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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IPB100N04S303ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPC100N04S5L-1R1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPC100N04S5L-1R9	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPC100N04S5L-2R6	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC100N04S6L014ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 400A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC100N04S6L020ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 400A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB7530PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2mΩ Trade name: StrongIRFET Gate charge: 274nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP7530PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Mounting: THT Power dissipation: 341W Gate charge: 274nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 281A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247AC On-state resistance: 2mΩ Trade name: StrongIRFET	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP015N04NGXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP015N04NF2SAKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 193A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 106nC	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISC015N04NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 115W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 206A Power dissipation: 115W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLF50251EL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14 Type of integrated circuit: PMIC Topology: buck Mounting: SMD Input voltage: 4.75...45V DC Output current: 0.5A Operating temperature: -40...150°C Output voltage: 5V DC Case: SSOP14 Kind of integrated circuit: DC/DC converter Number of channels: 1 Frequency: 2.2MHz	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLF50201EL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14 Type of integrated circuit: PMIC Topology: buck Mounting: SMD Input voltage: 4.75...45V DC Output current: 0.5A Operating temperature: -40...150°C Output voltage: 5V DC Case: SSOP14 Kind of integrated circuit: DC/DC converter Number of channels: 1 Frequency: 2.2MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHA020	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Mounting: SMD Access time: 100ns Type of integrated circuit: FLASH memory Operating temperature: -40...85°C Application: automotive Memory: 256Mb FLASH Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray Case: BGA64 Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of memory: NOR	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY7C65632-48AXCT	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: USB interfaces - integrated circuits Description: IC: USB interface; I2C,SPI; HUB controller; TQFP48; reel,tape Type of integrated circuit: USB interface Interface: I2C; SPI Kind of integrated circuit: HUB controller Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 3.15...3.6V DC; 4.75...5.25V DC Kind of package: reel; tape Case: TQFP48 Kind of core: 8-bit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISA170230C04LMDSXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7389TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.3/-5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR181WH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape	auf Bestellung 10417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE4906KHTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT Type of sensor: Hall Kind of sensor: unipolar Case: SC59 Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMT	auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE49462KHTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT Type of sensor: Hall Kind of sensor: latch Case: SC59 Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMT	auf Bestellung 2338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE4945L	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT Type of sensor: Hall Kind of sensor: bipolar Mounting: THT Operating temperature: -40...150°C Supply voltage: 3.8...24V DC Range of detectable magnetic field: -10...10mT Case: P-SSO-3-2	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT1503WE6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW Type of diode: Schottky switching Case: SOD323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 4V Load current: 0.11A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Power dissipation: 0.1W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT1502ELE6327XTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SMD Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT1504RE6152HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SMD Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT15099E6433HTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SMD Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR3103TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFS7430TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 426A Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKW30N65ES5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39.5A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR106E6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 16V Collector current: 0.21A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4510PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 9314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAS4004E6433HTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SMD Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP62H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: TO261-4 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Application: automotive industry Current gain: 2k	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR92PE6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23 Type of transistor: NPN Collector current: 45mA Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 15V Power dissipation: 0.28W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 5GHz	auf Bestellung 3072 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR540ZTRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4310PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 330W Gate charge: 170nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V	auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS5030-1EJA	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Output current: 4A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Power dissipation: 1.9W Technology: PROFET™+ 12V Case: PG-DSO-8 Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 1 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Supply voltage: 5...28V DC	auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4410ZPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB5620PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3307PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB7730PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 246A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ	auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4332PbF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB7537PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB On-state resistance: 3.3mΩ Trade name: StrongIRFET Mounting: THT Power dissipation: 230W Gate charge: 142nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 173A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB	auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3307ZPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R190P6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT6202VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW Type of diode: Schottky switching Case: SC79 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 20mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.1W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT62E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT143 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 20mA Semiconductor structure: double independent Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.1W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1018EPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA524N6E6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD operational amplifiers Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape Type of integrated circuit: RF amplifier Bandwidth: 1550...1615MHz Number of channels: 1 Mounting: SMT Voltage supply range: 1.5...3.3V DC Case: TSNP6 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: low noise Kind of package: reel; tape Application: global navigation satellite systems (GPS)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C28452-24PVXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART Mounting: SMD Case: SSOP28 Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 3...5.25V DC Number of inputs/outputs: 24 Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH Clock frequency: 24MHz Kind of core: 8-bit Type of integrated circuit: PSoC microcontroller	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRL40SC209	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 478A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 0.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 267nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE3BR4765JGXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Frequency: 65kHz Number of channels: 1 Case: PG-DSO-12 Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Topology: flyback Input voltage: 80...265V Breakdown voltage: 650V Duty cycle factor: 0...80% Power: 24/16.5W Application: SMPS Operating voltage: 10.5...25V DC Output current: 2.32A	auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC340N08NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS3800SL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.35A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-SCT595 On-state resistance: 0.8Ω Technology: HITFET® Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 3µs Turn-off time: 3µs	auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C3866AXI-040	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: TQFP100 Mounting: SMD Number of inputs/outputs: 72 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Clock frequency: 67MHz Kind of core: 8-bit Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Supply voltage: 1.71...5.5V DC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C4126LTI-M445	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: QFN68 Integrated circuit features: CapSense; LCD controller Mounting: SMD Kind of core: 32-bit Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 55 Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH Clock frequency: 24MHz Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5868AXI-LP032	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Mounting: SMD Case: TQFP100 Number of inputs/outputs: 72 Supply voltage: 1.71...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of core: 32-bit Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Integrated circuit features: watchdog Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH Clock frequency: 67MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5868AXI-LP035	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Clock frequency: 67MHz Integrated circuit features: watchdog Kind of core: 32-bit Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH Case: TQFP100 Mounting: SMD Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 72 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S303ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPC100N04S5L-1R1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPC100N04S5L-1R9

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPC100N04S5L-2R6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB7530PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2mΩ
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFP7530PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 341W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 281A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 2mΩ
Trade name: StrongIRFET

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 106nC

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC015N04NM5ATMA1

Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 206A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLF50251EL

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: buck
Mounting: SMD
Input voltage: 4.75...45V DC
Output current: 0.5A
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 5V DC
Case: SSOP14
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Number of channels: 1
Frequency: 2.2MHz

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLF50201EL

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S29GL256S10DHA020

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Mounting: SMD
Access time: 100ns
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Application: automotive
Memory: 256Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR

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Mindestbestellmenge: 1300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY7C65632-48AXCT

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; I2C,SPI; HUB controller; TQFP48; reel,tape
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: I2C; SPI
Kind of integrated circuit: HUB controller
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.6V DC; 4.75...5.25V DC
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP48
Kind of core: 8-bit

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISA170230C04LMDSXTMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7389TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFR181WH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 10417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE4906KHTSA1

Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE49462KHTSA1

TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT

auf Bestellung 2338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE4945L

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 3.8...24V DC
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Case: P-SSO-3-2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT1503WE6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT1502ELE6327XTMA1

Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT1504RE6152HTSA1

Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT15099E6433HTMA1

INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLR3103TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS7430TRLPBF

Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 581 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7413ZTRPBFXTMA1

irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFR106E6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4510PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRF5803TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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BAS4004E6433HTMA1

INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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BSP62H6327XTSA1

bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Current gain: 2k

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFR92PE6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 45mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 5GHz

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IRFR540ZTRLPBF

irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape

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IRFR7540TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRFB4310PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V

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BTS5030-1EJA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.9W
Technology: PROFET™+ 12V
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5...28V DC

auf Bestellung 569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4410ZPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 846 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB5620PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 46 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1254 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB7730PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ

auf Bestellung 92 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4332PbF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 37 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB7537PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 173A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB

auf Bestellung 953 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 214 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R190P6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT6202VH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT62E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF1018EPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGA524N6E6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.5...3.3V DC
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C28452-24PVXI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL40SC209

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 478A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 0.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ICE3BR4765JGXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A

auf Bestellung 719 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC340N08NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS3800SL

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C3866AXI-040

Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 72
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Clock frequency: 67MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Supply voltage: 1.71...5.5V DC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C4126LTI-M445

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2600 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C5868AXI-LP032

infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C5868AXI-LP035

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Clock frequency: 67MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 32-bit
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

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