Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (124663) > Seite 2070 nach 2078
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 273W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Turn-off time: 350ns Turn-on switching energy: 1.2mJ Technology: Field Stop; Trench |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 180ns Technology: Field Stop; Trench |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 249W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 102nC Technology: Field Stop; Trench |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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IRF7821TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.6A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2.5W Technology: HEXFET® |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IR2213STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SPA15N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SPP15N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCV47E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SC59 Current gain: 10k Mounting: SMD Frequency: 170MHz |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCV47E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59 Type of transistor: NPN Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.36W Case: SC59 Mounting: SMD Frequency: 170MHz |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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IPA80R460CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.8A Power dissipation: 34W Case: TO220-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FF600R17ME4PBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FF450R17ME4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 605A Case: AG-ECONOD-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.5kW Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| ICE3BR4765JFKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC Type of integrated circuit: PMIC |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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IPDD60R125G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A Mounting: SMD Technology: CoolMOS™ G7 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HDSOP-10-1 On-state resistance: 0.125Ω Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 120W Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2000XTR17IE5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IMTA65R020M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R020M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 256A Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 71A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R010M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 17.3mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 526A Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 146A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R040M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 39A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R160M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IGL65R055D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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BTS3410GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Output current: 1.3A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Power dissipation: 0.8W Technology: HITFET® Case: PG-DSO-8 Kind of integrated circuit: low-side Number of channels: 2 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS5180-2EKA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14 Output current: 1.5A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Technology: PROFET™+ 12V Case: SO14 Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 2 On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Supply voltage: 8...18V DC |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 194A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPF016N06NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 223A Power dissipation: 188W Case: TO263-7 On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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BTS3205NHUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-4 On-state resistance: 1.9Ω Technology: HITFET® Output voltage: 42V Power dissipation: 0.78W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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ISO1H812GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: driver; high-side; ISOFACE™; SPI; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 3.3W Type of integrated circuit: driver Output current: 0.625A Case: PG-DSO-36 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -25...125°C Number of channels: 8 Kind of output: N-Channel Power dissipation: 3.3W Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated Technology: ISOFACE™ Turn-on time: 64µs Interface: SPI Turn-off time: 89µs Kind of integrated circuit: high-side On-state resistance: 0.15Ω Supply voltage: 11...35V DC |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IMT65R260M1HXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IGLD65R055D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 91W Gate charge: 4.7nC Technology: GaN Drain current: 20A Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: -10V |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IGLD65R080D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Power dissipation: 68W Gate charge: 3.3nC Technology: GaN Drain current: 18A Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: -10V |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCP5310H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCP5316H6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W |
auf Bestellung 11290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 0.5W |
auf Bestellung 7626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB110N20N3LFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IGLD65R110D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IGLD65R140D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| TLE42754GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCR10PNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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IPA60R360P7SE8228XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 22W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IPW60R120P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3 On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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TLE4266GHTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SOT223-4 Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMD Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Input voltage: 5.5...45V Output current: 0.15A Type of integrated circuit: voltage regulator Voltage drop: 0.25V Output voltage: 5V Kind of package: reel; tape Case: PG-SOT223-4 Number of channels: 1 |
auf Bestellung 2675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TLE426942ELXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| TLE42694EXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| TLE42694GMXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| TLE42694GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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TLE4269GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.1A; PG-DSO-8; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Voltage drop: 0.25V Output voltage: 5V Output current: 0.1A Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Tolerance: ±2% Number of channels: 1 Input voltage: 5.5...45V Kind of package: reel; tape Case: PG-DSO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| TLE42644GHTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| TLE42642GHTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW50N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 273W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Turn-on switching energy: 1.2mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 273W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Turn-on switching energy: 1.2mJ
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IHW50N65R6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKW50N65RH5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 180ns
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 180ns
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKWH50N65EH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7821TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IR2213STRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SPA15N60CFDXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SPP15N60CFDXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCV47E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Current gain: 10k
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Current gain: 10k
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCV47E6433HTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC007N04LS6SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPA80R460CEXKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC028N06NSTATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FF600R17ME4PBOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FF450R17ME4BOSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3BR4765JFKLA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPDD60R125G7XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 5.78 EUR |
| 18+ | 4.9 EUR |
| FF2000XTR17IE5BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMTA65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIMZH120R020M1TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIMZH120R010M1TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIMZH120R160M1TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGL65R055D2XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTS3410GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.8W
Technology: HITFET®
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.8W
Technology: HITFET®
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 2.28 EUR |
| 45+ | 1.93 EUR |
| 50+ | 1.74 EUR |
| 56+ | 1.54 EUR |
| 57+ | 1.5 EUR |
| BTS5180-2EKA |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 1.3 EUR |
| 72+ | 1.19 EUR |
| 74+ | 1.15 EUR |
| IPP016N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 194A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 194A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 3.44 EUR |
| 40+ | 2.14 EUR |
| IPB016N06L3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPF016N06NF2SATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC016N06NSSCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTS3205NHUSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
On-state resistance: 1.9Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 0.78W
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
On-state resistance: 1.9Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 0.78W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ISO1H812GAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; SPI; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 3.3W
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.625A
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -25...125°C
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Technology: ISOFACE™
Turn-on time: 64µs
Interface: SPI
Turn-off time: 89µs
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...35V DC
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; SPI; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 3.3W
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.625A
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -25...125°C
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Technology: ISOFACE™
Turn-on time: 64µs
Interface: SPI
Turn-off time: 89µs
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...35V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IAUMN08S5N012GAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMT65R260M1HXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGLD65R055D2AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 91W
Gate charge: 4.7nC
Technology: GaN
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 91W
Gate charge: 4.7nC
Technology: GaN
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGLD65R080D2AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Gate charge: 3.3nC
Technology: GaN
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Gate charge: 3.3nC
Technology: GaN
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP5310H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 7000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP5316H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP5316H6433XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSS314PEH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 11290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 209+ | 0.4 EUR |
| 290+ | 0.3 EUR |
| 414+ | 0.2 EUR |
| 477+ | 0.18 EUR |
| 633+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.094 EUR |
| 9000+ | 0.092 EUR |
| BSS316NH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 7626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 334+ | 0.25 EUR |
| 439+ | 0.19 EUR |
| 701+ | 0.12 EUR |
| 810+ | 0.1 EUR |
| 901+ | 0.094 EUR |
| 1007+ | 0.084 EUR |
| 3000+ | 0.073 EUR |
| 6000+ | 0.067 EUR |
| IPB110N20N3LFATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGLD65R110D2AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGLD65R140D2AUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE42754GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR10PNH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR10PNH6727XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR162E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR166E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW60R120P7 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE4266GHTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SOT223-4
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 5.5...45V
Output current: 0.15A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT223-4
Number of channels: 1
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SOT223-4
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 5.5...45V
Output current: 0.15A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT223-4
Number of channels: 1
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 2.31 EUR |
| 41+ | 2.11 EUR |
| 50+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 250+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| TLE426942ELXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE42694EXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE42694GMXUMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE42694GXUMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE4269GXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.1A; PG-DSO-8; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 5.5...45V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.1A; PG-DSO-8; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 5.5...45V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE42644GHTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE42642GHTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH












