HR

SOP-56L

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SUM6600HR

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SUM6K1N

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SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70030E-GE3

Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

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SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70030E-GE3

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SUM70030E-GE3

MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-263

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1+	7.37 EUR
10+	5.12 EUR
100+	3.64 EUR
800+	2.89 EUR

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SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

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3+	6.78 EUR
10+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

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SUM70030M-GE3

MOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.34 EUR
10+	4.89 EUR
100+	3.50 EUR
800+	2.76 EUR

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SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM70030M-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

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SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM70030M-GE3

SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors

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SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.82 EUR
60+	2.29 EUR
100+	1.94 EUR
250+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 53

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SUM70040E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD

auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.73 EUR
26+	2.77 EUR
28+	2.62 EUR
50+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 1566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.83 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM70040E-GE3

auf Bestellung 1018 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70040E-GE3

auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.73 EUR
26+	2.77 EUR
28+	2.62 EUR
50+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.82 EUR
60+	2.29 EUR
100+	1.94 EUR
250+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 53

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM70040E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	3.66 EUR
25+	3.63 EUR
100+	2.82 EUR
800+	2.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040E-GE3-X

MOSFETs

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SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors

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SUM70040M-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

auf Bestellung 2234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.93 EUR
10+	4.00 EUR
25+	3.57 EUR
100+	3.10 EUR
250+	2.85 EUR
500+	2.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.83 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5084 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube

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SUM70042E-GE3

SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM70042E-GE3

MOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.02 EUR
10+	4.08 EUR
100+	2.90 EUR
500+	2.34 EUR

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SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5084 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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SUM70042E-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.69 EUR
10+	4.39 EUR
100+	3.09 EUR
800+	2.40 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM70042M

SUM70042M

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SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.70 EUR
10+	7.20 EUR
100+	5.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUM70042M-GE3

MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

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SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

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SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70060E-GE3

SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

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SUM70060E-GE3
Produktcode: 180235

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SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.70 EUR
10+	3.05 EUR
100+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70060E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 11113 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.87 EUR
10+	2.90 EUR
100+	2.06 EUR
800+	1.51 EUR

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SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM70090E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 4149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.74 EUR
800+	1.51 EUR

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SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.91 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70101EL-GE3

SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors

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SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.24 EUR
1600+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 3154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.53 EUR
10+	5.26 EUR
100+	4.01 EUR
800+	3.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	14.95 EUR
10+	12.88 EUR
100+	11.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.29 EUR
34+	4.27 EUR
35+	4.04 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

auf Bestellung 4933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.32 EUR
10+	5.74 EUR
100+	4.10 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N03-09CP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N03-09CP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N03-09CP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM70N04-07L

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N04-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N04-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N06-11

auf Bestellung 4080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM70N06-11-E3

09+ TO252

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM75N04-05L

auf Bestellung 9900 Stücke:

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SUM75N06-09L

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM75N06-09L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3

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SUM75N06-09L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

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SUM75N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM75N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM75N06-09L-T1-E3

MOSFET

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SUM75N15-18P-E3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM75N15-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263

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SUM75N15-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM80090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

auf Bestellung 2181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.83 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM80090E-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 7410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.80 EUR
10+	4.05 EUR
25+	3.82 EUR
100+	3.26 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.92 EUR

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SUM80090E-GE3

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 15866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM80090E-GE3

SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.46 EUR
1600+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM80090E-GE3

auf Bestellung 15866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM85N02-05P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM85N03-06P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM85N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

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SUM85N03-07P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM85N03-07P

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM85N03-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM85N03-08P

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM85N15-19

auf Bestellung 31200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM85N15-19-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM85N15-19-E3

MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.20 EUR
10+	7.15 EUR
25+	6.74 EUR
100+	5.77 EUR
250+	5.67 EUR
500+	5.07 EUR
800+	4.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM85N15-19-E3

Description: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM85N15-19-E3

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.13 EUR
10+	7.67 EUR
100+	6.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM85N15-19-E3

Description: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM865070

CELDUC

SUM865070 One Phase Solid State Relays

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM865070

Celduc Inc.

Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM867070

CELDUC

SUM867070 One Phase Solid State Relays

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM867070

Celduc

SINGLE PHASE POWER SOLID CONTACTOR

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	202.61 EUR
5+	180.79 EUR

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SUM90100E-GE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90100E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 150A Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90100E-GE3

MOSFETs TO263 200V 150A N-CH MOSFET

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.92 EUR
10+	5.14 EUR
25+	4.56 EUR
100+	3.98 EUR
250+	3.66 EUR
500+	3.45 EUR
800+	3.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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SUM90140E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.02 EUR
10+	4.24 EUR
25+	3.66 EUR
100+	3.26 EUR
250+	3.19 EUR
500+	3.13 EUR
800+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.58 EUR
45+	3.17 EUR
46+	3.03 EUR
100+	2.45 EUR
250+	2.31 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90140E-GE3

auf Bestellung 3966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.58 EUR
39+	3.73 EUR
41+	3.40 EUR
50+	3.24 EUR
100+	2.58 EUR
250+	2.45 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.58 EUR
39+	3.73 EUR
41+	3.40 EUR
50+	3.24 EUR
100+	2.58 EUR
250+	2.45 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

auf Bestellung 454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.13 EUR
10+	4.69 EUR
100+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 22093 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.91 EUR
10+	4.44 EUR
100+	3.38 EUR
2400+	3.24 EUR
5600+	3.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90142E-GE3

SUM90142E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90220E-GE3

Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1554 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

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SUM90220E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 3964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.35 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.31 EUR
500+	2.01 EUR

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SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM90220E-GE3

auf Bestellung 1554 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

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SUM90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 3038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.37 EUR
2400+	1.27 EUR
4800+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUM90330E-GE3

SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors

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SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

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SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

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SUM90330E-GE3

N-Channel 200 V MOSFET

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM90N03-2M2P

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM90N03-2M2P-E3
Produktcode: 82556

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SUM90N03-2M2P-E3

SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors

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SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM90N03-2M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90N03-2M2P-E3

MOSFETs 30V 90A 250W

auf Bestellung 572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.92 EUR
10+	4.89 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.70 EUR
800+	3.34 EUR

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SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

auf Bestellung 933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.08 EUR
10+	6.05 EUR
100+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUM90N04-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

auf Bestellung 5585 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

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SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

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SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N06-4M4P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

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SUM90N06-4M4P-E3

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUM90N06-5M5P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N06-5M5P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V

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SUM90N08-4M8P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SUM90N08-4M8P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V

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SUM90N08-6M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N08-6M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N08-6MP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N08-7M6P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N08-7M6P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.06 EUR
32+	4.56 EUR
34+	4.11 EUR
100+	3.21 EUR
250+	3.06 EUR
500+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.15 EUR
33+	2.17 EUR
35+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.06 EUR
32+	4.56 EUR
34+	4.11 EUR
100+	3.21 EUR
250+	3.06 EUR
500+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

auf Bestellung 3472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.91 EUR
10+	6.63 EUR
100+	4.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM90N10-8M2P-E3

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFETs 100V 90A 300W

auf Bestellung 628 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.29 EUR
10+	5.81 EUR
25+	5.76 EUR
100+	4.21 EUR
500+	4.03 EUR
800+	3.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90P10-19

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUM90P10-19-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

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SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 479 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

auf Bestellung 7844 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.29 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.90 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM90P10-19L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	5.03 EUR
19+	3.96 EUR
20+	3.75 EUR
50+	3.73 EUR
100+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.90 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.31 EUR
1600+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM90P10-19L-E3

MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

auf Bestellung 12172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.25 EUR
10+	5.86 EUR
25+	5.46 EUR
100+	4.40 EUR
2400+	4.22 EUR
4800+	4.15 EUR

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SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 479 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	5.93 EUR
28+	5.19 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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SUM90P10-19L-E3

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.03 EUR
19+	3.96 EUR
20+	3.75 EUR
50+	3.73 EUR
100+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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SUM90P10-19L-E3

Siliconix

Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	9.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SUM90P10-19L-E3

auf Bestellung 3046 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SUMIL25

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUMITOMO

Sumitomo Electric

69114095

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SUMMA01

auf Bestellung 2669 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUMMARY DATA P/L 59

Kyocera AVX

Kyocera AVX Components

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SUMMERREV1.1

CARRY

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SUMMESPBL35

DEL-SUMMESPBL35 Leg protection

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	39.40 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL36

DEL-SUMMESPBL36 Leg protection

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	51.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL37

DEL-SUMMESPBL37 Leg protection

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	43.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL38

DEL-SUMMESPBL38 Leg protection

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SUMMESPBL40

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 40; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Type of OSH component: shoes
Size: 40
Version: with metal toecap
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
Colour: yellow-blue
Material: cotton; polyester

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	49.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL40

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL41

DEL-SUMMESPBL41 Leg protection

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL42

DEL-SUMMESPBL42 Leg protection

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SUMMESPBL43

DEL-SUMMESPBL43 Leg protection

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL44

DEL-SUMMESPBL44 Leg protection

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SUMMESPBL45

DEL-SUMMESPBL45 Leg protection

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPBL46

DEL-SUMMESPBL46 Leg protection

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SUMMESPBL47

DEL-SUMMESPBL47 Leg protection

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SUMMESPBL48

DEL-SUMMESPBL48 Leg protection

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SUMMESPGR35

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 35; grey-orange; cotton,polyester; with metal toecap
Version: with metal toecap
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Type of OSH component: shoes
Size: 35
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Colour: grey-orange
Material: cotton; polyester
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SUMMESPGR35

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SUMMESPGR36

DEL-SUMMESPGR36 Leg protection

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SUMMESPGR37

DEL-SUMMESPGR37 Leg protection

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SUMMESPGR38

DEL-SUMMESPGR38 Leg protection

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPGR39

DEL-SUMMESPGR39 Leg protection

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPGR40

DEL-SUMMESPGR40 Leg protection

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SUMMESPGR41

DEL-SUMMESPGR41 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPGR42

DEL-SUMMESPGR42 Leg protection

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	51.19 EUR

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SUMMESPGR43

DEL-SUMMESPGR43 Leg protection

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SUMMESPGR44

DEL-SUMMESPGR44 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SUMMESPGR45

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 45; grey-orange; cotton,polyester; with metal toecap
Version: with metal toecap
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Type of OSH component: shoes
Size: 45
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Colour: grey-orange
Material: cotton; polyester
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUMMESPGR45