Produkte > NVB

Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.99 EUR
10+	8.85 EUR
100+	6.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB055N60S5F

Power MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB055N60S5F

Power MOSFET, N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB055N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.80 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

NVB072N65S3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	6.70 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.61 EUR
19+	7.60 EUR
25+	6.97 EUR
100+	6.37 EUR
250+	5.90 EUR
500+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.61 EUR
19+	7.60 EUR
25+	6.97 EUR
100+	6.37 EUR
250+	5.90 EUR
500+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.74 EUR
18+	8.33 EUR
25+	7.48 EUR
100+	6.72 EUR
250+	6.21 EUR
500+	5.42 EUR
800+	4.72 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.90 EUR
10+	9.93 EUR
100+	7.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 44 A, 72 mohm, D2PAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.62 EUR
10+	11.00 EUR
25+	10.40 EUR
100+	9.28 EUR
250+	8.99 EUR
500+	8.45 EUR
800+	7.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.74 EUR
18+	8.33 EUR
25+	7.48 EUR
100+	6.72 EUR
250+	6.21 EUR
500+	5.42 EUR
800+	4.72 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

NVB082N65S3F SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	7.70 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.97 EUR
10+	11.99 EUR
25+	10.88 EUR
100+	9.98 EUR
250+	9.40 EUR
500+	8.80 EUR
800+	7.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.13 EUR
10+	11.65 EUR
100+	9.70 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB095N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.95 EUR
10+	7.59 EUR
100+	5.63 EUR
800+	5.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3676 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.26 EUR
10+	7.83 EUR
100+	5.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB095N65S3F

NVB095N65S3F SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.40 EUR
10+	6.29 EUR
100+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB099N65S3

NVB099N65S3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB099N65S3

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 30 A, 99 mohm, D2PAK

auf Bestellung 1580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.40 EUR
10+	6.16 EUR
100+	4.42 EUR
800+	3.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.73 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB110N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG

auf Bestellung 1231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.83 EUR
10+	6.53 EUR
100+	5.21 EUR
800+	5.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 29535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.27 EUR
10+	6.43 EUR
100+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB110N65S3F

Power MOSFET Single N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 28800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB110N65S3F

NVB110N65S3F SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB125N65S3

NVB125N65S3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.13 EUR
10+	4.96 EUR
100+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB125N65S3

MOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.18 EUR
10+	5.24 EUR
100+	3.73 EUR
800+	3.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.40 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

MOSFETs 650V FRFET,150M

auf Bestellung 2311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.93 EUR
10+	4.98 EUR
100+	3.68 EUR
500+	3.63 EUR
800+	3.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

NVB150N65S3F SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.29 EUR
10+	5.55 EUR
100+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M

auf Bestellung 4454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.41 EUR
10+	4.66 EUR
25+	4.65 EUR
100+	3.45 EUR
250+	3.43 EUR
800+	3.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.35 EUR
10+	4.62 EUR
100+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

NVB190N65S3F SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB25P06T4G

Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB25P06T4G

MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

auf Bestellung 572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB260N65S3

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK

auf Bestellung 483 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.42 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.59 EUR
800+	2.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.44 EUR
10+	3.79 EUR
100+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB260N65S3

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.00 EUR
1600+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5404NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5404NT4G

Description: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5404NT4G

MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH

auf Bestellung 719 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5404NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 796 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.19 EUR
10+	3.57 EUR
100+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5405NT4G

Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

214+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 214

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5405NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5426NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5860NLT4G

MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

auf Bestellung 731 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5860NLT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5860NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5860NT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB5860NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

222+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 222

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB60N06T4G

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB60N06T4G

MOSFET NFET 60V .016R TR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6410ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6410ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6410ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6411ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

175+	2.90 EUR

Mindestbestellmenge: 175

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6411ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	1.94 EUR
80+	1.80 EUR
84+	1.64 EUR
86+	1.54 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6412ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

auf Bestellung 1016 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	1.94 EUR
80+	1.80 EUR
84+	1.64 EUR
86+	1.54 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6412ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6413ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVB6413ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBF170LT1G

MOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 228800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	38.79 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

NVBG015N065SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 229338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	58.75 EUR
10+	43.58 EUR
100+	38.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG015N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	54.35 EUR
10+	41.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	38.79 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

NVBG020N090SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

SiC MOSFETs 20MOHM 900V

auf Bestellung 666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	50.83 EUR
10+	40.39 EUR
25+	40.37 EUR
50+	40.36 EUR
100+	40.20 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	89.35 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	56.20 EUR
10+	43.16 EUR
100+	38.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7528 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	79.27 EUR
10+	59.85 EUR
100+	56.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

auf Bestellung 774 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	72.12 EUR
10+	60.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	121.52 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	56.23 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

NVBG020N120SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

auf Bestellung 671 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

NVBG022N120M3S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	64.12 EUR
10+	57.84 EUR
25+	54.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 13040 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	45.72 EUR
10+	33.34 EUR
100+	28.04 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	64.12 EUR
10+	57.84 EUR
25+	54.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

SiC MOSFET 1200 V 22 mohm

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	28.04 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.38 EUR
10+	37.66 EUR
25+	36.26 EUR
50+	35.66 EUR
100+	32.93 EUR
250+	31.72 EUR
500+	28.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	49.86 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	54.27 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.68 EUR
10+	17.90 EUR
25+	16.14 EUR
100+	13.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG023N065M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG023N065M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	27.67 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

NVBG025N065SC1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	50.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	44.28 EUR
10+	32.77 EUR
100+	27.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

NVBG025N065SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	50.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG025N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK?7L

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	38.40 EUR
10+	31.15 EUR
100+	29.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	25.80 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

NVBG030N120M3S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	39.53 EUR
10+	35.13 EUR
25+	32.77 EUR
50+	31.75 EUR
100+	30.73 EUR
250+	28.67 EUR
500+	26.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20728 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	39.00 EUR
10+	30.46 EUR
100+	27.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	53.52 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 57486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.19 EUR
10+	21.74 EUR
100+	20.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	38.11 EUR
10+	33.77 EUR
25+	30.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.83 EUR
10+	24.11 EUR
500+	21.19 EUR
800+	19.20 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	39.57 EUR
5+	36.78 EUR
10+	34.29 EUR
20+	32.03 EUR
50+	29.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 56800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	17.08 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	38.11 EUR
10+	33.77 EUR
25+	30.86 EUR
50+	28.82 EUR
100+	26.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

NVBG040N120M3S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

NVBG040N120SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	39.71 EUR
10+	30.97 EUR
100+	26.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1
Produktcode: 179416

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	60.07 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	26.11 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	53.30 EUR
10+	50.10 EUR
25+	44.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	40.43 EUR
10+	31.54 EUR
25+	31.31 EUR
50+	31.26 EUR
100+	27.77 EUR
250+	27.76 EUR
500+	27.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	53.30 EUR
10+	50.10 EUR
25+	44.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	35.21 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.60 EUR
10+	21.21 EUR
25+	21.19 EUR
100+	17.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.24 EUR
10+	24.00 EUR
100+	20.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.73 EUR
10+	20.62 EUR
100+	16.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK?7L

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.40 EUR
10+	19.75 EUR
25+	19.22 EUR
50+	18.15 EUR
100+	17.07 EUR
250+	16.54 EUR
500+	15.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	16.56 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	31.94 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

NVBG060N090SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

SiC MOSFETs 60MOHM

auf Bestellung 1003 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.77 EUR
10+	19.62 EUR
25+	19.61 EUR
50+	19.57 EUR
100+	17.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	48.15 EUR
10+	42.80 EUR
100+	37.44 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1

auf Bestellung 594 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG060N090SC1-ENG

SiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	36.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

NVBG070N120M3S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

auf Bestellung 1579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.42 EUR
10+	19.76 EUR
25+	19.22 EUR
50+	18.15 EUR
100+	17.09 EUR
250+	16.54 EUR
500+	15.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 684800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	14.09 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	33.43 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 685408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.82 EUR
10+	18.83 EUR
100+	16.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3036 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.63 EUR
10+	15.37 EUR
100+	13.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	11.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG075N065SC1

SiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG075N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 56 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 56 mohm, 650 V, M2, D2PAK?7L

auf Bestellung 1579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.36 EUR
10+	17.05 EUR
25+	16.81 EUR
50+	16.28 EUR
100+	14.75 EUR
250+	14.50 EUR
500+	13.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1543 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

NVBG080N120SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.43 EUR
10+	19.06 EUR
100+	14.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.54 EUR
10+	18.78 EUR
100+	14.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	14.16 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	24.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.04 EUR
10+	11.75 EUR
100+	8.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG089N65S3F

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 37 A, 89 mohm, D2PAK 7 lead SuperFET III 650V 89mohm D2PAK 7 Lead

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	8.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 70 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 70 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.08 EUR
10+	15.49 EUR
25+	14.68 EUR
100+	12.92 EUR
250+	12.50 EUR
500+	11.39 EUR
800+	10.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N065SC1

NVBG095N065SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N65S3F

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 36 A, 95 mohm, D2PAK 7 lead SuperFET III 650V 95mohm D2PAK 7 Lead

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.23 EUR
10+	8.76 EUR
25+	7.96 EUR
100+	7.30 EUR
250+	6.86 EUR
500+	6.46 EUR
800+	5.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	6.10 EUR
1600+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.68 EUR
10+	8.30 EUR
100+	6.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG1000N170M1

Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG1000N170M1

SIC 1700V MOS 1O IN TO263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG1000N170M1

NVBG1000N170M1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG1000N170M1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.91 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.08 EUR
100+	7.23 EUR
250+	6.86 EUR
500+	6.35 EUR
800+	5.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG1000N170M1

Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.41 EUR
10+	8.27 EUR
25+	7.20 EUR
100+	5.98 EUR
250+	5.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

auf Bestellung 630 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 168755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.76 EUR
10+	13.75 EUR
100+	10.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

auf Bestellung 3982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.83 EUR
10+	13.09 EUR
25+	12.90 EUR
100+	10.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	16.29 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 168000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	9.66 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	17.73 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

NVBG160N120SC1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.47 EUR
10+	16.68 EUR
25+	15.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.47 EUR
10+	16.68 EUR
25+	15.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBG190N65S3F

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS1D2N08H

Description: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS1D2N08H

Power MOSFET Single N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS1D2N08H

MOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	22.51 EUR
10+	19.57 EUR
25+	18.59 EUR
50+	16.70 EUR
100+	14.78 EUR
250+	13.87 EUR
500+	12.36 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)

auf Bestellung 1328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.69 EUR
10+	21.74 EUR
25+	21.28 EUR
50+	20.57 EUR
100+	19.57 EUR
800+	17.44 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.76 EUR
10+	21.71 EUR
25+	19.35 EUR
100+	17.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	22.51 EUR
10+	19.57 EUR
25+	18.59 EUR
50+	16.70 EUR
100+	14.78 EUR
250+	13.87 EUR
500+	12.36 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS6D5N15MC

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS6D5N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS6D5N15MC

MOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBGS6D5N15MC

NVBGS6D5N15MC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBL099N65S3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.12 EUR
11+	14.05 EUR
25+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	9.90 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.12 EUR
11+	14.05 EUR
25+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO

auf Bestellung 4486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.08 EUR
10+	12.13 EUR
25+	11.19 EUR
2000+	10.60 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6624 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.54 EUR
10+	13.60 EUR
100+	10.26 EUR
500+	9.90 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	7.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

MOSFETs Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mohm, Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mohm, Single N-Channel

auf Bestellung 3287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.62 EUR
10+	9.75 EUR
25+	9.72 EUR
100+	7.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.50 EUR
10+	9.66 EUR
100+	7.39 EUR
500+	7.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

auf Bestellung 1834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04CTXG

NVBLS0D5N04CTXG SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2839 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

105+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 105

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D5N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 0.65

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 1.2

auf Bestellung 1875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N04M8TXG

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N06C

Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.13 EUR
10+	16.23 EUR
100+	12.34 EUR
500+	12.20 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D7N06C

MOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	21.79 EUR
10+	15.59 EUR
25+	15.58 EUR
100+	12.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D8N08XTXG

Trans MOSFET N-CH 80V 457A Automotive 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D8N08XTXG

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.40 EUR
10+	9.40 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D8N08XTXG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 213 A, 0.8 mohm

auf Bestellung 2195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.53 EUR
10+	9.87 EUR
25+	8.96 EUR
100+	8.22 EUR
250+	7.74 EUR
500+	7.25 EUR
1000+	6.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS0D8N08XTXG

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

MOSFETs T8-80V IN TOLL

auf Bestellung 3114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.20 EUR
10+	8.68 EUR
25+	8.66 EUR
100+	6.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

auf Bestellung 438 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.07 EUR
10+	8.59 EUR
100+	6.54 EUR
500+	6.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

NVBLS1D1N08H SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D2N08XTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.44 EUR
10+	8.45 EUR
100+	6.18 EUR
500+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

NVBLS1D5N10MCTXG SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

N-Channel Power Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

auf Bestellung 7746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.49 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.38 EUR
100+	6.37 EUR
500+	5.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D5N10MCTXG

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

MOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A

auf Bestellung 4443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.91 EUR
10+	6.04 EUR
100+	4.40 EUR
250+	4.38 EUR
500+	3.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.78 EUR
10+	6.06 EUR
100+	4.36 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.60 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N08H

NVBLS1D7N08H SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 0.0018 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

NVBLS1D7N10MCTXG SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.06 EUR
10+	8.15 EUR
100+	5.94 EUR
500+	4.99 EUR
1000+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS1D7N10MCTXG

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.54 EUR
10+	8.87 EUR
25+	8.36 EUR
100+	7.16 EUR
250+	6.76 EUR
500+	6.37 EUR
1000+	5.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.72 EUR
10+	11.84 EUR
100+	9.02 EUR
500+	8.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

MOSFETs Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A

auf Bestellung 714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.74 EUR
10+	12.99 EUR
100+	9.75 EUR
500+	9.29 EUR
4000+	8.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

NVBLS4D0N15MC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVBLS4D0N15MC