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Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2301ES-T1-GE3

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SQ2301ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3

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SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

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52+	1.02 EUR
59+	0.89 EUR
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500+	0.58 EUR
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SQ2301ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7775 Stücke:

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22+	1.22 EUR
25+	1.05 EUR
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1000+	0.46 EUR

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SQ2301ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2301ES-T1_BE3

SQ2301ES-T1_BE3

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SQ2301ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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22+	1.22 EUR
25+	1.05 EUR
100+	0.73 EUR
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SQ2301ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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179+	0.4 EUR
199+	0.36 EUR
261+	0.27 EUR
276+	0.26 EUR

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SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 23957 Stücke:

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43+	1.23 EUR
51+	1.02 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

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SQ2301ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.42 EUR

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SQ2301ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2301ES-T1_GE3

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261+	0.27 EUR
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SQ2303ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2303ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

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52+	1.02 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.71 EUR
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1000+	0.47 EUR
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SQ2303ES-T1_BE3

Automotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET

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SQ2303ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9406 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
25+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQ2303ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2303ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.9W
Gate charge: 6.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 370mΩ

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SQ2303ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2303ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2303ES-T1_GE3

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SQ2303ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

auf Bestellung 10270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2303ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12988 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
25+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 171914 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 50

SQ2303P-203NM

Description: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE

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SQ2303P12NF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE

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SQ2303P36RSM

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP SMA

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SQ2303P36RTN

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC

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SQ2303P72RTN

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC

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SQ2303PNF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE

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SQ2308BES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308CES
Produktcode: 170837

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23-3
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5
JHGF: SMD

auf Bestellung 483 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ2308CES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 33613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2308CES-T1-GE3

Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308CES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2308CES-T1_GE3

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SQ2308CES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308CES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 67867 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308CES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 508255 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2308CES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR
30000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

auf Bestellung 33613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

374+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR
2500+	0.34 EUR
5000+	0.32 EUR
10000+	0.3 EUR
25000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 374

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	0.86 EUR
210+	0.72 EUR
212+	0.68 EUR
288+	0.48 EUR
291+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 183

SQ2308CES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A

auf Bestellung 1371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2308CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19944 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	0.74 EUR
288+	0.52 EUR
291+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 212

SQ2308CES-T1_GE3

Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2308CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm

auf Bestellung 42674 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
9000+	0.27 EUR
24000+	0.26 EUR
45000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
177+	0.41 EUR
187+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SQ2308CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308CES-T1_GE3

MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 23351 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
40+	1.3 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SQ2308CES-T1_GE3

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
139+	0.51 EUR
160+	0.45 EUR
177+	0.41 EUR
187+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SQ2308CES-T1_GE3

auf Bestellung 42674 Stücke:

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SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.31 EUR
9000+	0.28 EUR
24000+	0.26 EUR
45000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2308ES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO236

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SQ2308ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308FES-T1/GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2308FES-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 2662 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
53+	0.99 EUR
100+	0.67 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SQ2309CES-T1_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3

auf Bestellung 9000 Stücke:

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SQ2309ES

auf Bestellung 3080 Stücke:

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SQ2309ES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2309ES-T1-BE3

MOSFET P-CH 60V 1.7A

auf Bestellung 500 Stücke:

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SQ2309ES-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SQ2309ES-T1-GE3 8P..

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

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30+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SQ2309ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 327902 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2309ES-T1_BE3

SQ2309ES-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12443 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2309ES-T1_BE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	2.01 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQ2309ES-T1_BE3

Automotive P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 48892 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2309ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 27948 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2309ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6.8A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 8.5nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 704mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309ES-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2309ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR
30000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2309ES-T1_GE3

auf Bestellung 27948 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2309ES-T1_GE3

MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 221997 Stücke:

Lieferzeit 528-542 Tag (e)

32+	1.66 EUR
39+	1.35 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.55 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 32

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2310CES-T1-GE3

Vishay 20V N-CHANNEL (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310CES-T1/GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310CES-T1_GE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2310CES-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 4888 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
56+	0.94 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 47

SQ2310CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310CES-T1_GE3

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2310ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2310ES-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2310ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.78 EUR
6000+	0.74 EUR
9000+	0.69 EUR
30000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2310ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 20V (D-S)

auf Bestellung 25279 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.78 EUR
6000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SQ2310ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.79 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQ2310ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

auf Bestellung 291 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.79 EUR
100+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 33571 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
30+	1.77 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.91 EUR
3000+	0.81 EUR
6000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.93 EUR
170+	0.89 EUR
222+	0.66 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 168

SQ2310ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2310ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

auf Bestellung 9170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.95 EUR
166+	0.91 EUR
168+	0.87 EUR
170+	0.82 EUR
222+	0.61 EUR
250+	0.57 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 165

SQ2310ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	1.17 EUR
138+	0.52 EUR
153+	0.47 EUR
155+	0.46 EUR
164+	0.44 EUR
500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 61

SQ2310ES-T1_GE3

auf Bestellung 2716 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

61+	1.17 EUR
138+	0.52 EUR
153+	0.47 EUR
155+	0.46 EUR
164+	0.44 EUR
500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 61

SQ2310ES-T1_GE3

auf Bestellung 9170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2315ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2315ES-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2315ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V

auf Bestellung 8650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SQ2315ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2315ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2315ES-T1_BE3

Automotive P-Channel 12 V, 175 degree C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2315ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V (D-S)

auf Bestellung 388353 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.45 EUR
9000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

621+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 621

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2315ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.67W
Gate charge: 13nC
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 75mΩ

auf Bestellung 1968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	0.48 EUR
167+	0.43 EUR
218+	0.33 EUR
231+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 150

SQ2315ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 127457 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.21 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SQ2315ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19618 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ2315ES-T1_GE3

auf Bestellung 1968 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

150+	0.48 EUR
167+	0.43 EUR
218+	0.33 EUR
231+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 150

SQ2315ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 8834 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

648+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 648

SQ2315ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2318AES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 91018 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2318AES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR
9000+	0.42 EUR
30000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2318AES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 61686 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ2318AES-T1_BE3

Automotive N-Channel 40 V, 175 degree C MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2318AES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

auf Bestellung 284046 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.46 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SQ2318AES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1179 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
186+	0.39 EUR
210+	0.34 EUR
239+	0.3 EUR
253+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 72

SQ2318AES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2318AES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 315813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2318AES-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 163800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.49 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SQ2318AES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 29236 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.19 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ2318AES-T1_GE3

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2318AES-T1_GE3

auf Bestellung 1179 Stücke:

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72+	1 EUR
186+	0.39 EUR
210+	0.34 EUR
239+	0.3 EUR
253+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 72

SQ2318AES-T1_GE3 VSIG

SQ2318AES-T1-GE3, only from VSIG Itzehoe Fab

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SQ2318BES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2318BES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2318BES-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 67247 Stücke:

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41+	1.28 EUR
48+	1.09 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.74 EUR
3000+	0.45 EUR
9000+	0.39 EUR
24000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SQ2318BES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2318BES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2318ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2318ES-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2319ADS-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5713 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2319ADS-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

auf Bestellung 294437 Stücke:

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40+	1.31 EUR
45+	1.16 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 40

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.64 EUR
15000+	0.56 EUR
30000+	0.51 EUR
45000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2319ADS-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2319ADS-T1_BE3

SQ2319ADS-T1_BE3

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SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.6 EUR
273+	0.55 EUR
274+	0.53 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 260

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

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3000+	0.42 EUR
6000+	0.41 EUR
9000+	0.37 EUR
15000+	0.35 EUR
24000+	0.33 EUR
30000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
147+	0.49 EUR
167+	0.43 EUR
189+	0.38 EUR
200+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

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SQ2319ADS-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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SQ2319ADS-T1_GE3

auf Bestellung 14830 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 84000 Stücke:

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3000+	0.64 EUR
21000+	0.56 EUR
42000+	0.51 EUR
63000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
147+	0.49 EUR
167+	0.43 EUR
189+	0.38 EUR
200+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 76

SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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SQ2319ADS-T1_GE3

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

auf Bestellung 2234 Stücke:

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SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.69 EUR
246+	0.61 EUR
248+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 226

SQ2319ADS-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 61330 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.38 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SQ2319ES-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

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SQ2319ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2325ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2325ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2325ES-T1_GE3
Produktcode: 164123

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SQ2325ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -2A
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	1.22 EUR
70+	1.03 EUR
79+	0.92 EUR
200+	0.36 EUR
211+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 59

SQ2325ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2325ES-T1_GE3

auf Bestellung 8788 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2325ES-T1_GE3

MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 202310 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
40+	1.32 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SQ2325ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2325ES-T1_GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

59+	1.22 EUR
70+	1.03 EUR
79+	0.92 EUR
200+	0.36 EUR
211+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 59

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2328ES-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET

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SQ2328ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2337ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2337ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 274683 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2337ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 80V (D-S)

auf Bestellung 233866 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.38 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SQ2337ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 270000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR
9000+	0.53 EUR
30000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2337ES-T1_BE3

P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2337ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 258830 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQ2337ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2337ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4199 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
134+	0.53 EUR
152+	0.47 EUR
175+	0.41 EUR
185+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 69

SQ2337ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 16586 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2337ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2337ES-T1_GE3

auf Bestellung 4199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	1.04 EUR
134+	0.53 EUR
152+	0.47 EUR
175+	0.41 EUR
185+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 69

SQ2348CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 1572 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
61+	0.86 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 52

SQ2348ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V (D-S)

auf Bestellung 238819 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2348ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2348ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1_BE3

SQ2348ES-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

auf Bestellung 12050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
20+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 1404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

179+	0.88 EUR
236+	0.64 EUR
250+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 179

SQ2348ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 64225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2348ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	0.98 EUR
178+	0.85 EUR
179+	0.81 EUR
236+	0.59 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 160

SQ2348ES-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 155225 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.54 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2348ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ2351CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 115 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 5572 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
54+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SQ2351ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

auf Bestellung 138900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SQ2351ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_BE3

SQ2351ES-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2933 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

80+	0.9 EUR
172+	0.42 EUR
191+	0.37 EUR
249+	0.29 EUR
264+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 80

SQ2351ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

auf Bestellung 8829 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.25 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2351ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 103048 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
46+	1.15 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SQ2351ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2351ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2351ES-T1_GE3

auf Bestellung 2933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	0.9 EUR
172+	0.42 EUR
191+	0.37 EUR
249+	0.29 EUR
264+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 80

SQ2360EES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2360EES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2360EES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2360EES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361AEES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7419 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2361AEES-T1_BE3

Trans MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361AEES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361AEES-T1_BE3

Trans MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361AEES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 46613 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 68683 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 111563 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2361AEES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361AEES-T1_GE3

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SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR
30000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.49 EUR
6000+	0.43 EUR
12000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361CEES-T1-BE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

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SQ2361CEES-T1-GE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

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SQ2361CEES-T1/GE3

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SQ2361CEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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SQ2361CEES-T1_GE3

SQ2361CEES-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361CEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361CES-T1-GE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361CES-T1/GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361CES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361EES-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361EES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361EES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2361ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 202695 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
42+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SQ2361ES-T1_BE3

Transistor P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 66887 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ2361ES-T1_BE3

Transistor P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

auf Bestellung 227016 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2361ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.92 EUR
195+	0.77 EUR
204+	0.71 EUR
287+	0.49 EUR
467+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 171

SQ2361ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	0.77 EUR
287+	0.53 EUR
467+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 204

SQ2361ES-T1_GE3

auf Bestellung 227016 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2361ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 63122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 195141 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
42+	1.26 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2362ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2362ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 602701 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2362ES-T1_BE3

SQ2362ES-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2362ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

auf Bestellung 1515 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.9 EUR
17+	1.62 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2362ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 49836 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2362ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 147

SQ2362ES-T1_GE3

auf Bestellung 49836 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2362ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	0.99 EUR
85+	0.84 EUR
97+	0.74 EUR
235+	0.3 EUR
249+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 73

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.07 EUR
172+	0.88 EUR
189+	0.77 EUR
232+	0.6 EUR
250+	0.57 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 147

SQ2362ES-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 17479 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.31 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2362ES-T1_GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

73+	0.99 EUR
85+	0.84 EUR
97+	0.74 EUR
235+	0.3 EUR
249+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 73

SQ2362ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

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SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

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SQ2364EES-T1 GE3

Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)

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SQ2364EES-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938

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SQ2364EES-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

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SQ2364EES-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4499 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
20+	1.3 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SQ2364EES-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2364EES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 8572 Stücke:

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34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2364EES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 7863 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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193+	0.81 EUR
195+	0.77 EUR
277+	0.53 EUR
280+	0.5 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 193

SQ2364EES-T1_GE3

MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

auf Bestellung 155639 Stücke:

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34+	1.55 EUR
40+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2364EES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 26138 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2364EES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1764 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	1.14 EUR
124+	0.58 EUR
140+	0.51 EUR
161+	0.44 EUR
171+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 63

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3020 Stücke:

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162+	0.97 EUR
191+	0.79 EUR
193+	0.75 EUR
195+	0.72 EUR
277+	0.48 EUR
280+	0.46 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 162

SQ2364EES-T1_GE3

auf Bestellung 1764 Stücke:

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63+	1.14 EUR
124+	0.58 EUR
140+	0.51 EUR
161+	0.44 EUR
171+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 63

SQ2364EES-T1_GE3

auf Bestellung 7863 Stücke:

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SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2020 Stücke:

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295+	0.53 EUR
313+	0.48 EUR
314+	0.46 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR
2000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 295

SQ2389ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive

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SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 100478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2389ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive

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SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

auf Bestellung 545428 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.38 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR
9000+	0.53 EUR
30000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2958 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

59+	1.22 EUR
70+	1.03 EUR
79+	0.91 EUR
192+	0.37 EUR
203+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 59

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 451 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.38 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20059 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.37 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQ2389ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.094
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQ2389ES-T1_GE3

auf Bestellung 2958 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	1.22 EUR
70+	1.03 EUR
79+	0.91 EUR
192+	0.37 EUR
203+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 59

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)

MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SQ2398ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2398ES-T1_BE3

SQ2398ES-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2398ES-T1_BE3

SQ2398ES-T1_BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2398ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8545 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ2398ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S)

auf Bestellung 20110 Stücke:

Lieferzeit 728-742 Tag (e)

34+	1.54 EUR
39+	1.35 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2398ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 219000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SQ2398ES-T1_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 113466 Stücke:

Lieferzeit 577-591 Tag (e)

34+	1.54 EUR
39+	1.35 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SQ2398ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2398ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 221646 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SQ24-12S500

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24-5D500

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ2403PFTNF

Antennas Omni,Squint,fixed,TN CF

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SQ2403PFTNF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM

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SQ2403PG12NF

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

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SQ2403PG12NF

Antennas Omni,Squint,12in,NF

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2403PG12RTN

Antennas Omni,Squint,12in,RTN M

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQ2403PG12RTN

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

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SQ2403PG36RSM

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2403PG36RSM

Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2403PG36RTN

Antennas Omni,Squint,36in,RTN M

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2403PG36RTN

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

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SQ2403PG48RBN

Antennas Omni,Squint,48in,RBN CM

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SQ2403PG48RBN

TE Connectivity Laird

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 1.2m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz

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SQ2403PTNF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL

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SQ2403PTRASMF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL

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SQ2403PV117SMM

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE SMA MALE

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SQ2403PV117SMM

Antennas Omni,Squint,117in,SM AM

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SQ2403PV12NF

Antennas Omni,Squint,12in,NF

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SQ2403PV12NF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE

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SQ2403PV144RSM

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

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SQ2403PV144RSM

Antennas Omni,Squint,144in,RS MAM

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SQ2403PV36RTN

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC

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SQ2403PV36RTN

Antennas Omni,Squint,36in,RTN M

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SQ2403PV96RSM

Antennas Omni,Squint,96in,RSM AM

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SQ2403PV96RSM

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA

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SQ2403PVNF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE

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SQ2405DD12NF

Description: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE

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SQ2405DD36RTN

Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC

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SQ2405DDN36RSM

Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA

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SQ24493P12SMM

Description: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND

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SQ2449PV36RSM

Description: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE

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SQ2449PV36RSM

Laird

Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM

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SQ2449PV72RSM

Laird

Antennas Omni,Squint,72in,RSM AM

Produkt ist nicht verfügbar

SQ2449PV72RSM

Description: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE

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SQ24D25

Teledyne Relays

Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	717.76 EUR
10+	669.86 EUR
25+	645.92 EUR
36+	636.38 EUR
108+	615.94 EUR

SQ24D25-12

Teledyne Relays

Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	586.07 EUR
10+	549.48 EUR
25+	512.82 EUR
50+	494.49 EUR
100+	487.21 EUR
250+	471.61 EUR
500+	471.59 EUR

SQ24S03150-NS00

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24S03150-PS00

Power-One

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S03150-PS00

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S03150-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S03150-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 15V

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SQ24S04120-NS00

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

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SQ24S04120-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	227.92 EUR
5+	226.1 EUR
10+	224.3 EUR
25+	210.18 EUR
48+	210.16 EUR
96+	184.63 EUR
288+	184.57 EUR

SQ24S04120-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-NS00G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-PS00

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-PS00

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-PS00

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-PS00G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQ24S04120-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S04120-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S05080-NS00

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S05080-PS00

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S05080-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S05080-PS00G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM;

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-NS00

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM;

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	230.36 EUR
5+	228.51 EUR
10+	226.69 EUR
25+	212.06 EUR

SQ24S08060-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-NS00G

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-PS00

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-PS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;;

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S08060-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S10050-NS00

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

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SQ24S10050-NS00G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S10050-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S10050-NS0S

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S10050-PS00

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S10050-PS00G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24S10050-PS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM;

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	225.99 EUR
5+	208.81 EUR
10+	202.59 EUR
25+	200.23 EUR
48+	185.22 EUR
96+	185.2 EUR
288+	185.12 EUR

SQ24S10050-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

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SQ24S10050-PS0S

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

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SQ24S10050-PSN0

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24S15033-NS00

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

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SQ24S15033-NS00G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24S15033-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S15033-NS0S

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S15033-PS00

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24S15033-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

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SQ24S15033-PS00G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;;

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SQ24S15033-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S15033-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	243.1 EUR

SQ24S15033-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24S15033-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	171.7 EUR
15+	164.85 EUR
25+	158.2 EUR
60+	151.9 EUR

SQ24S15033-PSN0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T03150-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T03150-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T03150-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T03150-NEC0G

Isolated DC/DC Converters

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T03150-NEC0G

Description: DC DC CONVERTER 15V 50W

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T03150-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

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SQ24T03150-PAA0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

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SQ24T03150-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-NAC0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

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SQ24T04120-NAC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T04120-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-NBA0G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

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SQ24T04120-NBA0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

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SQ24T04120-NBA0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	234.73 EUR
5+	232.86 EUR
10+	230.98 EUR
25+	216.09 EUR
48+	209.82 EUR
288+	194.3 EUR

SQ24T04120-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

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SQ24T04120-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T04120-NBC0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-NDB0

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-NEAS

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

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SQ24T04120-PAC0G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

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SQ24T04120-PAC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T04120-PAC0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-PBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-PCB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

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SQ24T04120-PDA0

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T04120-PDB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

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SQ24T05080-NBA0

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

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SQ24T05080-NBA0G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

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SQ24T05080-PBA0G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

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SQ24T05080-PBA0G

Isolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/

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SQ24T08060-NAA0G

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T08060-NBA0G

Description: DC/DC CONVERT 6V 8A

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SQ24T08060-NEC0G

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T08060-PAA0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

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SQ24T08060-PBA0

Description: DC/DC CONVERT 6V 8A

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SQ24T08060-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T10050-NAA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

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SQ24T10050-NAB0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T10050-NAC0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T10050-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T10050-NBA0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T10050-NBA0G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	217.57 EUR
48+	217.54 EUR
96+	189.33 EUR
288+	174.36 EUR

SQ24T10050-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T10050-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T10050-NBC0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T10050-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	86.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SQ24T10050-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQ24T10050-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T10050-NEC0G

Isolated DC/DC Converters

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SQ24T10050-PAA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

SQ24T10050-PAALG

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W

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SQ24T10050-PBA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

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SQ24T10050-PDB0

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T10050-PDB0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15012-NBB0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

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SQ24T15012-NBB0G

Description: DC DC CONVERTER 1.2V 18W

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SQ24T15015-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15015-PCA0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT

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SQ24T15020-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 2V 15A

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SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

auf Bestellung 18 Stücke:

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2+	105.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	105.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SQ24T15020-NEC0

Description: DC DC CONVERTER 2V 30W

auf Bestellung 10 Stücke:

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SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

auf Bestellung 9 Stücke:

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2+	149.49 EUR
4+	138.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SQ24T15020-NEC0G

Description: DC DC CONVERTER 2V 30W

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SQ24T15020-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick

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SQ24T15020-NEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER

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SQ24T15025-NBB0G

Description: DC DC CONVERTER 2.5V 38W

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SQ24T15025-NBB0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

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SQ24T15033-NAB0

POWERO

07+NOP

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SQ24T15033-NAB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

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SQ24T15033-NAB0G

Isolated DC/DC Converters

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SQ24T15033-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

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SQ24T15033-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15033-NBB0

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout

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SQ24T15033-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15033-NBB0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W

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1+	204.98 EUR
5+	204.1 EUR
10+	203.24 EUR
25+	196.22 EUR
48+	192.71 EUR
96+	182.62 EUR

SQ24T15033-NBB0G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15033-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

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SQ24T15033-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

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3+	64.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SQ24T15033-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15033-NEC0G

Isolated DC/DC Converters

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SQ24T15033-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

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SQ24T15033-PBB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

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SQ24T15033-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

auf Bestellung 16 Stücke:

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SQ24T15033-PDC0