Produkte > IPN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPN06N03LAG | INFINEON | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPN102 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI Packaging: Box Accessory Type: Riser Card Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN103 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI Packaging: Box Accessory Type: Riser Card Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN104 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN105 | IBASE | Riser Card, 1-to-1 PCI-e expansion | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN10EL-S | Infineon Technologies | Gate Drivers MOSFET | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN10ELSXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN10ELSXUMA1 - IPN10 - GATE DRIVER tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14 | auf Bestellung 237500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN2120A | INPROVOMM | TQFP128 | auf Bestellung 17290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN2220 | INPROCOMM | O4 | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN301 | IBASE | Fan board. For hot-swappable fans, MBN902 & MBN7605 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V | auf Bestellung 7732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 5140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm | auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 8956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm | auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 Produktcode: 193023
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 16310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R650CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R800CEATMA1 | Infineon | IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CE N-Channel 500V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 12.4nC | auf Bestellung 2897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | auf Bestellung 2137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CE | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 8921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN5320 | INPROCOMM | 04+ | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN5330 | INPROCOMM | O4 | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | auf Bestellung 13740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 2742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 12010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CE | Infineon technologies | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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