Produkte > SUM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.39 EUR
33+	4.62 EUR
35+	4.25 EUR
100+	3.6 EUR
250+	3.29 EUR
500+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SUM10250E-GE3

MOSFET 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2330 Stücke:

Lieferzeit 382-396 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	5.67 EUR
100+	4.58 EUR
500+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.86 EUR
31+	4.96 EUR
32+	4.54 EUR
100+	3.79 EUR
250+	3.44 EUR
500+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM10250E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0247
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110N02-03

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N02-03P

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N03-03

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N03-03P

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N03-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P
Produktcode: 167466

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N03-04P

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N03-04P-T1-E3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-02L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-02L

auf Bestellung 719 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-02L

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-02L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03-E3

MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03L

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-03L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03P

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03P

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-03P-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-04

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-04-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-04-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-05H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-05H-E3

MOSFET 40V 110A 150W

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M1P-E3

08+ DO

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110N04-2M1P-E3
Produktcode: 164383

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M3L

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N04-2M3L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M3L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N04-2M7H-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N05

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N05-06L

MOSFET 55V 110A 158W

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N05-06L

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N05-06L-E3

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N05-06L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N05-06L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N05-06L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N05-06L-T1-E3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N05H

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N06-04L

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N06-04L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-04L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-05L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-05L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-05L-T1-E3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-06

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-06-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M4L

T2BAC

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M4L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M9H-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-05

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-05

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N08-05-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-07

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N08-07L

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N08-07L

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-10

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N08-10

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N08-10-E3

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N08-10-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N10

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N10-0

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N10-08

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N10-09

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUM110N10-09-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N10-09

07+

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110N10-09-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.79 EUR
22+	3.3 EUR
23+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SUM110N10-09-E3

auf Bestellung 799 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.79 EUR
22+	3.3 EUR
23+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	5.45 EUR
1600+	4.66 EUR
2400+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110N10-09-E3

MOSFET 100V 110A 375W

auf Bestellung 3838 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.14 EUR
10+	8.5 EUR
25+	8.03 EUR
100+	6.86 EUR
250+	6.5 EUR
500+	6.11 EUR
800+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

auf Bestellung 4283 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.02 EUR
10+	7.58 EUR
100+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM110N1009

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P04-04L

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

auf Bestellung 16800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.55 EUR
1600+	5.61 EUR
2400+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 679 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.77 EUR
26+	5.6 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.23 EUR
500+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SUM110P04-04L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUM110P04-05-E3

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.08 EUR
10+	9.31 EUR
25+	8.89 EUR
100+	7.51 EUR
250+	7.31 EUR
500+	6.71 EUR
800+	5.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

auf Bestellung 17087 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.87 EUR
10+	9.11 EUR
100+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 679 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.7 EUR
26+	5.81 EUR
27+	5.55 EUR
100+	4.41 EUR
250+	4.19 EUR
500+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-05-E3

MOSFET 40V 110A 375W

auf Bestellung 19804 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.35 EUR
10+	8.81 EUR
25+	8.76 EUR
100+	7.41 EUR
250+	7.38 EUR
500+	7.15 EUR
800+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM110P04-05-E3

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm

auf Bestellung 5633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P04-05-E3

P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	11.06 EUR
10+	9.53 EUR
100+	8.38 EUR

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.63 EUR
1600+	5.68 EUR
2400+	5.35 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-05-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	5.99 EUR
17+	4.36 EUR
18+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SUM110P04-05-E3

auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	5.99 EUR
17+	4.36 EUR
18+	4.12 EUR
800+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P04-05-E3

auf Bestellung 5633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

auf Bestellung 49057 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11 EUR
10+	9.23 EUR
100+	7.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM110P06-07L

TO-263

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P06-07L

MOSFET,P CH,60V,110A,D2PAK

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	18.6 EUR
10+	16.74 EUR

SUM110P06-07L

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P06-07L

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P06-07L

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	15.46 EUR
10+	13.32 EUR
100+	11.71 EUR

SUM110P06-07L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1627 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.45 EUR
18+	4 EUR
26+	2.79 EUR
28+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.09 EUR
1600+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	5.45 EUR
1600+	4.67 EUR
2400+	4.39 EUR
5600+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P06-07L-E3

auf Bestellung 1627 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.45 EUR
18+	4 EUR
26+	2.79 EUR
28+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.88 EUR
30+	4.87 EUR
100+	3.89 EUR
250+	3.59 EUR
500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SUM110P06-07L-E3

MOSFET 60V 110A 375W

auf Bestellung 16047 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.14 EUR
10+	5.36 EUR
25+	5.33 EUR
100+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm

auf Bestellung 27920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 20800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.75 EUR
5600+	4.2 EUR
11200+	3.79 EUR
16800+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P06-07L-E3
Produktcode: 141393

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

auf Bestellung 108637 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.02 EUR
10+	7.58 EUR
100+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.45 EUR
1600+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.94 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 3.75W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 14523 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

sum110p06-08l

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 272W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4507 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.09 EUR
29+	5.28 EUR
30+	4.94 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

auf Bestellung 5112 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.53 EUR
10+	8.85 EUR
100+	7.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.15 EUR
29+	5.33 EUR
30+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 272W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4507 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

auf Bestellung 5112 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.36 EUR
1600+	5.45 EUR
2400+	5.13 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P06-08L-E3

MOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

auf Bestellung 167331 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.09 EUR
10+	8.5 EUR
25+	6.6 EUR
100+	5.8 EUR
250+	5.75 EUR
500+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM110P0608LE3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P08-11-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P08-11L

09+ SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P08-11L

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

auf Bestellung 35371 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.63 EUR
10+	8.93 EUR
100+	7.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	7.25 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P08-11L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 796 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.69 EUR
17+	4.38 EUR
18+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 375W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.58 EUR
4000+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P08-11L-E3

MOSFET 80V 110A 375W

auf Bestellung 96850 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.82 EUR
10+	9.1 EUR
25+	8.58 EUR
100+	7.36 EUR
250+	6.94 EUR
500+	6.53 EUR
800+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

auf Bestellung 35200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.42 EUR
1600+	5.5 EUR
2400+	5.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm

auf Bestellung 13470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM110P08-11L-E3

auf Bestellung 796 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.69 EUR
17+	4.38 EUR
18+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	5.61 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 19200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM11N08-07

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM120N04-1M7L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM120N04-1M7L-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM120N04-1M7L-GE3

APC by Schneider Electric

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM1234

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM1500RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

Produkt ist nicht verfügbar

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM18N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM23N15-73

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM23N15-73-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM25P10-138-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM25P10-138-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM27N20

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM27N20-78

DO-41

auf Bestellung 4000000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM2891 ISS.1 FAIR

APC by Schneider Electric

SUM2891 ISS.1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3000RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3016-1 ISS. 14

SUM3016-1 ISS. 14

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3016-10 ISS. 14

SUM3016-10 ISS. 14

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3016-2 ISS.14

SUM3016-2 ISS.14

Produkt ist nicht verfügbar

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM36N20-54P

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	3.98 EUR
1600+	3.41 EUR
2400+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM40010EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 3174 Stücke:

Lieferzeit 799-813 Tag (e)

8+	7.12 EUR
10+	6.34 EUR
100+	5.23 EUR
500+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM40010EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

auf Bestellung 4938 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.58 EUR
10+	5.54 EUR
100+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM40010EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40010EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40012EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40012EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40012EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM40012EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM40012EL-GE3

MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs TO-263

auf Bestellung 595 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.68 EUR
10+	5.95 EUR
100+	4.91 EUR
500+	4.06 EUR
800+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM40012EL-GE3

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM40014M-GE3

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00082ohm

auf Bestellung 2163 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM40014M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.86 EUR
1600+	4.16 EUR
2400+	3.92 EUR
5600+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM40014M-GE3

MOSFET 40V-DUAL N-CHANNEL

auf Bestellung 4617 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.11 EUR
10+	6.79 EUR
25+	6.4 EUR
100+	5.49 EUR
250+	5.2 EUR
500+	4.89 EUR
800+	4.19 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.98 EUR
43+	3.39 EUR
50+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 40

SUM40014M-GE3

auf Bestellung 2163 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

auf Bestellung 6175 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.03 EUR
10+	6.76 EUR
100+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM40014M-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N02-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N05-19L-E3

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM40N10-30

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N10-30-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N10-30-E3

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N15-38-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM40N15-38-E3

MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V

auf Bestellung 1407 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SUM4285 ISS.1 FAIR

SUM4285 ISS.1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4293 ISS. 1 FAIR

SUM4293 ISS. 1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4298 ISS. 2 FAIR

London Nameplate Manufacturing

SUM4298 ISS. 2 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Invotec Group

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4460 FAIR

SUM4460 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM45N25-58

MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58-E3

MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.45 EUR
10+	8.79 EUR
100+	7.1 EUR
500+	6.58 EUR
800+	5.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUM45N25-58-E3

Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4685-1 ISS. 3

SUM4685-1 ISS. 3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4760-1 ISS.1

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4792

SUM4792

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4792 FAIR

SUM4792 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM47N10

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM47N10-24L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM4810 ISS. 3 FAIR

SUM4810 ISS. 3 FAIR

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50010E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.36 EUR
50+	3.05 EUR
100+	2.67 EUR
250+	2.52 EUR
500+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 47

SUM50010E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50010E-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 2202 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.53 EUR
10+	7.18 EUR
25+	7.07 EUR
100+	5.82 EUR
250+	5.72 EUR
500+	5.17 EUR
800+	4.19 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM50010E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V

auf Bestellung 1534 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.4 EUR
10+	7.05 EUR
100+	5.7 EUR
500+	5.07 EUR
1000+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50010EL-GE3

MOSFET 60V Vds 150A 375W 175C

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 126-140 Tag (e)

6+	9.78 EUR
10+	8.19 EUR
100+	6.63 EUR
250+	6.27 EUR
500+	5.9 EUR
800+	5.04 EUR
2400+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50020E-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50020E-GE3

MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-263-3

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.06 EUR
10+	7.1 EUR
100+	5.8 EUR
800+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

auf Bestellung 1094 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50020EL-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 697 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50N03

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM50N03-13LC

auf Bestellung 19975 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM50N03-13LC-E3

MOSFET 30V 50A 83W w/Sense Terminal

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50N03-13LC-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50N06-16L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50N06-16L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50P10-42-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM50UF

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM52N20-39P

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM52N20-39P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM5550A

SUM

04+ TSSOP-28P

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM55N03-16P-E3

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM55P06-19L

09+ DIP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.34 EUR
44+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM55P06-19L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -31A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1013 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

36+	2.03 EUR
38+	1.93 EUR
50+	1.46 EUR
53+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SUM55P06-19L-E3

auf Bestellung 1013 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	2.03 EUR
38+	1.93 EUR
50+	1.46 EUR
53+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

auf Bestellung 2421 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.79 EUR
10+	5.64 EUR
100+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.71 EUR
1600+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM55P06-19L-E3

MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	3.8 EUR
1600+	3.23 EUR
2400+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.34 EUR
44+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SUM55P06-19L-E3

MOSFET 60V 55A 125W

auf Bestellung 7822 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.84 EUR
10+	5.85 EUR
100+	4.84 EUR
250+	4.68 EUR
500+	3.64 EUR
800+	3.22 EUR
4800+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SUM55P06-19L-E3

Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1484 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM55P0619L

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60020E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 20757 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.23 EUR
10+	6.06 EUR
100+	4.91 EUR
250+	4.89 EUR
500+	4.58 EUR
800+	3.82 EUR
2400+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.1 EUR
10+	5.96 EUR
100+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.29 EUR
1600+	3.67 EUR
2400+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60030E-GE3

MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

auf Bestellung 2223 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.12 EUR
10+	6.01 EUR
25+	5.67 EUR
100+	4.84 EUR
250+	4.58 EUR
500+	4.39 EUR
800+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60061EL-GE3

MOSFET 80V P-CH (D-S)

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 650-664 Tag (e)

4+	14.48 EUR
10+	13.03 EUR
100+	10.69 EUR
500+	9.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N02-3M9P-E3

MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N02-3M9P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N02-3M9P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N04-05C

auf Bestellung 599 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N04-05LT-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N04-05T-E3

MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N04-06T

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N04-06T-E3

MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N04-12

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N04-12LT

09+

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N04-12LT

MOSFET 40V 60A 110W

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N04-12LT

auf Bestellung 5852 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N04-12LT-E3

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N04-12LT-E3

MOSFET 40V 60A 110W

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N04-1ZLT

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N0412LT

N/A

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N06-15

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N06-15-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N10-17

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.73 EUR
10+	5.65 EUR
100+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N10-17-E3

MOSFET 100V 60A 150W

auf Bestellung 2837 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.09 EUR
10+	6.76 EUR
25+	6.4 EUR
100+	5.49 EUR
250+	5.17 EUR
500+	4.89 EUR
800+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM60N10-17-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.06 EUR
1600+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.12 EUR
44+	3.47 EUR
45+	3.29 EUR
100+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SUM60N10-17-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM60P05

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60P05-11LT

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM60P05-11LT-E3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM65N20-30

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM65N20-30

MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.89 EUR
24+	6.54 EUR
25+	6.17 EUR
100+	5 EUR
250+	4.75 EUR
500+	4.1 EUR
1000+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUM65N20-30-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM65N20-30-E3
Produktcode: 192327

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

auf Bestellung 5169 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.31 EUR
10+	9.49 EUR
100+	7.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.89 EUR
24+	6.54 EUR
25+	6.17 EUR
100+	5 EUR
250+	4.75 EUR
500+	4.1 EUR
1000+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUM65N20-30-E3

MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

auf Bestellung 6182 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.58 EUR
10+	9.02 EUR
25+	8.87 EUR
100+	7.38 EUR
250+	7.2 EUR
500+	6.76 EUR
800+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUM65N20-30-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.57 EUR
1600+	3.39 EUR
2400+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.82 EUR
1600+	5.84 EUR
2400+	5.5 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM6600HR

SOP-56L

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM6600HR

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM6K1N

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

auf Bestellung 4637 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.4 EUR
10+	7.05 EUR
100+	5.7 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM70030E-GE3

Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70030E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.44 EUR
35+	4.17 EUR
50+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	5.07 EUR
1600+	4.34 EUR
2400+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.44 EUR
35+	4.17 EUR
50+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 29

SUM70030E-GE3

MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.53 EUR
10+	7.18 EUR
25+	7.1 EUR
100+	5.54 EUR
800+	4.42 EUR
2400+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM70030E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030E-GE3

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030M-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030M-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.22 EUR
10+	6.92 EUR
25+	6.89 EUR
100+	5.59 EUR
800+	4.21 EUR
2400+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM70030M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263-7

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.09 EUR
10+	6.78 EUR
100+	5.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.94 EUR
10+	5.9 EUR
25+	5.88 EUR
100+	4.78 EUR
500+	4.76 EUR
800+	3.67 EUR
2400+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM70040E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.02 EUR
20+	3.62 EUR
26+	2.77 EUR
28+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.81 EUR
47+	3.25 EUR
48+	3.07 EUR
100+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.81 EUR
47+	3.25 EUR
48+	3.07 EUR
100+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SUM70040E-GE3

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.02 EUR
20+	3.62 EUR
26+	2.77 EUR
28+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 954 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.05 EUR
10+	5.94 EUR
100+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM70040E-GE3

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70040E-GE3-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

auf Bestellung 1066 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.1 EUR
10+	6.01 EUR
25+	5.95 EUR
100+	4.84 EUR
250+	4.81 EUR
500+	4.78 EUR
800+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70040M-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

auf Bestellung 787 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.05 EUR
10+	5.94 EUR
100+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM70040M-GE3

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 4677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70042E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042E-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2287 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	5.73 EUR
100+	4.64 EUR
500+	4.12 EUR
1000+	3.53 EUR
2000+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 4677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM70042E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 126-140 Tag (e)

8+	6.94 EUR
10+	5.82 EUR
25+	5.49 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.45 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042M

SUM70042M

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042M-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.36 EUR
10+	11.21 EUR
100+	9.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUM70060E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 15495 Stücke:

Lieferzeit 322-336 Tag (e)

11+	4.84 EUR
13+	4.03 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.76 EUR
2400+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70060E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70060E-GE3
Produktcode: 180235

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70060E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 4784 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
17+	3.22 EUR
100+	3.02 EUR
2400+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70090E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70101EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70101EL-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	16.52 EUR
10+	14.23 EUR
100+	12.51 EUR

SUM70101EL-GE3

MOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 6803 Stücke:

Lieferzeit 322-336 Tag (e)

6+	9.85 EUR
10+	8.27 EUR
100+	6.71 EUR
500+	6.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70101EL-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70N03-09CP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM70N03-09CP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70N03-09CP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70N04-07L

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM70N04-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70N04-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM70N06-11

auf Bestellung 4080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM70N06-11-E3

09+ TO252

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM75N04-05L

auf Bestellung 9900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM75N06-09L

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM75N06-09L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM75N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM75N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM75N06-09L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

Produkt ist nicht verfügbar

SUM75N06-09L-T1-E3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM75N15-18P-E3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM75N15-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM75N15-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

auf Bestellung 414 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.05 EUR
10+	5.94 EUR
100+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM80090E-GE3

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM80090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM80090E-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 7410 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.1 EUR
10+	5.98 EUR
25+	5.64 EUR
100+	4.81 EUR
250+	4.55 EUR
500+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM80090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 128A; Idm: 240A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SUM80090E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N02-05P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM85N03-06P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N03-07P

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N03-07P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM85N03-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N03-08P

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM85N15-19

auf Bestellung 31200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM85N15-19-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 85A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N15-19-E3

MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.12 EUR
10+	10.56 EUR
25+	9.96 EUR
100+	8.53 EUR
250+	8.37 EUR
500+	7.49 EUR
800+	6.81 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.49 EUR
10+	11.33 EUR
100+	9.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUM85N15-19-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N15-19-E3

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM85N15-19-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	8.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM865070

Celduc Inc.

Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-

Produkt ist nicht verfügbar

SUM865070

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; -55÷100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Operating temperature: -55...100°C
IP rating: IP20
Control voltage: 3.5...32V DC
Design: heatsink
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: 24...510V AC
Relay series: SUL
Max. operating current: 45A
Type of relay: solid state
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: 1-phase
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM865070

Produkt ist nicht verfügbar

SUM867070

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; -55÷100°C
Type of relay: solid state
Control voltage: 3.5...32V DC
Max. operating current: 45A
Switched voltage: 24...510V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -55...100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Relay series: SUL
Switching method: zero voltage switching
IP rating: IP20
Design: heatsink
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM867070

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90100E-GE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90140E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.78 EUR
45+	3.35 EUR
46+	3.2 EUR
100+	2.59 EUR
250+	2.44 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 42

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90140E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90140E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 4496 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SUM90142E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.84 EUR
39+	3.94 EUR
41+	3.6 EUR
50+	3.42 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.58 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.54 EUR
10+	6.34 EUR
100+	5.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUM90142E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 6983 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.59 EUR
10+	6.4 EUR
25+	6.16 EUR
100+	5.15 EUR
250+	5.02 EUR
500+	4.89 EUR
2400+	4.71 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SUM90142E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.84 EUR
39+	3.94 EUR
41+	3.6 EUR
50+	3.42 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.58 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90220E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 3899 Stücke:

Lieferzeit 881-895 Tag (e)

8+	7.18 EUR
10+	6.47 EUR
100+	5.2 EUR
500+	4.26 EUR
800+	3.54 EUR
2400+	3.28 EUR
5600+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

auf Bestellung 3141 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.03 EUR
2400+	1.92 EUR
4800+	1.87 EUR
9600+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SUM90330E-GE3

N-Channel 200 V MOSFET

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N03-2M2P

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM90N03-2M2P-E3

MOSFET 30V 90A 250W

auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.79 EUR
10+	7.38 EUR
100+	5.98 EUR
800+	4.86 EUR
2400+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM90N03-2M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

auf Bestellung 1612 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.71 EUR
10+	7.31 EUR
100+	5.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM90N03-2M2P-E3
Produktcode: 82556

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N03-2M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N03-2M2P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	5.26 EUR
1600+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

auf Bestellung 5585 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SUM90N04-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N06-4M4P-E3

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N06-4M4P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N06-5M5P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N06-5M5P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N08-4M8P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N08-4M8P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N08-6M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N08-6M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N08-6MP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM90N08-7M6P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N08-7M6P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90N10-8M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 647 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.13 EUR
26+	2.83 EUR
34+	2.16 EUR
35+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUM90N10-8M2P-E3

auf Bestellung 647 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.13 EUR
26+	2.83 EUR
34+	2.16 EUR
35+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.2 EUR
1600+	5.3 EUR
2400+	5 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET 100V 90A 300W

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.41 EUR
10+	8.09 EUR
25+	7.88 EUR
100+	6.73 EUR
250+	6.29 EUR
500+	5.72 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

auf Bestellung 5438 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.24 EUR
10+	8.62 EUR
100+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM90N10-8M2P-E3

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm

auf Bestellung 1604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM90P10-19

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUM90P10-19-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.44 EUR
1600+	5.52 EUR
2400+	5.19 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.43 EUR
19+	3.86 EUR
20+	3.65 EUR
800+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

auf Bestellung 2879 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.69 EUR
10+	8.96 EUR
100+	7.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUM90P10-19L-E3

MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

auf Bestellung 8393 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.5 EUR
10+	8.81 EUR
25+	8.66 EUR
100+	7.12 EUR
800+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUMIL25

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUMMA01

auf Bestellung 2669 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUMMARY DATA P/L 59

Kyocera AVX

Kyocera AVX Components

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMERREV1.1

CARRY

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUMMESPBL35

DEL-SUMMESPBL35 Leg protection

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	39.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL36

DEL-SUMMESPBL36 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	51.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL37

DEL-SUMMESPBL37 Leg protection

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	37.75 EUR
3+	35.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL38

DEL-SUMMESPBL38 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPBL39

DEL-SUMMESPBL39 Leg protection

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	39.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL40

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 40; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Type of OSH component: shoes
Size: 40
Colour: yellow-blue
Material: cotton; polyester
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Version: with metal toecap
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	49.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL40

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL41

DEL-SUMMESPBL41 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL42

DEL-SUMMESPBL42 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPBL43

DEL-SUMMESPBL43 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	50.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPBL44

DEL-SUMMESPBL44 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPBL45

DEL-SUMMESPBL45 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPBL46

DEL-SUMMESPBL46 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPBL47

DEL-SUMMESPBL47 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPBL48

DEL-SUMMESPBL48 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPGR35

DEL-SUMMESPGR35 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPGR36

DEL-SUMMESPGR36 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPGR37

DEL-SUMMESPGR37 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPGR38

DEL-SUMMESPGR38 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPGR39

DEL-SUMMESPGR39 Leg protection

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPGR40

DEL-SUMMESPGR40 Leg protection

Produkt ist nicht verfügbar

SUMMESPGR41

DEL-SUMMESPGR41 Leg protection

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	49.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUMMESPGR42