Seite 1786 nach 1791

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
SDR10EZPD2701	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 2.7kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; -55÷155°C Operating temperature: -55...155°C Case - inch: 0805 Case - mm: 2012 Tolerance: ±0.5% Type of resistor: thick film Resistance: 2.7kΩ Body dimensions: 2x1.25x0.55mm Power: 0.66W; 667mW Temperature coefficient: 100ppm/°C Conform to the norm: AEC-Q200	auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1737 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DTA114GU3HZGT106	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323F Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ	auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1323 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DTC114GU3T106	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
KTR25JZPF5102	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 51kΩ; 1210; 330mW,333mW; ±1%; 3.2x2.5x0.55mm Type of resistor: thick film Resistance: 51kΩ Case - inch: 1210 Case - mm: 3225 Power: 0.33W; 333mW Tolerance: ±1% Body dimensions: 3.2x2.5x0.55mm Operating temperature: -55...155°C Temperature coefficient: 100ppm/°C Conform to the norm: AEC-Q200	auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1544 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LTR18EZPF5102	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 51kΩ Type of resistor: thick film Resistance: 51kΩ Conform to the norm: AEC-Q200	auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2315 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGS00TS65DHRC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 163W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 292ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGWX5TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 213nC Kind of package: tube Turn-on time: 93ns Turn-off time: 305ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH80TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH00TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Turn-on time: 102ns Turn-off time: 221ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTV00TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 247ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGT60TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 55A Power dissipation: 194W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 58nC Turn-on time: 29ns Turn-off time: 0.1µs Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGE80TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 200W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 85nC Turn-on time: 49ns Turn-off switching energy: 0.78mJ Turn-on switching energy: 1.09mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGE00TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 230W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 104nC Turn-on time: 57ns Turn-off time: 150ns Turn-off switching energy: 1.02mJ Turn-on switching energy: 1.66mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGE60TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: Transistors - Unclassified Description: RGE60TS65DGC13	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGSX5TS65DHRC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 114A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.9mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 114A Power dissipation: 404W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 79nC Turn-on time: 43ns Turn-off switching energy: 1.9mJ Turn-on switching energy: 3.32mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGT00TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 85A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 94nC Turn-on time: 42ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGT40TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 40nC Turn-on time: 22ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGT50TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 48A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 49nC Turn-on time: 27ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGT80TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 70A Power dissipation: 234W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 79nC Turn-on time: 34ns	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW00TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 96A Power dissipation: 254W Mounting: THT Gate charge: 141nC Turn-on time: 52ns Turn-off time: 180ns Turn-off switching energy: 0.96mJ Turn-on switching energy: 1.18mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW00TS65DHRC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 96A Power dissipation: 254W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 141nC Turn-on time: 48ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW40TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 136W Mounting: THT Gate charge: 59nC Turn-on time: 33ns Turn-off switching energy: 0.3mJ Turn-on switching energy: 0.33mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW50TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 156W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 73nC Turn-on time: 35ns Turn-off switching energy: 0.43mJ Turn-on switching energy: 0.39mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW60TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 178W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 84nC Turn-on time: 37ns Turn-off switching energy: 0.49mJ Turn-on switching energy: 0.48mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW60TS65DHRC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 64A; 178W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 64A Power dissipation: 178W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 84nC Turn-on time: 36ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW80TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 78A Power dissipation: 214W Mounting: THT Gate charge: 110nC Turn-on time: 44ns Turn-off switching energy: 0.72mJ Turn-on switching energy: 0.76mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGW80TS65DHRC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 214W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 214W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 110nC Turn-on time: 42ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGWX5TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 132A Power dissipation: 348W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 213nC Turn-on time: 64ns Turn-off switching energy: 1.68mJ Turn-on switching energy: 2.39mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGWX5TS65DHRC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 132A Power dissipation: 348W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 213nC Turn-on time: 62ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTVX6TS65DGC11	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.8mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 144A Power dissipation: 404W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Gate charge: 171nC Turn-on time: 45ns Turn-off switching energy: 1.8mJ Turn-on switching energy: 2.65mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH60TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 58A Power dissipation: 194W Mounting: THT Gate charge: 58nC Turn-on time: 27ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH00TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 85A Power dissipation: 277W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 94nC Turn-on time: 39ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH40TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 40nC Turn-on time: 22ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH50TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 49nC Turn-on time: 27ns Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTH80TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 70A Power dissipation: 234W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 79nC Turn-on time: 34ns Turn-off time: 0.12µs Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTV60TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 194W Mounting: THT Gate charge: 64nC Turn-on time: 33ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 0.57mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTV80TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 78A Power dissipation: 234W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 81nC Turn-on time: 39ns Turn-off switching energy: 0.71mJ Turn-on switching energy: 1.02mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTVX2TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 111A Power dissipation: 319W Mounting: THT Gate charge: 123nC Turn-on time: 49ns Turn-off time: 150ns Turn-off switching energy: 1.15mJ Turn-on switching energy: 2.08mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGTVX6TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 144A Power dissipation: 404W Pulsed collector current: 144A Mounting: THT Gate charge: 171nC Turn-on time: 45ns Turn-off switching energy: 1.8mJ Turn-on switching energy: 2.65mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RGWS00TS65DGC13	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 245W; TO247-3; Eoff: 0.91mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 88A Power dissipation: 245W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 108nC Turn-on time: 46ns Turn-off switching energy: 0.91mJ Turn-on switching energy: 0.98mJ Technology: Field Stop; Trench	auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RYM002N05T2CL	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; VMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.15W Case: VMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LTR18EZPJ511	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 510Ω; 0612; 750mW,1.5W; ±5%; -55÷155°C Operating temperature: -55...155°C Resistance: 510Ω Power: 0.75W; 1.5W Temperature coefficient: 200ppm/°C Conform to the norm: AEC-Q200 Case - inch: 0612 Case - mm: 1632 Tolerance: ±5% Type of resistor: thick film	auf Bestellung 8300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2778 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCR18EZPJ511	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 510Ω; 1206; 250mW; ±5%; -55÷155°C Operating temperature: -55...155°C Resistance: 510Ω Power: 0.25W Conform to the norm: AEC-Q200 Case - inch: 1206 Case - mm: 3216 Tolerance: ±5% Type of resistor: thick film	auf Bestellung 15071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3704 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SFR18EZPJ511	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 510Ω; 1206; 250mW; ±5%; SFR; 3.2x1.6x0.55mm Operating temperature: -55...155°C Resistance: 510Ω Body dimensions: 3.2x1.6x0.55mm Power: 0.25W Temperature coefficient: 200ppm/°C Conform to the norm: AEC-Q200 Case - inch: 1206 Case - mm: 3216 Tolerance: ±5% Type of resistor: thick film Manufacturer series: SFR	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3087 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LTR100JZPJ511	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; 510Ω; high power; SMD; 3W; ±5%; -55÷155°C Mounting: SMD Operating temperature: -55...155°C Resistance: 510Ω Body dimensions: 3.2x6.4x0.55mm Power: 3W Temperature coefficient: 200ppm/°C Conform to the norm: AEC-Q200 Kind of resistor: high power Tolerance: ±5% Type of resistor: thick film	auf Bestellung 7965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 556 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MNR14E0APJ511	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: Resistor networks Description: Resistor network: Y; 510Ω; ±5%; No.of resistors: 4; 62.5mW; SMD Mounting: SMD Number of resistors: 4 Operating temperature: -55...155°C Resistance: 510Ω Type of resistor network: Y Power: 62.5mW Tolerance: ±5%	auf Bestellung 22193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3268 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RSX051VAM30TR	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.5A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2mA Case: SOD323HE Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. forward impulse current: 5A Max. forward voltage: 0.39V	auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BD18353MUF-ME2	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: LED drivers Description: IC: driver; boost; 65V; PWM,thermal protection; Uin: 5÷65V Type of integrated circuit: driver Topology: boost Output voltage: 65V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry Input voltage: 5...65V Supply voltage: 5...65V Integrated circuit features: PWM; thermal protection	auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BD18351EFV-ME2	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: LED drivers Description: IC: driver; boost; 250mA; 65V; PWM; Uin: 4.5÷65V; Usup: 4.5÷65V Type of integrated circuit: driver Topology: boost Output voltage: 65V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry Input voltage: 4.5...65V Supply voltage: 4.5...65V Output current: 0.25A Integrated circuit features: PWM	auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BD18353EFV-ME2	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: LED drivers Description: IC: driver; boost; 65V; PWM,thermal protection; Uin: 5÷65V Type of integrated circuit: driver Topology: boost Output voltage: 65V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry Input voltage: 5...65V Supply voltage: 5...65V Integrated circuit features: PWM; thermal protection	auf Bestellung 2444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BD18354MUF-ME2	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: LED drivers Description: IC: driver; boost; LED driver; VQFN40; 0÷70V; Uin: 5÷70V; Usup: 5÷70V Type of integrated circuit: driver Topology: boost Kind of integrated circuit: LED driver Case: VQFN40 Output voltage: 0...70V Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Application: automotive industry Input voltage: 5...70V Frequency: 0.1...2.5MHz Supply voltage: 5...70V	auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BD7541G-TR	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD operational amplifiers Description: IC: operational amplifier; 600kHz; Ch: 1; ±2.5÷7.25VDC,5÷14.5VDC Type of integrated circuit: operational amplifier Number of channels: single; 1 Case: SSOP5 Mounting: SMT Integrated circuit features: rail-to-rail Input offset voltage: 10mV Slew rate: 0.3V/μs Operating temperature: -40...85°C Input bias current: 1pA Voltage supply range: ± 2.5...7.25V DC; 5...14.5V DC Kind of package: reel; tape Input offset current: 1pA Bandwidth: 600kHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BD7541SG-TR	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: SMD operational amplifiers Description: IC: operational amplifier; 600kHz; Ch: 1; ±2.5÷7.25VDC,5÷14.5VDC Type of integrated circuit: operational amplifier Number of channels: single; 1 Case: SSOP5 Mounting: SMT Integrated circuit features: rail-to-rail Input offset voltage: 10mV Slew rate: 0.3V/μs Operating temperature: -40...105°C Input bias current: 1pA Voltage supply range: ± 2.5...7.25V DC; 5...14.5V DC Kind of package: reel; tape Input offset current: 1pA Bandwidth: 600kHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5662T2LP	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 11V; 0.05A; 150mW; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 11V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3.2GHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5663T2L	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 270...680 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 0.32GHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5658T2LQ	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT723 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 120...270 Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Frequency: 180MHz Collector current: 0.15A Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.15W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5658T2LR	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT723 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 180...390 Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Frequency: 180MHz Collector current: 0.15A Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.15W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5658T2LS	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT723 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 270...560 Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Frequency: 180MHz Collector current: 0.15A Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.15W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5661T2LP	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 50mA; 150mW; SOT723 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 82...180 Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Frequency: 1.5GHz Collector current: 50mA Collector-emitter voltage: 20V Power dissipation: 0.15W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC5658FHAT2LQ	ROHM SEMICONDUCTOR	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 150mW Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.15W	auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1292 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SDR10EZPD2701

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.7kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.7kΩ
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1737 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTA114GU3HZGT106

datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1323 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTC114GU3T106

datasheet?p=DTC114GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

KTR25JZPF5102

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 51kΩ; 1210; 330mW,333mW; ±1%; 3.2x2.5x0.55mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 51kΩ
Case - inch: 1210
Case - mm: 3225
Power: 0.33W; 333mW
Tolerance: ±1%
Body dimensions: 3.2x2.5x0.55mm
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1544 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

LTR18EZPF5102

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 51kΩ
Type of resistor: thick film
Resistance: 51kΩ
Conform to the norm: AEC-Q200

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2315 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGS00TS65DHRC11

datasheet?p=RGS00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 163W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 292ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGWX5TS65DGC11

datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH80TS65DGC11

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH00TS65DGC11

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 102ns
Turn-off time: 221ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTV00TS65DGC11

datasheet?p=RGTV00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGT60TS65DGC13

datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 1215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGE80TS65DGC13

datasheet?p=RGE80TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGE00TS65DGC13

datasheet?p=RGE00TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGE60TS65DGC13

datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Transistors - Unclassified
Description: RGE60TS65DGC13

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGSX5TS65DHRC11

datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 114A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.9mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 114A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off switching energy: 1.9mJ
Turn-on switching energy: 3.32mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGT00TS65DGC11

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGT40TS65DGC13

datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGT50TS65DGC13

datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGT80TS65DGC13

datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW00TS65DGC13

datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 180ns
Turn-off switching energy: 0.96mJ
Turn-on switching energy: 1.18mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW00TS65DHRC11

datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 48ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW40TS65DGC13

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 0.33mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW50TS65DGC13

datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 156W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off switching energy: 0.43mJ
Turn-on switching energy: 0.39mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW60TS65DGC11

datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 905 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW60TS65DHRC11

datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 64A; 178W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 64A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 36ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW80TS65DGC13

datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 214W
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off switching energy: 0.72mJ
Turn-on switching energy: 0.76mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGW80TS65DHRC11

datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 214W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGWX5TS65DGC13

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGWX5TS65DHRC11

datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 62ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTVX6TS65DGC11

datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 679 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH60TS65DGC13

datasheet?p=RGTH60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 58A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH00TS65DGC13

datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 39ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH40TS65DGC13

datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 629 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH50TS65DGC13

datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTH80TS65DGC13

datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTV60TS65DGC13

datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 0.57mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTV80TS65DGC13

datasheet?p=RGTV80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTVX2TS65DGC13

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 111A
Power dissipation: 319W
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.15mJ
Turn-on switching energy: 2.08mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGTVX6TS65DGC13

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RGWS00TS65DGC13

datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 245W; TO247-3; Eoff: 0.91mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 88A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Turn-on time: 46ns
Turn-off switching energy: 0.91mJ
Turn-on switching energy: 0.98mJ
Technology: Field Stop; Trench

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RYM002N05T2CL

datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; VMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: VMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

LTR18EZPJ511

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 0612; 750mW,1.5W; ±5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Power: 0.75W; 1.5W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 0612
Case - mm: 1632
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film

auf Bestellung 8300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2778 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MCR18EZPJ511

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 1206; 250mW; ±5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Power: 0.25W
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film

auf Bestellung 15071 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3704 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SFR18EZPJ511

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 1206; 250mW; ±5%; SFR; 3.2x1.6x0.55mm
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Body dimensions: 3.2x1.6x0.55mm
Power: 0.25W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film
Manufacturer series: SFR

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3087 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

LTR100JZPJ511

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; high power; SMD; 3W; ±5%; -55÷155°C
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Body dimensions: 3.2x6.4x0.55mm
Power: 3W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Kind of resistor: high power
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film

auf Bestellung 7965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 556 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MNR14E0APJ511

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Resistor networks
Description: Resistor network: Y; 510Ω; ±5%; No.of resistors: 4; 62.5mW; SMD
Mounting: SMD
Number of resistors: 4
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Type of resistor network: Y
Power: 62.5mW
Tolerance: ±5%

auf Bestellung 22193 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3268 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RSX051VAM30TR

datasheet?p=RSX051VAM30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2mA
Case: SOD323HE
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 5A
Max. forward voltage: 0.39V

auf Bestellung 1740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD18353MUF-ME2

datasheet?p=BD18353MUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; 65V; PWM,thermal protection; Uin: 5÷65V
Type of integrated circuit: driver
Topology: boost
Output voltage: 65V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry
Input voltage: 5...65V
Supply voltage: 5...65V
Integrated circuit features: PWM; thermal protection

auf Bestellung 2435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD18351EFV-ME2

datasheet?p=BD18351EFV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; 250mA; 65V; PWM; Uin: 4.5÷65V; Usup: 4.5÷65V
Type of integrated circuit: driver
Topology: boost
Output voltage: 65V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry
Input voltage: 4.5...65V
Supply voltage: 4.5...65V
Output current: 0.25A
Integrated circuit features: PWM

auf Bestellung 1298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD18353EFV-ME2

datasheet?p=BD18353EFV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

auf Bestellung 2444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD18354MUF-ME2

datasheet?p=BD18354MUF-M&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; LED driver; VQFN40; 0÷70V; Uin: 5÷70V; Usup: 5÷70V
Type of integrated circuit: driver
Topology: boost
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: VQFN40
Output voltage: 0...70V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Input voltage: 5...70V
Frequency: 0.1...2.5MHz
Supply voltage: 5...70V

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD7541G-TR

datasheet?p=BD7541G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 600kHz; Ch: 1; ±2.5÷7.25VDC,5÷14.5VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Case: SSOP5
Mounting: SMT
Integrated circuit features: rail-to-rail
Input offset voltage: 10mV
Slew rate: 0.3V/μs
Operating temperature: -40...85°C
Input bias current: 1pA
Voltage supply range: ± 2.5...7.25V DC; 5...14.5V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 1pA
Bandwidth: 600kHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BD7541SG-TR

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 600kHz; Ch: 1; ±2.5÷7.25VDC,5÷14.5VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Case: SSOP5
Mounting: SMT
Integrated circuit features: rail-to-rail
Input offset voltage: 10mV
Slew rate: 0.3V/μs
Operating temperature: -40...105°C
Input bias current: 1pA
Voltage supply range: ± 2.5...7.25V DC; 5...14.5V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 1pA
Bandwidth: 600kHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5662T2LP

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 11V; 0.05A; 150mW; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 11V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Current gain: 180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3.2GHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5663T2L

datasheet?p=2SC5663&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Current gain: 270...680
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 0.32GHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5658T2LQ

datasheet?p=2SC5658&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...270
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.15W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5658T2LR

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 180...390
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.15W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5658T2LS

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 270...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.15W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5661T2LP

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 50mA; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 82...180
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 1.5GHz
Collector current: 50mA
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.15W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5658FHAT2LQ

datasheet?p=2SC5658FHA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 150mW
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 180MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.15W

auf Bestellung 1338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1292 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH