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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
DTC-076C-1DTCPLCC44
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DTC-076C-1FN44IMP
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DTC-076C-1FN44IMP09+ PLCC-44
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DTC-076C-3FN44IMP09+ PLCC-44
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DTC-076C-3FN44IMP
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DTC-114BDTCPLCC44
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DTC-114B PD48IMPDIP 88+
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DTC-114B-PQ44IMP09+ PLCC-44
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DTC-114B-PQ44IMP
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DTC-140HEXCELITASSPECIALTY SILICON DETECTORS - UV-ENHANCED
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DTC-158ADTCPLCC84
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DTC-220DTCPLCC68
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DTC-228ADIP28
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DTC-253WSI09+ PLCC-68
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DTC-253WSI
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DTC-253DTCPLCC28
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DTC-253-2WSI09+ PLCC-68
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DTC-253-2WSI
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DTC-269DTCPLCC68
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DTC-320ADTCPLCC28
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DTC-327ADTCPLCC44
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DTC-327BDTCPLCC44
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DTC-327CDTCPLCC44
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DTC-331ADTCPLCC44
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DTC-331BDTCPLCC44
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DTC-332A09+
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DTC-332BSCPLCC
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DTC-332B.08+ PLCC
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DTC-351ADTCPLCC44
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DTC-356BDTCPLCC44
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DTC-402ANS
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DTC-402ADTCPLCC44
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DTC-403/4SCPLCC
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DTC-406ADTCPLCC68
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DTC-454DTCPLCC44
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DTC-461DTCPLCC44
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DTC-485DTCPLCC44
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DTC-486DTCPLCC52
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DTC-487DTCPLCC68
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DTC-K-F.OMEGADescription: OMEGA - DTC-K-F. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, RCPT
tariffCode: 85366990
Thermoelement: K
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Socket
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: DTC Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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DTC-K-M.OMEGADescription: OMEGA - DTC-K-M. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, PLUG
tariffCode: 85366990
Thermoelement: K
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: DTC Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 24 Stücke:
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DTC-KI-MOMEGADescription: OMEGA - DTC-KI-M - Thermoelement-Stecker, Standard, 4 Flachstifte, Typ K, -29°C bis 180°C, IEC, DTC-Serie
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 47 Stücke:
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DTC-U-F-ROHSOMEGADescription: OMEGA - DTC-U-F-ROHS - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ U, Produktreihe DTC
Thermoelement: U
Ausführung: Buchse
Produktpalette: DTC Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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DTC013ZEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.094 EUR
9000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC013ZEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC013ZEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 10554 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
129+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
DTC013ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 15258 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
65+0.81 EUR
80+ 0.65 EUR
151+ 0.35 EUR
500+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 65
DTC013ZMT2LROHMDescription: ROHM - DTC013ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC013ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC013ZMT2LROHM SEMICONDUCTORDTC013ZMT2L NPN SMD transistors
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
875+0.082 EUR
1575+ 0.046 EUR
8000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 875
DTC013ZMT2LROHMDescription: ROHM - DTC013ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC013Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC013ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC013ZUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC013ZUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
72+0.73 EUR
88+ 0.59 EUR
166+ 0.31 EUR
500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 72
DTC013ZUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
36+0.73 EUR
44+ 0.59 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36
DTC014EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+ 0.074 EUR
9000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC014EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 457497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3598+0.043 EUR
3611+ 0.042 EUR
4220+ 0.034 EUR
6000+ 0.031 EUR
12000+ 0.028 EUR
96000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3598
DTC014EEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 5606 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
112+0.47 EUR
117+ 0.44 EUR
216+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 112
DTC014EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC014EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 20100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
81+ 0.32 EUR
150+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC014EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 83930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
5000+ 0.094 EUR
10000+ 0.088 EUR
25000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC014EEBTLROHM SEMICONDUCTORDTC014EEBTL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
5000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC014EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 30781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4238+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 4238
DTC014EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 9734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ
Case: SOT723
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: NPN
Current gain: 35
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 7084 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
116+ 0.45 EUR
313+ 0.17 EUR
1000+ 0.1 EUR
2500+ 0.099 EUR
8000+ 0.07 EUR
48000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 90
DTC014EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
46+0.57 EUR
67+ 0.39 EUR
136+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46
DTC014EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
10000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ
Case: SOT723
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: NPN
Current gain: 35
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
DTC014EUBTLROHM SEMICONDUCTORDTC014EUBTL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014EUBTLROHMDescription: ROHM - DTC014EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: DTC014E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 243340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3437+0.045 EUR
3461+ 0.044 EUR
4017+ 0.036 EUR
6000+ 0.033 EUR
12000+ 0.03 EUR
96000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3437
DTC014EUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 7499 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
69+0.76 EUR
85+ 0.61 EUR
160+ 0.32 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 69
DTC014EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC014EUBTLROHMDescription: ROHM - DTC014EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: DTC014E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 13892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1710+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 1710
DTC014TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 5747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
81+ 0.32 EUR
150+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC014TEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC014TEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC014TEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
112+0.47 EUR
117+ 0.44 EUR
216+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.075 EUR
9000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 112
DTC014TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1356+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1356
DTC014TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
42+0.62 EUR
51+ 0.52 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
DTC014TMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014TMT2LROHM SEMICONDUCTORDTC014TMT2L NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 4137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.041 EUR
3788+ 0.04 EUR
4292+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
DTC014TUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 3926 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
69+0.76 EUR
85+ 0.61 EUR
160+ 0.32 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 69
DTC014TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2632+0.059 EUR
2711+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2632
DTC014TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC014TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2632+0.059 EUR
2711+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2632
DTC014TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014YEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC014YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.055 EUR
2942+ 0.051 EUR
5000+ 0.048 EUR
10000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
DTC014YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.055 EUR
2942+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
DTC014YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 196630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3461+0.045 EUR
3473+ 0.043 EUR
4049+ 0.036 EUR
6000+ 0.033 EUR
12000+ 0.029 EUR
96000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
DTC014YEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014YEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
57+ 0.46 EUR
105+ 0.25 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
DTC014YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 15700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.055 EUR
2942+ 0.051 EUR
5000+ 0.048 EUR
10000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
DTC014YMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014YMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
10000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014YMT2LROHM SEMICONDUCTORDTC014YMT2L NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014YMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
86+0.61 EUR
104+ 0.5 EUR
197+ 0.27 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
2500+ 0.096 EUR
8000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 86
DTC014YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.09 EUR
16000+ 0.076 EUR
24000+ 0.072 EUR
56000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC014YMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 60409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2476+0.063 EUR
2703+ 0.056 EUR
2718+ 0.053 EUR
8000+ 0.042 EUR
16000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2476
DTC014YMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.14 EUR
1141+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1103
DTC014YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 70180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
55+ 0.48 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44
DTC014YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.055 EUR
2942+ 0.051 EUR
5000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
DTC014YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014YUBTLROHMDescription: ROHM - DTC014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: DTC014Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.055 EUR
2942+ 0.051 EUR
5000+ 0.048 EUR
10000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
DTC014YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.055 EUR
2942+ 0.051 EUR
5000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
DTC014YUBTLROHMDescription: ROHM - DTC014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: DTC014Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC014YUBTLROHM SEMICONDUCTORDTC014YUBTL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC014YUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
69+0.76 EUR
85+ 0.61 EUR
160+ 0.32 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 69
DTC014YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 15399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1384+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1384
DTC015EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
59+ 0.45 EUR
107+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
DTC015EEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC015EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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DTC015EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC015EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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DTC015EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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DTC015EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015EUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC015TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015TEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC015TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
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Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
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Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
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Supplier Device Package: VMT3
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Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
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Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015TMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC015TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
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Supplier Device Package: UMT3F
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Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC015TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC015TUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC015TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
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Supplier Device Package: UMT3F
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DTC015TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTC023EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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DTC023EEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023EEBTLROHM SEMICONDUCTORDTC023EEBTL NPN SMD transistors
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DTC023EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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DTC023EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
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DTC023EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
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DTC023EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
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Mindestbestellmenge: 46
DTC023EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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DTC023EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC023EUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC023EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
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DTC023EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2500+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
DTC023EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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3000+0.14 EUR
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DTC023JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
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DTC023JEBTLROHM SEMICONDUCTORDTC023JEBTL NPN SMD transistors
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DTC023JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
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DTC023JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
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DTC023JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
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DTC023JEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
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DTC023JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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DTC023JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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Mindestbestellmenge: 399
DTC023JMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
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DTC023JMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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DTC023JMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
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DTC023JUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023JUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC023JUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC023JUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
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DTC023JUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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2850+0.055 EUR
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Mindestbestellmenge: 2850
DTC023JUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC023YEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC023YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
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1456+0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC023YEBTLROHM SEMICONDUCTORDTC023YEBTL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC023YEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC023YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
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3969+0.039 EUR
3985+ 0.038 EUR
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Mindestbestellmenge: 3969
DTC023YEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
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69+ 0.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 63
DTC023YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 1739 Stücke:
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1456+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC023YMT2LROHM SEMICONDUCTORDTC023YMT2L NPN SMD transistors
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DTC023YMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 18972 Stücke:
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90+0.58 EUR
154+ 0.34 EUR
264+ 0.2 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
8000+ 0.081 EUR
24000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 90
DTC023YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
DTC023YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
auf Bestellung 3424 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC023YUBTLROHMDescription: ROHM - DTC023YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: DTC023Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC023YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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1425+0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
5000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
DTC023YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
41+ 0.63 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 34
DTC023YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5846 Stücke:
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3125+0.05 EUR
3425+ 0.044 EUR
3437+ 0.042 EUR
4000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3125
DTC023YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC023YUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 6592 Stücke:
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DTC024EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
57+ 0.46 EUR
105+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 53
DTC024EEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 2885 Stücke:
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DTC024EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
46+0.57 EUR
67+ 0.39 EUR
136+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46
DTC024EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024EUBTLROHMDescription: ROHM - DTC024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC024E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC024EUBTLROHMDescription: ROHM - DTC024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC024E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC024EUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
DTC024EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
41+ 0.63 EUR
100+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 34
DTC024XEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
82+ 0.64 EUR
130+ 0.4 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 52
DTC024XEBTLRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-416FL, R1R2 LEAK ABSORP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC024XEBTLROHM SEMICONDUCTORDTC024XEBTL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024XEBTLRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-416FL, R1R2 LEAK ABSORP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
DTC024XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
auf Bestellung 7035 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC024XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 15389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
65+0.81 EUR
80+ 0.65 EUR
151+ 0.35 EUR
500+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 65
DTC024XUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC024XUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
72+0.73 EUR
119+ 0.44 EUR
186+ 0.28 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 72
DTC024XUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC043EEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
112+0.47 EUR
117+ 0.44 EUR
216+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.075 EUR
9000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 112
DTC043EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 87650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1520+0.1 EUR
2500+ 0.096 EUR
5000+ 0.09 EUR
10000+ 0.085 EUR
25000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
DTC043EEBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC89
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EEBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC89
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC043EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Case: SOT723
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: NPN
Current gain: 20
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC043EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Case: SOT723
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: NPN
Current gain: 20
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 10940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1162+0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
5000+ 0.11 EUR
10000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1162
DTC043EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 33309 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
94+0.56 EUR
132+ 0.4 EUR
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2500+ 0.096 EUR
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24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 94
DTC043EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 14756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
46+0.57 EUR
67+ 0.39 EUR
136+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 46
DTC043EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 103343 Stücke:
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2718+0.057 EUR
2916+ 0.052 EUR
2924+ 0.05 EUR
8000+ 0.04 EUR
16000+ 0.037 EUR
64000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 2718
DTC043EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 162020 Stücke:
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3437+0.045 EUR
3461+ 0.044 EUR
4017+ 0.036 EUR
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96000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3437
DTC043EUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 8664 Stücke:
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69+0.76 EUR
85+ 0.61 EUR
160+ 0.32 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 69
DTC043EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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1520+0.1 EUR
2500+ 0.096 EUR
5000+ 0.09 EUR
10000+ 0.085 EUR
25000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
DTC043EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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DTC043TEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2500+ 0.096 EUR
5000+ 0.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 1520
DTC043TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043TEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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117+ 0.44 EUR
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3000+ 0.075 EUR
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DTC043TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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44+0.6 EUR
53+ 0.5 EUR
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500+ 0.17 EUR
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DTC043TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 4779 Stücke:
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DTC043TMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 392 Stücke:
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DTC043TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 30830 Stücke:
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3774+0.041 EUR
3788+ 0.04 EUR
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DTC043TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1520+0.1 EUR
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5000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
DTC043TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1520+0.1 EUR
2500+ 0.096 EUR
5000+ 0.09 EUR
10000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
DTC043TUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
69+0.76 EUR
85+ 0.61 EUR
160+ 0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 69
DTC043XEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 8958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1520+0.1 EUR
2500+ 0.096 EUR
5000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
DTC043XEBTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital transistor (with built-in resistors)
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XEBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC89
Current gain: 35
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XEBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC89
Current gain: 35
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 35650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.046 EUR
3437+ 0.044 EUR
4000+ 0.036 EUR
6000+ 0.033 EUR
12000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3425
DTC043XEBTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XMT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world.
auf Bestellung 3493 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
119+ 0.44 EUR
286+ 0.18 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
8000+ 0.081 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
DTC043XMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2284+0.068 EUR
2500+ 0.064 EUR
5000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2284
DTC043XMT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 7732 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
39+0.68 EUR
47+ 0.55 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
2000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39
DTC043XUBROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XUBTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043XUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world.
auf Bestellung 10875 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
94+0.56 EUR
127+ 0.41 EUR
274+ 0.19 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.091 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 94
DTC043XUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.041 EUR
3788+ 0.04 EUR
4292+ 0.034 EUR
6000+ 0.031 EUR
12000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
DTC043XUBTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC043XUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1520+0.1 EUR
2500+ 0.096 EUR
5000+ 0.09 EUR
10000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
DTC043ZEBROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043ZEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043ZEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
81+ 0.32 EUR
150+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC043ZEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 510017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.045 EUR
3522+ 0.043 EUR
4099+ 0.035 EUR
6000+ 0.032 EUR
12000+ 0.029 EUR
96000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3497
DTC043ZEBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC89
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043ZEBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC89
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043ZEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1746+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1746
DTC043ZEBTLROHMDescription: ROHM - DTC043ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Produktpalette: DTC043Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 21223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC043ZEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+ 0.074 EUR
9000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC043ZEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 23491 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
112+0.47 EUR
117+ 0.44 EUR
216+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 112
DTC043ZEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1456
DTC043ZEBTLROHMDescription: ROHM - DTC043ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC043Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 21223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC043ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Digital TR NPN
auf Bestellung 48539 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
67+0.78 EUR
82+ 0.64 EUR
153+ 0.34 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.14 EUR
2500+ 0.12 EUR
8000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 67
DTC043ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 167433 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.14 EUR
2000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
DTC043ZMT2LROHMDescription: ROHM - DTC043ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC043ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+ 0.095 EUR
24000+ 0.089 EUR
56000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC043ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1511+0.047 EUR
1743+ 0.041 EUR
1977+ 0.036 EUR
2393+ 0.03 EUR
2526+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 1511
DTC043ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1511+0.047 EUR
1743+ 0.041 EUR
1977+ 0.036 EUR
2393+ 0.03 EUR
2526+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 1511
DTC043ZMT2LROHMDescription: ROHM - DTC043ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC043ZUB TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 191870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC043ZUBTLROHMDescription: ROHM - DTC043ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC043Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC043ZUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 14026 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
43+ 0.61 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
DTC043ZUBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 200mW
Case: SOT323F
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043ZUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC043ZUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 38260 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
75+0.7 EUR
113+ 0.46 EUR
267+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.088 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 75
DTC043ZUBTLROHMDescription: ROHM - DTC043ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC043Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC043ZUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC043ZUBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 200mW
Case: SOT323F
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC044EEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 7395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
DTC044EEBTLROHM SEMICONDUCTORDTC044EEBTL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
57+ 0.46 EUR
105+ 0.25 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
DTC044EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 47kΩ
Case: SOT723
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: NPN
Current gain: 80
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 47kΩ
Case: SOT723
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: NPN
Current gain: 80
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 5913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
46+0.57 EUR
67+ 0.39 EUR
136+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 46
DTC044EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
131+ 0.4 EUR
323+ 0.16 EUR
1000+ 0.099 EUR
8000+ 0.07 EUR
48000+ 0.065 EUR
96000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 90
DTC044EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC044EUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 24747 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
75+0.7 EUR
117+ 0.44 EUR
264+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.091 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 75
DTC044TEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
auf Bestellung 17991 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
DTC044TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
57+ 0.46 EUR
105+ 0.25 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
DTC044TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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DTC044TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
auf Bestellung 8000 Stücke:
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DTC044TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
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DTC044TMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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90+0.58 EUR
131+ 0.4 EUR
207+ 0.25 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.099 EUR
8000+ 0.07 EUR
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DTC044TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
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DTC044TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
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DTC044TUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC044TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC044TUBTLROHM SEMICONDUCTORDTC044TUBTL NPN SMD transistors
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DTC044TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
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DTC1000CDelta Electronics/Industrial AutomationDescription: DTC MPU, CURRENT OUTPUT
Packaging: Box
Output Type: Analog
Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail
Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U)
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC
Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV
Communications: RS-485 (Modbus)
Control Method: On/Off, Proportional (PID)
Part Status: Active
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1+217.05 EUR
DTC1000LDelta Electronics/Industrial AutomationDescription: DTC MPU, LINEAR VOLTAGE OUTPUT
Packaging: Box
Output Type: Analog
Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail
Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U)
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC
Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV
Communications: RS-485 (Modbus)
Control Method: On/Off, Proportional (PID)
Part Status: Active
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DTC1000RDelta ElectronicsTemperature Controllers DTC MPU, relay output - Din Rail
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DTC1000VDelta ElectronicsControllers
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DTC1000VDelta Electronics/Industrial AutomationDescription: DTC MPU, VOLTAGE OUTPUT
Packaging: Box
Output Type: Voltage (External SSR)
Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail
Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U)
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC
Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV
Communications: RS-485 (Modbus)
Control Method: On/Off, Proportional (PID)
Part Status: Active
auf Bestellung 34 Stücke:
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1+217.05 EUR
20+ 204.27 EUR
DTC1001RDelta Electronics/Industrial AutomationDescription: DTC MPU, RELAY OUTPUT WITH CT CO
Packaging: Box
Output Type: Relay
Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail
Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U)
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC
Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV
Communications: RS-485 (Modbus)
Control Method: On/Off, Proportional (PID)
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DTC113EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
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DTC113EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTC113EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
82+ 0.32 EUR
152+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC113EET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
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135+0.39 EUR
184+ 0.28 EUR
290+ 0.18 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.068 EUR
9000+ 0.052 EUR
24000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 135
DTC113EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.078 EUR
6000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC113EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTC113EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
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68+0.77 EUR
98+ 0.54 EUR
154+ 0.34 EUR
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2500+ 0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 68
DTC113EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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DTC113EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DTC113EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
49+ 0.53 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
DTC113EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
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DTC113EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC113ZCAYangjie Electronic TechnologyDigital Transistors (Built-in Resistors)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7143+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 7143
DTC113ZCAYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.044 EUR
15000+ 0.042 EUR
30000+ 0.039 EUR
60000+ 0.036 EUR
120000+ 0.034 EUR
300000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC113ZCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1425+0.05 EUR
2800+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
DTC113ZCAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
DTC113ZCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA RFTaiwan SemiconductorNPN Small Signal Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
46+0.57 EUR
67+ 0.39 EUR
136+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46
DTC113ZCA-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 1KOhms 250MHz
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
121+ 0.43 EUR
313+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.073 EUR
24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 90
DTC113ZCA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-23 1kO Input Resist
auf Bestellung 9249 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
159+ 0.33 EUR
267+ 0.2 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.065 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 108
DTC113ZCAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2075+0.075 EUR
2500+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 2075
DTC113ZCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZCAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.15 EUR
1104+ 0.14 EUR
2500+ 0.13 EUR
5000+ 0.12 EUR
10000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1068
DTC113ZCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
60+ 0.44 EUR
122+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 40
DTC113ZCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.062 EUR
2507+ 0.06 EUR
2703+ 0.054 EUR
3000+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DTC113ZCAT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 100mA 50V w/bias resistor
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
119+ 0.44 EUR
286+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
DTC113ZCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZE RKTaiwan SemiconductorDTC113ZE RK
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
72+ 0.72 EUR
127+ 0.41 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
DTC113ZE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2370+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 2370
DTC113ZE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DTC113ZE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.096 EUR
2500+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1629
DTC113ZE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTC113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DTC113ZE3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
81+ 0.64 EUR
143+ 0.36 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC113ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTC113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 100mA; 50V EMT3F
auf Bestellung 8399 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
86+0.61 EUR
125+ 0.42 EUR
254+ 0.21 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.086 EUR
24000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 86
DTC113ZEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2632+0.059 EUR
2711+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2632
DTC113ZEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZEFRATLROHM SemiconductorDigital Transistors DTC113ZEFRA is a transistor with bias resistor, suitable for inverter. It is a highly reliable product for automotive.
auf Bestellung 5317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
85+ 0.62 EUR
207+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 59
DTC113ZEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
43+ 0.61 EUR
100+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
DTC113ZEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZKROHMSOT23
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKROHM09+
auf Bestellung 35518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKROHM06+ SOT-23
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKAROHMSOT-23
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKAROHM04+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKAROHMSOT23
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKA T146ROHMSOT23
auf Bestellung 3644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.096 EUR
2500+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1629
DTC113ZKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
993+0.072 EUR
1102+ 0.065 EUR
1516+ 0.047 EUR
1603+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 993
DTC113ZKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 49336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2451+0.064 EUR
2458+ 0.061 EUR
2802+ 0.052 EUR
3000+ 0.048 EUR
6000+ 0.043 EUR
12000+ 0.041 EUR
24000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2451
DTC113ZKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
993+0.072 EUR
1102+ 0.065 EUR
1516+ 0.047 EUR
1603+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 993
DTC113ZKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 12727 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 44
DTC113ZKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC113ZKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZKAT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 86
DTC113ZKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.096 EUR
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Mindestbestellmenge: 1629
DTC113ZKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
DTC113ZKT146
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DTC113ZL
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DTC113ZM RMTaiwan SemiconductorDTC113ZM RM
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZMT2LROHMDescription: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Digital Trans w/Res VMT3
auf Bestellung 7938 Stücke:
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64+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 64
DTC113ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZMT2LROHMDescription: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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DTC113ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
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Mindestbestellmenge: 1085
DTC113ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
DTC113ZSAROHMTO-92 02+
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DTC113ZSA A3Taiwan SemiconductorDTC113ZSA A3
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZSA TPROHMTO92
auf Bestellung 4100 Stücke:
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DTC113ZU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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2532+0.062 EUR
2611+ 0.058 EUR
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Mindestbestellmenge: 2532
DTC113ZU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2532+0.062 EUR
2611+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2532
DTC113ZU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
43+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30
DTC113ZU3HZGT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
85+ 0.62 EUR
173+ 0.3 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 59
DTC113ZU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC113ZU3T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
auf Bestellung 8804 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
158+ 0.33 EUR
385+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
3000+ 0.075 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 108
DTC113ZU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC113ZU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1142+0.14 EUR
1180+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1142
DTC113ZU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 4775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
163+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC113ZU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUAYangjie Electronic TechnologyDTC113ZUA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
DTC113ZUAYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.062 EUR
15000+ 0.06 EUR
30000+ 0.055 EUR
60000+ 0.052 EUR
120000+ 0.047 EUR
300000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC113ZUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUA RVTaiwan SemiconductorNPN Small Signal Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUA T106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 8702 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC113ZUA-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUA-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC113ZUA-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-323
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DTC113ZUA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1675+0.043 EUR
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2100+ 0.034 EUR
2550+ 0.028 EUR
2700+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1675
DTC113ZUA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTC113ZUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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DTC113ZUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 1KOhms 250MHz
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9000+ 0.057 EUR
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DTC113ZUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 282000 Stücke:
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DTC113ZUA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1875+ 0.039 EUR
2100+ 0.034 EUR
2550+ 0.028 EUR
2700+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1675
DTC113ZUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3691
DTC113ZUA/121ROHM
auf Bestellung 19471 Stücke:
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DTC113ZUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC113ZUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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DTC113ZUAT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323
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Mindestbestellmenge: 79
DTC113ZUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
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500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
DTC113ZUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
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2618+ 0.058 EUR
3068+ 0.047 EUR
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6000+ 0.039 EUR
12000+ 0.037 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 2605
DTC113ZUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114
auf Bestellung 30000 Stücke:
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DTC114-EKA-T146
Produktcode: 16459
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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DTC1144EKA T146ROHMSOT23/SOT323
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DTC1144EUAROHMSOT-323
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DTC114BKAROHMN A
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DTC114EONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114E - DTC114E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
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11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
DTC114EBT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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DTC114ECAYangjie Electronic TechnologyDTC114ECA
auf Bestellung 999000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7143+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 7143
DTC114ECAYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.044 EUR
15000+ 0.042 EUR
30000+ 0.039 EUR
60000+ 0.036 EUR
120000+ 0.034 EUR
300000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114ECAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2775+ 0.026 EUR
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3600+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1575
DTC114ECALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 11475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1350+0.053 EUR
1525+ 0.048 EUR
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1975+ 0.037 EUR
12000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
DTC114ECAYANGJIETransistor NPN; Digital BJT; Bipolarny; 50V; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; Substitute: DTC114ECA-YAN; DTC114ECA TDTC114ECA YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
DTC114ECALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 11475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+0.053 EUR
1525+ 0.048 EUR
1850+ 0.039 EUR
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Mindestbestellmenge: 1350
DTC114ECAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
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DTC114ECAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1575+0.046 EUR
2775+ 0.026 EUR
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Mindestbestellmenge: 1575
DTC114ECA RFTaiwan SemiconductorNPN Small Signal Digital Transistor
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DTC114ECA RFTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
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DTC114ECA RUTaiwan SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23
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DTC114ECA-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
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DTC114ECA-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
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DTC114ECA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTC114ECA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1775+0.041 EUR
2375+ 0.03 EUR
2700+ 0.027 EUR
3100+ 0.023 EUR
3275+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 1775
DTC114ECA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5051+0.031 EUR
6000+ 0.03 EUR
9000+ 0.026 EUR
30000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 5051
DTC114ECA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114ECA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5051+0.031 EUR
6000+ 0.03 EUR
9000+ 0.026 EUR
30000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 5051
DTC114ECA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
77+0.34 EUR
108+ 0.24 EUR
200+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 77
DTC114ECA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ECA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1775+0.041 EUR
2375+ 0.03 EUR
2700+ 0.027 EUR
3100+ 0.023 EUR
3275+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 1775
DTC114ECA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 501000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
DTC114ECA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors Sgle NPN, 100mA
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
154+0.34 EUR
213+ 0.24 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 154
DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial ComponentsDTC114ECAHE3-TP
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DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1294+0.12 EUR
1551+ 0.094 EUR
2578+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 1294
DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-23
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
119+ 0.44 EUR
186+ 0.28 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.37 EUR
638+ 0.24 EUR
645+ 0.23 EUR
652+ 0.21 EUR
1294+ 0.1 EUR
1306+ 0.098 EUR
1551+ 0.079 EUR
2578+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 426
DTC114ECAHE3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
60+ 0.44 EUR
122+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
2000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
auf Bestellung 31684 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
113+0.46 EUR
166+ 0.31 EUR
378+ 0.14 EUR
1000+ 0.083 EUR
3000+ 0.07 EUR
24000+ 0.065 EUR
45000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 113
DTC114ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1475+0.049 EUR
1625+ 0.044 EUR
2000+ 0.036 EUR
2125+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1475
DTC114ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
81+ 0.32 EUR
150+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+0.22 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 712
DTC114ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1475+0.049 EUR
1625+ 0.044 EUR
2000+ 0.036 EUR
2125+ 0.034 EUR
12000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1475
DTC114ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+0.22 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 712
DTC114ECAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 575
DTC114ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.38 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.33 EUR
2500+ 0.31 EUR
5000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 412
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2558+0.061 EUR
2565+ 0.059 EUR
2995+ 0.048 EUR
3165+ 0.044 EUR
6000+ 0.04 EUR
12000+ 0.038 EUR
24000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 2558
DTC114ECAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
575+0.12 EUR
1400+ 0.051 EUR
12000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 575
DTC114ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.38 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.33 EUR
2500+ 0.31 EUR
5000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 412
DTC114ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED
auf Bestellung 5726 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
66+ 0.79 EUR
130+ 0.4 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 49
DTC114EEROHM09+
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EEROHMSOT23/
auf Bestellung 2823 Stücke:
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DTC114EEonsemionsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEROHM06+ SOT-523
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT523
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 17425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1475+0.049 EUR
1675+ 0.043 EUR
2075+ 0.035 EUR
2200+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1475
DTC114EEROHMSOT23
auf Bestellung 9496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EEYangjie TechnologyDescription: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.06 EUR
15000+ 0.057 EUR
30000+ 0.052 EUR
60000+ 0.049 EUR
120000+ 0.044 EUR
300000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EEYangjie Electronic TechnologyDTC114EE
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
DTC114EELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT523
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 17425 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1475+0.049 EUR
1675+ 0.043 EUR
2075+ 0.035 EUR
2200+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1475
DTC114EEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEONSOT523
auf Bestellung 212560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EE RKTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE RKTaiwan SemiconductorDTC114EE RK
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE TLROHMSOT23
auf Bestellung 9832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 50mA 1mA 100mA 150mW
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE-TPMicro Commercial ComponentsDIGITAL TRANSISTORS
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE-TPMicro Commercial ComponentsDIGITAL TRANSISTORS
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DTC114EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1629+0.096 EUR
2500+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1629
DTC114EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 4741 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
72+ 0.72 EUR
127+ 0.41 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
DTC114EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5615 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
81+ 0.64 EUR
143+ 0.36 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC114EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DTC114EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 6068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2718+0.057 EUR
2959+ 0.051 EUR
2968+ 0.049 EUR
3473+ 0.04 EUR
6000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2718
DTC114EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
60+ 0.44 EUR
122+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
DTC114EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 127553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.13 EUR
1223+ 0.12 EUR
5000+ 0.11 EUR
10000+ 0.1 EUR
25000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 1183
DTC114EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Transistormontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: DTC114E
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 7278 Stücke:
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80+0.65 EUR
106+ 0.49 EUR
282+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.096 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
DTC114EEFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29
DTC114EEFRATLROHM SemiconductorDigital Transistors Trans Digital BJT NPN 100mA
auf Bestellung 6144 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
81+ 0.64 EUR
200+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2299+0.068 EUR
2305+ 0.065 EUR
2632+ 0.055 EUR
3000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 2299
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EEPTCHENMKO05+ SOT-523
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EET1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EET1ON Semiconductor
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1 - DTC114EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EET1onsemiDescription: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
DTC114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 28334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 19727 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
67+0.39 EUR
99+ 0.27 EUR
181+ 0.14 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 67
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6536+0.024 EUR
6579+ 0.023 EUR
9000+ 0.022 EUR
24000+ 0.021 EUR
30000+ 0.018 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6536+0.024 EUR
6579+ 0.023 EUR
9000+ 0.022 EUR
24000+ 0.021 EUR
30000+ 0.018 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
DTC114EET1GONSТранз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
auf Bestellung 6117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.12 EUR
10+ 0.1 EUR
DTC114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 28334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+ 0.062 EUR
9000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6897+0.023 EUR
6994+ 0.022 EUR
9000+ 0.021 EUR
24000+ 0.02 EUR
30000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 6897
DTC114EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 239997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
154+0.34 EUR
220+ 0.24 EUR
345+ 0.15 EUR
1000+ 0.065 EUR
2500+ 0.057 EUR
10000+ 0.044 EUR
30000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 154
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 3775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1075+0.067 EUR
2000+ 0.036 EUR
2275+ 0.032 EUR
2625+ 0.027 EUR
2775+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1075
DTC114EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 3775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1075+0.067 EUR
2000+ 0.036 EUR
2275+ 0.032 EUR
2625+ 0.027 EUR
2775+ 0.026 EUR
12000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1075
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6897+0.023 EUR
6994+ 0.022 EUR
9000+ 0.021 EUR
24000+ 0.02 EUR
30000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 6897
DTC114EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1316+0.054 EUR
1467+ 0.049 EUR
1915+ 0.037 EUR
2025+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1316
DTC114EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416
auf Bestellung 160329 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
110+ 0.48 EUR
230+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.088 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC114EETLROHMDescription: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 37936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 75307 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
45+ 0.59 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 14986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
959+0.16 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.14 EUR
5000+ 0.13 EUR
10000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 959
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1316+0.054 EUR
1467+ 0.049 EUR
1915+ 0.037 EUR
2025+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1316
DTC114EETLROHMDescription: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 37936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 306755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2519+0.062 EUR
2532+ 0.06 EUR
2959+ 0.049 EUR
3125+ 0.045 EUR
6000+ 0.04 EUR
12000+ 0.039 EUR
24000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 2519
DTC114EKROHMSOT23
auf Bestellung 67600 Stücke:
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DTC114EKROHM09+
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DTC114EKROME
auf Bestellung 100 Stücke:
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DTC114EKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EK FRAT146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 750 Stücke:
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DTC114EK HRAT146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EK T146ROHMSOT23-24
auf Bestellung 3565 Stücke:
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DTC114EK T146ROHMSOT23
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EK/24ROHM03+ SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAROHM09+
auf Bestellung 15038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAROHMSOT23-3
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAROHM07+ SOT-23
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EKAROHMSOT23
auf Bestellung 71670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAROHMSOT23/
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKA F T146ROHMSOT23-24 PB-FREE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKA T146ROHM - JapanNPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
DTC114EKA T146ROHM - JapanNPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
DTC114EKA T146ROHM - JapanNPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
DTC114EKA(24)ROHM01+ SOT-23
auf Bestellung 39999 Stücke:
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DTC114EKA-T146ROHMSOT23
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EKA/24ROHM
auf Bestellung 36203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAFROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAFROHMSOT23
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAF T146ROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAF T146ROHMSOT23-24 PB-FREE
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAFSROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAFT146ROHM05+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAFT146SOT23-24PB-FREEROHM
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAHRAROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAMHT146ROHMSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKASOT23-24
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA
auf Bestellung 401424 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
86+0.61 EUR
158+ 0.33 EUR
308+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.073 EUR
24000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 86
DTC114EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
355+0.2 EUR
930+ 0.077 EUR
3000+ 0.046 EUR
12000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 355
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1644666 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
129+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 205589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2950+0.053 EUR
2968+ 0.051 EUR
3000+ 0.049 EUR
6000+ 0.046 EUR
12000+ 0.044 EUR
24000+ 0.042 EUR
96000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 2950
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 197789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.051 EUR
3068+ 0.049 EUR
3077+ 0.047 EUR
6000+ 0.045 EUR
12000+ 0.043 EUR
24000+ 0.041 EUR
96000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3040
DTC114EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1642290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.094 EUR
9000+ 0.078 EUR
30000+ 0.077 EUR
75000+ 0.069 EUR
150000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.18 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 883
DTC114EKAT146
Produktcode: 61361
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.057 EUR
12000+ 0.05 EUR
24000+ 0.045 EUR
36000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 355
DTC114EKHRAT146ROHMSOT23
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EKT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EKT146SOT23-24ROHM
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114ELTESE-JYSOT23
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EMROHM10+ SOT-723
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EMROHMSOT23
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EMROHMSOT-323
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EMROHMSMD
auf Bestellung 10060 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EM G T2LROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EM RMTaiwan SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EM T2LROHMSOT23
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EM-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EM-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC114EM3T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 6920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+0.49 EUR
538+ 0.28 EUR
550+ 0.26 EUR
1067+ 0.13 EUR
1077+ 0.12 EUR
1273+ 0.1 EUR
1725+ 0.071 EUR
3000+ 0.07 EUR
6000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 318
DTC114EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 12412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 20421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
43+ 0.62 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
DTC114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 6920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1067+0.15 EUR
1077+ 0.14 EUR
1273+ 0.11 EUR
1725+ 0.081 EUR
3000+ 0.077 EUR
6000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1067
DTC114EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 12412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.15 EUR
16000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC114EM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
112+ 0.47 EUR
220+ 0.24 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.14 EUR
8000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 4381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
608+0.26 EUR
631+ 0.24 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 608
DTC114EMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors Automotive Digital Transistors
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60+0.87 EUR
91+ 0.58 EUR
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2500+ 0.17 EUR
8000+ 0.14 EUR
48000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 50MA
auf Bestellung 11839 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
68+ 0.77 EUR
166+ 0.31 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.18 EUR
8000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
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DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 20893 Stücke:
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4116+0.038 EUR
4256+ 0.035 EUR
8000+ 0.033 EUR
16000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4116
DTC114EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.19 EUR
16000+ 0.16 EUR
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DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT723
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT723
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 153138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3572+0.044 EUR
3876+ 0.039 EUR
8000+ 0.035 EUR
16000+ 0.033 EUR
32000+ 0.031 EUR
64000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3572
DTC114EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 30299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
DTC114EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
5000+ 0.14 EUR
10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 895
DTC114ESAROHM
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114ESATaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
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DTC114ESATaiwan SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin TO-92S T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA A3Taiwan SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA TPROHMTO92
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114ESA-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA-APMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA-APMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA-APMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA-BPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESA-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114ESATP (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 37807
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUROHM
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EU
Produktcode: 171895
IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUROHMSOT323
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EU FRAT106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 5551 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EU T106ROHMSOT23
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EU3HZGT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2029+0.077 EUR
2033+ 0.074 EUR
2376+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 2029
DTC114EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323
auf Bestellung 18104 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
85+ 0.62 EUR
207+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 59
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
43+ 0.61 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
DTC114EU3HZGT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
697+0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 697
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 18688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
920+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
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10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 920
DTC114EU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
158+ 0.33 EUR
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3000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 108
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 12720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2353+0.066 EUR
2359+ 0.064 EUR
2755+ 0.053 EUR
3000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 2353
DTC114EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 12720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 5725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
163+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC114EUAYangjie Electronic TechnologyDigital Transistors (Built-in Resistors)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6494+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6494
DTC114EUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAYangjie TechnologyDescription: SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.052 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
60000+ 0.044 EUR
120000+ 0.039 EUR
300000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114EUAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1575+0.046 EUR
3100+ 0.023 EUR
3475+ 0.021 EUR
4000+ 0.018 EUR
4250+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1575
DTC114EUAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1575+0.046 EUR
3100+ 0.023 EUR
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4000+ 0.018 EUR
4250+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1575
DTC114EUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA FRAT106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUA RRTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA RRTaiwan SemiconductorDTC114EUA RR
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA RVTaiwan SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA T106ROHMSOT23
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUA T106ROHM0536+
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUA T106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUA-13PMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA-13PMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA-T106
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA-TP
Produktcode: 198107
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors Sgle NPN, 100mA
auf Bestellung 6575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
127+0.41 EUR
177+ 0.29 EUR
417+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.065 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 127
DTC114EUA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAFROHMSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUAFROHMSOT323
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EUAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc -10Vin 40V
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAHE3-TPMicro Commercial ComponentsDTC114EUAHE3-TP
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAHE3-TPMicro Commercial CoDescription: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106
Produktcode: 147887
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 13958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1809+0.086 EUR
2110+ 0.071 EUR
2228+ 0.065 EUR
3000+ 0.062 EUR
6000+ 0.056 EUR
12000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1809
DTC114EUAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114EUAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106ROHM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106rohmSOT323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUAT106ROHM08+ SOT-323
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUBROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUB TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 7959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114EUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EUBHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC
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98+0.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 98
DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
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24000+ 0.028 EUR
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTC114EUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
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3000+ 0.075 EUR
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTC114EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
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DTC114EUT106ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTC114EXV3T1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EXV3T1 - DTC114EXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DTC114EXV3T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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DTC114GKROHMSOT23
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DTC114GKAROHMSOT23
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DTC114GKAROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTC114GKAT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
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DTC114GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTC114GL-TL2
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DTC114GSROHMTO-92S
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DTC114GUROHM09+
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DTC114GUROHMSOT323
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DTC114GU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
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DTC114GU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
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DTC114GU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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DTC114GU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
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24000+ 0.12 EUR
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DTC114GU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL
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DTC114GU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DTC114GU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114GU3T106Rohm SemiconductorDescription: DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
5000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 895
DTC114GU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 895
DTC114GU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
158+ 0.33 EUR
323+ 0.16 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.083 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 108
DTC114GU3T106Rohm SemiconductorDescription: DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114GUAROHMSOT323
auf Bestellung 36000 Stücke:
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DTC114GUAFRAT106ROHMSOT23/
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114GUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
auf Bestellung 5218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114GUAT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
DTC114GUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114GUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
auf Bestellung 5218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114NPN150MWEMT3CXI2005N/AN/A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TonsemiDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114T - DTC114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCAYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.062 EUR
15000+ 0.06 EUR
30000+ 0.055 EUR
60000+ 0.052 EUR
120000+ 0.047 EUR
300000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TCAYangjie Electronic TechnologyDTC114TCA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
DTC114TCA RFTaiwan SemiconductorNPN Small Signal Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCA-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased Sgle NPN, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TCA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
76+ 0.35 EUR
140+ 0.19 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC114TCAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
705+0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 705
DTC114TCAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
152+ 0.34 EUR
345+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.075 EUR
9000+ 0.065 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 108
DTC114TCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TCAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
auf Bestellung 5202 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
119+ 0.44 EUR
286+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
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9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
DTC114TCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 6904 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
40+0.65 EUR
60+ 0.44 EUR
122+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
DTC114TCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TEYangjie TechnologyDescription: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.06 EUR
15000+ 0.057 EUR
30000+ 0.052 EUR
60000+ 0.049 EUR
120000+ 0.044 EUR
300000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TEROHMSOT-523
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DTC114TELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT523
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TEROHM09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TEYangjie Electronic TechnologyDTC114TE
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6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
DTC114TEROHMSOT23
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TEonsemionsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT523
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TEROHM06+ SOT-523
auf Bestellung 15000 Stücke:
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DTC114TE RKTaiwan SemiconductorDTC114TE RK
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TE TLROHMSOT23
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DTC114TE-T106/8-H
auf Bestellung 7000 Stücke:
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DTC114TE-TLROHMSOT423
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TE-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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63+0.42 EUR
89+ 0.29 EUR
164+ 0.16 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 63
DTC114TE-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz
auf Bestellung 1974 Stücke:
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127+0.41 EUR
136+ 0.38 EUR
400+ 0.13 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.065 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 127
DTC114TE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5960 Stücke:
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54+0.97 EUR
72+ 0.72 EUR
127+ 0.41 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
DTC114TE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
33+ 0.79 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
DTC114TE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
752+0.21 EUR
1000+ 0.19 EUR
2500+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 752
DTC114TE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2539+0.062 EUR
2755+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 2539
DTC114TE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DTC114TE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
81+ 0.64 EUR
143+ 0.36 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC114TE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1556+0.1 EUR
2500+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1556
DTC114TEBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
54+ 0.49 EUR
102+ 0.26 EUR
500+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44
DTC114TEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6536+0.024 EUR
6712+ 0.022 EUR
6850+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
DTC114TEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TEFROHMSOT23-3
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TET1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TET1ON Semiconductor
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TET1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
DTC114TET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TET1 - DTC114TET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+ 0.054 EUR
9000+ 0.044 EUR
15000+ 0.042 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.095 EUR
6000+ 0.088 EUR
9000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 250 Stücke:
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48+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 48
DTC114TET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 340476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 1064 Stücke:
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DTC114TET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 17685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
48+0.55 EUR
68+ 0.39 EUR
138+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48
DTC114TET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 5857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TET1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 178572 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
94+0.56 EUR
143+ 0.36 EUR
426+ 0.12 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.081 EUR
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24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 94
DTC114TET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
474+0.33 EUR
709+ 0.21 EUR
719+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 474
DTC114TET1GON Semiconductor
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416; 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416; 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
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2755+0.057 EUR
2771+ 0.054 EUR
3145+ 0.046 EUR
3290+ 0.042 EUR
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DTC114TETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
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60+0.87 EUR
85+ 0.61 EUR
134+ 0.39 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC114TETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3632 Stücke:
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30+0.88 EUR
43+ 0.61 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
DTC114TETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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920+0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 920
DTC114TETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TKAROHMSOT23
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DTC114TKAROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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DTC114TKA T146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TKA T146ROHMSOT23
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TKA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 17200 Stücke:
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4017+0.039 EUR
4256+ 0.035 EUR
4348+ 0.033 EUR
6000+ 0.031 EUR
12000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4017
DTC114TKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
auf Bestellung 28169 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
86+0.61 EUR
125+ 0.42 EUR
308+ 0.17 EUR
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3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.073 EUR
24000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 86
DTC114TKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 29635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
129+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
DTC114TKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.18 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 883
DTC114TKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.094 EUR
9000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.18 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 883
DTC114TMROHMSOT523
auf Bestellung 80200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC114TM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 15257 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.68 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 42151 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
80+ 0.66 EUR
191+ 0.27 EUR
1000+ 0.15 EUR
8000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC114TM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
DTC114TM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 412973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW Automotive 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.22 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.19 EUR
5000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 720
DTC114TMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors Automotive Digital Transistors
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
60+0.87 EUR
91+ 0.58 EUR
159+ 0.33 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.17 EUR
8000+ 0.14 EUR
48000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DTC114TMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TMTROHMSOT-523
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TMT2LROHMDescription: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 13703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.18 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
5000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 883
DTC114TMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT723
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TMT2LROHMDescription: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 441 Stücke:
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DTC114TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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629+0.25 EUR
954+ 0.16 EUR
982+ 0.15 EUR
992+ 0.14 EUR
1653+ 0.081 EUR
2305+ 0.056 EUR
2381+ 0.052 EUR
3145+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 629
DTC114TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 5651 Stücke:
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4485+0.035 EUR
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Mindestbestellmenge: 4485
DTC114TMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
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49+1.06 EUR
71+ 0.74 EUR
167+ 0.31 EUR
1000+ 0.2 EUR
8000+ 0.16 EUR
24000+ 0.13 EUR
48000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 49
DTC114TMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT723
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
36+ 0.72 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26
DTC114TSATaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TSAROHM
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DTC114TSA A3Taiwan SemiconductorDTC114TSA A3
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TSATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TSATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TSATP (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28218
RohmTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92S
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 600
Bem.: 10k+10k
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUROHMSOT-323
auf Bestellung 1250 Stücke:
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DTC114TUROHMSOT323
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TUROHM10+ SOT-323
auf Bestellung 166500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TU/04ROHM
auf Bestellung 6321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
705+0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.19 EUR
5000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 705
DTC114TU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res UMT3
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
85+ 0.62 EUR
207+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 59
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
43+ 0.61 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
DTC114TU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
52+ 0.5 EUR
106+ 0.25 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 817
DTC114TUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUAYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.062 EUR
15000+ 0.06 EUR
30000+ 0.055 EUR
60000+ 0.052 EUR
120000+ 0.047 EUR
300000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TUAYangjie Electronic TechnologyDTC114TUA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
DTC114TUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUA RVTaiwan SemiconductorNPN Small Signal Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUA-T106ROHMSOT423
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TUA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUA-TP
Produktcode: 184302
IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
80+0.65 EUR
119+ 0.44 EUR
186+ 0.28 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.081 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 80
DTC114TUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TUAFRAT106ROHMSOT23/
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 5965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
39+0.68 EUR
48+ 0.55 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
DTC114TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DTC114TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2740+0.057 EUR
2748+ 0.055 EUR
3125+ 0.046 EUR
3268+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 2740
DTC114TUAT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
111+0.47 EUR
116+ 0.45 EUR
213+ 0.24 EUR
500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111
DTC114TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TUBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2532+0.062 EUR
2611+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2532
DTC114TUT106ROHMSOT323
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114TXV3T1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TXV3T1 - DTC114TXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TXV3T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114WCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114WCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114WELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114WEROHM
auf Bestellung 67000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114WELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114WE RKTaiwan SemiconductorDTC114WE RK
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114WE TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC114WETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114WETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.15 EUR
1104+ 0.14 EUR
2500+ 0.13 EUR
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DTC114WETL
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DTC114WETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC114WETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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DTC114WETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC114WETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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DTC114WETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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DTC114WKAT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
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DTC114WKT146
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