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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
LGE001-R5
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LGE0126XKFEB5GBGA
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LGE105B-LF-SA
Produktcode: 165038
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE107D-LF-T8LG0950+
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LGE1854B-LFLG07+
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LGE1854C-LFLG0904+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE1854C-LFXD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE1855B-LFQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE1855B-LFQFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2005LUGUANG ELECTRONICLGE2005-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE201LUGUANG ELECTRONICLGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 870 Stücke:
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327+0.22 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 327
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE202LUGUANG ELECTRONICLGE202-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE204LUGUANG ELECTRONICLGE204-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE206LUGUANG ELECTRONICLGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE208LUGUANG ELECTRONICLGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE210LUGUANG ELECTRONICLGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2111A-T8
Produktcode: 74319
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8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2300LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
auf Bestellung 29180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1380+0.052 EUR
1520+0.047 EUR
1840+0.039 EUR
1940+0.037 EUR
12000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2300LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2300LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 29180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1380+0.052 EUR
1520+0.047 EUR
1840+0.039 EUR
1940+0.037 EUR
12000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2301LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
100+0.72 EUR
405+0.17 EUR
1110+0.064 EUR
3000+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2301LGETransistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2301LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2302LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1125+0.064 EUR
1340+0.053 EUR
1725+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2302LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1125+0.064 EUR
1340+0.053 EUR
1725+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2302LGETransistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 LGE2302-LGE LGE2302 TLGE2302
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2304LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1320+0.054 EUR
1450+0.049 EUR
1720+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2304LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1320+0.054 EUR
1450+0.049 EUR
1720+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2304LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2305LGETransistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2305LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
100+0.72 EUR
335+0.21 EUR
915+0.079 EUR
12000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2305LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2312LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.13 EUR
875+0.082 EUR
910+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 560
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2312LGETransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2312LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
560+0.13 EUR
875+0.082 EUR
910+0.079 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 560
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2N65DLGEOdpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD; LGE2N65D TO252 LGE TLGE2N65D
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE30262-01WenrunLED 3mm yellow green; 10mcd diffused Mounting; THT; Lens: white convex diffussed LGE302 62 01 WENRUN OLZ.LGE30262-01
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE30262-01WENRUNLGE30262-01 THT LEDs Round
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3159A-LF-S1LG0951+
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3368A-LF-SFLG0951+
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3369A-LF-SELG1011+ BGA
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3369A-LF-SELG09+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE340033MF01Eaton Electrical LGE 3P 400A 310+ LS FREEZE TEST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3556CBROADCOM
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3556C
Produktcode: 154764
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt


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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3765A-LF-S1LG0949+
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D02120FLUGUANG ELECTRONICLGE3D02120F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D05120ALUGUANG ELECTRONICLGE3D05120A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065ALUGUANG ELECTRONICLGE3D06065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065FLUGUANG ELECTRONICLGE3D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065GLUGUANG ELECTRONICLGE3D06065G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065NLUGUANG ELECTRONICCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065NLUGUANG ELECTRONICCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065ALUGUANG ELECTRONICLGE3D10065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065ELUGUANG ELECTRONICLGE3D10065E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065FLUGUANG ELECTRONICLGE3D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065GLUGUANG ELECTRONICLGE3D10065G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065HLUGUANG ELECTRONICLGE3D10065H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10170HLUGUANG ELECTRONICLGE3D10170H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D15065ALUGUANG ELECTRONICLGE3D15065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20065ALUGUANG ELECTRONICLGE3D20065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20065DLUGUANG ELECTRONICLGE3D20065D THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20065HLUGUANG ELECTRONICLGE3D20065H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120DLUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120DLUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120HLUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
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LGE3D20120HLUGUANG ELECTRONICCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3D20170HLUGUANG ELECTRONICLGE3D20170H THT Schottky diodes
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LGE3D30065DLUGUANG ELECTRONICLGE3D30065D THT Schottky diodes
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LGE3D30065HLUGUANG ELECTRONICLGE3D30065H THT Schottky diodes
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LGE3D30120DLUGUANG ELECTRONICLGE3D30120D THT Schottky diodes
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LGE3D30120HLUGUANG ELECTRONICLGE3D30120H THT Schottky diodes
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LGE3D40065HLUGUANG ELECTRONICLGE3D40065H THT Schottky diodes
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LGE3D40120HLUGUANG ELECTRONICLGE3D40120H THT Schottky diodes
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LGE3D42090HLUGUANG ELECTRONICLGE3D42090H THT Schottky diodes
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LGE3D50120HLUGUANG ELECTRONICLGE3D50120H THT Schottky diodes
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LGE3M14120QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 230nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: THT
Case: TO247-4
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LGE3M14120QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 230nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M160120BLUGUANG ELECTRONICLGE3M160120B THT N channel transistors
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LGE3M160120ELUGUANG ELECTRONICLGE3M160120E SMD N channel transistors
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LGE3M160120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M160120Q THT N channel transistors
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LGE3M18120QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M18120QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
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LGE3M1K170BLUGUANG ELECTRONICLGE3M1K170B THT N channel transistors
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LGE3M20120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M20120Q THT N channel transistors
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LGE3M25120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M25120Q THT N channel transistors
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LGE3M28065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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LGE3M28065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M30065BLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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LGE3M30065BLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M30065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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LGE3M30065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M35065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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LGE3M35065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M35120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M35120Q THT N channel transistors
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LGE3M40065BLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110.8nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M40065BLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110.8nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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LGE3M40065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110.8nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M40065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110.8nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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LGE3M40120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M40120Q THT N channel transistors
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LGE3M45170BLUGUANG ELECTRONICLGE3M45170B THT N channel transistors
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LGE3M45170QLUGUANG ELECTRONICLGE3M45170Q THT N channel transistors
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LGE3M50120BLUGUANG ELECTRONICLGE3M50120B THT N channel transistors
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LGE3M50120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M50120Q THT N channel transistors
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LGE3M60065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M60065QLUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M70120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M70120Q THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M80120BLUGUANG ELECTRONICLGE3M80120B THT N channel transistors
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LGE3M80120JLUGUANG ELECTRONICLGE3M80120J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M80120QLUGUANG ELECTRONICLGE3M80120Q THT N channel transistors
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LGE537-LFLG07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE6891DD-LFLG08+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE6991DD-LF-1QFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE6991DD-LF-1QFP
auf Bestellung 240 Stücke:
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LGE7327A-LFLG09+
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LGE7329A-LF
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LGE7353C-LFXD
auf Bestellung 108 Stücke:
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LGE7363C-LF
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LGE7363C-LFLG0839+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE7636C-LFLG
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LGE7809LGEPositive Voltage Regulator; 9V; 1.5A; 4%; 2V dropout; 0?150°C; Odpowiednik: HX7809CTG; KIA7809AP-U/PK; CJ7809B-TBN-ATG 7809CV-DG 1.5A TO220 ST+09 1,5 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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LGE81C1404-HG030LGTSOP
auf Bestellung 22 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE9655-LFLG07+
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LGE9655-LFLGQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
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LGE9655-LFLG09+
auf Bestellung 2514 Stücke:
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LGE9689ADLGO652
auf Bestellung 60 Stücke:
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LGE9689AD-LFLG08+
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LGE9789ADLG06+
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LGE9789AD-LFLG07+
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LGEA1117-1.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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LGEA1117-1.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
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LGEA1117-1.8LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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LGEA1117-1.8LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
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LGEA1117-2.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-2.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
320+0.23 EUR
500+0.14 EUR
595+0.12 EUR
800+0.09 EUR
845+0.085 EUR
5000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.23 EUR
500+0.14 EUR
595+0.12 EUR
800+0.09 EUR
845+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-3.3LGEIC: voltage regulator; LDO, linear, fixed; 3,3V; 1A LGEA1117-3.3-LGE LGEA1117-3.3 STLGEA1117-3.3 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-5.0LGEIC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,nieregulowany; 5V; 1A LGEA1117-5.0-LGE LGEA1117-5.0 STLGEA1117-5.0 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
320+0.23 EUR
495+0.15 EUR
590+0.12 EUR
790+0.091 EUR
835+0.086 EUR
5000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.23 EUR
495+0.15 EUR
590+0.12 EUR
790+0.091 EUR
835+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-ADJLGEIC: voltage regulator; LDO, linear, adjustable; 1,25?12V; 1A LGEA1117-ADJ-LGE LGEA1117-ADJ STLGEA1117-ADJ LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.19 EUR
585+0.12 EUR
695+0.1 EUR
845+0.085 EUR
895+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 375
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEA1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
375+0.19 EUR
585+0.12 EUR
695+0.1 EUR
845+0.085 EUR
895+0.08 EUR
2000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 375
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGB15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGF15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGP15N65T2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGPI1200WJL1.0
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW15N120TSLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW20N65SEKLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120SLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120FLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120F2LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120TSLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N65F1LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1ALUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW60N65SEULUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW75N65FLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±30V
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 300A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW75N65FPLUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 225A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-1.5LUGUANG ELECTRONICLGET1117-1.5-LGE LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-1.8LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-1.8LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-2.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-2.5LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
320+0.23 EUR
500+0.14 EUR
595+0.12 EUR
830+0.087 EUR
875+0.082 EUR
4000+0.08 EUR
8000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-3.3LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.15V
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.23 EUR
500+0.14 EUR
595+0.12 EUR
830+0.087 EUR
875+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-3.3LGEPositive Voltage Regulator; LDO; 3.3V; 1A; 1%; 1,15V dropout; 3,6V~15V; -40°C~125°C; LGET1117-3.3-LGE; Replacement for: LM1117MP-3.3/NOPB, LM1117MPX-3.3/NOPB, LD1117S33TR, SPX1117M3-L-3-3/TR, TS1117BCW33 RPG, LM1117S-3.3; UMW LD1117-3.3; LGET1117-3.3 STL
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.22 EUR
500+0.14 EUR
600+0.12 EUR
775+0.092 EUR
820+0.087 EUR
2000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-5.0LUGUANG ELECTRONICCategory: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
325+0.22 EUR
500+0.14 EUR
600+0.12 EUR
775+0.092 EUR
820+0.087 EUR
2000+0.086 EUR
4000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-5.0LGEIC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,nieregulowany; 5V; 1A LGET1117-5.0-LGE LGET1117-5.0 STLGET1117-5.0 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-ADJLGEIC: stabilizator napi?cia; LDO,liniowy,regulowany; 1,25?12V; 1A LGET1117-ADJ-LGE LGET1117-ADJ STLGET1117-ADJ LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGET1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
315+0.23 EUR
490+0.15 EUR
585+0.12 EUR
780+0.092 EUR
825+0.087 EUR
4000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 315
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LGET1117-ADJLUGUANG ELECTRONICCategory: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1411 Stücke:
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315+0.23 EUR
490+0.15 EUR
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780+0.092 EUR
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LGETB-1-V0.5(L341I)LG??
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