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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FP50R06W2E3B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP50R06W2E3B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: EasyPIM™ 2B
Case: AG-EASY2B-2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06W2E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7451pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R2K0P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
Gate charge: 97nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N65ET7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N65C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1620N65TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1620N65TOF%20PR-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304331f858f401320548b00b0682 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA
Case: DO200AE
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 6.5kV
Body dimensions: Ø111/Ø75mm
Load current: 2.29kA
Max. load current: 2.53kA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 36kA
Gate current: 350mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH20N65WR6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKWH20N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce6381926fd1 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY120N65EH7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 498W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-off switching energy: 1.5mJ
Turn-on switching energy: 1.7mJ
Gate charge: 244nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC020N10L3X1SA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPC020N10L3_2_5.pdf?fileId=5546d4614755559a01477c39579c626c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 69830 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3242STRXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIR3242STR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169a1169a066f37 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB600N25N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3 G IPD600N25N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG039N15NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG044N15NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG044N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2c620445a46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG054N15NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG054N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d36b00225f6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG063N15NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d89143913ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S209ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2H5ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPx80N06S2L-06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S2L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I80N06S2L_11-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847CE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG017N12NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf171f50114f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG007N06NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG007N06NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3630457d4e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG014N10NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f74d57d58 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG018N10NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG018N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759bc221150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG020N13NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPTG020N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG025N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759b20e114d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N10NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG025N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179137ca9b12ee3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGT60UTR11AIPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGT60UTR11AIP_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188d3eb8b9307b3 Category: RF modules
Description: IC: RF power detector
Type of integrated circuit: RF power detector
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N10NS5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 100A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 58nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 231 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 437 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Technology: TRENCHSTOP™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3RBR4765JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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ICE3PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3PCS01-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67ae8c02b46 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3RBR0665JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3RBR0665JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf5c8c7514 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3BR0680JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3BR0680JZ-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129e8b5bf735b64 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3BR2280JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE3BR2280JZ_V21a_11Jan2012.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf221ff04c3&fileId=db3a304329a0f6ee0129e8b374bc5b5f Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3BS03LJGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE3BS03LJG_6Dec07-V2_0+.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a30431689f4420116b2b751ff05b0 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
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ICE3RBR1765JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3RBR1765JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf7d69751b Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3AR2280JZ INFINEON TECHNOLOGIES Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Topology: flyback
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IPP60R280P7 IPP60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 489 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R299CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 82 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R250CPXKSA1 IPP60R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R250CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06W2E3B11BOMA1 FP50R06W2E3B11.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: EasyPIM™ 2B
Case: AG-EASY2B-2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06W2E3BOMA1 Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7451TRPBF irf7451pbf.pdf
IRF7451TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7.pdf
IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7S.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2477 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7.pdf
IPD80R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
Gate charge: 97nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1620N65TOFXPSA1 Infineon-T1620N65TOF%20PR-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304331f858f401320548b00b0682
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA
Case: DO200AE
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 6.5kV
Body dimensions: Ø111/Ø75mm
Load current: 2.29kA
Max. load current: 2.53kA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 36kA
Gate current: 350mA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH20N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce6381926fd1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY120N65EH7XKSA1 Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 498W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-off switching energy: 1.5mJ
Turn-on switching energy: 1.7mJ
Gate charge: 244nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC020N10L3X1SA1 DS_IPC020N10L3_2_5.pdf?fileId=5546d4614755559a01477c39579c626c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 69830 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3242STRXUMA1 Infineon-AUIR3242STR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169a1169a066f37
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3G-DTE.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3 G
IPD600N25N3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG044N15NM5ATMA1 Infineon-IPTG044N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2c620445a46
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG054N15NM5ATMA1 Infineon-IPTG054N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d36b00225f6f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG063N15NM5ATMA1 Infineon-IPTG063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d89143913ebf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
IRFR6215TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
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IPB80N06S209ATMA2 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB80N06S2L06ATMA2 IPx80N06S2L-06.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon-IPP_B_I80N06S2L_11-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB80N06S407ATMA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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BC847CE6433HTMA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7S.pdf
IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon-IPTG017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf171f50114f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon-IPTG007N06NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3630457d4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon-IPTG014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f74d57d58
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPTG018N10NM5ATMA1 Infineon-IPTG018N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759bc221150
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPTG025N08NM5ATMA1 Infineon-IPTG025N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791759b20e114d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N10NM5ATMA1 Infineon-IPTG025N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179137ca9b12ee3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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BGT60UTR11AIPXUMA1 Infineon-BGT60UTR11AIP_Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188d3eb8b9307b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RF modules
Description: IC: RF power detector
Type of integrated circuit: RF power detector
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IPB107N20N3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
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BSC040N10NS5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100A; Idm: 400A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 100A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 58nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 4635 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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BSZ440N10NS3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
auf Bestellung 7700 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 437 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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IKA10N60TXKSA1 IKA10N60T.pdf
IKA10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Technology: TRENCHSTOP™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3RBR4765JGXUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3PCS01GXUMA1 Infineon-ICE3PCS01-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67ae8c02b46
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3RBR0665JGXUMA1 Infineon-ICE3RBR0665JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf5c8c7514
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3BR0680JZXKLA1 Infineon-ICE3BR0680JZ-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129e8b5bf735b64
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3BR2280JZXKLA1 Datasheet_ICE3BR2280JZ_V21a_11Jan2012.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf221ff04c3&fileId=db3a304329a0f6ee0129e8b374bc5b5f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3BS03LJGXUMA1 Datasheet_ICE3BS03LJG_6Dec07-V2_0+.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a30431689f4420116b2b751ff05b0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3RBR1765JGXUMA1 Infineon-ICE3RBR1765JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf7d69751b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3AR2280JZ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Topology: flyback
auf Bestellung 1980 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P7 IPP60R280P7.pdf
IPP60R280P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 489 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CP-DTE.pdf
IPP60R299CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R250CPXKSA1 IPP60R250CP-DTE.pdf
IPP60R250CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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