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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CYUSB3014-BZXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-igl65r080d2-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC005N03LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72c00d54a41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817K40E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 4a-BC-817-40-E6433.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA427H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bga427.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418dca4d1638 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC08D60C8X1SA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SIDC08D60C8_L4022M-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8feff14c5770 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
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 Mindestbestellmenge: 31428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP6925H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp69.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156b5ad02122e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2114SSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2x14SS-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a5a8fa04a9b ir2114sspbf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMZA120R020M1H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB117N20NFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.64 EUR
13+6.65 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-iglr65r140d2-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR65R200D2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ISC151N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 200W
Case: PG-TSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC151N08NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT129N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT129N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCM846SH6327 BCM846SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCM846SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCM846SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5116H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ2400R17HP4B28BOSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ2400R17HP4_B28-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e3ca8b66b48 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ2400R17HP4HOSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ2400R17HP4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701246cc81e096351 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T280N65TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T280N65TOF-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501499913b2b32be6 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA
Case: TO200AB
Max. off-state voltage: 6.5kV
Load current: 620A
Max. load current: 440A
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 5.8kA
Gate current: 350mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R190G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC045N10L3X1SA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPC045N10L3-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014af2cbd861121a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 31190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0702LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0702LS-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0909c6f4eda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW101E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES baw101series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c22fea80436 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C20324-12LQXI CY8C20324-12LQXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C20324-12LQXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Mounting: SMD
Case: QFN24
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTN8962TA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.81 EUR
15+6.02 EUR
16+5.36 EUR
25+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3806pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
97+0.88 EUR
116+0.74 EUR
125+0.68 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
53+1.63 EUR
62+1.38 EUR
79+1.08 EUR
94+0.92 EUR
100+0.88 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4610.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.13 EUR
29+3 EUR
32+2.69 EUR
34+2.57 EUR
50+2.38 EUR
100+2.25 EUR
200+2.11 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.51 EUR
44+1.98 EUR
47+1.83 EUR
51+1.69 EUR
100+1.57 EUR
200+1.46 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1 IRFB4020PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 0.5µs
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.82 EUR
16+5.47 EUR
20+4.39 EUR
22+3.89 EUR
30+3.61 EUR
60+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS42008-SB-D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 8
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Output current: 0.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SSJD.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS71202EPGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7120-2EPG-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185cf68774462a8 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE7233EMXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE7233GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7231%2C33G_PB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED300C17SROHSBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2ED300C17S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED300C17STROHSBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2ED300C17S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCV61BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcv61.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449d8ff720246 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCV61BE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcv61.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449d8ff720246 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL04B-GTR FM24CL04B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DG FM24CL16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DGTR FM24CL16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bfcec4645 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R12KT4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a73efc91e28 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4B16BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; 280W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R12KT4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a601166ca05d0e0f48 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GB15BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP50R12KT4G_B15.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYUSB3014-BZXCT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1 infineon-igl65r080d2-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1 Infineon-BSC005N03LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72c00d54a41
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817K40E6327HTSA1 4a-BC-817-40-E6433.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA427H6327XTSA1 bga427.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418dca4d1638
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC08D60C8X1SA3 Infineon-SIDC08D60C8_L4022M-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8feff14c5770
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 31428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP6925H6327XTSA1 bcp69.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156b5ad02122e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2114SSTRPBF Infineon-IR2x14SS-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a5a8fa04a9b ir2114sspbf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1H.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFD-DTE.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.64 EUR
13+6.65 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR70R270D2SXUMA1 infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR65R140D2XUMA1 infineon-iglr65r140d2-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR65R200D2XUMA1 infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 200W
Case: PG-TSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC151N08NM6ATMA1 Infineon-ISC151N08NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f802c4e2ddb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCM846SH6327 BCM846SH6327.pdf
BCM846SH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCM846SH6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5116H6327XTSA1 bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ2400R17HP4B28BOSA2 Infineon-FZ2400R17HP4_B28-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e3ca8b66b48
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ2400R17HP4HOSA2 Infineon-FZ2400R17HP4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701246cc81e096351
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T280N65TOFXPSA1 Infineon-T280N65TOF-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501499913b2b32be6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA
Case: TO200AB
Max. off-state voltage: 6.5kV
Load current: 620A
Max. load current: 440A
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 5.8kA
Gate current: 350mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6-DTE.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6-DTE.pdf
IPI60R190C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
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IPB60R190C6ATMA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
IPB60R190C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190E6-DTE.pdf
IPP60R190E6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
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IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3G-DTE.pdf
IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC045N10L3X1SA1 Infineon-IPC045N10L3-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014af2cbd861121a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 31190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G-DTE.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0702LSATMA1 Infineon-BSC0702LS-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0909c6f4eda
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW101E6433HTMA1 baw101series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c22fea80436
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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CY8C20324-12LQXI CY8C20324-12LQXI.pdf
CY8C20324-12LQXI
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Mounting: SMD
Case: QFN24
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
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BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA.pdf
BTN8962TAAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1402 Stücke:
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13+6.81 EUR
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IRFB3806PBF irfs3806pbf.pdf
IRFB3806PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 301 Stücke:
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66+1.3 EUR
97+0.88 EUR
116+0.74 EUR
125+0.68 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
53+1.63 EUR
62+1.38 EUR
79+1.08 EUR
94+0.92 EUR
100+0.88 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBF description irfs4610.pdf
IRFB4610PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.13 EUR
29+3 EUR
32+2.69 EUR
34+2.57 EUR
50+2.38 EUR
100+2.25 EUR
200+2.11 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF description irfs4410.pdf
IRFB4410PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.51 EUR
44+1.98 EUR
47+1.83 EUR
51+1.69 EUR
100+1.57 EUR
200+1.46 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1 infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
IRFB4020PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 0.5µs
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.82 EUR
16+5.47 EUR
20+4.39 EUR
22+3.89 EUR
30+3.61 EUR
60+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008-SB-D.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 8
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Output current: 0.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJD.pdf
ITS4200SSJDXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS71202EPGXUMA1 Infineon-BTS7120-2EPG-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185cf68774462a8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE7233EMXUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE7233GXUMA1 TLE7231%2C33G_PB.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED300C17SROHSBPSA1 2ED300C17S.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2ED300C17STROHSBPSA1 2ED300C17S.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCV61BE6327HTSA1 bcv61.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449d8ff720246
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCV61BE6433HTMA1 bcv61.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449d8ff720246
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL04B-GTR Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL04B-GTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DG Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
FM24CL16B-DG
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DGTR Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
FM24CL16B-DGTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bfcec4645
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4B11BPSA1 Infineon-FP50R12KT4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a73efc91e28
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4B16BOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; 280W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4BPSA1 Infineon-FP50R12KT4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a601166ca05d0e0f48
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GB15BOSA1 FP50R12KT4G_B15.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GBOSA1 Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4PB11BPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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