Produkte > R65

PLCC68

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R6501AQ

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R6501AQQ

auf Bestellung 55 Stücke:

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R6501JC

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R6502

01+ DIP

auf Bestellung 99 Stücke:

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R6502-11

auf Bestellung 9 Stücke:

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R6502-40

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R6502AP

DIP

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R6502AP

PDIP

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R6502AP

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R6502BP

DIP

auf Bestellung 13 Stücke:

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R6502P

auf Bestellung 2100 Stücke:

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R6502P

02+ DIP;

auf Bestellung 27 Stücke:

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R6502P

DIP

auf Bestellung 39 Stücke:

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R6502P2

auf Bestellung 311 Stücke:

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R6503

03+ DIP40

auf Bestellung 56 Stücke:

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R6503

DIP

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R6503-13

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R6503AP

03+ DIP

auf Bestellung 56 Stücke:

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R6504AP

03+ DIP28

auf Bestellung 56 Stücke:

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R6504AP

auf Bestellung 17 Stücke:

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R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504END3TL1

MOSFET 650V 4A TO-252, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.54 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.75 EUR
2500+	1.65 EUR
5000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 14

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

auf Bestellung 1497 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.95 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 7

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6504END3TL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.02Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

R6504END3TL1

Produkt ist nicht verfügbar

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.43 EUR
10+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6504ENJTL

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504ENJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

Produkt ist nicht verfügbar

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6504ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1999 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.88 EUR
11+	4.91 EUR
100+	3.87 EUR
250+	3.8 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.63 EUR
5000+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.82 EUR
50+	4.7 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.54 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 8

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 4A Power MOSFET.

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.61 EUR
18+	2.96 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.59 EUR
2500+	1.49 EUR
5000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 15

R6504KNJTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

R6504KNJTL

Produkt ist nicht verfügbar

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.43 EUR
10+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6504KNJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

Produkt ist nicht verfügbar

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6504KNJTL

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6504KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1992 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.88 EUR
11+	4.91 EUR
100+	3.87 EUR
250+	3.8 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.78 EUR
2500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.77 EUR
50+	4.65 EUR
100+	3.82 EUR
500+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6504P

00+ DIP

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

Produkt ist nicht verfügbar

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

auf Bestellung 2835 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

R6505AP

01+ DIP

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6505P

04+ DIP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6507-15

00+ DIP

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6507AP

04+ DIP

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507END3TL1

MOSFET 650V 7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 2486 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.55 EUR
14+	3.77 EUR
100+	3.02 EUR
250+	2.96 EUR
500+	2.54 EUR
1000+	2.16 EUR
2500+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 12

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

auf Bestellung 2477 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.52 EUR
10+	3.74 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6507END3TL1

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507ENJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.14 EUR
10+	7.33 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.1 EUR
1000+	4.29 EUR
2000+	4.08 EUR
5000+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.88 EUR
10+	7.06 EUR
100+	5.79 EUR
500+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6507ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	5.69 EUR
100+	4.5 EUR
250+	4.37 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.25 EUR
2500+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
50+	5.45 EUR
100+	4.48 EUR
500+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6507GD

DIP

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6507GD

03+ DIP

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6507KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

auf Bestellung 2496 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.33 EUR
100+	2.65 EUR
250+	2.54 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	1.9 EUR
2500+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 14

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.47 EUR
10+	4.01 EUR
100+	3.23 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6507KND3TL1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6507KNJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.14 EUR
10+	7.33 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.1 EUR
1000+	4.29 EUR
2000+	4.08 EUR
5000+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.88 EUR
10+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.66 EUR
10+	5.99 EUR
100+	4.81 EUR
500+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6507KNXC7G

MOSFET 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.25 EUR
11+	4.76 EUR
50+	4.47 EUR
100+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

Produkt ist nicht verfügbar

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6507P

DIP

auf Bestellung 2222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6507P

04+ DIP

auf Bestellung 333 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

auf Bestellung 4440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.17 EUR
10+	4.31 EUR
100+	3.43 EUR
500+	2.9 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

R6509END3TL1

MOSFET 650V 9A TO-252, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 6990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.23 EUR
12+	4.34 EUR
100+	3.46 EUR
250+	3.3 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.49 EUR
2500+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 10

R6509END3TL1

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

auf Bestellung 1094 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.67 EUR
10+	6.89 EUR
25+	6.53 EUR
100+	5.75 EUR

Mindestbestellmenge: 7

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.8 EUR
10+	6.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.42 EUR
50+	5.1 EUR
100+	4.37 EUR
500+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6509ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	6.14 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.29 EUR
1000+	3.59 EUR
2000+	3.41 EUR
5000+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.81 EUR
10+	4.31 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.52 EUR
13+	4.06 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.22 EUR
2500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 12

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

R6509KND3TL1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

auf Bestellung 1096 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.67 EUR
10+	6.89 EUR
25+	6.53 EUR
100+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.55 EUR
10+	7.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.9 EUR
10+	7.1 EUR
100+	5.82 EUR
500+	4.95 EUR
1000+	4.18 EUR
2000+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6509KNXC7G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

R6509KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	6.14 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.29 EUR
1000+	3.59 EUR
2000+	3.41 EUR
5000+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

R6509KNXC7G

Produkt ist nicht verfügbar

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

auf Bestellung 3070 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

auf Bestellung 2311 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6511AP

DIP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6511AQ

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6511AQ/R1700-17

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6511END3TL1

Produkt ist nicht verfügbar

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.47 EUR
10+	5.38 EUR
100+	4.28 EUR
500+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6511END3TL1

MOSFET 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.53 EUR
10+	5.43 EUR
100+	4.32 EUR
250+	4.24 EUR
500+	3.64 EUR
1000+	3.15 EUR
2500+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

auf Bestellung 898 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.56 EUR
10+	9.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6511ENXC7G

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.21 EUR
10+	5.62 EUR
25+	5.28 EUR
100+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 9

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.59 EUR
50+	6.02 EUR
100+	5.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.95 EUR
10+	5.35 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.54 EUR
1000+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6511KND3TL1

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.19 EUR
10+	9.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6511KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.94 EUR
10+	8.06 EUR
25+	7.62 EUR
100+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

auf Bestellung 3984 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.22 EUR
10+	6.91 EUR
100+	5.59 EUR
500+	4.97 EUR
1000+	4.25 EUR
2000+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6511P

DIP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6512AP

02+ DIP

auf Bestellung 787 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6512AP

DIP

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6512P

01+ DIP

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6512P

DIP

auf Bestellung 222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

auf Bestellung 1905 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.94 EUR
33+	0.81 EUR
39+	0.67 EUR
42+	0.63 EUR
50+	0.6 EUR
100+	0.54 EUR
250+	0.51 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 28

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

R6514P

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.78 EUR
10+	12.38 EUR
100+	10.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 889 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.42 EUR
10+	12.06 EUR
100+	9.91 EUR
500+	8.58 EUR
1000+	7.12 EUR
2000+	6.73 EUR
10000+	6.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

R6515ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1989 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.36 EUR
10+	8.42 EUR
100+	6.92 EUR
500+	5.9 EUR
1000+	4.94 EUR
2000+	4.68 EUR
5000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.87 EUR
50+	7.02 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.35 EUR
1000+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.78 EUR
10+	12.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.95 EUR
10+	13.47 EUR
25+	12.71 EUR
100+	11.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 161
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 161
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6515KNX3C16

MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 976 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.63 EUR
10+	7.77 EUR
100+	6.32 EUR
500+	5.41 EUR
1000+	4.32 EUR
5000+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 7

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.18 EUR
10+	8.24 EUR
100+	6.76 EUR
500+	5.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.59 EUR
10+	8.64 EUR
100+	7.08 EUR
500+	6.02 EUR
1000+	5.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6515KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 3992 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.36 EUR
10+	8.42 EUR
100+	6.92 EUR
500+	5.9 EUR
1000+	4.94 EUR
2000+	4.78 EUR
5000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 6

R6515KNZC17

MOSFET 650V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.57 EUR
10+	9.72 EUR
25+	9.44 EUR
100+	7.85 EUR
300+	7.62 EUR
600+	6.97 EUR
1200+	5.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.95 EUR
10+	11.62 EUR
100+	9.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6518

CONEXANT

PLCC44

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6518AJ

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6518AJ

PLCC44

auf Bestellung 150 Stücke:

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R6518AJ-R1113-18

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
75+	0.7 EUR
100+	0.61 EUR
200+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 48

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
29+	0.92 EUR
34+	0.77 EUR
37+	0.72 EUR
50+	0.69 EUR
100+	0.61 EUR
250+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 25

R6520

00+ DIP40

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6520AP

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6520AP

R6520-13

83+

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6520AP

DIP

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.78 EUR
10+	14.16 EUR
100+	11.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 1075 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.69 EUR
10+	13.23 EUR
100+	10.84 EUR
500+	9.41 EUR
1000+	7.93 EUR
2000+	7.38 EUR
5000+	7.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6520ENJTL

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.35 EUR
50+	9.77 EUR
100+	8.38 EUR
500+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6520ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1804 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.51 EUR
10+	11.23 EUR
100+	9.2 EUR
500+	7.85 EUR
1000+	6.73 EUR
2000+	6.24 EUR
5000+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6520ENXC7G

R6520ENXC7G THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.36 EUR
30+	10.6 EUR
120+	9.08 EUR
510+	8.07 EUR
1020+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6520ENZ4C13

MOSFET 650V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.47 EUR
10+	11.31 EUR
30+	9.15 EUR
270+	8.11 EUR
510+	6.94 EUR
1020+	6.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.04 EUR
10+	14.42 EUR
100+	11.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6520ENZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.35 EUR
10+	12.06 EUR
25+	11.7 EUR
100+	9.75 EUR
300+	9.44 EUR
600+	8.66 EUR
1200+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3

Produkt ist nicht verfügbar

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 1072 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.69 EUR
10+	12.22 EUR
100+	10.09 EUR
500+	9.23 EUR
1000+	7.72 EUR
2000+	7.64 EUR
5000+	7.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.78 EUR
10+	14.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

R6520KNX3C16

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 981 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6520KNX3C16

Produkt ist nicht verfügbar

R6520KNX3C16

MOSFET 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.53 EUR
10+	8.84 EUR
50+	8.55 EUR
100+	7.12 EUR
250+	6.92 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.78 EUR
10+	10.57 EUR
100+	8.66 EUR
500+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6520KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1891 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.41 EUR
10+	9.57 EUR
50+	9.39 EUR
100+	7.75 EUR
250+	7.59 EUR
500+	6.86 EUR
1000+	5.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.01 EUR
10+	10.79 EUR
100+	8.84 EUR
500+	7.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

auf Bestellung 334 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	19.58 EUR
30+	15.63 EUR
120+	13.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

auf Bestellung 189 Stücke:

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R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

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R6520KNZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.57 EUR
10+	11.39 EUR
25+	11.05 EUR
100+	9.18 EUR
300+	8.92 EUR
600+	8.16 EUR
1200+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.16 EUR
10+	13.61 EUR
100+	11.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3

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R6520P

DIP

auf Bestellung 122 Stücke:

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R6520P

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R6521AP

DIP

auf Bestellung 33 Stücke:

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R6521AP

04+ DIP40

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6521P1

04+ DIP40

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522

01+ DIP40

auf Bestellung 75 Stücke:

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R6522-31

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522-41

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522/P

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R652231

auf Bestellung 2001 Stücke:

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R6522AC

auf Bestellung 44 Stücke:

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R6522AP

DIP

auf Bestellung 1088 Stücke:

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R6522AP

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522APE

ROCKWE

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R6522P

DIP

auf Bestellung 2215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522P

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522P

PDIP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6522P

DIP

auf Bestellung 2280 Stücke:

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R6522PE

DIP

auf Bestellung 5 Stücke:

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R6522PO1

DIP

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6523

PLCC44

auf Bestellung 310 Stücke:

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R6523

N/A

auf Bestellung 200 Stücke:

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R6523

DIP

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6523P

04+ DIP

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R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 1094 Stücke:

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4+	17.29 EUR
10+	15.63 EUR
100+	12.92 EUR
500+	11.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.67 EUR
10+	15.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

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R6524ENJTL

R6524ENJTL SMD N channel transistors

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R6524ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.97 EUR
10+	10.89 EUR
50+	10.69 EUR
100+	8.81 EUR
250+	8.66 EUR
500+	7.83 EUR
1000+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.9 EUR
50+	10.22 EUR
100+	8.76 EUR
500+	7.79 EUR
1000+	6.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6524ENZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.01 EUR
10+	12.58 EUR
120+	10.3 EUR
510+	8.97 EUR
1020+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.83 EUR
30+	10.96 EUR
120+	9.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6524ENZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.82 EUR
10+	12.45 EUR
25+	12.06 EUR
100+	10.06 EUR
300+	9.75 EUR
600+	8.94 EUR
1200+	7.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

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R6524KNJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.12 EUR
10+	16.38 EUR
25+	15.63 EUR
100+	13.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.67 EUR
10+	15.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.83 EUR
10+	10.64 EUR
100+	8.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6524KNX3C16

MOSFET 650V 24A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.83 EUR
10+	10.63 EUR
100+	8.71 EUR
500+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.51 EUR
50+	3.11 EUR
100+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 45

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.9 EUR
50+	10.22 EUR
100+	8.76 EUR
500+	7.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6524KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.97 EUR
10+	10.89 EUR
50+	10.69 EUR
100+	8.81 EUR
250+	8.66 EUR
500+	7.83 EUR
1000+	6.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5

R6524KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

auf Bestellung 1063 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.98 EUR
10+	15.27 EUR
100+	12.51 EUR
500+	10.65 EUR
1000+	8.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6524KNZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 598 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.01 EUR
10+	12.58 EUR
120+	10.3 EUR
510+	8.79 EUR
1020+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6524KNZ4C13

Produkt ist nicht verfügbar

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.56 EUR
10+	14.88 EUR
100+	12.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6524KNZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.82 EUR
10+	12.45 EUR
25+	12.06 EUR
100+	10.06 EUR
300+	9.75 EUR
600+	8.94 EUR
1200+	7.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

Produkt ist nicht verfügbar

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

Produkt ist nicht verfügbar

R6530

01+ DIP40

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 978 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.42 EUR
50+	12.21 EUR
100+	10.46 EUR
500+	9.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 486 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.83 EUR
30+	12.55 EUR
120+	10.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6530ENZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.04 EUR
10+	14.4 EUR
120+	11.8 EUR
510+	10.27 EUR
1020+	8.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.82 EUR
10+	12.71 EUR
100+	10.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6530ENZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.11 EUR
10+	12.97 EUR
25+	12.3 EUR
100+	10.79 EUR
300+	10.45 EUR
600+	9.52 EUR
1200+	8.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6530KNX3C16

MOSFET 650V 30A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 1079 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.83 EUR
10+	13.99 EUR
100+	11.41 EUR
500+	9.93 EUR
1000+	8.22 EUR
2500+	7.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.43 EUR
10+	16.55 EUR
100+	13.56 EUR
500+	11.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6530KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.3 EUR
10+	14.64 EUR
100+	12.01 EUR
500+	10.22 EUR
1000+	8.79 EUR
2000+	8.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.93 EUR
10+	17.01 EUR
100+	13.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6530KNZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.94 EUR
10+	13.39 EUR
25+	12.97 EUR
100+	10.82 EUR
250+	10.5 EUR
600+	9.85 EUR
1200+	7.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.82 EUR
10+	12.71 EUR
100+	10.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6530KNZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.11 EUR
10+	12.97 EUR
25+	12.3 EUR
100+	10.79 EUR
300+	10.45 EUR
600+	9.52 EUR
1200+	8.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6530P

DIP

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6531

02+ DIP

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532

01+ DIP40

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-11

DIP

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-15

02+ DIP

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-23

01+ DIP

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-24

01+ DIP

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-25

01+ DIP

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-32

03+ DIP

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-34

01+ DIP

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532-40

03+ DIP

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532AP

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532AP

DIP

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532AP

02+ DIP

auf Bestellung 467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532GD

02+ DIP

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532GD

DIP

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532P

DIP

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532P

01+ DIP

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6532P

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6535

DIP

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6535

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

Produkt ist nicht verfügbar

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

Produkt ist nicht verfügbar

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

auf Bestellung 571 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.34 EUR
30+	13.84 EUR
120+	12.38 EUR
510+	10.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6535ENZ4C13

MOSFET 650V 35A TO-247, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	17.45 EUR
10+	14.98 EUR
25+	12.45 EUR
250+	11 EUR
600+	9.88 EUR
1200+	9.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.91 EUR
10+	15.35 EUR
100+	12.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6535ENZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.28 EUR
10+	15.68 EUR
25+	14.87 EUR
100+	13.03 EUR
300+	12.61 EUR
600+	11.52 EUR
1200+	9.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.81 EUR
10+	13.55 EUR
100+	11.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6535KNX3C16

MOSFET 650V MOSFET

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	17.16 EUR
10+	15.44 EUR
50+	14.59 EUR
100+	12.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.29 EUR
10+	14.82 EUR
100+	12.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.91 EUR
10+	15.35 EUR
100+	12.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6535KNZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.28 EUR
10+	15.68 EUR
25+	14.87 EUR
100+	13.03 EUR
300+	12.61 EUR
600+	11.52 EUR
1200+	9.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

R6540

04+ DIP

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6541

04+ DIP

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545

00+ DIP

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545-1AP

DIP

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545-1P

DIP

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545AP

DIP

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545AP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545EAP

DIP

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6545P

DIP

auf Bestellung 1110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.87 EUR
30+	17.47 EUR
120+	15.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

R6547KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

auf Bestellung 587 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	35.7 EUR
10+	31.43 EUR
30+	29.72 EUR
60+	27.17 EUR
120+	27.14 EUR
270+	24.62 EUR
510+	22.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6547KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 480W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

R6547KNZ4C13

Produkt ist nicht verfügbar

R6549

00+ DIP40

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6549P

DIP

auf Bestellung 1123 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R6551

01+ DIP

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R6551-11

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551-13

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551-17

DIP

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551-22

DIP

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551AP

DIP

auf Bestellung 1023 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551AP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551APE

DIP

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551P

DIP

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551P

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

auf Bestellung 2005 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

Produkt ist nicht verfügbar

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

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R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

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R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	64.22 EUR

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

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R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

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R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

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R6562AP

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

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R6570SA

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6570SB

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

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R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

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R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Features: Snap-Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

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R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

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R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

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R6576ENZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 735W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

auf Bestellung 552 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	44.98 EUR
30+	36.39 EUR
120+	34.25 EUR
510+	31.04 EUR

R6576ENZ4C13

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R6576ENZ4C13

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	45.29 EUR
10+	39.91 EUR
25+	38.82 EUR
50+	36.63 EUR
100+	34.48 EUR
250+	33.38 EUR
600+	31.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6576KNZ1

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R6576KNZ1C9

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R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	21.17 EUR
25+	19.47 EUR

Mindestbestellmenge: 8

R6576KNZ4C13

MOSFET 650V 76A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	37.44 EUR
10+	34.42 EUR
120+	29.07 EUR
510+	25.84 EUR
1020+	23.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

auf Bestellung 504 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	42.33 EUR
10+	38.9 EUR
100+	32.85 EUR
500+	29.23 EUR

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

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R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

Produkt ist nicht verfügbar

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

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R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

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R6583A

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

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R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

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R65C/SC51P1

01+ DIP28

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02

PLCC44

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02

01+ DIP40

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02-33

03+ DIP

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02AP

03+ DIP

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02J1

03+ PLCC

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02J2

03+ PLCC

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02J3

00+ PLCC-44

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02J3(11450-31)

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02J4

auf Bestellung 562 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02J4

PLCC44

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P

02+ DIP40

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P1

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P1

DIP

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P1

03+ DIP40

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P2
Produktcode: 83555

Rockwell

IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: DIP-40
Kurzbeschreibung: Microprocessors(CPU)
Strom, V: 5V

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R65C02P2

09+ SOP8

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P2

DIP

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P2

01+ DIP

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P3

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P3

DIP

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P3

01+ DIP

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02P4

DIP

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C02PIE

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C03P2

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C102

01+ DIP40

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C102P2

DIP

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C102P3

00+

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C112P-1

04+ DIP

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C112P-2

04+ DIP

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C112P-3

04+ DIP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C112P-4

04+ DIP

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C112P2

01+ DIP

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C112P3

00+ DIP

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C12

01+ DIP40

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21

03+ DIP40

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J1E

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J2

auf Bestellung 1540 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J2E

auf Bestellung 2145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J3

auf Bestellung 3240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J3E

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J4

auf Bestellung 2365 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21J4E

auf Bestellung 3254 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21JI

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21P

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21P2

92+

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21P2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21P2

DIP

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21P2/P3

auf Bestellung 3560 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C21P3

auf Bestellung 623 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22

02+ DIP40

auf Bestellung 217 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22AP

03+ DIP40

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22C2E

04+ DIP

auf Bestellung 1003 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22C3E

0018+ DIP

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22C4E

0321+ DIP

auf Bestellung 1289 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22J

00+ PLCC-44

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22J1

auf Bestellung 6589 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22J2

auf Bestellung 4580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22J3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22J4

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P

02+ DIP40

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P1

DIP

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P1

04+ DIP40

auf Bestellung 786 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P1

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P1E

01+ DIP

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2

PDIP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2

09+

auf Bestellung 518 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2

DIP

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2

03+ DIP40

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2E

0118+ DIP

auf Bestellung 1185 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P2E

DIP

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P3

0204+ DIP40

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P3

DIP

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P4

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P4

DIP

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P4

01+ DIP

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P4E

02+ DIP

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22P4E

DIP

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22PC

DIP40

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C22PI

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24J2

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24P

01+ DIP

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24P-4

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24P1

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24P2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24P2

DIP

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C24P2

02+ DIP

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51-J1

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51J1

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51J2

PLCC28

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51J2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51J2E

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51J3

0448+ PLCC

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51J4

0215+ PLCC

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51JC2

ROCKWE

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P

02+ DIP28

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P1

DIP

auf Bestellung 885 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P1E

07+

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P1E

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P2

DIP28

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P2E

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P2S

DIP

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P3

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P3\P4

DIP

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51P4

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C51PI

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52

PLCC44

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J1

03+ PLCC

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J2

04+ PLCC44

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J2

ZILOG

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J2

PLCC44

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J2E

0402+ PLCC44

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J3

03+ PLCC

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J3

PLCC

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J3

0530+ PLCC

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J3E

04+ PLCC44

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J4

0229+ PLCC

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52J4E

04+ PLCC44

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52P

DIP

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52P

03+ DIP40

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52P1

DIP

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	15.74 EUR

R65C52P3

DIP

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65C52P3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65F11

01+ DIP40

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02J1

04+ PLCC

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02J2

04+ PLCC44

auf Bestellung 668 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02J3

04+ PLCC44

auf Bestellung 768 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02J4

04+ PLCC44

auf Bestellung 628 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P

01+ DIP

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P1

DIP

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P1

04+ DIP

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P2

01+ DIP40

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P2

DIP

auf Bestellung 111 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P3

01+ DIP40

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC02P4

00+ DIP40

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22-J2

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J1

04+ PLCC44

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J2

ROCKWE

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J2

PLCC44

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J2

04+ PLCC44

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J2(11484-37

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J2(11484-37)

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

R65NC22J3

03+ PLCC-44

auf Bestellung 90 Stücke:

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R65NC22J3

PLCC44

auf Bestellung 1250 Stücke:

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R65NC22J4

04+ PLCC44

auf Bestellung 2800 Stücke:

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R65NC22P

00+ DIP40

auf Bestellung 57 Stücke:

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R65NC22P1

01+ DIP40

auf Bestellung 64 Stücke:

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R65NC22P1

DIP

auf Bestellung 3 Stücke:

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R65NC22P2

02+ DIP40

auf Bestellung 164 Stücke:

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R65NC22P2

DIP

auf Bestellung 468 Stücke:

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R65NC22P3

01+ DIP40

auf Bestellung 107 Stücke:

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R65NC22P3

DIP

auf Bestellung 340 Stücke:

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R65NC22P4

DIP

auf Bestellung 89 Stücke:

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R65NC22P4

01+ DIP40

auf Bestellung 70 Stücke:

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R65NC51P1

04+ DIP40

auf Bestellung 800 Stücke:

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R65NC51P2

04+ DIP40

auf Bestellung 800 Stücke:

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R65NC51P3

04+ DIP40

auf Bestellung 800 Stücke:

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R65NC51P4

04+ DIP40

auf Bestellung 800 Stücke:

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R65SC02PE4

CMD

auf Bestellung 102 Stücke:

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R65SC112J1

04+ PLCC44

auf Bestellung 560 Stücke:

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R65SC112J2

04+ PLCC44

auf Bestellung 550 Stücke:

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R65SC112J3

04+ PLCC44

auf Bestellung 500 Stücke:

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R65SC112J4

04+ PLCC44

auf Bestellung 450 Stücke:

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R65SC23P-2

04+ DIP

auf Bestellung 689 Stücke:

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R65SC23P-3

04+ DIP

auf Bestellung 568 Stücke:

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R65SC23P-4