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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NVB055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+12.2 EUR
1600+ 10.63 EUR
2400+ 10.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB055N60S5FonsemiMOSFET SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.61 EUR
10+ 14.25 EUR
25+ 12.92 EUR
100+ 11.88 EUR
250+ 11.18 EUR
500+ 10.48 EUR
800+ 9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVB055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101
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NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.03 EUR
10+ 16.32 EUR
100+ 13.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVB072N65S3onsemiMOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.16 EUR
10+ 16.41 EUR
25+ 14.9 EUR
100+ 13.68 EUR
250+ 12.9 EUR
500+ 12.06 EUR
800+ 10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NVB072N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.1 EUR
19+ 8.03 EUR
25+ 7.36 EUR
100+ 6.74 EUR
250+ 6.24 EUR
500+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.1 EUR
19+ 8.03 EUR
25+ 7.36 EUR
100+ 6.74 EUR
250+ 6.24 EUR
500+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NVB072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.29 EUR
18+ 8.81 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 7.1 EUR
250+ 6.56 EUR
500+ 5.73 EUR
800+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.29 EUR
18+ 8.81 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 7.1 EUR
250+ 6.56 EUR
500+ 5.73 EUR
800+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.28 EUR
10+ 17.37 EUR
100+ 14.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+12.77 EUR
1600+ 11.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.64 EUR
10+ 17.71 EUR
25+ 16.07 EUR
100+ 14.74 EUR
250+ 13.88 EUR
500+ 13 EUR
800+ 11.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB082N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVB095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB095N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB095N65S3FonsemiMOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.83 EUR
10+ 13.31 EUR
100+ 10.79 EUR
500+ 10.58 EUR
800+ 8.16 EUR
2400+ 7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVB095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.73 EUR
10+ 13.21 EUR
100+ 10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVB095N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB099N65S3onsemiMOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK AUTO
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.44 EUR
10+ 9.59 EUR
100+ 7.77 EUR
500+ 7.31 EUR
800+ 5.75 EUR
2400+ 5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NVB099N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB099N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A
Produkt ist nicht verfügbar
NVB099N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB099N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
auf Bestellung 1408 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.36 EUR
10+ 9.52 EUR
100+ 7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVB110N65S3FON SemiconductorPower MOSFET Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NVB110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+9.09 EUR
1600+ 7.78 EUR
2400+ 7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB110N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.13 EUR
10+ 12.71 EUR
25+ 12.32 EUR
100+ 10.27 EUR
250+ 9.98 EUR
500+ 9.67 EUR
800+ 7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVB110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.05 EUR
10+ 12.64 EUR
100+ 10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVB125N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.36 EUR
10+ 7.86 EUR
100+ 6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVB125N65S3onsemiMOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.44 EUR
10+ 7.9 EUR
25+ 7.7 EUR
100+ 6.4 EUR
250+ 6.21 EUR
500+ 6.03 EUR
800+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NVB125N65S3ON SemiconductorMOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
Produkt ist nicht verfügbar
NVB125N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+5.65 EUR
1600+ 4.84 EUR
2400+ 4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB125N65S3ON SemiconductorMOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
Produkt ist nicht verfügbar
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB150N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.98 EUR
10+ 8.38 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NVB150N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVB150N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB150N65S3FonsemiMOSFET 650V FRFET,150M
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.04 EUR
10+ 8.45 EUR
25+ 7.96 EUR
100+ 6.81 EUR
250+ 6.42 EUR
500+ 5.82 EUR
800+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB190N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NVB190N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVB190N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13552 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.1 EUR
10+ 7.64 EUR
100+ 6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVB190N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M
auf Bestellung 4474 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.26 EUR
10+ 7.77 EUR
100+ 6.32 EUR
800+ 4.89 EUR
2400+ 4.63 EUR
4800+ 4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NVB190N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVB190N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+5.49 EUR
1600+ 4.7 EUR
2400+ 4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NVB190N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
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NVB25P06T4GON SemiconductorMOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB260N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB260N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVB260N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m
Produkt ist nicht verfügbar
NVB260N65S3onsemiMOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.12 EUR
10+ 5.93 EUR
100+ 4.71 EUR
500+ 3.8 EUR
800+ 3.28 EUR
2400+ 3.09 EUR
4800+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NVB260N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVB260N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVB5404NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5404NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.99 EUR
10+ 5.8 EUR
100+ 4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVB5404NT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVB5405NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5405NT4GonsemiDescription: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
214+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 214
NVB5426NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5860NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5860NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVB5860NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5860NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB5860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB60N06T4GonsemiMOSFET NFET 60V .016R TR
Produkt ist nicht verfügbar
NVB60N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
210+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 210
NVB6410ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6410ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6410ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6411ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVB6411ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
175+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 175
NVB6412ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6412ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.05 EUR
80+ 1.91 EUR
84+ 1.73 EUR
86+ 1.63 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 77
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.05 EUR
80+ 1.91 EUR
84+ 1.73 EUR
86+ 1.63 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 77
NVB6413ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
NVB6413ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBF170LT1GonsemiMOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+152.8 EUR
10+ 138.92 EUR
25+ 136.86 EUR
50+ 135.41 EUR
100+ 125.01 EUR
250+ 122.95 EUR
500+ 118.61 EUR
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+155.53 EUR
10+ 141.4 EUR
100+ 127.26 EUR
NVBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13428 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+150.33 EUR
10+ 136.66 EUR
100+ 123 EUR
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG020N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+112.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+94.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG020N090SC1onsemiMOSFET 20MOHM 900V
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+149.97 EUR
10+ 136.73 EUR
25+ 135.15 EUR
50+ 133.74 EUR
100+ 123.84 EUR
250+ 120.38 EUR
500+ 115.78 EUR
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG020N120SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+193.86 EUR
10+ 183.86 EUR
25+ 178.85 EUR
100+ 166.35 EUR
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+128.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG020N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+195.23 EUR
10+ 181.32 EUR
25+ 174.54 EUR
50+ 172.46 EUR
100+ 162.37 EUR
250+ 159.41 EUR
500+ 151.27 EUR
NVBG020N120SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+160.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG020N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+129.38 EUR
10+ 115.26 EUR
25+ 108.42 EUR
50+ 104.81 EUR
100+ 101.17 EUR
250+ 97.58 EUR
500+ 91.42 EUR
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.76 EUR
10+ 61.12 EUR
25+ 57.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.76 EUR
10+ 61.12 EUR
25+ 57.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBG022N120M3SON SemiconductorSiC MOSFET 1200 V 22 mohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+52.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+57.35 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG025N065SC1ON SemiconductorNVBG025N065SC1
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+53.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBG025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+76.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG025N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+100.36 EUR
10+ 90.64 EUR
25+ 87.65 EUR
100+ 81.2 EUR
250+ 78.81 EUR
500+ 74.78 EUR
800+ 73.63 EUR
NVBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+53.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBG025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+110.14 EUR
10+ 98.12 EUR
100+ 86.13 EUR
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+86.81 EUR
10+ 77.35 EUR
100+ 67.9 EUR
NVBG030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+87.44 EUR
10+ 77.9 EUR
25+ 73.27 EUR
50+ 70.82 EUR
100+ 68.38 EUR
250+ 65.94 EUR
500+ 61.8 EUR
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+60.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG030N120M3SON SemiconductorSiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+56.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+40.28 EUR
10+ 35.69 EUR
25+ 32.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.82 EUR
5+ 38.87 EUR
10+ 36.23 EUR
20+ 33.85 EUR
50+ 31.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+72.15 EUR
10+ 64.11 EUR
100+ 56.07 EUR
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+40.28 EUR
10+ 35.69 EUR
25+ 32.61 EUR
50+ 30.45 EUR
100+ 28.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+47.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG040N120M3SON SemiconductorSiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+72.67 EUR
10+ 64.58 EUR
25+ 60.24 EUR
50+ 58.37 EUR
100+ 56.47 EUR
250+ 52.7 EUR
500+ 48.18 EUR
NVBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1
Produktcode: 179416		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+63.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG040N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+92.61 EUR
10+ 87.54 EUR
25+ 86.37 EUR
50+ 86.22 EUR
100+ 82.45 EUR
250+ 82.39 EUR
500+ 82.29 EUR
NVBG040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG040N120SC1onsemiDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+93.34 EUR
10+ 82.95 EUR
100+ 72.55 EUR
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+56.32 EUR
10+ 52.94 EUR
25+ 47.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+56.32 EUR
10+ 52.94 EUR
25+ 47.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBG040N120SC1onsemiDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+61.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG045N065SC1ON SemiconductorNVBG045N065SC1
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG045N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+37.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+76.13 EUR
10+ 70.2 EUR
100+ 59.93 EUR
500+ 48.62 EUR
800+ 48.18 EUR
NVBG045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG045N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+37.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG060N065SC1ON SemiconductorNVBG060N065SC1
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG060N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+55.93 EUR
10+ 49.69 EUR
100+ 43.46 EUR
NVBG060N090SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+71.14 EUR
10+ 63.23 EUR
100+ 55.3 EUR
NVBG060N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG060N090SC1ON SemiconductorN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG060N090SC1onsemiMOSFET 60MOHM
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+69.89 EUR
10+ 62.09 EUR
25+ 57.93 EUR
50+ 56.13 EUR
100+ 54.34 EUR
250+ 50.7 EUR
500+ 46.46 EUR
NVBG060N090SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+47.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG060N090SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG060N090SC1-ENGON SemiconductorSiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+38.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+35.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG070N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+52.26 EUR
10+ 46.44 EUR
25+ 43.32 EUR
50+ 41.96 EUR
100+ 40.61 EUR
250+ 37.88 EUR
500+ 34.66 EUR
NVBG075N065SC1ON SemiconductorSiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.11 EUR
10+ 41.51 EUR
100+ 35.9 EUR
NVBG075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 1594 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.68 EUR
10+ 42.35 EUR
25+ 39.55 EUR
50+ 38.3 EUR
100+ 37.08 EUR
250+ 34.58 EUR
500+ 31.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBG075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+32.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+26.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG080N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+ 31.51 EUR
25+ 30.65 EUR
50+ 28.94 EUR
100+ 27.25 EUR
250+ 26.42 EUR
500+ 24.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+46.25 EUR
10+ 42.51 EUR
100+ 35.9 EUR
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG080N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG089N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+14.1 EUR
1600+ 12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG089N65S3FonsemiMOSFET SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG095N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG095N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG095N65S3FonsemiMOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.79 EUR
10+ 12.66 EUR
25+ 11.52 EUR
100+ 10.56 EUR
250+ 9.93 EUR
500+ 9.33 EUR
800+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVBG095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.69 EUR
10+ 12.6 EUR
100+ 10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBG095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+9.27 EUR
1600+ 8.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG1000N170M1ON SemiconductorSIC 1700V MOS 1O IN TO263
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NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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NVBG160N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+17.22 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14024 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+46.02 EUR
10+ 40.55 EUR
100+ 35.07 EUR
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+18.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+18.46 EUR
10+ 17.63 EUR
25+ 16.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NVBG160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+43.89 EUR
10+ 39.1 EUR
25+ 38.74 EUR
100+ 35.33 EUR
250+ 34.71 EUR
500+ 32.01 EUR
800+ 29.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+31.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+18.46 EUR
10+ 17.63 EUR
25+ 16.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NVBGS1D2N08HonsemiDescription: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS1D2N08HonsemiMOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS1D2N08HON SemiconductorPower MOSFET Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS4D1N15MConsemiMOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35 EUR
10+ 32.11 EUR
25+ 31.43 EUR
50+ 30.39 EUR
100+ 28.91 EUR
800+ 25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+41.21 EUR
10+ 37.88 EUR
25+ 36.31 EUR
100+ 30.42 EUR
250+ 28.46 EUR
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.78 EUR
10+ 20.68 EUR
25+ 19.65 EUR
50+ 17.65 EUR
100+ 15.62 EUR
250+ 14.65 EUR
500+ 13.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.78 EUR
10+ 20.68 EUR
25+ 19.65 EUR
50+ 17.65 EUR
100+ 15.62 EUR
250+ 14.65 EUR
500+ 13.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NVBGS4D1N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorMOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE
Produkt ist nicht verfügbar
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorNVBGS6D5N15MC
Produkt ist nicht verfügbar
NVBL099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+14.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NVBLS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+18.09 EUR
11+ 14.84 EUR
25+ 9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NVBLS001N06ConsemiMOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO
auf Bestellung 4531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.52 EUR
10+ 22.98 EUR
25+ 19.21 EUR
100+ 17.45 EUR
250+ 17.39 EUR
500+ 16.38 EUR
1000+ 15.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS001N06CON Semiconductor
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+18.09 EUR
11+ 14.84 EUR
25+ 9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NVBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+27.85 EUR
10+ 23.88 EUR
100+ 19.9 EUR
500+ 17.56 EUR
1000+ 15.8 EUR
NVBLS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D5N04CTXGON Semiconductor
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS0D5N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.49 EUR
10+ 17.55 EUR
100+ 14.62 EUR
500+ 12.9 EUR
1000+ 11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS0D5N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS0D5N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D5N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 65A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D5N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D5N04CTXGonsemiMOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 459-473 Tag (e)
3+20.59 EUR
10+ 17.65 EUR
25+ 16.02 EUR
100+ 14.69 EUR
250+ 13.86 EUR
500+ 12.97 EUR
1000+ 11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorMOSFET NMOS TOLL 40V 0.65
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVBLS0D5N04M8TXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorMOSFET NMOS TOLL 40V 1.2
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorDescription: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D7N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
128+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 128
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorDescription: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM
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NVBLS0D7N04M8TXGON Semiconductor
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS0D7N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
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NVBLS0D7N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D7N06ConsemiMOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+30.91 EUR
10+ 27.87 EUR
100+ 23.63 EUR
500+ 21.63 EUR
1000+ 20.15 EUR
2000+ 18.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS0D7N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08HonsemiMOSFET T8-80V IN TOLL
auf Bestellung 3266 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.89 EUR
10+ 15.37 EUR
100+ 12.79 EUR
500+ 11.26 EUR
1000+ 10.17 EUR
2000+ 9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBLS1D1N08HON Semiconductor
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.76 EUR
10+ 15.23 EUR
100+ 12.69 EUR
500+ 11.2 EUR
1000+ 10.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NVBLS1D5N10MCTXGON SemiconductorN-Channel Power Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D5N10MCTXGonsemiMOSFET PTNG 100V STD TOLL
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 154-168 Tag (e)
4+15.05 EUR
10+ 12.92 EUR
25+ 11.7 EUR
100+ 10.76 EUR
250+ 10.14 EUR
500+ 9.49 EUR
1000+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.82 EUR
10+ 12.7 EUR
100+ 10.58 EUR
500+ 9.34 EUR
1000+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS1D7N08HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.39 EUR
10+ 9.56 EUR
100+ 7.73 EUR
500+ 6.87 EUR
1000+ 5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBLS1D7N08HonsemiMOSFET T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE
auf Bestellung 4923 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.4 EUR
10+ 11.15 EUR
25+ 9.91 EUR
100+ 9.15 EUR
250+ 8.53 EUR
500+ 7.77 EUR
1000+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NVBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NVBLS1D7N08HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D7N10MCTXGonsemiMOSFET PTNG 100V STD TOLL
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.26 EUR
10+ 12.82 EUR
25+ 12.09 EUR
100+ 10.35 EUR
250+ 9.78 EUR
500+ 9.2 EUR
1000+ 7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NVBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+13.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS4D0N15MConsemiMOSFET PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+25.79 EUR
10+ 22.1 EUR
25+ 21.5 EUR
100+ 18.43 EUR
250+ 18.12 EUR
500+ 16.25 EUR
1000+ 14.38 EUR
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NVBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
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NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
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NVBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2+25.61 EUR
10+ 21.96 EUR
100+ 18.3 EUR
500+ 16.15 EUR
1000+ 14.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS4D0N15MCON Semiconductor
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NVBPPanduitRacks & Rack Cabinets N TYPE VERTICAL BLKG PANELS 42RU-8RU
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NVBP1000Panduit CorpDescription: N-TYPE VERTICAL BLANKING PANELS
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NVBV-M207-6ABB Power Electronics Inc.Description: PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P
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NVBV-M253-11ABB Power Electronics Inc.Description: PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P
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NVBV-P488ABBCable Accessories VBV Connector 90 Degree Curved Elbow Polyamide Black
Produkt ist nicht verfügbar