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IPN102

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	49.28 EUR

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IPN103

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	70.40 EUR

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IPN104

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI

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IPN10EL-S

Gate Drivers MOSFET

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IPN10ELSXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP

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IPN10ELSXUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN10ELSXUMA1 - IPN10 - GATE DRIVER
tariffCode: 85423190
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IPN10ELSXUMA1

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

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473+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 473

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IPN10ELSXUMA1

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

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IPN2120A

INPROVOMM

TQFP128

auf Bestellung 17290 Stücke:

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IPN2220

INPROCOMM

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IPN50R1K4CEATMA1

MOSFETs CONSUMER

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4+	0.87 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.30 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1614 Stücke:

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IPN50R1K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

auf Bestellung 10794 Stücke:

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19+	0.93 EUR
26+	0.70 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 201000 Stücke:

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IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1614 Stücke:

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IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN50R1K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R2K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

auf Bestellung 5950 Stücke:

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3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN50R2K0CEATMA1

IPN50R2K0CE SMD N channel transistors

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IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 186000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R2K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 2680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

249+	0.60 EUR
272+	0.53 EUR
273+	0.50 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 249

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IPN50R2K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

auf Bestellung 10343 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
32+	0.56 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R2K0CEATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 3162 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.02 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN50R2K0CEATMA1

auf Bestellung 1187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CE

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CE

MOSFETs CONSUMER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1298+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1298

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1
Produktcode: 193023

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 3541 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.00 EUR
29+	0.63 EUR
100+	0.40 EUR
500+	0.30 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1812+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1812

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R3K0CEATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 2864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R650CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 330

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R650CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 330

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R650CEATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 950-954 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R650CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

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IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R650CEATMA1

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN50R800CEATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	1.10 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN50R800CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R800CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN50R800CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V

auf Bestellung 2903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	0.92 EUR
98+	0.73 EUR
109+	0.66 EUR
115+	0.63 EUR
119+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 79

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R800CEATMA1

auf Bestellung 1437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R800CEATMA1

auf Bestellung 2903 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

79+	0.92 EUR
98+	0.73 EUR
109+	0.66 EUR
115+	0.63 EUR
119+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 79

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R800CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 15087 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
20+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN50R950CE

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

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IPN50R950CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V

auf Bestellung 2803 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.49 EUR
164+	0.44 EUR
207+	0.35 EUR
220+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 148

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN50R950CEATMA1

auf Bestellung 2803 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

148+	0.49 EUR
164+	0.44 EUR
207+	0.35 EUR
220+	0.33 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 148

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 619 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	0.99 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN50R950CEATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 8921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.95 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.40 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN50R950CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN5320

INPROCOMM

04+

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN5330

INPROCOMM

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.36 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.34 EUR
15000+	0.31 EUR
30000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 4296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.60 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 844 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.80 EUR
201+	0.71 EUR
203+	0.68 EUR
240+	0.55 EUR
250+	0.53 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 14880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
21+	0.88 EUR
100+	0.60 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.37 EUR
15000+	0.34 EUR
30000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

auf Bestellung 844 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

auf Bestellung 2442 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R1K0PFD7SATMA1

auf Bestellung 1879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R1K0PFD7SATMA1

RECP ASSY

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IPN60R1K0PFD7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 13033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.20 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.42 EUR
6000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN60R1K5CE

Infineon technologies

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

329+	0.45 EUR
356+	0.40 EUR
365+	0.38 EUR
407+	0.33 EUR
411+	0.31 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 329

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IPN60R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 5697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
32+	0.57 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

365+	0.41 EUR
407+	0.35 EUR
411+	0.33 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 365

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IPN60R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 14535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN60R1K5CEATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 8785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.84 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPN60R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R1K5CEATMA1

IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors

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IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

415+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 415

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IPN60R1K5CEATMA1

auf Bestellung 14535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.40 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.98 EUR
227+	0.63 EUR
244+	0.54 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.40 EUR
2000+	0.38 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
19+	0.93 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K5PFD7SATMA1

auf Bestellung 1908 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7S

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 5711 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.00 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.60 EUR
500+	0.50 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.53 EUR
199+	0.72 EUR
217+	0.64 EUR
218+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

auf Bestellung 15168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
18+	0.98 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.34 EUR
15000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CE

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

auf Bestellung 47397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
24+	0.74 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

IPN60R2K1CE SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 14992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.90 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R2K1CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.25 EUR
21000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R2K1CEATMA1

auf Bestellung 1755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.28 EUR
6000+	1.23 EUR
12000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5854 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R360P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 14500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.57 EUR
24000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

auf Bestellung 5427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.41 EUR
6000+	1.35 EUR
12000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R360P7SATMA1

auf Bestellung 5854 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R360P7SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R360P7SATMA1

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IPN60R360P7SATMA1
Produktcode: 133578

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IPN60R360PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.17 EUR
80+	1.80 EUR
82+	1.69 EUR
100+	1.33 EUR
250+	1.25 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 69

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IPN60R360PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 9879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

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IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

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IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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IPN60R360PFD7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 3079 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN60R360PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

auf Bestellung 12166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.80 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.87 EUR
82+	1.75 EUR
100+	1.38 EUR
250+	1.30 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 80

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IPN60R360PFD7SATMA1

auf Bestellung 9879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CE

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CE

Infineon technologies

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R3K4CEATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 16282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.80 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.30 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

auf Bestellung 4703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 186

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IPN60R3K4CEATMA1
Produktcode: 143229

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IPN60R3K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 1798 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
26+	0.70 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN60R600P7S

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

auf Bestellung 2706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R600P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7S SMD N channel transistors

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IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	1.09 EUR
160+	0.90 EUR
186+	0.74 EUR
200+	0.67 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 136

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R600PFD7SATMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 2790 Stücke:

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3+	1.21 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.80 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.60 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.53 EUR

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IPN60R600PFD7SATMA1

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

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IPN60R600PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

auf Bestellung 8772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2833 Stücke:

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IPN60R600PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN60R600PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN60R600PFD7SATMA1

auf Bestellung 2833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN65R1K5CE

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN65R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN65R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN65R1K5CEATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 1973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.10 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN65R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN65R1K5CEATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN65R1K5CEATMA1 - IPN65R1K5 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R1K0CEATMA1

IPN70R1K0CE SMD N channel transistors

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IPN70R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN70R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

333+	0.45 EUR
392+	0.36 EUR
399+	0.34 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 333

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 3934 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.87 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.08 EUR
166+	0.86 EUR
197+	0.70 EUR
214+	0.62 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.42 EUR
2000+	0.38 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 138

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
22+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

311+	0.48 EUR
330+	0.43 EUR
333+	0.41 EUR
392+	0.34 EUR
399+	0.32 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 311

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 24003 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR
15000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

auf Bestellung 337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K4P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 6166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.03 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K5CE

Infineon technologies

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R1K5CE

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

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IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.43 EUR

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IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R1K5CEATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 421 Stücke:

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3+	0.97 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.70 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.40 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN70R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.70 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2473 Stücke:

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298+	0.50 EUR
310+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 298

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IPN70R1K5CEATMA1

IPN70R1K5CE SMD N channel transistors

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IPN70R1K5CEATMA1

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IPN70R2K0P7S

MOSFET CONSUMER

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IPN70R2K0P7S

IPN70R2K0P7S

auf Bestellung 3000 Stücke:

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220+	0.67 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.50 EUR

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IPN70R2K0P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

auf Bestellung 16358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3127 Stücke:

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IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R2K0P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.30 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R2K0P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPN70R2K0P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 16730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.50 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

337+	0.44 EUR
338+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 337

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IPN70R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R2K1CEATMA1

MOSFET CONSUMER

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IPN70R2K1CEATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN70R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R360P7SATMA1

IPN70R360P7S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.35 EUR
134+	1.07 EUR
135+	1.02 EUR
171+	0.77 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 110

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

134+	1.11 EUR
135+	1.06 EUR
171+	0.80 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.60 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 134

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 4651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.70 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

auf Bestellung 141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
16+	1.13 EUR
100+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

auf Bestellung 3882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2637 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.43 EUR
122+	1.18 EUR
142+	0.97 EUR
200+	0.89 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 104

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IPN70R450P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.56 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R450P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2637 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	0.82 EUR
195+	0.73 EUR
196+	0.70 EUR
231+	0.57 EUR
250+	0.53 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 182

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IPN70R450P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

195+	0.76 EUR
196+	0.73 EUR
231+	0.60 EUR
250+	0.55 EUR
500+	0.50 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 195

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IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R450P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IPN70R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
17+	1.06 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN70R600P7SATMA1

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R600P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 4617 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN70R750P7S

Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

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IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.78 EUR
171+	0.84 EUR
186+	0.74 EUR
200+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.50 EUR
3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

252+	0.59 EUR
270+	0.53 EUR
275+	0.50 EUR
317+	0.42 EUR
318+	0.40 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 252

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IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN70R750P7SATMA1
Produktcode: 193676

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IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R750P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R750P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 12282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.70 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.54 EUR
317+	0.45 EUR
318+	0.43 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 275

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IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R750P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

auf Bestellung 8085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R900P7S

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN70R900P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R900P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

auf Bestellung 4869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
21+	0.87 EUR
100+	0.60 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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IPN70R900P7SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

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IPN70R900P7SATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN70R900P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R900P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R900P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R900P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN70R900P7SATMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 8350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.50 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R1K2P7

MOSFETs LOW POWER_NEW

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IPN80R1K2P7
Produktcode: 144481

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN80R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

auf Bestellung 5827 Stücke:

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IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

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IPN80R1K2P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

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IPN80R1K2P7ATMA1

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IPN80R1K2P7ATMA1

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IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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105+	1.42 EUR
119+	1.20 EUR
149+	0.92 EUR
200+	0.85 EUR
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1000+	0.60 EUR
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IPN80R1K2P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

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IPN80R1K4P7

Rochester Electronics, LLC

Infineon LOW POWER_NEW

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IPN80R1K4P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPN80R1K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2385 Stücke:

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IPN80R1K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 1721 Stücke:

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14+	1.35 EUR
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500+	0.76 EUR
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IPN80R1K4P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

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100+	0.92 EUR
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1000+	0.73 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.59 EUR

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IPN80R1K4P7ATMA1
Produktcode: 148097

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IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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3000+	0.67 EUR

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IPN80R1K4P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

auf Bestellung 2980 Stücke:

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49+	1.49 EUR
75+	0.96 EUR
140+	0.51 EUR
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IPN80R1K4P7ATMA1

auf Bestellung 2385 Stücke:

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IPN80R1K4P7ATMA1

auf Bestellung 2980 Stücke:

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49+	1.49 EUR
75+	0.96 EUR
140+	0.51 EUR
148+	0.48 EUR
3000+	0.47 EUR

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IPN80R1K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

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IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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143+	1.04 EUR
144+	0.99 EUR
179+	0.77 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 143

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IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3130 Stücke:

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121+	1.23 EUR
143+	1.00 EUR
144+	0.96 EUR
179+	0.74 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.45 EUR

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IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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94+	1.58 EUR
110+	1.30 EUR
128+	1.07 EUR
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3000+	0.69 EUR

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IPN80R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IPN80R2K0P7ATMA1

P7 Power Transistor

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IPN80R2K0P7ATMA1

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPN80R2K0P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 12941 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN80R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K4P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K4P7ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K4P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 4899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

auf Bestellung 13639 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
16+	1.12 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.28 EUR
137+	1.05 EUR
159+	0.86 EUR
200+	0.79 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 116

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IPN80R2K4P7ATMA1

auf Bestellung 874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R3K3P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R3K3P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

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IPN80R3K3P7ATMA1

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IPN80R3K3P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
18+	1.00 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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IPN80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R3K3P7ATMA1

MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor

auf Bestellung 5513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.25 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3282 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.80 EUR
203+	0.71 EUR
204+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 185

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IPN80R4K5P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

auf Bestellung 2167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
96+	0.75 EUR
113+	0.63 EUR
123+	0.58 EUR
131+	0.55 EUR
135+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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IPN80R4K5P7ATMA1

auf Bestellung 2167 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
96+	0.75 EUR
113+	0.63 EUR
123+	0.58 EUR
131+	0.55 EUR
135+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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IPN80R4K5P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R4K5P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 4181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.90 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.38 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPN80R4K5P7ATMA1

auf Bestellung 3282 Stücke:

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IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R4K5P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

auf Bestellung 5233 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.39 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR

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IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R600P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

auf Bestellung 1987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	2.00 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 7

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IPN80R600P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R600P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

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IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.58 EUR
103+	1.39 EUR
104+	1.32 EUR
118+	1.12 EUR
250+	1.07 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 94

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IPN80R600P7ATMA1

auf Bestellung 2875 Stücke:

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IPN80R600P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

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IPN80R600P7ATMA1

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IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.58 EUR
103+	1.39 EUR
104+	1.32 EUR
118+	1.12 EUR
250+	1.07 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 94

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IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R750P7

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.89 EUR
93+	1.54 EUR
94+	1.47 EUR
117+	1.14 EUR
250+	1.08 EUR
500+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 79

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IPN80R750P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 11293 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN80R750P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 11744 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.50 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.89 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN80R750P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R750P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R750P7ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IPN80R750P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.83 EUR
6000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.59 EUR
94+	1.52 EUR
117+	1.18 EUR
250+	1.12 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 93

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IPN80R750P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN80R900P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V

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IPN80R900P7ATMA1

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IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.62 EUR
101+	1.42 EUR
124+	1.11 EUR
200+	1.00 EUR
1000+	0.85 EUR
2000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 92

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IPN80R900P7ATMA1

P7 Power Transistor

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IPN80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3839 Stücke:

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IPN80R900P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 5073 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R900P7ATMA1

auf Bestellung 3839 Stücke:

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IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R900P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R900P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 15831 Stücke:

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2+	2.59 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.75 EUR
24000+	0.74 EUR

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IPN95R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN95R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R1K2P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

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10+	1.80 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.78 EUR
6000+	0.77 EUR

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IPN95R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

auf Bestellung 5439 Stücke:

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7+	2.57 EUR
11+	1.73 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors

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IPN95R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R2K0P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 212 Stücke:

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2+	1.92 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.77 EUR
9000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPN95R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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IPN95R2K0P7ATMA1

IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors

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IPN95R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN95R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

122+	1.22 EUR
137+	1.04 EUR
139+	0.99 EUR
140+	0.95 EUR
185+	0.69 EUR
250+	0.63 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 122

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IPN95R2K0P7ATMA1

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPN95R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

auf Bestellung 22455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
14+	1.30 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IPN95R3K7P7ATMA1

950V Power Transistor

auf Bestellung 473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.07 EUR
163+	0.88 EUR
166+	0.83 EUR
262+	0.51 EUR
264+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 139

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IPN95R3K7P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN95R3K7P7ATMA1

950V Power Transistor

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IPN95R3K7P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 32421 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.61 EUR
10+	1.10 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN95R3K7P7ATMA1

950V Power Transistor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN95R3K7P7ATMA1

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN95R3K7P7ATMA1