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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
FQD10N20FAIRCHILD07+ SOT-252
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FQD10N20FAIRCHILDTO-252
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FQD10N20FAIRCHILDSOT-252
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FQD10N20CFAIRCHILDSOT-252
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FQD10N20Cfairchildto-252/d-pak
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FQD10N20CFAIRCHILDTO-252
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FQD10N20Consemi / FairchildMOSFET QFC 200V 360MOHM DPAK
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FQD10N20CTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD10N20CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD10N20CTMON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 360mOhm; 7,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB; TPM2007NK3; FQD10N20CTM-JSM; FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FQD10N20CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/200V/10A/QFET
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FQD10N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD10N20CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20L
Produktcode: 46654
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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FQD10N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 360MOHM L DAPK
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FQD10N20Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD10N20LFAIRCHILDTO-252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD10N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD10N20LTFFairchild(FSC)-
auf Bestellung 4000 Stücke:
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FQD10N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20LTFFairchild
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD10N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1410 Stücke:
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100+1.49 EUR
102+1.41 EUR
131+1.05 EUR
250+1.00 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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FQD10N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
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FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.66 EUR
100+1.43 EUR
102+1.35 EUR
131+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20TF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD10N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06onsemi / FairchildMOSFETs QF -60V 185MOHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06FAIRCHILD
auf Bestellung 5076 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TFonsemi / FairchildMOSFET TO-250 DPAK P-CH 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
68+1.05 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.30 EUR
117+1.22 EUR
145+0.95 EUR
250+0.90 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 11150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMonsemi / FairchildMOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 25284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.80 EUR
10+1.78 EUR
100+1.16 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
68+1.05 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD11P06TM
Produktcode: 161558
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FQD11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 11260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.72 EUR
100+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.58 EUR
114+1.26 EUR
117+1.18 EUR
145+0.91 EUR
250+0.86 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD11P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD1236/F H-5PHILIPS06+ TUNER
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD1236/F H-5PHILIPSTUNER 06+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1236E/WH-5NXP08+ N/A
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N10FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 280MOHM L DAPK
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FQD12N20FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N20fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N20FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N20FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N20L
Produktcode: 165758
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FQD12N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 280MOHM L DAPK
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FQD12N20LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 2.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD12N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD12N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD12N20LTFFairchild
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.81 EUR
5000+1.05 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FQD12N20LTMON-SemicoductorN-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD12N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.22 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQD12N20LTMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 42074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.22 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.94 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.94 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
12500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD12N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 11163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
15+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.82 EUR
5000+1.06 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.22 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM
Produktcode: 126115
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.47 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 13410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.63 EUR
100+1.27 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085Ponsemi / FairchildMOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM_SN00173onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TFFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TMONSEMIFQD12N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
auf Bestellung 12499 Stücke:
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2+1.83 EUR
10+1.64 EUR
100+1.25 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20TM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10
Produktcode: 128005
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TFFairchild
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TF-NB82105ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/100V/9.7A 0.29OHM
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TF-NB82105ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-PIN(2+TAB) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TF_NB82105Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TMFSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TMFAIRCHILD08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-AS004ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/100V/12A/Q-FET
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-AS004ON SemiconductorMOSFET P-CH 100V 12A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -37.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Application: automotive industry
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -37.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Application: automotive industry
Drain current: -6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM-F085onsemi / FairchildMOSFET P-CH/100V/Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM_AS004Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N03LTMJAT09+
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06onsemi / FairchildMOSFET QF 60V 140MOHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06Lonsemi / FairchildMOSFET QF 60V 115MOHM L DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTFFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
96+0.75 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
96+0.75 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 11485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
17+1.09 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 29689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.07 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
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FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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FQD13N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET
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FQD13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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FQD13N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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FQD13N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N10FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD13N10fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD13N10FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD13N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 180MOHM DPAK
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FQD13N10FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD13N10LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD13N10Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 100V 180MOHM L DPAK
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FQD13N10LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N10LTFFAIRCHILD
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD13N10LTFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD13N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.44 EUR
5000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
102+0.70 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 251355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
102+0.70 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
5000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
auf Bestellung 6940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
17+1.08 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTMAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM_NBEL001onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMONSEMIFQD13N10TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 8808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.89 EUR
100+0.74 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 70287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
23+0.78 EUR
100+0.72 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.50 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD14N15FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD14N15fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD14N15FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD14N15FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD14N15TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N15FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N15FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N15FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N15fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N15TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 523
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25Consemi / FairchildMOSFET QFC 250V 270MOHM DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTFFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 10.1A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 59152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
12+1.55 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMonsemi / FairchildMOSFETs HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 32148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.75 EUR
5000+0.72 EUR
7500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 10.1A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16NE06FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD17N08LTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 888
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTF
auf Bestellung 19914 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMONSEMIFQD17N08LTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06FAIRCHIL09+ SOP
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 5632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
13+1.41 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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FQD17P06TM
Produktcode: 144540
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
74+0.97 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.70 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMonsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 25779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.48 EUR
100+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.80 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
74+0.97 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2onsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 140MOHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2FAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2FAIRCHIL09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TFFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.60 EUR
54+1.33 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
54+1.33 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
auf Bestellung 27993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.62 EUR
100+1.21 EUR
500+1.00 EUR
2500+0.91 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
11+1.71 EUR
100+1.26 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20VSfairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20VSfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 100MOHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LFAIRCHIL09+ SOT23
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD19N10L
Produktcode: 116425
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 100MOHM L DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTFFAIRCHIL..02+ TO220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.26 EUR
146+0.98 EUR
147+0.94 EUR
180+0.73 EUR
250+0.70 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTM
Produktcode: 117287
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD19N10LTMonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 31397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.58 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
67+1.07 EUR
102+0.70 EUR
108+0.66 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 6478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
12+1.48 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.21 EUR
124+1.16 EUR
160+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
67+1.07 EUR
102+0.70 EUR
108+0.66 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 13231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMFAIRCHILDTO-252 0715+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.86 EUR
210+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMONSEMIFQD19N10TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMFSC09+ DIP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.99 EUR
164+0.87 EUR
199+0.69 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N10TM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N20Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD19N20Cfairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50BFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 241289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
429+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.78 EUR
208+0.69 EUR
256+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.66 EUR
274+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMFairchildN-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.30 EUR
10+1.16 EUR
100+0.89 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 42509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
781+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 781
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FQD1N60TMFAIRCHIL09+ QFFP100
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 888
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80onsemi / FairchildMOSFETs QF 800V 20.0OHM DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD1N80FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TFFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TMonsemi / FairchildMOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 3346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.02 EUR
10+1.36 EUR
25+1.32 EUR
100+0.95 EUR
250+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
auf Bestellung 3064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.90 EUR
14+1.28 EUR
100+0.89 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD1P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 1.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LEFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LEonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LEFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LEfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LETFonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LETMFAIRCHILDFQD20N06LETM
auf Bestellung 38518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1086+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1086
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LETMFSC04+ LP5
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LETMON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LETMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V
auf Bestellung 44818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
728+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 728
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LETMFAIRCHILDFQD20N06LETM
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1086+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1086
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LTFON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 72-76 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.51 EUR
100+1.16 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.27 EUR
136+1.05 EUR
146+0.94 EUR
193+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD24N08FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD24N08FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD24N08FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD24N08fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD24N08TFFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD24N08TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
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FQD24N08TFFAIRCHILD07+ SOT-252
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FQD24N08TMFairchild
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FQD24N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
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FQD24N08TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET
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FQD2N100fairchildto-252/d-pak
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FQD2N100FAIRCHILD07+ SOT-252
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FQD2N100FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQD2N100onsemi / FairchildMOSFET QF 1000V 9.0OHM DPAK
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FQD2N100FAIRCHILDSOT-252
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FQD2N100LFAIRCHILD04+
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FQD2N100TFFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 1,6 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 15,5 @ 10 В; Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; DPAK-3
auf Bestellung 8 Stücke:
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2+3.05 EUR
10+2.63 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD2N100TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
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FQD2N100TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N100TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
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FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N100TMonsemi / FairchildMOSFETs 1000V N-Channel QFET
auf Bestellung 2499 Stücke:
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2+1.70 EUR
10+1.41 EUR
100+1.10 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N100TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
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FQD2N100TM-F101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N100TM-F101onsemiMOSFET
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FQD2N100TM_F101onsemi / FairchildMOSFET N-CH/1000V/1.6A/9OHM
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FQD2N30FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD2N30FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N30FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQD2N30TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
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FQD2N40FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N40fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N40FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N40FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N40TFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
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FQD2N40TFFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50BFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50BFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1015+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1015
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
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FQD2N60FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 4.7OHM DPAK
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FQD2N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTF_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.97 EUR
14+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 182500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/2A/A.QFET
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.22 EUR
100+0.83 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 182500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.50 EUR
10+1.33 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD2N60TFFAIRCHILDFQD2N60TF
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.88 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 629
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FQD2N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 7387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 544
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FQD2N60TFFAIRCHILDFQD2N60TF
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.88 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 629
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FQD2N60TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2N60TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD2N80FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N80fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N80FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N80FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N80onsemi / FairchildMOSFET QF 800V 6.3OHM DPAK
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FQD2N80LFAIRCHILD04+
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N80TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD2N80TFonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
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FQD2N80TFFairchild
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD2N80TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N80TF_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/800V/1.8A/6.3OHM
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FQD2N80TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD2N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD2N80TM
Produktcode: 168154
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N80TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N80TM_WSonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90onsemi / FairchildMOSFET QF 900V 7.2OHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90-NLFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TFFAIRCHILDFQD2N90TF
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 581
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
412+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 412
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMonsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 16397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.00 EUR
2500+0.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 6048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
10+1.87 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P25FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P25FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD2P40fairchildto-252/d-pak
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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FQD2P40TFFAIRCH09+ PLCC68
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TF_F080Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 7113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
15+1.19 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 703 Stücke:
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FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.50 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.50 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FQD2P40TMonsemi / FairchildMOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5?
auf Bestellung 21952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.46 EUR
10+1.17 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD30N06FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD30N06
Produktcode: 133481
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FQD30N06onsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 45MOHM DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD30N06FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
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FQD30N06Lonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 41000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LTMFairchild
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TF_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMON Semiconductor
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMonsemi / FairchildMOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
auf Bestellung 12418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.52 EUR
10+1.20 EUR
100+1.00 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
17+1.08 EUR
100+0.99 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD30N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N25FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N25FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N30FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N30FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N30FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N30TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 952
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 740
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 952
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FQD3N50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50Cfairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTMFAIRCHIL09+ TSSOP
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N50CTM_WSonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTFFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
962+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTMFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60CTM_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.55 EUR
275+0.52 EUR
280+0.49 EUR
284+0.47 EUR
289+0.44 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 523
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60TFFAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60TMFairchild
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50onsemi / FairchildMOSFET QF -500V 4.9OHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMonsemi / FairchildMOSFETs 500V P-Channel QFET
auf Bestellung 44519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.90 EUR
100+1.44 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.03 EUR
2500+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 9466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
10+2.05 EUR
100+1.40 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Technology: QFET®
Drain current: -1.33A
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.89 EUR
50+1.46 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Technology: QFET®
Drain current: -1.33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
50+1.46 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
5000+0.86 EUR
7500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM
Produktcode: 86765
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLTONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Drain current: -1.33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLTonsemi / FairchildMOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM
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2+2.45 EUR
10+2.16 EUR
100+1.70 EUR
500+1.40 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLTonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-AM002BLTONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Drain current: -1.33A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 500V 2.1A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Application: automotive industry
Drain current: -1.33A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Application: automotive industry
Drain current: -1.33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD3P50TM_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD45N03FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD45N03FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD45N03LFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD45N03LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20FAIRC09+ SSOP28
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TMONSEMIFQD4N20TM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TMonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
auf Bestellung 9174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1086+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1086
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N20TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1086+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1086
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
950+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TMFairchild
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
814+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 814
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WSonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.21 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N25TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50FSC08+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 683
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N50TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4N60CFAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-TWSON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/250V/3.1A/ 2.1OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WSONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.96A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WSonsemi / FairchildMOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WSONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.96A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.96A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM-WSonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
auf Bestellung 4306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM_WSON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.59 EUR
266+0.54 EUR
270+0.51 EUR
298+0.44 EUR
299+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
auf Bestellung 4306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P25TM_WSON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.71A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.71A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMonsemi / FairchildMOSFET 400V P-Channel QFET
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.80 EUR
100+1.40 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.00 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.71A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.71A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
10+2.01 EUR
100+1.57 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+2.89 EUR
25+2.71 EUR
100+2.32 EUR
500+1.90 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD4P40TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N15FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N15fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N15FAIRCHILD07+ SOT-252
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FQD5N15FAIRCHILDTO-252
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FQD5N15TFFairchild
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FQD5N15TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
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FQD5N15TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD5N15TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
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FQD5N15TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD5N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
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FQD5N15TMonsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel QFET
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FQD5N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
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FQD5N15TMONSEMIFQD5N15TM SMD N channel transistors
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FQD5N20FAIRCHILD07+ SOT-252
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FQD5N20FAIRCHILDTO-252
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FQD5N20FAIRCHILDSOT-252
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FQD5N20fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD5N20LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD5N20LFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD5N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FQD5N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD5N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
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FQD5N20LTMONSEMIFQD5N20LTM SMD N channel transistors
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FQD5N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
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250+1.09 EUR
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FQD5N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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FQD5N30FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD5N30fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD5N30FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD5N30FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N30TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 6905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 740
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FQD5N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 740
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FQD5N30TMFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD5N40FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 155118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 683
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50Consemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTM
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
auf Bestellung 8578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
446+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 446
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTM-WSFAIRCHILD08+ TO-252
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD5N50CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET, N-Channel, QFET , 500 V, 4 A, 1.4 O, DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTMWSFairchild
auf Bestellung 415000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD5N50CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50CTM_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 28688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 21653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 18783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+1.77 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 12485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.78 EUR
25+1.71 EUR
100+1.18 EUR
250+1.17 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V, NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM-WSON SemiconductorMOSFET 600V, NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
Drain current: -2.28A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
Drain current: -2.28A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
13+1.43 EUR
100+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 3042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TM-XON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P10TM_XON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20onsemi / FairchildMOSFET QF -200V 1.4OHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TFFairchild
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Technology: QFET®
Drain current: -2.34A
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.29 EUR
87+0.83 EUR
109+0.66 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Technology: QFET®
Drain current: -2.34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
87+0.83 EUR
109+0.66 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.12 EUR
100+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD5P20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 46491 Stücke:
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3+1.10 EUR
10+1.09 EUR
100+0.82 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.53 EUR
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FQD5P20TM (D-PAK)
Produktcode: 92602
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FQD5P20TM_F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
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FQD60N03FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD60N03FAIRCHILD07+ SOT-252
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FQD60N03LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQD60N03LFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD60N03LTMFAIRCHILTO-252
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FQD60N03LTMFAIRCHIL09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD60N03LTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
412+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 412
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FQD630fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD630FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD630FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD630FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD630TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 207503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 888
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FQD630TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
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FQD6N15FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD6N15FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQD6N15TFonsemi / FairchildMOSFET
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FQD6N15TMonsemi / FairchildMOSFET
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FQD6N25FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N25FSC09+
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N25FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N25onsemi / FairchildMOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK
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FQD6N25fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMONSEMIFQD6N25TM SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
12+1.57 EUR
100+1.22 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMON-SemicoductorN-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.60 EUR
54+1.33 EUR
80+0.90 EUR
84+0.85 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
auf Bestellung 12730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.74 EUR
100+1.24 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
54+1.33 EUR
80+0.90 EUR
84+0.85 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTM-NBEA002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40CTM_NBEA002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
503+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 503
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.59 EUR
312+0.46 EUR
317+0.43 EUR
322+0.41 EUR
328+0.39 EUR
333+0.37 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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FQD6N50CTMONSEMIFQD6N50CTM SMD N channel transistors
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FQD6N50CTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
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FQD6N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD6N50CTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FQD6N50CTM_F080ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
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FQD6N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N60Cfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N60Consemi / FairchildMOSFET
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FQD6N60CFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N60CTFonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
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FQD6N60CTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
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FQD6N60CTFFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N60CTFFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N60CTMFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N60CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
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FQD6N60CTMFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD6N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
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FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD6P25fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6P25FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6P25FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6P25FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6P25TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
auf Bestellung 53364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
503+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 503
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD6P25TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
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FQD70N03FAIRCHILD03+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD70N03LFAIRCHILD04+
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQD7N10FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L DPAK
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FQD7N10LTFFairchild
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FQD7N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 26481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.08 EUR
100+0.84 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 178355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 544
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20FAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20FAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20FAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 750MOHM L DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LFAIRCHILDSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20Lfairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD7N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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