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08+ S0T-363

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IMZ1 A T108

SOT26/SOT363

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IMZ1 T108

SOT26/SOT363

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IMZ120R030M1H

Infineon

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IMZ120R030M1H

Infineon SIC DISCRETE

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IMZ120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 675 Stücke:

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IMZ120R030M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 2148 Stücke:

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1+	52.47 EUR
10+	50.39 EUR
25+	42.74 EUR
50+	42.46 EUR
100+	40.48 EUR
240+	38.51 EUR
480+	36.43 EUR

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20586 Stücke:

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IMZ120R030M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	32.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 354 Stücke:

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4+	50 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

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IMZ120R030M1HXKSA1

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	32.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 206 Stücke:

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5+	34.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

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IMZ120R045M1XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke

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IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

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5+	34.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IMZ120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

auf Bestellung 60 Stücke:

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1+	46.33 EUR
10+	41.18 EUR
30+	38.42 EUR

IMZ120R045M1XKSA1

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IMZ120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

auf Bestellung 131 Stücke:

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IMZ120R045M1XKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 260 Stücke:

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2+	47.27 EUR
10+	42.02 EUR
25+	39.13 EUR
50+	36.76 EUR
100+	35.57 EUR
240+	34.68 EUR
480+	31.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZ120R060M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 76A
Gate-source voltage: -7...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IMZ120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	27.79 EUR
30+	22.5 EUR
120+	21.18 EUR

IMZ120R060M1HXKSA1

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IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZ120R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

auf Bestellung 371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R060M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 372-386 Tag (e)

2+	40.69 EUR
10+	37.41 EUR
100+	31.59 EUR
480+	28.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 3470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R090M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 511 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	30.24 EUR
10+	26.83 EUR
25+	26.65 EUR
50+	26.26 EUR
100+	23.53 EUR
240+	22.67 EUR
480+	19.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R090M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

auf Bestellung 602 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	26.57 EUR
10+	23.42 EUR
100+	20.25 EUR
500+	18.35 EUR

IMZ120R090M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R140M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.58 EUR
10+	22.52 EUR
100+	19.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZ120R140M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm

auf Bestellung 412 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	21.76 EUR
10+	21.35 EUR
25+	16.8 EUR
100+	16.07 EUR
240+	14.74 EUR
480+	14.48 EUR
1200+	14.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R220M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	24.28 EUR
10+	21.55 EUR
25+	20.46 EUR
100+	17.94 EUR
240+	17.45 EUR
480+	14.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R220M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 416mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.58 EUR
10+	21.94 EUR
100+	18.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZ120R220M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R350M1H

Infineon SIC DISCRETE

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.08 EUR
28+	5.49 EUR
50+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.38 EUR
15+	10.3 EUR
100+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IMZ120R350M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 472 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	22.07 EUR
10+	19.99 EUR
100+	16.85 EUR
480+	13.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IMZ120R350M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
On-state resistance: 662mΩ
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IMZ120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	22.18 EUR
10+	19.02 EUR
100+	15.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZ120R350M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.38 EUR
15+	10.3 EUR
100+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 15360 Stücke:

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240+	10 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMZ1A T108

SO163-Z1

auf Bestellung 2629 Stücke:

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IMZ1A T108

SOT26

auf Bestellung 5486 Stücke:

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IMZ1A T108

SOT23-

auf Bestellung 2953 Stücke:

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IMZ1A T108

SOT26/SOT363

auf Bestellung 3000 Stücke:

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IMZ1A T108 SO163-Z1

auf Bestellung 2429 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ1A T108 SO163-Z1

auf Bestellung 5258 Stücke:

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IMZ1A/Z1

09+

auf Bestellung 22818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ1A108-T

0430+

auf Bestellung 7835 Stücke:

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IMZ1A108-T

0430+

auf Bestellung 7835 Stücke:

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IMZ1AS-AU_S1_000A1

Panjit International Inc.

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified

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IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

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IMZ1AS-AU_S1_000A1

Panjit International Inc.

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

auf Bestellung 2966 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
30+	0.89 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IMZ1AS_S1_00001

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L

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IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Frequency: 180MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 50V

auf Bestellung 2937 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	1.04 EUR
80+	0.9 EUR
101+	0.71 EUR
107+	0.67 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 69

IMZ1AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

auf Bestellung 7793 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

60+	0.87 EUR
83+	0.63 EUR
145+	0.36 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 60

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IMZ1AT108

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA

auf Bestellung 1832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

auf Bestellung 2937 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
80+	0.9 EUR
101+	0.71 EUR
107+	0.67 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 69

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

auf Bestellung 41926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.64 EUR
350+	0.43 EUR
388+	0.37 EUR
422+	0.33 EUR
763+	0.18 EUR
772+	0.17 EUR
878+	0.14 EUR
1063+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 245

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

auf Bestellung 20288 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

31+	0.86 EUR
40+	0.66 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 31

IMZ1AT108

auf Bestellung 1832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ1T108

03+ SOT23-6

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ2

SOT-23-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ2

SOT26/

auf Bestellung 831 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ2A

07+ SOT-163

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ2A

SOT-163

auf Bestellung 778000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ2AT108

auf Bestellung 5884 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
36+	0.74 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

IMZ2AT108

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IMZ2AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IMZ2A_R1_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L

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IMZ2A_R1_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ2A_R2_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ2A_R2_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ2T108

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ4

Bipolar Transistors - BJT

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IMZ4 FRAT108

SOT26/SOT363

auf Bestellung 1624 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ4 T108

0805+ SOT23-6

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZ4T108

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ4T108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA

auf Bestellung 1091 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
55+	0.96 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IMZ4T108

Rochester Electronics, LLC

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

Produkt ist nicht verfügbar

IMZ9972BA

Description: IMZ9972BA

auf Bestellung 7178 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMZA120R007M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	158.63 EUR
10+	144.38 EUR
50+	139.91 EUR
100+	138.61 EUR
1200+	127.63 EUR

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	157.51 EUR
30+	137.83 EUR

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA120R007M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 nF @ 25 V

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	99.76 EUR
30+	83.59 EUR
120+	78.01 EUR

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA120R014M1HXKSA1

MOSFET

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	114.35 EUR
10+	101.89 EUR
25+	95.86 EUR
50+	92.64 EUR
100+	89.44 EUR
240+	86.22 EUR
480+	82.24 EUR

IMZA120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 709 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	64.22 EUR
10+	57.1 EUR
25+	53.25 EUR
50+	51.61 EUR
100+	49.92 EUR
240+	46.57 EUR
480+	42.82 EUR

IMZA120R020M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 nF @ 25 V

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	74.26 EUR
30+	61.57 EUR
120+	57.72 EUR

IMZA120R020M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V

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IMZA120R030M1HXKSA1

MOSFET

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IMZA120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA120R040M1HXKSA1

MOSFET

auf Bestellung 411 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	44.28 EUR
10+	39.03 EUR
25+	37.96 EUR
50+	35.85 EUR
100+	33.75 EUR
240+	32.66 EUR
480+	30.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	43.52 EUR
30+	35.23 EUR

IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1

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IMZA65R015M2HXKSA1

MOSFET

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IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	39.4 EUR
10+	34.29 EUR
100+	28.52 EUR
240+	25.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	39.4 EUR
10+	34.29 EUR
100+	28.52 EUR
240+	25.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IMZA65R027M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 184A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

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IMZA65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

auf Bestellung 552 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	49.66 EUR
30+	40.2 EUR
120+	37.84 EUR
510+	34.29 EUR

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

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IMZA65R027M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	49.69 EUR
10+	44.41 EUR
25+	42.33 EUR
50+	41.7 EUR
100+	39.23 EUR
240+	37.7 EUR
480+	33.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

auf Bestellung 2 Stücke:

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IMZA65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	31.24 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA65R027M1HXKSA1

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IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.92 EUR
10+	24.56 EUR
100+	21.28 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IMZA65R030M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 161 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	47.94 EUR
10+	44.36 EUR
100+	38.17 EUR
480+	35.18 EUR
1200+	34.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZA65R030M1HXKSA1

SP005423795

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IMZA65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	26.1 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	42.38 EUR
30+	34.31 EUR
120+	32.29 EUR

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.92 EUR
10+	24.56 EUR
100+	21.28 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	22.27 EUR
10+	20.28 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	34.45 EUR
30+	27.9 EUR

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	22.27 EUR
10+	20.28 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IMZA65R039M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	34.71 EUR
10+	30.58 EUR
25+	29.77 EUR
50+	28.11 EUR
100+	26.44 EUR
240+	25.61 EUR
480+	23.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	21.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

auf Bestellung 567 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	30.11 EUR
30+	24.38 EUR
120+	22.95 EUR
510+	20.8 EUR

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R048M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 1259 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	37.75 EUR
10+	34.92 EUR
100+	30.55 EUR
480+	27.14 EUR
1200+	26.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R048M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	19.17 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm

auf Bestellung 361 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA65R048M1HXKSA1

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IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.93 EUR
10+	16.46 EUR
100+	14.56 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 137280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	16.59 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.93 EUR
10+	16.46 EUR
100+	14.56 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IMZA65R057M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	36.4 EUR
10+	33.44 EUR
100+	28.24 EUR
480+	22.57 EUR
1200+	22.02 EUR
2640+	21.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMZA65R072M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 69A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.86 EUR
11+	14.07 EUR
100+	11.91 EUR
480+	9.97 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	27.2 EUR
30+	21.7 EUR
120+	19.42 EUR

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.42 EUR
10+	15.46 EUR
100+	13.08 EUR
480+	10.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IMZA65R072M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMZA65R072M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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IMZA65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

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IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

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IMZA65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm

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IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZA65R083M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMZA65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm

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IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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240+	13.58 EUR

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IMZA65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

auf Bestellung 44 Stücke:

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1+	30.94 EUR
10+	28.44 EUR

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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240+	12.02 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMZA65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A

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IMZA65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm

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IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

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2+	22.33 EUR
30+	17.83 EUR
120+	15.95 EUR

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IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R107M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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3+	20.23 EUR
10+	18.64 EUR
25+	15.94 EUR
100+	14.74 EUR
240+	13.99 EUR
480+	11.47 EUR
1200+	10.95 EUR

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IMZA65R107M1HXKSA1

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IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IMZA75R140M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V

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IMZA75R140M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 196-210 Tag (e)

4+	16.74 EUR
10+	14.33 EUR
25+	13 EUR
100+	11.93 EUR
240+	11.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IMZA75R140M1HXKSA1