Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (118569) > Seite 1936 nach 1977
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF1400R23T2E7PB5BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.05KA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
FF1400R17IP4PBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 12-Pin AG-PRIME3-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9C1MN9E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 5GHz 2V 9-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 2328000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9H1BN6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 660000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9H1BN6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 444000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9H1BN6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 1619441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9H1BN6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BGA925L6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 401460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA915N7E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSNP EP T/R |
auf Bestellung 2658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA915N7E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSNP EP T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9V1MN9E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 4.2GHz 2V 9-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 59380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA924N6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA924N6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 277082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA924N6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 882346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9H1MN9E6329XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.7GHz 2V 9-Pin TSNP T/R |
auf Bestellung 14450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BGA9H1MN9E6329XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 2.7GHz 2V 9-Pin TSNP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BGA 925L6 E6327 | Infineon Technologies |
RF Amp Single LNA 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSLP T/R |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BTS500851TMBAKSA1 | Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 44A Automotive AEC-Q100 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC007N04LS6 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 8813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 16505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAS16WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 26497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| POWERDRILL2GOTOBO1 | Infineon Technologies | POWERDRILL2GOTOBO1 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| POWERDRILL2GOTOBO1 | Infineon Technologies | POWERDRILL2GOTOBO1 |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 8959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 9743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 9876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IR2110SPBF | Infineon Technologies |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube |
auf Bestellung 12846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IR2110SPBF | Infineon Technologies |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube |
auf Bestellung 12846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Turn-off time: 205ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IKB20N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Turn-off time: 241ns Collector current: 28A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 32ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 241ns Manufacturer series: H3 Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 31ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 299ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 205ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 28ns |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| FF1400R23T2E7PB5BPSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.05KA
Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.05KA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FF1400R17IP4PBOSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 12-Pin AG-PRIME3-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 12-Pin AG-PRIME3-1 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 368+ | 0.39 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 179+ | 0.8 EUR |
| BGA9C1MN9E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 5GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 5GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 2328000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 658+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 10000+ | 0.62 EUR |
| 100000+ | 0.5 EUR |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 660000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12000+ | 0.49 EUR |
| 336000+ | 0.43 EUR |
| 504000+ | 0.39 EUR |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 444000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1213+ | 0.44 EUR |
| 10000+ | 0.38 EUR |
| 100000+ | 0.31 EUR |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 1619441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1213+ | 0.44 EUR |
| 10000+ | 0.38 EUR |
| 100000+ | 0.31 EUR |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 2.7GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BGA925L6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSLP T/R
RF Amp Single LNA 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 401460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1304+ | 0.41 EUR |
| 10000+ | 0.35 EUR |
| 100000+ | 0.29 EUR |
| BGA915N7E6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSNP EP T/R
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSNP EP T/R
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 656+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| BGA915N7E6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSNP EP T/R
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSNP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 656+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| BGA9V1MN9E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 4.2GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 4.2GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 59380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 658+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 10000+ | 0.62 EUR |
| BGA924N6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 895+ | 0.6 EUR |
| BGA924N6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 277082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 895+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.53 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
| 100000+ | 0.37 EUR |
| BGA924N6E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
GPS Amp Single Low Noise 1.615GHz 3.3V 6-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 882346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 895+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.53 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
| 100000+ | 0.37 EUR |
| BGA9H1MN9E6329XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.7GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 2.7GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
auf Bestellung 14450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 780+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 10000+ | 0.52 EUR |
| BGA9H1MN9E6329XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 2.7GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
RF Amp Single LNA 2.7GHz 2V 9-Pin TSNP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BGA 925L6 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Amp Single LNA 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSLP T/R
RF Amp Single LNA 1.615GHz 3.6V 6-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.6 EUR |
| 1600+ | 1.43 EUR |
| 2400+ | 1.32 EUR |
| IRF7341TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 333+ | 0.43 EUR |
| BTS500851TMBAKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 44A Automotive AEC-Q100 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 44A Automotive AEC-Q100 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 110+ | 5.97 EUR |
| BSC007N04LS6 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 5.45 EUR |
| 28+ | 5.03 EUR |
| 50+ | 4.66 EUR |
| 100+ | 4.33 EUR |
| 250+ | 4.03 EUR |
| 500+ | 3.76 EUR |
| 1000+ | 3.51 EUR |
| 2500+ | 3.43 EUR |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 2.28 EUR |
| BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 47+ | 3.06 EUR |
| 53+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 2.16 EUR |
| IR2101STRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.99 EUR |
| 5000+ | 0.93 EUR |
| 7500+ | 0.9 EUR |
| 12500+ | 0.85 EUR |
| BFP540H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
auf Bestellung 375000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1465+ | 0.37 EUR |
| 10000+ | 0.31 EUR |
| 100000+ | 0.25 EUR |
| BFP540ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 435+ | 0.33 EUR |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 624+ | 0.23 EUR |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.15 EUR |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6480+ | 0.16 EUR |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 727+ | 0.2 EUR |
| IPB65R110CFD7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 47+ | 3.1 EUR |
| IPB65R110CFDAATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 5.43 EUR |
| IPB65R110CFDATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 6.43 EUR |
| 100+ | 5.89 EUR |
| 500+ | 5.37 EUR |
| 1000+ | 4.88 EUR |
| IPB65R110CFDATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 6.43 EUR |
| 100+ | 5.89 EUR |
| 500+ | 5.37 EUR |
| 1000+ | 4.88 EUR |
| 10000+ | 4.41 EUR |
| BAS16WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 26497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1308+ | 0.11 EUR |
| POWERDRILL2GOTOBO1 |
Hersteller: Infineon Technologies
POWERDRILL2GOTOBO1
POWERDRILL2GOTOBO1
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 41.72 EUR |
| POWERDRILL2GOTOBO1 |
Hersteller: Infineon Technologies
POWERDRILL2GOTOBO1
POWERDRILL2GOTOBO1
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 51.47 EUR |
| 5+ | 48.05 EUR |
| 10+ | 44.95 EUR |
| 20+ | 42.12 EUR |
| 50+ | 39.5 EUR |
| 100+ | 37.05 EUR |
| IRLZ44NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.78 EUR |
| IRLZ44NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 99+ | 1.46 EUR |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 86+ | 1.68 EUR |
| 146+ | 0.95 EUR |
| 210+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| BSC010N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 110+ | 1.31 EUR |
| BSC010N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 102+ | 1.41 EUR |
| BSC010N04LSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 76+ | 1.88 EUR |
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 82+ | 1.75 EUR |
| IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IR2110SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 12846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 2.82 EUR |
| IR2110SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 12846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 7.84 EUR |
| 26+ | 5.46 EUR |
| 30+ | 4.56 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 250+ | 3.8 EUR |
| 500+ | 3.55 EUR |
| 1000+ | 3.36 EUR |
| 1980+ | 3.3 EUR |
| IGB20N60H3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 2.33 EUR |
| 44+ | 1.64 EUR |
| 53+ | 1.37 EUR |
| 59+ | 1.23 EUR |
| IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.29 EUR |
| 40+ | 1.82 EUR |
| IGW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.83 EUR |
| 28+ | 2.59 EUR |
| 30+ | 2.39 EUR |
| 34+ | 2.13 EUR |
| IKB20N60H3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKB20N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.8 EUR |
| 31+ | 2.32 EUR |
| IKW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 11.91 EUR |


























