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TPN-1

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TPN-10

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TPN-10

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TPN-100

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TPN-110

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TPN-12

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TPN-125

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TPN-125

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TPN-15

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TPN-15

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TPN-150

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TPN-175

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TPN-20

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TPN-200

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TPN-225

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TPN-225

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TPN-25

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Packaging: Bulk
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TPN-25

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TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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TPN-250

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TPN-3

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TPN-30

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TPN-30

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TPN-300

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TPN-300

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TPN-35

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TPN-35

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TPN-350

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TPN-40

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TPN-40

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TPN-400

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TPN-400

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TPN-45

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TPN-45

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TPN-450

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TPN-5

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TPN-5

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TPN-50

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TPN-50

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TPN-500

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TPN-500

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TPN-6

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TPN-6

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TPN-60

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TPN-60

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TPN-600

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TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

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TPN-70

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TPN-70

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TPN-80

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TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
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TPN-90

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TPN-90

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TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN05B3552

auf Bestellung 256 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN08

Description: EUROPA - TPN08 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 24 Schaltkreis(e), 615 mm
tariffCode: 85371098
Versorgungsspannung: -
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Nennstrom: 125A
Außenbreite: 465mm
Außentiefe: 130mm
euEccn: NLR
Außenhöhe: 615mm
Produktpalette: TPN
Anzahl der Abzweigleitungen: 24Schaltkreis(e)
productTraceability: No
Gehäusematerial: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

auf Bestellung 5220 Stücke:

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TPN10BE

TPN10BE Vices and Clamps

auf Bestellung 11 Stücke:

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7+	10.44 EUR
8+	9.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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TPN11003NL

MOSFET

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TPN11003NL
Produktcode: 191772

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Transistoren > MOSFET N-CH

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TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

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TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

auf Bestellung 3440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.56 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

auf Bestellung 2894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11003NL,LQ транзистор
Produktcode: 202017

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Transistoren > MOSFET N-CH

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TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN11003NL,LQ(S

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 244

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TPN11003NLLQ(S

MOSFETs

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TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

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TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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TPN11006NL,LQ

MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

auf Bestellung 1870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 8663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.36 EUR
12+	1.49 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN11006NL,LQ(S

auf Bestellung 745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN11006NLLQ(S

MOSFETs

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TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

auf Bestellung 22730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.8 EUR
16+	1.12 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.39 EUR
15000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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TPN11006PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 39435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.76 EUR
10+	1.1 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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TPN11006PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

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TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 8800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4907 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN11006PL,LQ(S

auf Bestellung 4907 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN11006PLLQ(S

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 29788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.11 EUR
2000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1110ENH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.1 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.11 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 9488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1110ENH,L1Q(M

auf Bestellung 9488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN12008QM,L1Q(M

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1200APL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 6303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.5 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

auf Bestellung 3623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
14+	1.27 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
2000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1200APL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN120N

SOP-8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN12BE

TPN12BE Vices and Clamps

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.66 EUR
6+	13.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.71 EUR
2500+	0.69 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

auf Bestellung 3868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.73 EUR
2000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Case: TSON8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 42W
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN13008NH,L1Q(M

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q

MOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q(M

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 5092 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	0.39 EUR
394+	0.35 EUR
396+	0.34 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR
5000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 367

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN14006NHL1Q(M

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN15B5BE

TPN15B5BE Vices and Clamps

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

auf Bestellung 19647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

auf Bestellung 5875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN16BE

TPN16BE Vices and Clamps

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	71.5 EUR
2+	35.75 EUR
3+	23.84 EUR

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TPN16BE-2K

TPN16BE-2K Vices and Clamps

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	23.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN19008QM,LQ

MOSFETs PD=57W F=1MHZ

auf Bestellung 67436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.66 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.54 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

auf Bestellung 2327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN19008QM,LQ(S

auf Bestellung 3388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.55 EUR
10000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q

MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

auf Bestellung 26303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 34363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 12511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 12511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN1R603PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2010FNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

auf Bestellung 8637 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.06 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	1.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

auf Bestellung 14178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.22 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2010FNH,L1Q(M

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN20B5BE

TPN20B5BE Vices and Clamps

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.26 EUR
7+	11.58 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN20B6BE

TPN20B6BE Vices and Clamps

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN20B8BE

TPN20B8BE Vices and Clamps

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	23.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN20BE

TPN20BE Vices and Clamps

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.6 EUR
4+	23.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

auf Bestellung 5722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN22006NH,LQ

MOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

auf Bestellung 2536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	1.09 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.7 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 3595 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

790+	0.091 EUR
1830+	0.039 EUR
2040+	0.035 EUR
2290+	0.031 EUR
12000+	0.028 EUR

Mindestbestellmenge: 790

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2222A

auf Bestellung 3595 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

790+	0.091 EUR
1830+	0.039 EUR
2040+	0.035 EUR
2290+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 790

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN25S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

300+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 300

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz

auf Bestellung 6420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	0.089 EUR
1860+	0.038 EUR
2070+	0.035 EUR
2330+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2907A

auf Bestellung 6420 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

800+	0.089 EUR
1860+	0.038 EUR
2070+	0.035 EUR
2330+	0.031 EUR
12000+	0.029 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2907A
Produktcode: 187366

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Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
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TPN2R203NC

MOSFETs

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TPN2R203NC,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

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2500+	0.78 EUR
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TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

auf Bestellung 7605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.85 EUR
10+	1.81 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.87 EUR
2000+	0.8 EUR

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TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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5000+	0.59 EUR

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TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.73 EUR

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TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 6357 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R203NC,L1Q(M

auf Bestellung 6357 Stücke:

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TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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137+	1.06 EUR
205+	0.68 EUR
220+	0.61 EUR
221+	0.59 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR
5000+	0.37 EUR

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TPN2R203NCL1Q(M

MOSFETs

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TPN2R304PL

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TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

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TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

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TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

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TPN2R304PL,L1Q
Produktcode: 194006

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Transistoren > MOSFET N-CH

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TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

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TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

auf Bestellung 3615 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.29 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR
2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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TPN2R304PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

auf Bestellung 4376 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.5 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 2585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

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TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

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TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

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TPN2R703NL

MOSFETs

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TPN2R703NL,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

auf Bestellung 20004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.76 EUR
10+	1.41 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.15 EUR
10000+	1.1 EUR
15000+	1.05 EUR
20000+	1.01 EUR
25000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.15 EUR
10000+	1.1 EUR
15000+	1.05 EUR
20000+	1.01 EUR
25000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

auf Bestellung 3818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
13+	1.41 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	0.8 EUR
211+	0.66 EUR
223+	0.6 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NL,L1Q(M

auf Bestellung 3152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

auf Bestellung 4661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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TPN2R805PL,L1Q

MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

auf Bestellung 6265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.56 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R805PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R805PL,L1Q(M

auf Bestellung 4710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

auf Bestellung 24125 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
17+	1.06 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.51 EUR
2000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.42 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R903PL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 12518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.38 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.48 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R903PL,L1Q(M

auf Bestellung 3187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN2R903PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

auf Bestellung 2735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30008NH,LQ

MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

auf Bestellung 11593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.66 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30008NH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30008NH,LQ(S

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

09+ SOP8

auf Bestellung 4658 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

auf Bestellung 77368 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

SOP8

auf Bestellung 18800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

09+

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

9250

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

SOP-8

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN302

07+ SOP8

auf Bestellung 18800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

TPN3021RL Thyristors - others

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

31+	2.32 EUR
32+	2.3 EUR
33+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	2.95 EUR
57+	2.44 EUR
59+	2.31 EUR
100+	1.79 EUR
250+	1.67 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

auf Bestellung 2778 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.75 EUR
11+	1.74 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

auf Bestellung 9837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.9 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.41 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.06 EUR
2500+	1.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30B8BE

TPN30B8BE Vices and Clamps

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30BE

TPN30BE Vices and Clamps

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30BE-2K

TPN30BE-2K Vices and Clamps

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	36.77 EUR
3+	34.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN30S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3201RL

01+ SOP

auf Bestellung 6794 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ

MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

auf Bestellung 23129 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.75 EUR
3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 4306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.29 EUR
13+	1.44 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 6006 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 6006 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 28192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.2 EUR
199+	0.7 EUR
218+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
2000+	0.39 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 121

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PL,L1Q(M

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN3R704PLL1Q(M

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN40BE-2K

TPN40BE-2K Vices and Clamps

auf Bestellung 4 Stücke:

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TPN40S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

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TPN40S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

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TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised

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TPN4800CQH,L1Q(M

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TPN4800CQHL1Q(M

Array

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TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

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TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

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TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

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TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

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TPN4R303NL,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

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2+	1.72 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.69 EUR
2500+	0.67 EUR
5000+	0.58 EUR

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TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

auf Bestellung 20000 Stücke:

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TPN4R303NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5000 Stücke:

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TPN4R303NL,L1Q(M

auf Bestellung 5000 Stücke:

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TPN4R712MD

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TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

auf Bestellung 9110 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

auf Bestellung 12022 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.51 EUR
5000+	0.48 EUR
10000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q(M

Silicon P-Channel MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R806PL,L1Q

MOSFETs TSON N-CH 60V 72A

auf Bestellung 4605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.35 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

auf Bestellung 11717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.41 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.55 EUR
10000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN4R806PL,L1Q(M

auf Bestellung 4450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN50S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN50S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

auf Bestellung 4733 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.31 EUR
100+	0.89 EUR
2500+	0.85 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

155+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 155

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

auf Bestellung 1476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.18 EUR
18+	1.02 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5R203PL,LQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

auf Bestellung 3565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN5R203PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

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TPN5R203PL,LQ(S

auf Bestellung 1865 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN60S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN60S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

auf Bestellung 2956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
16+	1.13 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

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TPN6R003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1456 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN6R003NL,LQ(S

auf Bestellung 1456 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN6R303NC,LQ

MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

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TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

auf Bestellung 6446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.34 EUR
17+	1.08 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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TPN7R006PL,L1Q

MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

auf Bestellung 23899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.88 EUR
192+	0.73 EUR
203+	0.66 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R006PL,L1Q(M

auf Bestellung 3979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R006PLL1Q(M

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.85 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R504PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 8840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R504PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R504PL,LQ(S

auf Bestellung 2899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R506NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

auf Bestellung 28816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.48 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.67 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

auf Bestellung 7370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R506NH,L1Q(M

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN7R506NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN80S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	40.1 EUR
3+	38.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN80S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	40.1 EUR
3+	38.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN80S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	39.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN80S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	39.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN80S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R408QM,L1Q(M

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 2737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

290+	0.5 EUR
342+	0.41 EUR
346+	0.39 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 290

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

auf Bestellung 8492 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.08 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ
Produktcode: 165086

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

auf Bestellung 2737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

270+	0.54 EUR
289+	0.48 EUR
290+	0.46 EUR
342+	0.38 EUR
346+	0.36 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 270

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

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TPN8R903NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

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TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: To Be Advised

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