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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
10+2.8 EUR
25+2.63 EUR
100+2.42 EUR
250+2.28 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ200IKALOGICDescription: LOGIC ANALYZER COMM SYST/COMP
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Communication Systems, Computer Systems, Electrical Systems
Tool Type: Logic Analyzer
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+447.98 EUR
5+427.64 EUR
10+419.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ200IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ200 - Logikanalysator, 4, 16kB, 200 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
rohsCompliant: YES
Stromverbrauch: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 200MHz
Außenbreite: 50mm
Außentiefe: 50mm
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 16kB
Außenhöhe: 15mm
Produktpalette: ScanaQuad Series
productTraceability: No
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80g
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+532.72 EUR
5+484.77 EUR
10+438.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ200Pimoroni LtdLogic Analyzer and Pattern Generators
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ200Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ201
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ201570Rose EnclosuresDescription: BOX 04102006 MOD TO EKD21020301
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.12 EUR
5+72.76 EUR
10+68 EUR
25+62.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2019H2
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ202PolyfetТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ202
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ202 Transistor
Produktcode: 89209
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ215Klein ToolsScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers #2 Square Insert Power Drivers, 1-Inch, 5-Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ215Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #2 1"
Packaging: Bulk
Tool Type: Bit, Power
Length - Overall: 1.00" (25.4mm)
Tip Type: Square
Tip Size: #2
Drive Size: 1/4"
Quantity: 5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ21G??2010+ ROHS
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2200-.25MHZ
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2200-250K
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ221
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1-GE3
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_BE3VishaySQ2301ES-T1_BE3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
auf Bestellung 25971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.54 EUR
100+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.73 EUR
137+0.62 EUR
152+0.56 EUR
202+0.42 EUR
250+0.36 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 14276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.86 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
239+0.98 EUR
320+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
auf Bestellung 71287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
25+0.83 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
256+0.9 EUR
382+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.17 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.88 EUR
214+1.08 EUR
329+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
33+0.64 EUR
100+0.52 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 144389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.3 EUR
100+0.81 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.5A
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.7 EUR
147+0.58 EUR
165+0.51 EUR
242+0.36 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303P-203NMLaird Technologies IASDescription: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303P36RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Antenna Type: Panel
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
Termination: RP-SMA Male
Gain: 3.5dBi
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Features: Cable - 914mm
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303P36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303P72RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2303PNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES
Produktcode: 170837
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 2,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 164/3,5
Montage: SMD
auf Bestellung: 352 St.
  • 352 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
173+1.34 EUR
210+1.02 EUR
266+0.81 EUR
300+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.64 EUR
394+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.36 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
200+1.17 EUR
306+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.76 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
200+1.17 EUR
306+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1-GE3Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1/GE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
295+0.79 EUR
433+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 24434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
295+0.79 EUR
433+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308FES-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1-BESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1-GESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
56+0.38 EUR
63+0.33 EUR
100+0.29 EUR
250+0.26 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.5 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
73+3.18 EUR
105+2.05 EUR
500+1.57 EUR
1500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
105+2.05 EUR
500+1.57 EUR
1500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 10011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.8 EUR
100+0.55 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
176+1.32 EUR
205+1.05 EUR
244+0.88 EUR
271+0.8 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1-BE3VishayMOSFET P-CH 60V 1.7A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1-GE3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 60V 1.7A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1-GE3 8P..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
auf Bestellung 327668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+1.02 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 8,5 @ 10 В, Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 37 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 27948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.81 EUR
168+1.38 EUR
248+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
30000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 27948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.81 EUR
168+1.38 EUR
248+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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