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SOT-252

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FQD10N20

07+ SOT-252

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FQD10N20

TO-252

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FQD10N20C

SOT-252

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FQD10N20C

to-252/d-pak

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FQD10N20C

MOSFET QFC 200V 360MOHM DPAK

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FQD10N20C

TO-252

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FQD10N20CTF

Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

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FQD10N20CTF

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20CTM

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FQD10N20CTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD10N20CTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20CTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20CTM

MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

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FQD10N20CTM

ON-Semicoductor

N-MOSFET 200V 7.8A 50W 360mΩ FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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20+	2.1 EUR

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FQD10N20CTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20CTM

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FQD10N20CTM_F080

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FQD10N20L

MOSFET QF 200V 360MOHM L DAPK

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FQD10N20L

SOT-252

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FQD10N20L

to-252/d-pak

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FQD10N20L
Produktcode: 46654

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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FQD10N20L

TO-252

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FQD10N20LTF

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FQD10N20LTF

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

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FQD10N20LTF

Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20LTF

Fairchild(FSC)

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FQD10N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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90+	1.75 EUR
100+	1.51 EUR
102+	1.43 EUR
131+	1.07 EUR
250+	1.01 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.64 EUR

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FQD10N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

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FQD10N20LTM

Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQD10N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD10N20LTM

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

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FQD10N20LTM

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FQD10N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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100+	1.57 EUR
102+	1.49 EUR
131+	1.11 EUR
250+	1.06 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 100

FQD10N20TF

auf Bestellung 2000 Stücke:

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FQD10N20TF

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQD10N20TM

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FQD11P06

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD11P06

MOSFET QF -60V 185MOHM DPAK

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FQD11P06

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD11P06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD11P06

TO-252

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FQD11P06

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FQD11P06TF

Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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FQD11P06TF

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD11P06TF

MOSFET TO-250 DPAK P-CH 60V

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FQD11P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD11P06TM

Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm

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FQD11P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD11P06TM
Produktcode: 161558

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FQD11P06TM

Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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10+	2.63 EUR
13+	2.15 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FQD11P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD11P06TM

MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V

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20+	2.63 EUR
25+	2.16 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.16 EUR
2500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FQD11P06TM

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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38+	1.9 EUR
69+	1.05 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR

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FQD11P06TM

Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 32500 Stücke:

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2500+	1.09 EUR
5000+	1.03 EUR
12500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD11P06TM

auf Bestellung 27380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD11P06TM

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

38+	1.9 EUR
69+	1.05 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 38

FQD1236/F H-5

PHILIPS

TUNER 06+

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FQD1236/F H-5

PHILIPS

06+ TUNER

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1236E/WH-5

NXP

08+ N/A

auf Bestellung 70 Stücke:

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FQD12N10

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

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FQD12N20

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FQD12N20

MOSFET QF 200V 280MOHM L DAPK

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FQD12N20

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12N20

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12N20

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12N20L

MOSFET QF 200V 280MOHM L DAPK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20L
Produktcode: 165758

Transistoren > MOSFET N-CH

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FQD12N20LTF

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FQD12N20LTF

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20LTF

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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FQD12N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 2278 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FQD12N20LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	1.19 EUR
106+	0.68 EUR
119+	0.6 EUR
138+	0.52 EUR
146+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 61

FQD12N20LTM

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 58009 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.08 EUR
29+	1.85 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.81 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 25

FQD12N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD12N20LTM
Produktcode: 126115

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20LTM

auf Bestellung 254 Stücke:

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61+	1.19 EUR
106+	0.68 EUR
119+	0.6 EUR
138+	0.52 EUR
146+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 61

FQD12N20LTM-F085

Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20LTM-F085

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD12N20LTM-F085

Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD12N20LTM-F085

auf Bestellung 7300 Stücke:

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FQD12N20LTM-F085

Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD12N20LTM-F085

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.21 EUR
5000+	1.15 EUR
12500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD12N20LTM-F085

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FQD12N20LTM-F085

MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab

auf Bestellung 13347 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.41 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.29 EUR
2500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FQD12N20LTM-F085P

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 4804 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.87 EUR
10+	3.21 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FQD12N20LTM-F085P

MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V

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FQD12N20LTM-F085P

Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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FQD12N20LTM-F085P

Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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FQD12N20LTM-F085P

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD12N20LTM_SN00173

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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FQD12N20TF

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

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FQD12N20TF

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD12N20TF

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FQD12N20TM

MOSFET 200V N-Channel QFET

auf Bestellung 12499 Stücke:

Lieferzeit 807-821 Tag (e)

20+	2.7 EUR
22+	2.42 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.53 EUR

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FQD12N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD12N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

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FQD12N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD12N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

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FQD12N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12N20TM_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

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FQD12P10
Produktcode: 128005

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FQD12P10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10TF

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10TF

Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD12P10TF

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

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FQD12P10TF-NB82105

MOSFET P-CH/100V/9.7A 0.29OHM

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD12P10TF-NB82105

TRANS MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-PIN(2+TAB) DPAK T/R

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FQD12P10TF_NB82105

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10TM

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10TM

Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD12P10TM

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

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FQD12P10TM

08+

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10TM-AS004

MOSFET P-CH 100V 12A DPAK

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FQD12P10TM-AS004

MOSFET P-CH/100V/12A/Q-FET

auf Bestellung 2045 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD12P10TM-F085

Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM-F085

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM-F085

Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM-F085

MOSFET P-CH/100V/Q-FET

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FQD12P10TM-F085

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FQD12P10TM-F085

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Drain current: -6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: -37.6A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM-F085

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM_AS004

Description: MOSFET P-CH 100V 12A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM_F085

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD12P10TM_F085

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD12P10TM_F085

Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

auf Bestellung 2353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N03LTM

JAT

09+

auf Bestellung 1518 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06

MOSFET QF 60V 140MOHM DPAK

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FQD13N06

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06L

MOSFET QF 60V 115MOHM L DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD13N06L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06LTF

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD13N06LTF

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD13N06LTF

Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD13N06LTM

Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 6241 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.48 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQD13N06LTM

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD13N06LTM

Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.65 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD13N06LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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119+	0.6 EUR
132+	0.54 EUR
168+	0.43 EUR
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FQD13N06LTM

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

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31+	1.72 EUR
36+	1.47 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.85 EUR
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2500+	0.61 EUR
5000+	0.6 EUR

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FQD13N06LTM

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N06LTM

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119+	0.6 EUR
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FQD13N06LTM

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N06TF

Description: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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FQD13N06TM

MOSFET 60V N-Ch QFET

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FQD13N06TM

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FQD13N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N06TM

Description: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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FQD13N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10

SOT-252

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FQD13N10

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD13N10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD13N10

TO-252

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FQD13N10

MOSFET QF 100V 180MOHM DPAK

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FQD13N10L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD13N10L

MOSFET QF 100V 180MOHM L DPAK

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FQD13N10L

TO-252

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FQD13N10L

SOT-252

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FQD13N10LTF

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10LTF

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

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FQD13N10LTF

auf Bestellung 1200 Stücke:

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FQD13N10LTF

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

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FQD13N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD13N10LTM

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FQD13N10LTM

Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

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FQD13N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

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FQD13N10LTM

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

auf Bestellung 2364 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.47 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.72 EUR

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FQD13N10LTM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 327270 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.72 EUR
36+	1.48 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.66 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 31

FQD13N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10LTM

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FQD13N10LTM

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

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FQD13N10LTM_NBEL001

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FQD13N10TF

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10TF

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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FQD13N10TM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 196-210 Tag (e)

24+	2.18 EUR
28+	1.9 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.83 EUR

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FQD13N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10TM

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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FQD13N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD13N10TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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FQD13N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD13N10TM

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 2337 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.89 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FQD14N15

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD14N15

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD14N15

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD14N15

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD14N15TM

Trans MOSFET N-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD14N15TM

Description: MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD16N15

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N15

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N15

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N15

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N15TF

Description: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD16N15TM

Description: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

auf Bestellung 1947 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

566+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 566

FQD16N25C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N25C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N25C

MOSFET QFC 250V 270MOHM DPAK

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FQD16N25C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N25CTF

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD16N25CTM

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD16N25CTM

Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD16N25CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Technology: QFET®
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.33 EUR
72+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 54

FQD16N25CTM

MOSFET HIGH VOLTAGE

auf Bestellung 16353 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.78 EUR
23+	2.26 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.22 EUR
2500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 19

FQD16N25CTM

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD16N25CTM

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.33 EUR
72+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 54

FQD16N25CTM

Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD16N25CTM

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD16N25CTM

Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.76 EUR
12+	2.25 EUR
100+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FQD16N25CTM_F080

Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD16NE06

TO-252

auf Bestellung 735 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08

SOT-252

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08LTF

Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

888+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 888

FQD17N08LTF

Description: ONSEMI - FQD17N08LTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD17N08LTF

auf Bestellung 19914 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17N08LTF

Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD17N08LTM

Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

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FQD17N08LTM

Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD17N08LTM

Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17N08LTM

Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD17N08LTM

Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD17N08LTM

Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

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FQD17N08LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.2A; Idm: 51.6A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 51.6A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD17N08LTM

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FQD17N08LTM

MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level

auf Bestellung 1561 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD17P06

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17P06

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17P06

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17P06

09+ SOP

auf Bestellung 895 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17P06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17P06

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD17P06TF

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17P06TF

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17P06TF

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17P06TM

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3721 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

63+	1.14 EUR
77+	0.94 EUR
100+	0.72 EUR
107+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 63

FQD17P06TM

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.01 EUR
5000+	0.96 EUR
12500+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD17P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD17P06TM

auf Bestellung 3721 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	1.14 EUR
77+	0.94 EUR
100+	0.72 EUR
107+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 63

FQD17P06TM

MOSFET 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 41719 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.44 EUR
26+	2.01 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FQD17P06TM

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 19248 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
14+	1.99 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FQD17P06TM
Produktcode: 144540

Produkt ist nicht verfügbar

FQD17P06TM

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20V2

MOSFET QF 200V 140MOHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20V2

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20V2

09+ QFP

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20V2

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20V2TF

Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TF

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20V2TF

Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

auf Bestellung 44719 Stücke:

Lieferzeit 252-266 Tag (e)

16+	3.28 EUR
20+	2.68 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQD18N20V2TM

Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20V2TM

Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD18N20VS

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD18N20VS

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10

MOSFET QF 100V 100MOHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD19N10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10L
Produktcode: 116425

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

FQD19N10L

09+ SOT23

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10L

MOSFET QF 100V 100MOHM L DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD19N10L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10LTF

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

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FQD19N10LTF

FAIRCHIL..

02+ TO220

auf Bestellung 50 Stücke:

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FQD19N10LTF

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD19N10LTM

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

auf Bestellung 3215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
14+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FQD19N10LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2330 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

42+	1.73 EUR
73+	0.98 EUR
104+	0.69 EUR
110+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 42

FQD19N10LTM

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD19N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10LTM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 56357 Stücke:

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22+	2.47 EUR
26+	2.01 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR
2500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FQD19N10LTM

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD19N10LTM

auf Bestellung 2330 Stücke:

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42+	1.73 EUR
73+	0.98 EUR
104+	0.69 EUR
110+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 42

FQD19N10LTM

Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9994 Stücke:

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FQD19N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10LTM
Produktcode: 117287

Transistoren > MOSFET N-CH

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FQD19N10TF

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10TF

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD19N10TM

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

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FQD19N10TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD19N10TM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 13231 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD19N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10TM

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FQD19N10TM

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

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FQD19N10TM

09+ DIP

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	1.04 EUR
164+	0.92 EUR
199+	0.73 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 151

FQD19N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD19N10TM

TO-252 0715+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N10TM

Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.9 EUR
210+	0.72 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 173

FQD19N10TM_F080

Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

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FQD19N20C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD19N20C

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N50

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N50

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N50

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N50B

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N50TF

Description: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 241289 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

523+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 523

FQD1N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60C

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N60CTF

Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	0.7 EUR
274+	0.55 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.35 EUR
2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 223

FQD1N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

auf Bestellung 9264 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1110+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

FQD1N60CTM

N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 40

FQD1N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60CTM

MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.92 EUR
31+	1.72 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 28

FQD1N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	0.83 EUR
208+	0.72 EUR
256+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR
2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 189

FQD1N60CTM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60CTM

Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 3410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD1N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N60TF

Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 42509 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

952+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 952

FQD1N60TM

Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

888+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 888

FQD1N60TM

09+ QFFP100

auf Bestellung 1800 Stücke:

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FQD1N80

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD1N80

MOSFET QF 800V 20.0OHM DPAK

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FQD1N80

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N80

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FQD1N80

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD1N80TF

Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N80TF

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1N80TF

Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N80TM

Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N80TM

Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD1N80TM

Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1N80TM

Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 50

FQD1N80TM

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FQD1N80TM

Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD1N80TM

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 334 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FQD1P50

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1P50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1P50

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1P50

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD1P50TF

Description: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD1P50TM

Description: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

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FQD1P50TM

Trans MOSFET P-CH 500V 1.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD20N06

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06

TO-252

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06L

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06LE

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06LE

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06LE

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06LETM

04+ LP5

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD20N06LETM

MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06LETM

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06LETM

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V

auf Bestellung 49818 Stücke:

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888+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 888

FQD20N06LTF

MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06LTF

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06LTM

Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD20N06LTM

MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06LTM

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06TF

Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06TF

Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06TM

MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 2204 Stücke:

Lieferzeit 76-90 Tag (e)

21+	2.55 EUR
24+	2.24 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FQD20N06TM

Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2163 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.34 EUR
136+	1.11 EUR
146+	1 EUR
193+	0.72 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 117

FQD20N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD20N06TM

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FQD20N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD24N08

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08TF

Description: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD24N08TF

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08TF

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08TM

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD24N08TM

Description: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD24N08TM

MOSFET 80V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N100

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N100

MOSFET QF 1000V 9.0OHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N100

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N100L

04+

auf Bestellung 4170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N100TF

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TF

Fairchild/ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TF

N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 1,6 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 15,5 @ 10 В; Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; DPAK-3

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	3.37 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FQD2N100TM

MOSFET 1000V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM-F101

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM-F101

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N100TM_F101

MOSFET N-CH/1000V/1.6A/9OHM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N30

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N30

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N30

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N40

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N40

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N40

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N40

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N40TF

Description: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N40TF

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N40TM

Description: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N50

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N50

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N50

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N50B

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N50B

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N50TF

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

auf Bestellung 1015 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1015+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 1015

FQD2N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60C

MOSFET QFC 600V 4.7OHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60C

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N60CTF

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTF

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTF_F080

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 25

FQD2N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM-WS

MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.22 EUR
27+	1.97 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FQD2N60CTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM-WS

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM-WS

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD2N60TF

Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 7387 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 544

FQD2N60TF

Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N60TM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N80

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N80

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N80

MOSFET QF 800V 6.3OHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N80L

04+

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N80TF

auf Bestellung 94000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N80TF

MOSFET 800V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TF

Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TF

Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TF_NL

MOSFET N-CH/800V/1.8A/6.3OHM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

MOSFET 800V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM
Produktcode: 168154

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM

Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 50

FQD2N80TM_WS

Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N80TM_WS

MOSFET 800V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N90

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N90

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N90

MOSFET QF 900V 7.2OHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N90

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N90-NL

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2N90TF

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 1054 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

503+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 503

FQD2N90TF

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N90TM

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD2N90TM

MOSFET 900V N-Channel QFET

auf Bestellung 9020 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2.1 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.47 EUR
2500+	1.37 EUR
5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQD2N90TM

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD2N90TM

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 11220 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.33 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FQD2N90TM

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD2N90TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω

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FQD2N90TM

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FQD2N90TM

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.38 EUR
5000+	1.31 EUR

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FQD2P25

07+ SOT-252

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FQD2P25

SOT-252

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FQD2P40

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD2P40

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD2P40

to-252/d-pak

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FQD2P40TF

Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

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FQD2P40TF

FAIRCH

09+ PLCC68

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FQD2P40TF_F080

Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

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FQD2P40TM

Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm

auf Bestellung 1543 Stücke:

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FQD2P40TM

Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD2P40TM

Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD2P40TM

Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm

auf Bestellung 1543 Stücke:

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FQD2P40TM

MOSFET Power MOSFET, P-Channel, QFET, -400 V, -1.56 A, 6.5 ?, DPAK

auf Bestellung 22475 Stücke:

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23+	2.36 EUR
27+	1.95 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.07 EUR
2500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 23

FQD2P40TM

Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 6405 Stücke:

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12+	2.26 EUR
15+	1.85 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FQD2P40TM

FQD2P40TM SMD P channel transistors

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FQD30N06
Produktcode: 133481

Transistoren > MOSFET N-CH

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FQD30N06

SOT-252

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FQD30N06

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD30N06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD30N06

TO-252

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FQD30N06L

TO-252

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FQD30N06L

MOSFET

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FQD30N06L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD30N06L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD30N06L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD30N06LTF

Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V

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FQD30N06LTF

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD30N06LTM

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FQD30N06LTM

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FQD30N06LTM

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD30N06TF

Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD30N06TF

Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V

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FQD30N06TF_F080

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FQD30N06TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD30N06TM

Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V

auf Bestellung 4311 Stücke:

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10+	2.65 EUR
12+	2.18 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FQD30N06TM

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FQD30N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD30N06TM

Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

FQD30N06TM

auf Bestellung 5799 Stücke:

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FQD30N06TM

Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD30N06TM

MOSFET 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET

auf Bestellung 13852 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.65 EUR
24+	2.19 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.18 EUR
2500+	1.11 EUR
5000+	1.05 EUR

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FQD3N25

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3N25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N30

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N30

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FQD3N30

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N30TF

Description: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

952+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 952

FQD3N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

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FQD3N40

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N40

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N40

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N40TF

Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

auf Bestellung 26408 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

740+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 740

FQD3N40TM

auf Bestellung 1367 Stücke:

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952+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 952

FQD3N50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N50

07+ SOT-252

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N50C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3N50C

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N50C

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N50CTF

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

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FQD3N50CTF

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

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FQD3N50CTM

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

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FQD3N50CTM

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3N50CTM

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

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FQD3N50CTM

09+ TSSOP

auf Bestellung 1800 Stücke:

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FQD3N50CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A

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FQD3N50CTM_WS

MOSFET

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FQD3N60

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3N60

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FQD3N60

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60C

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60CTF

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60CTM

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60CTM

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1475 Stücke:

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962+	0.77 EUR

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FQD3N60CTM-WS

MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET

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FQD3N60CTM-WS

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

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FQD3N60CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3N60CTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD3N60CTM-WS

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3N60CTM-WS

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.12 EUR
10+	2.79 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FQD3N60CTM_WS

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3179 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

271+	0.58 EUR
275+	0.55 EUR
280+	0.52 EUR
284+	0.49 EUR
289+	0.46 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 271

FQD3N60CTM_WS

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3N60TF

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD3N60TF

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 2594 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

523+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 523

FQD3N60TM

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3N60TM

auf Bestellung 5000 Stücke:

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FQD3P20

SOT-252

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FQD3P20

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3P20

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3P20

TO-252

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FQD3P20TF

Trans MOSFET P-CH 200V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P20TF

Description: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P20TM

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FQD3P50

TO-252

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FQD3P50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3P50

to-252/d-pak

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FQD3P50

MOSFET QF -500V 4.9OHM DPAK

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FQD3P50

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD3P50TF

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P50TF

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P50TM

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

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FQD3P50TM

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

58+	1.24 EUR
64+	1.13 EUR
79+	0.92 EUR
82+	0.87 EUR
500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 58

FQD3P50TM

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM

MOSFET 500V P-Channel QFET

auf Bestellung 42938 Stücke:

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16+	3.38 EUR
20+	2.73 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.39 EUR
5000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQD3P50TM

auf Bestellung 2465 Stücke:

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58+	1.24 EUR
64+	1.13 EUR
79+	0.92 EUR
82+	0.87 EUR
500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 58

FQD3P50TM

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

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FQD3P50TM

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM
Produktcode: 86765

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FQD3P50TM

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM-AM002BLT

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD3P50TM-AM002BLT

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P50TM-AM002BLT

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

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FQD3P50TM-AM002BLT

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FQD3P50TM-AM002BLT

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM-AM002BLT

MOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM

auf Bestellung 4732 Stücke:

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15+	3.61 EUR
17+	3.2 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FQD3P50TM-F085

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM-F085

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P50TM-F085

Produkt ist nicht verfügbar

FQD3P50TM-F085

Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD3P50TM-F085

MOSFET Trans MOS P-Ch 500V 2.1A 3-Pin 2+Tab

auf Bestellung 7495 Stücke:

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FQD3P50TM-F085

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FQD3P50TM_NL

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FQD45N03

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD45N03

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD45N03L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD45N03L

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD4N20

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20

FAIRC

09+ SSOP28

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N20LTF

Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD4N20LTF

Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK

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FQD4N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD4N20TF

Description: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

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FQD4N20TM

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

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FQD4N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.95A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD4N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N20TM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N20TM

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

auf Bestellung 9174 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1086+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 1086

FQD4N25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD4N25

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N25

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N25

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N25TF

Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N25TM

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1158+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1158

FQD4N25TM-WS

Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N25TM-WS

Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

auf Bestellung 6750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

992+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 992

FQD4N25TM-WS

MOSFET 250V N-Channel QFET

auf Bestellung 821 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
30+	1.79 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FQD4N25TM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N25TM-WS

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N50

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N50

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N50

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N50

08+

auf Bestellung 5800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N50TF

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

auf Bestellung 2257 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

683+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 683

FQD4N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4N50TM

auf Bestellung 3035 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

833+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 833

FQD4N50TM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

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FQD4N60

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4N60C

auf Bestellung 88800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25TF

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P25TM

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P25TM-TWS

MOSFET P-CH/250V/3.1A/ 2.1OHM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P25TM-WS

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P25TM-WS

FQD4P25TM-WS SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P25TM-WS

MOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel

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FQD4P25TM_WS

Trans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P25TM_WS

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

auf Bestellung 4306 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25TM_WS

Trans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 623 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.62 EUR
266+	0.57 EUR
270+	0.54 EUR
298+	0.47 EUR
299+	0.45 EUR
500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 253

FQD4P25TM_WS

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P25TM_WS

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

auf Bestellung 4306 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P40

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P40

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P40

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P40

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD4P40TF

Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P40TM

Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

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FQD4P40TM

Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD4P40TM

Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P40TM

MOSFET 400V P-Channel QFET

auf Bestellung 2540 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.17 EUR
20+	2.65 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FQD4P40TM

FQD4P40TM SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P40TM

Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 2458 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.33 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FQD4P40TM

Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD4P40TM-AM002

MOSFET

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.68 EUR
13+	4.26 EUR
25+	4 EUR
100+	3.43 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.38 EUR
2500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FQD4P40TM-AM002

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P40TM-AM002

Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD4P40TM-AM002

Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD5N15

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N15

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N15

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N15

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N15TF

Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N15TF

Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N15TF

Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N15TF

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N15TM

Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD5N15TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.72A
Pulsed drain current: 17.2A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N15TM

Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N15TM

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FQD5N15TM

MOSFET 150V N-Channel QFET

auf Bestellung 3804 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD5N15TM

Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

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FQD5N20

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N20LTF

Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.4A; Idm: 15.2A; 37W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15.2A
Power dissipation: 37W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 7490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.44 EUR
25+	2.15 EUR
100+	1.65 EUR
250+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FQD5N20LTM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N20TF

Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N30

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N30

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N30

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N30

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N30TF

Description: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N30TF

Description: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

auf Bestellung 6905 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

auf Bestellung 1623 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N30TM

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N40

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N40

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N40

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N40

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N40TF

Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N40TF

Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N40TM

Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

auf Bestellung 157506 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50C

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N50C

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50CTF

Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N50CTM

Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N50CTM

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50CTM

Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

auf Bestellung 8576 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 544

FQD5N50CTM

Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD5N50CTM-WS

MOSFET Power MOSFET, N-Channel, QFET , 500 V, 4 A, 1.4 O, DPAK

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FQD5N50CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N50CTM-WS

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N50CTM-WS

08+ TO-252

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50CTMWS

auf Bestellung 415000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N50CTM_F080

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FQD5N50CTM_WS

Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N50TF

Description: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V

auf Bestellung 28688 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 544

FQD5N50TM

auf Bestellung 21653 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

258+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 258

FQD5N60C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N60C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N60C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N60C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5N60CTF

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N60CTM

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

auf Bestellung 4845 Stücke:

Lieferzeit 196-210 Tag (e)

19+	2.76 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.29 EUR
2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 19

FQD5N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 383 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.91 EUR
11+	2.37 EUR
100+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FQD5N60CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQD5N60CTM

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FQD5N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5N60CTM-WS

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQD5N60CTM-WS

MOSFET 600V, NCH MOSFET

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FQD5N60CTM-WS

MOSFET 600V, NCH MOSFET

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FQD5N60CTM-WS

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FQD5N60CTM_F080

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FQD5P10

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P10

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P10TF

Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD5P10TF

Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

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FQD5P10TM

Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

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FQD5P10TM

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.28A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD5P10TM

MOSFET 100V P-Channel QFET

auf Bestellung 3042 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD5P10TM

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FQD5P10TM

Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD5P10TM

Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD5P10TM

Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
13+	2.12 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FQD5P10TM

Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P10TM

Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD5P10TM-X

MOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM

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FQD5P10TM_X

Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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FQD5P20

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P20

MOSFET QF -200V 1.4OHM DPAK

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FQD5P20

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P20

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P20

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P20TF

Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TF

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD5P20TF

Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

MOSFET 200V P-Channel QFET

auf Bestellung 54268 Stücke:

Lieferzeit 252-266 Tag (e)

24+	2.25 EUR
27+	1.94 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FQD5P20TM

Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM (D-PAK)
Produktcode: 92602

Produkt ist nicht verfügbar

FQD5P20TM_F080

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FQD60N03

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD60N03

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD60N03L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD60N03L

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD60N03LTM

09+

auf Bestellung 1618 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD60N03LTM

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

503+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 503

FQD60N03LTM

TO-252

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD630

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD630

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD630

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD630

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD630TF

Description: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 207503 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

888+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 888

FQD630TM

Description: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N15

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N15

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N15TF

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N15TM

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N25

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N25

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N25

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N25

MOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N25

09+

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N25TF

Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V

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FQD6N25TM

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FQD6N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQD6N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6N25TM

MOSFET 250V N-Channel QFET

auf Bestellung 1424 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD6N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.6A; Idm: 17.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD6N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6N25TM

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FQD6N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6N40

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N40

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N40C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N40C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N40C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N40C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N40CTF

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

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FQD6N40CTM

Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6N40CTM

ON-Semicoductor

N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 50

FQD6N40CTM

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N40CTM

Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N40CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N40CTM

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

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FQD6N40CTM

Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6N40CTM

MOSFET 400V N-Channel Advance QFET

auf Bestellung 32380 Stücke:

Lieferzeit 1075-1089 Tag (e)

16+	3.25 EUR
20+	2.65 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQD6N40CTM

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FQD6N40CTM-NBEA002

MOSFET 400V N-Channel QFET

auf Bestellung 2472 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD6N40CTM_NBEA002

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

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FQD6N40TF

Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N40TM

Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

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FQD6N50C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N50C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N50C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N50C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N50CTF

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

503+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 503

FQD6N50CTF

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

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FQD6N50CTM

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

auf Bestellung 1392 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N50CTM

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6N50CTM

MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series

auf Bestellung 1752 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQD6N50CTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQD6N50CTM

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

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FQD6N50CTM

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FQD6N50CTM

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	0.63 EUR
312+	0.48 EUR
317+	0.46 EUR
322+	0.43 EUR
328+	0.41 EUR
333+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 250

FQD6N50CTM_F080

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

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FQD6N60C

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60C

MOSFET

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FQD6N60C

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60C

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60CTF

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60CTF

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

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FQD6N60CTF

MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTF

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60CTM

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60CTM

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6N60CTM

Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTM

MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTM-WS

Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTM-WS

MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD6N60CTM-WS

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD6P25

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6P25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6P25

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6P25

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6P25TF

Description: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

auf Bestellung 102120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD6P25TM

Description: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

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FQD70N03

03+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD70N03L

04+

auf Bestellung 1325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10L

MOSFET QF 100V 350MOHM L DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10L

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10LTF

Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10LTF

Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10LTF

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10LTM

Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10LTM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 26481 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.79 EUR
33+	1.59 EUR
100+	1.24 EUR
250+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 29

FQD7N10LTM

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10LTM

Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FQD7N10TM

Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 178355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 544

FQD7N20

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20L

MOSFET QF 200V 750MOHM L DPAK

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FQD7N20L

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQD7N20LTF

Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD7N20LTF

Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

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FQD7N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD7N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

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FQD7N20LTM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FQD7N20LTM

Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

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FQD7N20LTM

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FQD7N20LTM

Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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FQD7N20LTM

Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

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FQD7N20LTM

Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

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FQD7N20LTM

MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO

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26+	2.03 EUR
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2500+	0.77 EUR
5000+	0.73 EUR

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FQD7N20TF

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FQD7N20TF

Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

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FQD7N20TM

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FQD7N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

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FQD7N20TM_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

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FQD7N30

to-252/d-pak

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FQD7N30

07+ SOT-252

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FQD7N30

TO-252

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FQD7N30

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FQD7N30TF

Description: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V

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FQD7N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2379 Stücke:

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253+	0.62 EUR
260+	0.58 EUR
265+	0.55 EUR
274+	0.51 EUR
276+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 253

FQD7N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V

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FQD7N30TM

FQD7N30TM SMD N channel transistors

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FQD7N30TM

MOSFET 300V N-Channel QFET

auf Bestellung 2476 Stücke:

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FQD7N30TM