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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IMB-9454G-R20IEI Technology CorporationMICRO-ATX MOTHERBOARD, CORE2 DUO CPU 800/1066/1333 MHZ FSB WITH VGA, DUAL PCIE GBE, SATA II
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IMB-9454G-R40IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 4GB DDR2
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IMB-AM5-R10IEIIndustrial Motherboards micro-ATX motherboard supports AMD 7000 series processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoH
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IMB-C2060-R10IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 32GB DDR3 1000Mbps
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IMB-G41A-R10IEI Technology CorporationSBC, 2.66GHz Intel CPU 4GB DDR3 1000Mbps 2048x1536Pixels
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IMB-G41A-R10-EKAIEI Technology CorporationM-ATX MB LGA775 CORE 2 QUAD
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IMB-H110-ECO-R10IEISingle Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO Packing and RoHS
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IMB-H110-R10IEI Technology CorporationMotherboard, Intel CPU 64GB DDR4 1000Mbps 3480x2160Pixels
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IMB-H110-R10IEISingle Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation IntelCore i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per IntelH110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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1+584.43 EUR
10+584.41 EUR
20+581.42 EUR
50+568.74 EUR
100+568.71 EUR
200+566.65 EUR
500+563.41 EUR
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IMB-H610A-R10IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3/Pentium/Celeron CPU with Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE, USB 2.0, 6xCOM,SATA 3Gb/s, HD Audio and RoHS
auf Bestellung 1 Stücke:
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IMB-H610A-R10AaeonMICRO/ATX MB WITH LGA1155
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IMB-H810-ECO-R11IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual PCIe GbE, USB 2.0, COM, LPT, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing, RoHS
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IMB-H810-i2-R11IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, USB 2.0, PCI, COM, LPT, SATA 3Gb/s, HD Audio, iRIS and RoHS
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IMB-M40HADLINK TechnologySingle Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 3rd Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 2x PCIe x1 and 4x PCI slots BIOS Rev. A1.16
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IMB-M42HADLINK TechnologySingle Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 4th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 1x PCIe x4 and 4x PCI slots
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IMB-M43ADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
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1+922.08 EUR
10+893.59 EUR
25+872.15 EUR
50+846.40 EUR
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IMB-M43 (Rev. B1)ADLINK TechnologyIndustrial Motherboards IIMB-M43 ATX Embedded Motherboards, Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+884.45 EUR
10+857.10 EUR
25+836.55 EUR
50+817.27 EUR
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IMB-M43-C236ADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43-C236 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation E3Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+938.56 EUR
10+909.55 EUR
25+887.73 EUR
50+861.52 EUR
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IMB-M43HADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43HIMB-M43H ATX Embedded Motherboard supports Intel 6th/7 th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIex16, 1x PCIex4 and 5x PCI slots, BIOS REV:1.08.10,HS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB-M46ADLINK Technology IMB-M46 ATX Embedded Motherboard, Intel 10th Core-I, Q470E, DDR4, PCIe Gen 3
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IMB-M47ADLINK TechnologyIndustrial Motherboards IMB-M47 ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Core-I, Q670, DDR5, PCIe Gen 5
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1002.04 EUR
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IMB-M47-R680EADLINK Technology IMB-M47-R680E, ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Gen Core I, R680E, DDR5, PCIe Gen 5
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IMB-M47HADLINK Technology IMB-M47H ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Core-I, H610E, DDR5, PCIe Gen 5
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IMB-Q670-R30IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67, DDR3, VGA/DVI/HDMI, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, 10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMB-Q770-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
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IMB-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,HDMI/ DVI-D/ VGA / DP,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,Six Serial Ports, Audio, iRIS-2400 and RoHS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+643.95 EUR
5+636.22 EUR
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IMB-S90ADLINK TechnologySingle Board Computers ExtendATX Server Board support Dual Xeon-E5 Processors,4x PCIe x16, 1x PCIe x8 and 1xPCIe x4slots
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IMB-T10ADLINK TechnologySingle Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset, BIOS Rev P1.1
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IMB-T10BADLINK TechnologySingle Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset w/CPU Fan, BIOS Rev P1.0
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IMB0105S05XP POWERDescription: XP POWER - IMB0105S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & medizinische Anwendungen, SIP, 1:1, 1 W, 1 Ausgang
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 4.5V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 12.5mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 5V
Tiefe: 22mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 7.5mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 4kV
DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V
DC/DC-Wandlermontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: IMB01 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 200mA
Eingangsverhältnis: 1:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE & medizinische Anwendungen
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB0105S05XP POWERIMB0105S05 DC/DC Converters
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0105S05XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0105S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.03 EUR
5+25.26 EUR
10+24.46 EUR
30+23.43 EUR
100+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0105S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.03 EUR
5+25.26 EUR
10+24.46 EUR
30+23.43 EUR
100+21.86 EUR
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IMB0105S12XP POWERIMB0105S12 DC/DC Converters
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0105S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.07 EUR
5+25.28 EUR
10+24.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 79%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Power: 1W
Number of outputs: 1
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S05XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 13.2V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.07 EUR
5+25.28 EUR
10+24.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.03 EUR
5+25.26 EUR
10+24.46 EUR
30+23.43 EUR
100+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 79%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Power: 1W
Number of outputs: 1
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 12VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 12V DC
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 81%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Power: 1W
Number of outputs: 1
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.10 EUR
10+17.65 EUR
100+17.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 13.2V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.07 EUR
5+25.28 EUR
10+24.50 EUR
25+23.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.03 EUR
5+25.26 EUR
10+24.46 EUR
30+23.43 EUR
100+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0112S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 12VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 12V DC
Type of converter: DC/DC
Efficiency: 81%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Power: 1W
Number of outputs: 1
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.10 EUR
10+17.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0124S05XP POWERIMB0124S05 DC/DC Converters
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0124S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.03 EUR
5+25.26 EUR
10+24.46 EUR
30+23.43 EUR
100+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0124S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 24V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP7
Mounting: THT
Manufacturer series: IMB01
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...105°C
Switching frequency: 60kHz
Insulation voltage: 4kV DC
Number of outputs: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.46 EUR
10+16.76 EUR
50+16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0124S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.03 EUR
5+25.26 EUR
10+24.46 EUR
30+23.43 EUR
100+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0124S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 26.4V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 21.6V
Voltage - Output 1: 12V
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.07 EUR
5+25.28 EUR
10+24.50 EUR
25+23.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB0124S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 24V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP7
Mounting: THT
Manufacturer series: IMB01
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...105°C
Switching frequency: 60kHz
Insulation voltage: 4kV DC
Number of outputs: 1
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB01CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays 140MW 3V DIELEC .2500VAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB01CTSTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays IM RELAY 140MW 3V DIEL. 2500VAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays 140MW 4.5V dielectic 2500Vac
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02CTSTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays THT standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02CTSTE ConnectivityIMB02CTS-TEC-0 Miniature Electromagnetic Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB02IGR =IM Relay 140 mW 4,5V
auf Bestellung 153 Stücke:
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1+12.28 EUR
10+11.16 EUR
25+9.91 EUR
100+9.28 EUR
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IMB02IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.51 EUR
10+11.72 EUR
25+10.42 EUR
50+9.90 EUR
100+9.38 EUR
250+8.34 EUR
500+7.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.55 EUR
10+10.82 EUR
25+9.62 EUR
50+9.14 EUR
100+8.66 EUR
250+7.70 EUR
500+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB02ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB02ITS =IM Relay 140 mW 4,5V
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1+11.21 EUR
10+9.80 EUR
25+8.92 EUR
100+8.55 EUR
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IMB03CGR
Produktcode: 200311
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Relais
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB03CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
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100+4.39 EUR
300+4.04 EUR
500+3.79 EUR
1000+3.54 EUR
3000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IMB03CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO SMD
auf Bestellung 1276 Stücke:
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1+9.54 EUR
10+8.40 EUR
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100+5.77 EUR
250+5.37 EUR
500+5.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+4.88 EUR
2000+4.60 EUR
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IMB03CTSTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(254x152.4x137.16)mm THT Automotive
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IMB03CTSTE Connectivity / P&BHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO T/H
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250+4.47 EUR
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IMB03CTS
Produktcode: 191933
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Relais
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03CTSAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CTS - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Durchsteckmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: No
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
auf Bestellung 1123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.72 EUR
10+10.25 EUR
25+9.71 EUR
50+9.32 EUR
100+8.95 EUR
250+8.48 EUR
500+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB03IGR =IM Relay 140 mW 5V
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.32 EUR
10+11.55 EUR
25+10.26 EUR
100+9.24 EUR
250+8.20 EUR
500+7.71 EUR
1000+7.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.06 EUR
10+11.31 EUR
25+10.05 EUR
50+9.55 EUR
100+9.05 EUR
250+8.04 EUR
500+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB03ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB03ITS =IM Relay 140 mW 5V
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.67 EUR
10+10.19 EUR
25+9.28 EUR
100+8.91 EUR
250+8.27 EUR
1000+7.52 EUR
2000+6.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: No
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: No
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRTE Connectivity / P&BHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.56 EUR
10+8.96 EUR
25+7.96 EUR
100+7.16 EUR
250+6.37 EUR
500+5.97 EUR
1000+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CGRTE Connectivity / AxicomHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CTSTE Connectivity / AxicomHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO T/H
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.41 EUR
10+7.37 EUR
25+6.71 EUR
100+6.30 EUR
250+5.61 EUR
500+5.26 EUR
1000+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06CTSAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CTS - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM-B, Durchsteckmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IM-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB06IGR =IM Relay 140 mW 12V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.39 EUR
10+11.60 EUR
25+10.31 EUR
100+9.24 EUR
250+8.76 EUR
500+8.40 EUR
1000+8.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB06ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB06ITS =IM Relay 140 mW 12V
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.60 EUR
10+9.26 EUR
25+8.43 EUR
100+8.08 EUR
250+7.52 EUR
500+7.04 EUR
1000+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVT0KSICKIMB08-02BDSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVT0SSICKIMB08-02BDSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVU2KSICKIMB08-02BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVU2SSICKIMB08-02BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 2MM CYL 2M CBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BDSVU5KSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNOVT0KSICK, Inc.Description: SEN PROX SHLD NPN NC M8 SHRT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNOVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNPVC0SSICKIMB08-02BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNSVC0SSICKIMB08-02BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+74.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+74.22 EUR
5+71.59 EUR
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IMB08-02BNSVU2KSICKIMB08-02BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB08-02BNSVU2SSICKIMB08-02BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+72.76 EUR
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IMB08-02BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPOVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPOVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-02BPOVU2K - Induktiver Näherungssensor, 2mm, PNP / SPST-NC, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPPVC0SSICKIMB08-02BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.36 EUR
10+136.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVC0SSICKIMB08-02BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVR8KSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVT0KSICKIMB08-02BPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVT0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.03 EUR
10+90.97 EUR
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IMB08-02BPSVT0SSICKIMB08-02BPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+148.81 EUR
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IMB08-02BPSVU2KSICKIMB08-02BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-02BPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 2mm, PNP, M8 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+149.41 EUR
10+125.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVU2SSICKIMB08-02BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-02BPSVU5KSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NDSVT0SSICKIMB08-04NDSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NDSVU2KSICKIMB08-04NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NDSVU2SSICKIMB08-04NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNPVC0SSICKIMB08-04NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVC0SSICKIMB08-04NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVU2KSICKIMB08-04NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-04NNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NNSVU2SSICKIMB08-04NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPOVT0SSICKDescription: SICK - IMB08-04NPOVT0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NC, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPPVC0SSICKIMB08-04NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVC0SSICKIMB08-04NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+76.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVT0KSICKIMB08-04NPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+72.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVT0SSICKIMB08-04NPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVU2KSICKIMB08-04NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-04NPSVU2SSICKIMB08-04NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+72.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB08-1B5PSVU3SS09SICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.059" (1.5mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB1ROHM
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB1 T110ROHMSOT163-B1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB1 T110 SOT163-B1ROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB1 T110 SOT163-B1ROHM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB1/B1ROHM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10ROHMSOT-163
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110ROHM SEMICONDUCTORIMB10AT110 PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
37+0.49 EUR
100+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 144-148 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.49 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10T110
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB11ROHMSOT-163
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB11A T110ROHMSOT23
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB11A/B11ROHM09+
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB11AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IMB11AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 50MA SOT-457
auf Bestellung 5437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.48 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
45000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IMB11AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
40+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IMB11AT110ROHM SEMICONDUCTORIMB11AT110 PNP SMD transistors
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IMB12-04BDSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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IMB12-04BDSVC0SSICKIMB12-04BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BDSVU2KSICKIMB12-04BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BDSVU2SSICKIMB12-04BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 4MM CYL 2M CBL
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IMB12-04BNOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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IMB12-04BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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IMB12-04BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BNPVC0KSICKIMB12-04BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BNPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BNPVC0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, komplementärer NPN, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: NPN, komplementär
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-04BNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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IMB12-04BNPVC0SSICKIMB12-04BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BNSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-04BNSVC0K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-04BNSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BNSVC0KSICKIMB12-04BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.83 EUR
10+67.49 EUR
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IMB12-04BNSVC0SSICKIMB12-04BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BNSVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BNSVC0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-04BNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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IMB12-04BNSVU2KSICKIMB12-04BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BNSVU2SSICKIMB12-04BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
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IMB12-04BPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BPOVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BPPVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BPPVC0KSICKIMB12-04BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-04BPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPPVC0SSICKIMB12-04BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB12-04BPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Number of pins: 4
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
IP rating: IP68
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: stainless steel
Overall length: 45mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
Range: 0...4mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+68.15 EUR
5+65.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.56 EUR
10+115.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVC0K - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Number of pins: 4
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
IP rating: IP68
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: stainless steel
Overall length: 45mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
Range: 0...4mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+68.15 EUR
5+65.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVC0S - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVC0SSICKIMB12-04BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+110.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVU2KSICKIMB12-04BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-04BPSVU2SSICKIMB12-04BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+64.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NDSVC0SSICKIMB12-08NDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NDSVU2KSICKIMB12-08NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.97 EUR
10+90.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NDSVU2SSICKIMB12-08NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NDSVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-08NDSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNPVC0KSICKIMB12-08NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNPVC0SSICKIMB12-08NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVC0KSICKIMB12-08NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVC0SSICKIMB12-08NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+73.10 EUR
2+66.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVU2KSICKIMB12-08NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVU2SSICKIMB12-08NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
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IMB12-08NPOVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPOVC0K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-08NPOVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPOVC0S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-08NPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB12-08NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB12-08NPPVC0KSICKIMB12-08NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-08NPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB12-08NPPVC0SSICKIMB12-08NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-08NPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-08NPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.02 EUR
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IMB12-08NPSVC0KSICKIMB12-08NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-08NPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVC0K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-08NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.56 EUR
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IMB12-08NPSVC0SSICKIMB12-08NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-08NPSVU2KSICK, Inc.Description: SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT
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IMB12-08NPSVU2KSICKIMB12-08NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB12-08NPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 8mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-08NPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB12-08NPSVU2SSICKIMB12-08NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IMB12-140FUJI
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMB12A188SPTC8M01TRHAmphenolArray
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IMB14ROHM
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMB16T110
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMB18-08BDSVC0SSICKIMB18-08BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BDSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
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IMB18-08BDSVU2KSICKIMB18-08BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BDSVU2SSICKIMB18-08BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 8MM CYL 2M CBL
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IMB18-08BNOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB18-08BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 1kHz
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IMB18-08BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB18-08BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
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IMB18-08BNPVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB18-08BNPVC0KSICKIMB18-08BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BNPVC0SSICKIMB18-08BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB18-08BNSVC0KSICKIMB18-08BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BNSVC0SSICKDescription: SICK - IMB18-08BNSVC0S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, NPN / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB18-08BNSVC0SSICKIMB18-08BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+72.64 EUR
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IMB18-08BNSVU2KSICKIMB18-08BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
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IMB18-08BNSVU2SSICKIMB18-08BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-08BPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
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IMB18-08BPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 1kHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPOVU2SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPPVC0KSICKIMB18-08BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPPVC0SSICKIMB18-08BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M18, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NC/NO, 4-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.47 EUR
10+91.34 EUR
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IMB18-08BPSVC0KSICKIMB18-08BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+159.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVC0SSICKIMB18-08BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVU2KSICKIMB18-08BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+115.84 EUR
10+97.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVU2SSICKIMB18-08BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-08BPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB18-12NDSVU2KSICKIMB18-12NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NDSVU2SSICKIMB18-12NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB18-12NNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB18-12NNOVU2SSICKDescription: SICK - IMB18-12NNOVU2S - Induktiver Näherungssensor, NPN/SPST-NC, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Cylindrical M18 Thread
Sensorausgang: NPN / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Wire, NPN, NC
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 12mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-12NNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
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IMB18-12NNPVC0KSICKIMB18-12NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NNPVC0SSICKIMB18-12NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NNSVC0KSICKIMB18-12NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB18-12NNSVC0SSICKIMB18-12NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IMB18-12NNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
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IMB18-12NNSVU2KSICKIMB18-12NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NNSVU2KSICKDescription: SICK - IMB18-12NNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, NPN/SPST-NO, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 12mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMB18-12NNSVU2SSICKIMB18-12NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
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IMB18-12NPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
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IMB18-12NPOVC0KSICKDescription: SICK - IMB18-12NPOVC0K - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NC, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IMB18-12NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
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IMB18-12NPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
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IMB18-12NPPVC0KSICKIMB18-12NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NPPVC0SSICKIMB18-12NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NPSVC0KSICKIMB18-12NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
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IMB18-12NPSVC0SSICKIMB18-12NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
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IMB18-12NPSVU2KSICKIMB18-12NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB18-12NPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
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IMB18-12NPSVU2SSICKIMB18-12NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB1805C5Crouzet SwitchesProximity Sensors M18 ANALOG PROXIMTY M12 QC0NN
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IMB1805C5Crouzet SwitchesDescription: M18 ANALOG PROXIMITY M12
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IMB1805TCROUZETDescription: CROUZET - IMB1805T - INDUCTIVE PROXIMITY DETECTOR, 5MM, 12V TO 24V
tariffCode: 85339000
Erfassungsreichweite, max.: 5mm
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Gewindemaß - Metrisch: M18
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Sensorausgang: Voltage
DC-Versorgungsspannung, max.: 24V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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IMB1805TCrouzetProximity Sensors M18 ANALOG PROXIMITY 2 M
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IMB1805TCROUZETIMB1805T-CRO DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB1805TCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 12V ~ 24V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Indicator: LED
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IMB1AROHM09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
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IMB1AROHMSOT-163
auf Bestellung 2080 Stücke:
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IMB1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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IMB1AT110ROHM96+/00
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
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IMB1T110SOT163-B1ROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IMB204AxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3/Celeron Intel B75 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE LPT 6 COM VGA/DVI-D HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI w/driver CD
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IMB204VGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET B75
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB206DGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
auf Bestellung 3 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB206DGGA-RC LGA1155 SocketAxiomtekAxiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
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IMB207DGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET Q77
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IMB207DGGA LGA1155 socketAxiomtekAxiomtek LGA1155 Socket Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q77 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB208DGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET C216
auf Bestellung 2 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB208DGGA LGA1155 socketAxiomtekAxiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C216 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID TPM CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
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IMB210VGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1150 Socket 4th Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C226 PCH ECC DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA RAID TPM CFast 6 COM DisplayPort/DVI-I/HDMI HDAudio 1 PCIex16 (or 2 PCIex8) 1 PCIex4 1 PCIex1 3 PCI
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IMB211VGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1150 Socket 4th Gen Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q87 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA 6 COM DisplayPort/VGA/HDMI HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI
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IMB226515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO 2M CB
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IMB226515CCrouzet SwitchesDescription: IPD SHLD 3W SPST 2.0MTR
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IMB226515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
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IMB226515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
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IMB226515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR
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IMB226515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
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IMB22651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
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IMB22651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
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IMB22651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM12 CNCTR
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IMB22651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
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IMB22651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR
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IMB22651M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8
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IMB22652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
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IMB22652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
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IMB22652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
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IMB22652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
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IMB22652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB22653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
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IMB236515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC 2M CB
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IMB236515CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB236515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB236515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB236515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB236515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB23651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
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IMB23651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
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IMB23651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
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IMB23651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB23651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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IMB23651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
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IMB23652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
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IMB23652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
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IMB23652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
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IMB23652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
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IMB23652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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IMB23652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB23653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
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IMB23653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB23653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
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IMB23653M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 3MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB23653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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IMB23653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
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IMB25652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
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IMB25652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25652M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
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IMB25654CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB25654M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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IMB25654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
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IMB25654M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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IMB25656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
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IMB25656CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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IMB25656M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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IMB25656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
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IMB25656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
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IMB25656M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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IMB26652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
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IMB26652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
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IMB26652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
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IMB26652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12
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IMB26652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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IMB26652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8
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IMB26654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
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IMB26654CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M
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IMB26654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
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IMB26654M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12
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IMB26654M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8
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IMB26654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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IMB26656CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M
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IMB26656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
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IMB26656M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12
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IMB26656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
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IMB26656M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8
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IMB2AROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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IMB2AROHMSOT-163
auf Bestellung 5600 Stücke:
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IMB2AT110ROHM SEMICONDUCTORIMB2AT110 PNP SMD transistors
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IMB2AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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IMB2AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.70 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IMB2AT110ROHM96+
auf Bestellung 2556 Stücke:
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IMB2AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
auf Bestellung 2685 Stücke:
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IMB3ROHM
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMB30-15BDSVC0SSICKIMB30-15BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
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IMB30-15BDSVU2KSICKIMB30-15BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BDSVU2SSICKIMB30-15BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
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IMB30-15BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
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IMB30-15BNPVC0KSICKIMB30-15BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BNPVC0SSICKIMB30-15BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BNSVC0KSICKIMB30-15BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+175.07 EUR
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IMB30-15BNSVC0SSICKIMB30-15BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+91.22 EUR
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IMB30-15BNSVU2KSICKIMB30-15BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BNSVU2SSICKIMB30-15BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
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IMB30-15BPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPPVC0KSICKIMB30-15BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BPPVC0SSICKIMB30-15BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BPPVU2SSICKDescription: SICK - IMB30-15BPPVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP-CO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 15mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP-CO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMB30-15BPPVU2SSICKIMB30-15BPPVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+90.95 EUR
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IMB30-15BPPVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
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IMB30-15BPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB30-15BPSVC0K - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 15mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVC0KSICKIMB30-15BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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IMB30-15BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+189.59 EUR
10+157.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVC0SSICKIMB30-15BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+189.59 EUR
10+157.98 EUR
25+152.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVU2KSICKIMB30-15BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVU2SSICKIMB30-15BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-15BPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB30-15BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 15mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NDSVC0SSICKIMB30-20NDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NDSVU2KSICKIMB30-20NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NDSVU2SSICKIMB30-20NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNPVC0KSICKIMB30-20NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNPVC0SSICKIMB30-20NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNSVC0KSICKIMB30-20NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNSVC0SSICKIMB30-20NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+91.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNSVU2KSICKIMB30-20NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NNSVU2SSICKIMB30-20NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPOVU2SSICKDescription: SICK - IMB30-20NPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NC, 20mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 20mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPPVC0KSICKIMB30-20NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPPVC0SSICKIMB30-20NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPSVC0KSICKIMB30-20NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPSVC0SSICKIMB30-20NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+91.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPSVU2KSICKIMB30-20NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB30-20NPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
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IMB30-20NPSVU2SSICKIMB30-20NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+82.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3180-08-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-08-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-10-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3180-10-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-12-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-12-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-14-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-14-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-18-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-18-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-22-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
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IMB3180-22-FB-B-0-4.5 100AmphenolArray
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IMB3181-08-SD-G-06_3Amphenol84003814
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3181-14-A-V1Amphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26482 D/C RECP SZ 14 BLK ANOD
auf Bestellung 6 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3181-14-A-V1Amphenol PCDDescription: CONN BACKSHELL
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3181-14-SD-G-06-3AmphenolIMB3181-14-SD-G-06-3
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IMB318114-SD-G-107-5AmphenolArray
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IMB31T1101IMB98+ SOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB326515CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB326515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO 2M CB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB326515M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB326515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB326515M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB326515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32651CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32651M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
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IMB32653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB32653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
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IMB32653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
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IMB32653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
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IMB32653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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IMB336515CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M
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IMB336515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC 2M CB
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IMB336515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
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IMB336515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
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IMB336515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
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IMB336515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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IMB33651CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
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IMB33651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
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IMB33651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
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IMB33651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
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IMB33651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33653M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 3MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB33653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35652M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35654CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35654M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35654M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35656CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35656M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35656M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB35656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36654CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36654M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36654M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36656CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36656M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36656M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB36656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3AROHM3 sot-23-6
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3A T110ROHMSOT163-B3
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3A T110 SOT163-B3ROHM
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3A T110 SOT163-B3ROHM
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.64 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3AT110ROHM SEMICONDUCTORIMB3AT110 PNP SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
32+0.56 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3T110
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB3T110SOT163-B3ROHM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4ROHM
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4ASOT26/SOT363
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4AT110
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB500VHGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 mSATA Dual GEs RAID 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 4 PCI 1 Mini-Card
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB501VHGGAAxiomtekSingle Board Computers IMB501VHGGA
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IMB501VHGGA BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel H110 PCH DDR4 USB 3.0 3 SATA 3.0 mSATA Dual GEs 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 (x1 Signal) 4 PCI 1 Mini-Card
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IMB502VHGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI
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IMB502VHGGA BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI
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IMB520RVDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB520RVDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB520VDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB520VDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB521RVDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB521RVDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB521VDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB521VDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
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IMB523RVDHGGA-Q370 BULKAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB523RVDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB523VDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB523VDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB524RVDHGGA-H310 BULKAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
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IMB524RVDHGGA-H310 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
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IMB524VDHGGA-H310 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
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IMB524VDHGGA-H310 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
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IMB525RVDHGGA-C246 BULKAxiomtekSingle Board Computers
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IMB525RVDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB525VDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB525VDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
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IMB541-Q670E-SPAxiomtekAxiomtek IMB541-Q670E-SP
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IMB5AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
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IMB5AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/PNP
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IMB6ROHM
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IMB6/B6ROHM
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IMB6T108
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IMB7ROHM09+
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IMB7/B7ROHM97+ SOT-153
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IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP singleAxiomtekSingle Board Computers IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP single
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IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTCAxiomtekAxiomtek IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC
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IMB760-C621A-IP SPAxiomtekAxiomtek IMB760-C621A-IP SP
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IMB760-C627A-IPMI SPAxiomtekModules Accessories IMB760-C627A-IPMI SP
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IMB7AROHM08+
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IMB7AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-457
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IMB7AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/PNP
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IMB7T108
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IMB7T109
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IMB7Z462ApemPushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch
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IMB8ROHMSOT-163
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IMB8AT108
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IMB8T108
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IMB9948CA
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IMB9AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Not For New Designs
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IMB9AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Not For New Designs
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30+0.60 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IMB9AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA
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IMB9T110
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IMBA-8650GR-R22IEI Technology CorporationATX MOTHERBOARD, PENTIUM 4 PROCESSOR 533/800MHZ FSB WITH VGA, LCD, SATA, EIGHT USB 2.0 , SIX COM AND AUDIO
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IMBA-9454G-R40IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 4GB DDR2 1000Mbps
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IMBA-9454G-R40IEISingle Board Computers
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IMBA-9654-R10IEI Technology CorporationATX FORM FACTOR MOTHER BOARD SUPPORTS LGA775 CORE2 DUO CORE2 QUAD, PENTIUM D, PROCESSOR AT FSB1066/800/533 FSB
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IMBA-ADL-Q670-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, Triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, iAUDIO and RoHS
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IMBA-AM5-R10IEIIndustrial Motherboards ATX motherboard supports AMD 7000 series processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-BDE-D1518-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1518, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, M.2, HD Audio and RoHS
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IMBA-BDE-D1548-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1548, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-C2060 (IEI)AaeonATX MB WITH INTEL LGA 1155
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IMBA-C2260-i2-R11IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Xeon E3, Core i3, Pentium and Celeron per Intel C226, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio, iRIS-2400 and RoHS
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IMBA-C2360-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
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IMBA-C604EP-R10IEISingle Board Computers 120W DC/DC 9~36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS
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IMBA-G410-R20IEISingle Board Computers
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IMBA-H110-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron Pemtium processor,DDR4,Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s,HD Audio,ECO Packing, RoHS
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IMBA-H110-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pemtium processor , DDR4, Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, DualIntel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-H112-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
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IMBA-H112-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-H310-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel H310 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays, dual GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-H420-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Triple independent displays, dual GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
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IMBA-H420-R10iEi TechnologyDescription: ATX MOTHERBOARD SUPPORTS 14NM LG
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP++, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.1 (4)
RS-232 (422, 485): 6
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 64GB/0GB
Part Status: Active
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IMBA-H420-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Triple independent displays, 2.5GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-H610-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE,USB 2.0,SATA 3Gb/s,HD Audio and RoHS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IMBA-H810-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 4th generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU with Intel H81, DDR3, VGA/DVI-D/ iDP, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
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IMBA-H810-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA 1150 Intel 4th generation Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron H81, DDR3, VGA/DVI-D/iDP, Dual Intel PCIe GbE , USB3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-Q170-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
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IMBA-Q170-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
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IMBA-Q370-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-Q470-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-Q470-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP++, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
RS-232 (422, 485): 6
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Part Status: Active
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IMBA-Q470-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-Q471-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slotsM.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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IMBA-Q471-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slots,M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
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5+634.69 EUR
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IMBA-Q471-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
RS-232 (422, 485): 4
Digital I/O Lines: 12
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Part Status: Active
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IMBA-Q670-R30IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS
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IMBA-Q770-R10IEISingle Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only
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IMBA-Q870-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS
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IMBA-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS
auf Bestellung 14 Stücke:
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1+654.72 EUR
5+646.87 EUR
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IMBA-R680-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3
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IMBA-X9654-R10IEI Technology CorporationATX FORM FACTOR WITH CORE2 QUAD CPU FSB 533/800/1066 MHZ, VGA, DUAL-CHANNEL DDR2
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IMBC327-25
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IMBD4148 E9GSSOT23-A2
auf Bestellung 18000 Stücke:
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IMBD4148 E9 SOT23-A2GS
auf Bestellung 18000 Stücke:
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IMBD4148-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V Io/150mA
auf Bestellung 187874 Stücke:
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15+0.20 EUR
22+0.13 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
2500+0.05 EUR
10000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
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IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.13 EUR
802+0.09 EUR
995+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 538
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IMBD4148-E3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
538+0.13 EUR
802+0.09 EUR
995+0.07 EUR
1500+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 538
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IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
auf Bestellung 29176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.19 EUR
134+0.13 EUR
195+0.09 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
auf Bestellung 5333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.30 EUR
99+0.18 EUR
159+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.06 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
832+0.18 EUR
1027+0.14 EUR
1048+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 832
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IMBD4148-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
10+0.30 EUR
16+0.18 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.06 EUR
2500+0.05 EUR
10000+0.04 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
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IMBD4148-EP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMBD4148-G3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
auf Bestellung 14865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.37 EUR
12+0.25 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
2500+0.06 EUR
15000+0.04 EUR
45000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-GS08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
auf Bestellung 8410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1025+0.07 EUR
1140+0.06 EUR
1430+0.05 EUR
1510+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
73+0.24 EUR
134+0.13 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 11974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.37 EUR
10+0.36 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.04 EUR
45000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8410 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1025+0.07 EUR
1140+0.06 EUR
1430+0.05 EUR
1510+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.37 EUR
12+0.25 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.08 EUR
2500+0.06 EUR
10000+0.04 EUR
20000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-A-08VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-A-18VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
70+0.25 EUR
120+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes
auf Bestellung 14905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
12+0.25 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.10 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.09 EUR
15000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3_A-18VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-V-GS08VISHAY09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-V-GS08VIS07+;
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-V-GS08VISHAYSOT23
auf Bestellung 157000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148E9
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148NEDDIODES03+
auf Bestellung 15010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148NEO(A2)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148NEO/A2ITT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448ITT
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 15188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.33 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
auf Bestellung 4767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+0.33 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.09 EUR
2500+0.08 EUR
10000+0.06 EUR
50000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-G3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-G3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-G3-18Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-G3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes
auf Bestellung 14780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.36 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.10 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.07 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4448-V-GS08VISHAYSOT-23
auf Bestellung 16400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
10+5.51 EUR
100+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+7.44 EUR
25+7.23 EUR
100+6.02 EUR
250+5.84 EUR
500+5.37 EUR
1000+4.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.54 EUR
19+7.78 EUR
50+5.71 EUR
200+5.15 EUR
500+4.35 EUR
1000+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.14 EUR
10+10.40 EUR
25+9.89 EUR
100+8.68 EUR
250+8.40 EUR
500+7.66 EUR
1000+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.00 EUR
10+7.08 EUR
100+5.40 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.25 EUR
13+11.61 EUR
50+10.43 EUR
100+8.90 EUR
200+7.98 EUR
500+7.45 EUR
1000+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBF170R650M1Infineon TechnologiesMOSFET
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IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+7.67 EUR
25+7.25 EUR
100+6.21 EUR
250+5.86 EUR
500+5.51 EUR
1000+4.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.28 EUR
10+6.20 EUR
100+4.46 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.82 EUR
18+8.31 EUR
50+7.11 EUR
100+6.41 EUR
200+5.80 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.65 EUR
2000+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.70 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+68.91 EUR
10+65.41 EUR
25+61.98 EUR
100+58.63 EUR
250+55.36 EUR
500+52.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.79 EUR
10+40.47 EUR
100+35.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.61 EUR
10+47.82 EUR
100+44.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+68.91 EUR
10+65.41 EUR
25+61.98 EUR
100+58.63 EUR
250+55.36 EUR
500+52.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+43.85 EUR
10+41.63 EUR
25+39.44 EUR
100+37.32 EUR
250+35.23 EUR
500+33.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+43.85 EUR
10+41.63 EUR
25+39.44 EUR
100+37.32 EUR
250+35.23 EUR
500+33.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.30 EUR
10+30.41 EUR
100+30.32 EUR
1000+26.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+27.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.45 EUR
10+30.11 EUR
100+25.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R012M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.28 EUR
10+28.74 EUR
25+27.24 EUR
100+25.77 EUR
250+24.33 EUR
500+22.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.32 EUR
10+23.94 EUR
25+22.48 EUR
50+21.58 EUR
100+20.77 EUR
250+20.28 EUR
1000+17.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.80 EUR
10+21.23 EUR
100+16.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+19.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.28 EUR
10+28.74 EUR
25+27.24 EUR
100+25.77 EUR
250+24.33 EUR
500+22.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R017M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.06 EUR
10+23.78 EUR
25+22.54 EUR
100+21.32 EUR
250+20.14 EUR
500+18.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.40 EUR
10+17.92 EUR
100+13.71 EUR
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IMBG120R022M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.06 EUR
10+23.78 EUR
25+22.54 EUR
100+21.32 EUR
250+20.14 EUR
500+18.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.09 EUR
10+30.04 EUR
25+29.59 EUR
50+28.67 EUR
100+25.98 EUR
250+25.54 EUR
500+23.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+15.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R022M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.53 EUR
10+21.40 EUR
25+20.28 EUR
100+19.19 EUR
250+18.12 EUR
500+17.09 EUR
1000+16.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 150-154 Tag (e)
1+26.24 EUR
10+23.13 EUR
100+19.99 EUR
500+18.13 EUR
1000+16.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSIC DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.53 EUR
10+21.40 EUR
25+20.28 EUR
100+19.19 EUR
250+18.12 EUR
500+17.09 EUR
1000+16.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.70 EUR
10+15.19 EUR
100+11.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+16.13 EUR
100+14.93 EUR
500+13.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.87 EUR
10+17.53 EUR
100+13.40 EUR
500+13.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000
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IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
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25+27.72 EUR
50+26.86 EUR
100+25.98 EUR
250+24.25 EUR
500+22.32 EUR
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IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A T/R
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IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
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1+17.62 EUR
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25+13.68 EUR
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500+11.11 EUR
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IMBG120R034M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.05 EUR
15+9.95 EUR
25+9.08 EUR
100+8.18 EUR
250+7.85 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.05 EUR
15+9.95 EUR
25+9.08 EUR
100+8.18 EUR
250+7.85 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.97 EUR
10+13.47 EUR
100+12.29 EUR
500+8.79 EUR
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IMBG120R034M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.49 EUR
10+12.07 EUR
100+9.00 EUR
500+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.82 EUR
10+17.48 EUR
25+17.00 EUR
50+16.05 EUR
100+15.10 EUR
250+14.63 EUR
500+14.15 EUR
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IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.38 EUR
25+12.68 EUR
100+11.99 EUR
250+11.32 EUR
500+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
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IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.38 EUR
25+12.68 EUR
100+11.99 EUR
250+11.32 EUR
500+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IMBG120R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+12.58 EUR
100+11.64 EUR
500+10.74 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.87 EUR
10+17.50 EUR
100+13.35 EUR
500+12.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.77 EUR
25+9.26 EUR
100+8.76 EUR
250+8.27 EUR
500+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.85 EUR
10+14.98 EUR
25+14.87 EUR
50+14.84 EUR
100+12.32 EUR
250+12.25 EUR
500+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.77 EUR
25+9.26 EUR
100+8.76 EUR
250+8.27 EUR
500+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+12.58 EUR
100+11.64 EUR
500+10.74 EUR
1000+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.48 EUR
14+10.90 EUR
25+10.33 EUR
100+9.77 EUR
250+9.23 EUR
500+8.70 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.48 EUR
10+10.28 EUR
25+10.00 EUR
100+7.60 EUR
500+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.48 EUR
14+10.90 EUR
25+10.33 EUR
100+9.77 EUR
250+9.23 EUR
500+8.70 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+9.15 EUR
100+8.46 EUR
500+7.81 EUR
1000+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon Technologies1200 V SiC Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+9.15 EUR
100+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
auf Bestellung 1833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.63 EUR
10+11.43 EUR
100+8.50 EUR
500+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.32 EUR
10+19.66 EUR
25+19.13 EUR
50+18.08 EUR
100+17.00 EUR
250+16.47 EUR
500+15.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.03 EUR
25+14.74 EUR
50+13.62 EUR
100+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.63 EUR
25+8.19 EUR
100+7.76 EUR
250+7.33 EUR
500+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+8.17 EUR
100+6.35 EUR
500+5.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.63 EUR
25+8.19 EUR
100+7.76 EUR
250+7.33 EUR
500+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.81 EUR
10+8.70 EUR
100+6.37 EUR
500+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSIC DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP004463788
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+7.34 EUR
100+6.79 EUR
500+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
auf Bestellung 2557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.33 EUR
10+9.77 EUR
100+7.20 EUR
500+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+9.36 EUR
25+8.40 EUR
100+7.04 EUR
250+7.02 EUR
500+6.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.95 EUR
10+7.36 EUR
100+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.52 EUR
10+7.25 EUR
100+5.63 EUR
500+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.52 EUR
25+6.22 EUR
100+5.92 EUR
250+5.62 EUR
500+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.52 EUR
25+6.22 EUR
100+5.92 EUR
250+5.62 EUR
500+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.14 EUR
30+4.63 EUR
50+4.38 EUR
100+4.13 EUR
250+3.90 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.50 EUR
10+6.79 EUR
25+6.51 EUR
100+5.70 EUR
250+5.67 EUR
500+5.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.97 EUR
10+8.10 EUR
100+5.91 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.14 EUR
30+4.63 EUR
50+4.38 EUR
100+4.13 EUR
250+3.90 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.19 EUR
100+5.72 EUR
500+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.19 EUR
100+4.98 EUR
250+4.76 EUR
500+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.20 EUR
10+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.19 EUR
100+4.98 EUR
250+4.76 EUR
500+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.65 EUR
10+9.13 EUR
25+8.29 EUR
100+7.60 EUR
250+7.15 EUR
500+6.88 EUR
1000+5.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.10 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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1000+4.65 EUR
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1299 Stücke:
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 411 Stücke:
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1+10.52 EUR
10+8.41 EUR
25+7.85 EUR
100+5.93 EUR
250+5.91 EUR
500+5.26 EUR
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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500+4.35 EUR
1000+3.95 EUR
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP004463796
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.42 EUR
25+5.78 EUR
26+5.31 EUR
100+3.83 EUR
250+3.65 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.40 EUR
10+6.97 EUR
100+5.04 EUR
500+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.42 EUR
25+5.78 EUR
26+5.31 EUR
100+3.83 EUR
250+3.65 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.04 EUR
44+3.15 EUR
100+2.95 EUR
250+2.76 EUR
500+2.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 37
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IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1869 Stücke:
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500+2.57 EUR
1000+2.40 EUR
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IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.18 EUR
10+5.44 EUR
100+3.88 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.61 EUR
10+5.98 EUR
100+4.59 EUR
500+4.51 EUR
1000+3.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.89 EUR
10+5.92 EUR
100+4.24 EUR
500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.88 EUR
25+6.37 EUR
100+4.96 EUR
250+4.86 EUR
500+4.17 EUR
1000+4.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.36 EUR
10+21.77 EUR
25+20.33 EUR
50+19.48 EUR
100+18.69 EUR
250+18.46 EUR
1000+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.27 EUR
10+19.03 EUR
100+17.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.56 EUR
10+18.11 EUR
25+17.64 EUR
50+16.65 EUR
100+15.66 EUR
250+15.17 EUR
500+14.19 EUR
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IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesCool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.42 EUR
10+12.60 EUR
25+11.40 EUR
100+10.10 EUR
250+9.80 EUR
1000+8.31 EUR
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IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesCool SiC G2 MOSFET
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