Produkte > TPN

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-1

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-10

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-10

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-100

Description: TELPOWER FUSE
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TPN-100

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-110

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-110

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-12

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-12

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-125

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TPN-125

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-15

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-15

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-150

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-150

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-175

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TPN-175

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-20

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-20

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-200

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TPN-200

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-225

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-225

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TPN-25

Description: TELPOWER FUSE
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TPN-25

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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TPN-250

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-3

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-3

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-30

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-30

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-300

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-300

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-35

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-35

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-350

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-40

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-40

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-400

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-400

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-45

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-45

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-450

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-5

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-5

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-50

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-50

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-500

Description: TELPOWER FUSE

auf Bestellung 9 Stücke:

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TPN-500

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-6

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-6

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-60

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-60

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-600

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

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TPN-70

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-70

Description: TELPOWER FUSE

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TPN-80

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

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TPN-90

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

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TPN-90

Description: TELPOWER FUSE

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TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN05B3552

auf Bestellung 256 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

auf Bestellung 5220 Stücke:

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TPN10BE

TPN10BE Vices and Clamps

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	23.84 EUR
4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TPN11003NL

MOSFET

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TPN11003NL
Produktcode: 191772

Transistoren > MOSFET N-CH

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TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

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TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11003NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

auf Bestellung 2605 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
39+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 34

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

auf Bestellung 2612 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TPN11003NL,LQ транзистор
Produktcode: 202017

Transistoren > MOSFET N-CH

erwartet 7 Stück:

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0094 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 244

TPN11003NL,LQ(S

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN11003NLLQ(S

MOSFET

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TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

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TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

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TPN11006NL,LQ

MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

auf Bestellung 8133 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2466 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
13+	2.01 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

TPN11006NL,LQ(S

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11006PL,LQ

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 56990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 36

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

auf Bestellung 10022 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.0088 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN11006PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

Produkt ist nicht verfügbar

TPN11006PL,LQ(S

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.52 EUR
10000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN1110ENH,L1Q

MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 34738 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.85 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.69 EUR
2000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN1110ENH,L1Q(M

auf Bestellung 8988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN12008QM,L1Q(M

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN1200APL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 2584 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.98 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.85 EUR
2500+	0.77 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 27

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

auf Bestellung 5369 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.98 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.84 EUR
2000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1200APL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

TPN120N

SOP-8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN12BE

TPN12BE Vices and Clamps

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.5 EUR
6+	13.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TPN13008NH

Produkt ist nicht verfügbar

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN13008NH,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.47 EUR
26+	2.01 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.02 EUR
5000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

auf Bestellung 10491 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
14+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 11

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN13008NH,L1Q(M

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN13008NH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 98A
Case: TSON8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 13.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TPN13008NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN13008NH,L1Q(M

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NH,L1Q

MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN14006NHL1Q(M

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TPN15B5BE

TPN15B5BE Vices and Clamps

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	11.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3890 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
16+	1.66 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.89 EUR
2000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN1600ANH,L1Q

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

auf Bestellung 27386 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
32+	1.67 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.87 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 26

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1600ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

auf Bestellung 3730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN1600ANH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1600ANH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 80A; 42W; TSON8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: TSON8

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1600ANH,L1Q(M

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

auf Bestellung 3730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN16BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	71.5 EUR

TPN16BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR
3+	23.84 EUR

TPN16BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	17.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TPN16BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	17.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

auf Bestellung 7738 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
20+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

TPN19008QM,LQ

MOSFET PD=57W F=1MHZ

auf Bestellung 141047 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
50+	1.06 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 44

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN19008QM,LQ(S

auf Bestellung 4548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 44220 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
16+	1.68 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN1R603PL,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

auf Bestellung 33337 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
31+	1.68 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.85 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 26

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.81 EUR
10000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN1R603PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

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TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

auf Bestellung 12524 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

auf Bestellung 12524 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 5955 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.59 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.7 EUR
2000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 8

TPN2010FNH,L1Q

MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

auf Bestellung 7109 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.61 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.65 EUR
2500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.168 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2010FNH,L1Q(M

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN20B5BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.13 EUR
7+	11.45 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TPN20B5BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.13 EUR
7+	11.45 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TPN20B6BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	23.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN20B6BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	35.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN20B8BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	35.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN20B8BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	23.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN20BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	22.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TPN20BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	22.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TPN20BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

Produkt ist nicht verfügbar

TPN20BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

TPN22006NH,LQ

MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

auf Bestellung 2844 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 24

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
13+	2.1 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 11

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

auf Bestellung 8954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

auf Bestellung 8954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2222A

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

60+	1.19 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.14 EUR
580+	0.12 EUR
1580+	0.046 EUR
12000+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 60

TPN25B8BE

TPN25B8BE Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN25BE

TPN25BE Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN25BE-2K

TPN25BE-2K Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN25S10BE

TPN25S10BE Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

400+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 400

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 8320 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

660+	0.11 EUR
1540+	0.047 EUR
1710+	0.042 EUR
2240+	0.032 EUR
2360+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 660

TPN2907A
Produktcode: 187366

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Produkt ist nicht verfügbar

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2265 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

400+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 400

TPN2907A

auf Bestellung 8320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

660+	0.11 EUR
1540+	0.047 EUR
1710+	0.042 EUR
2240+	0.032 EUR
2360+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 660

TPN2R203NC

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

auf Bestellung 9424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.78 EUR
12+	2.29 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.23 EUR
2000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.71 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.71 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN2R203NC,L1Q

MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

auf Bestellung 22306 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.81 EUR
23+	2.3 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.16 EUR
5000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R203NC,L1Q(M

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.16 EUR
203+	0.75 EUR
217+	0.67 EUR
218+	0.64 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
2000+	0.45 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 135

TPN2R203NCL1Q(M

MOSFET

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TPN2R304PL

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TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

TPN2R304PL,L1Q
Produktcode: 194006

Transistoren > MOSFET N-CH

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TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

auf Bestellung 39247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.9 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.93 EUR
2000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 12

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

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TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.79 EUR
10000+	0.73 EUR
25000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET 40 Volt N-Channel

auf Bestellung 23235 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR
10000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 24

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 17886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 17886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 2585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 88

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

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TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

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TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

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TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

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TPN2R703NL

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TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

auf Bestellung 4785 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.78 EUR
12+	2.29 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.23 EUR
2000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

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TPN2R703NL,L1Q

MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

auf Bestellung 22267 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.78 EUR
23+	2.3 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.16 EUR
5000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R703NL,L1Q(M

auf Bestellung 3878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	0.86 EUR
211+	0.71 EUR
223+	0.65 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 181

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

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TPN2R805PL,L1Q

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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TPN2R805PL,L1Q

MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.27 EUR
27+	1.97 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.86 EUR
5000+	0.81 EUR
10000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 23

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

auf Bestellung 37456 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.87 EUR
16+	1.63 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.8 EUR
2000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.68 EUR
10000+	0.63 EUR
25000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN2R903PL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 14701 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.91 EUR
32+	1.66 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.73 EUR
5000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 28

TPN2R903PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

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TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6449 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN2R903PL,L1Q(M

auf Bestellung 6449 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN30008NH,LQ

MOSFET N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

auf Bestellung 14682 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 26

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

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TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN30008NH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN30008NH,LQ(S

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN302

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

auf Bestellung 77368 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

SOP8

auf Bestellung 18800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

09+

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

9250

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

SOP-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

07+ SOP8

auf Bestellung 18800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN302

09+ SOP8

auf Bestellung 4658 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pins
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Sperrspannung Vrwm: 28V
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3586 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

auf Bestellung 5047 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.4 EUR
10+	5.31 EUR
100+	4.23 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

auf Bestellung 9837 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.29 EUR
14+	3.98 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	3.04 EUR
2500+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.2 EUR
57+	2.64 EUR
59+	2.5 EUR
100+	1.94 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 49

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

TPN3021RL

TPN3021RL Thyristors - others

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.96 EUR
32+	2.27 EUR
34+	2.16 EUR
100+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TPN30B8BE

TPN30B8BE Vices and Clamps

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TPN30BE

TPN30BE Vices and Clamps

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	33.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN30BE-2K

TPN30BE-2K Vices and Clamps

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TPN30S10BE

TPN30S10BE Vices and Clamps

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TPN30S12BE

TPN30S12BE Vices and Clamps

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TPN3201RL

01+ SOP

auf Bestellung 6794 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN3300ANH,LQ

MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

auf Bestellung 31684 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.08 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 13758 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.86 EUR
6000+	0.82 EUR
9000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 28192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.29 EUR
199+	0.76 EUR
218+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR
2000+	0.42 EUR
3000+	0.4 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 121

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

auf Bestellung 11642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

auf Bestellung 11642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.64 EUR
10000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

auf Bestellung 34201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.79 EUR
17+	1.54 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TPN3R704PL,L1Q

MOSFET 40 Volt N-Channel

auf Bestellung 4071 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.72 EUR
35+	1.5 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.68 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 31

TPN3R704PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN3R704PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

TPN3R704PL,L1Q(M

auf Bestellung 3970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN40BE

TPN40BE Vices and Clamps

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	39.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN40BE-2K

TPN40BE-2K Vices and Clamps

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	42.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN40S10BE

TPN40S10BE Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN40S12BE

TPN40S12BE Vices and Clamps

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	31.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TPN40S12BE-2K

TPN40S12BE-2K Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN40S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TPN40S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN4800CQH,L1Q(M

auf Bestellung 3900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

auf Bestellung 24775 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TPN4R303NL,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

auf Bestellung 4348 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.52 EUR
24+	2.25 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 21

TPN4R712MD

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

auf Bestellung 12022 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.96 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.75 EUR
5000+	0.71 EUR
10000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 27

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

auf Bestellung 7072 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.92 EUR
16+	1.67 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN4R712MD,L1Q(M

Silicon P-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

auf Bestellung 12979 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR
2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN4R806PL,L1Q

MOSFET TRANS POWER MOSFET

auf Bestellung 4638 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.08 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.87 EUR
5000+	0.82 EUR
10000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.82 EUR
10000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN4R806PL,L1Q(M

auf Bestellung 3950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN50S12BE

TPN50S12BE Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN50S12BE-2K

TPN50S12BE-2K Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

TPN50S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

TPN50S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

auf Bestellung 4756 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.17 EUR
11+	2.59 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.39 EUR
2000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TPN5900CNH,L1Q

MOSFET UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

auf Bestellung 5271 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.12 EUR
21+	2.56 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.29 EUR
5000+	1.22 EUR
10000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

155+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 155

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5R203PL,LQ

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

auf Bestellung 10682 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 36

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

auf Bestellung 1476 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.74 EUR
18+	1.51 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 0.0039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN5R203PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

Produkt ist nicht verfügbar

TPN5R203PL,LQ(S

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN60S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TPN60S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

auf Bestellung 2966 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
16+	1.68 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN6R003NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R003NL,LQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 116A; 32W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 32W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN6R003NL,LQ(S

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN6R003NL,LQ(S

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Produkt ist nicht verfügbar

TPN6R303NC,LQ

MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

Produkt ist nicht verfügbar

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

auf Bestellung 24416 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.87 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 26

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

auf Bestellung 5532 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR
2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.95 EUR
192+	0.79 EUR
203+	0.72 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 165

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TPN7R006PL,L1Q(M

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN7R006PLL1Q(M

Produkt ist nicht verfügbar

TPN7R504PL,LQ

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 8049 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
43+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 38

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

auf Bestellung 612 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
20+	1.31 EUR
100+	1 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0056 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN7R504PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

Produkt ist nicht verfügbar

TPN7R504PL,LQ(S

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TPN7R506NH,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

auf Bestellung 31776 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
27+	1.94 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.98 EUR
5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 23

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

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5000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

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10+	2.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 10

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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TPN7R506NH,L1Q(M

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TPN7R506NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN80S12BE

TPN80S12BE Vices and Clamps

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Mindestbestellmenge: 2

TPN80S12BE-2K

TPN80S12BE-2K Vices and Clamps

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Mindestbestellmenge: 2

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

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TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TPN80S17BE

TPN80S17BE Vices and Clamps

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TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 0.0065 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3970 Stücke:

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TPN8R408QM,L1Q(M

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TPN8R903NL

MOSFET

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TPN8R903NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

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41+	1.28 EUR
46+	1.14 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR

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TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON

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TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

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290+	0.54 EUR
342+	0.44 EUR
346+	0.42 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 290

TPN8R903NL,LQ
Produktcode: 165086

Transistoren > MOSFET N-CH

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TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 2737 Stücke:

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270+	0.58 EUR
289+	0.52 EUR
290+	0.5 EUR
342+	0.41 EUR
346+	0.39 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 270

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON

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TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm

auf Bestellung 5985 Stücke:

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TPN8R903NL,LQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; 22W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Power dissipation: 22W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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TPN8R903NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN8R903NL,LQ(S

auf Bestellung 5985 Stücke:

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TPN8R903NL,LQ(S

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TPN8R903NLLQ(S