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IPN06N03LAGINFINEON
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN102iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN103iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN104iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN105IBASE Riser Card, 1-to-1 PCI-e expansion
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IPN10EL-SInfineon TechnologiesGate Drivers MOSFET
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPN10ELSXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN10ELSXUMA1 - IPN10 - GATE DRIVER
tariffCode: 85423190
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
auf Bestellung 237500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
473+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 473
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
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IPN2120AINPROVOMMTQFP128
auf Bestellung 17290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN2220INPROCOMMO4
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
auf Bestellung 7732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 5140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.64 EUR
100+0.43 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.58 EUR
272+0.51 EUR
273+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 249
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 16310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2184+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1
Produktcode: 193023
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.26 EUR
586+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 565
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 950-954 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+1.05 EUR
100+0.84 EUR
500+0.71 EUR
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3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
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IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.46 EUR
20+0.91 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.77 EUR
117+0.61 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.1 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEInfineonN-Channel 500V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.45 EUR
177+0.4 EUR
200+0.36 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.71 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
22+0.83 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN5320INPROCOMM04+
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN5330INPROCOMMO4
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 13740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
15000+0.31 EUR
30000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.78 EUR
201+0.7 EUR
203+0.66 EUR
240+0.54 EUR
250+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.36 EUR
15000+0.34 EUR
30000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 12010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.92 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPN60R1K5CEInfineon technologies
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.4 EUR
407+0.34 EUR
411+0.33 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
10+0.31 EUR
100+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 5005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 415
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.44 EUR
356+0.39 EUR
365+0.37 EUR
407+0.32 EUR
411+0.3 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 329
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.96 EUR
227+0.61 EUR
244+0.53 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.88 EUR
100+0.64 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
10+0.78 EUR
100+0.53 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.5 EUR
199+0.7 EUR
217+0.62 EUR
218+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 13562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 92814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
26+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
21000+0.21 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.53 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN60R360P7SATMA1
Produktcode: 133578
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IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.38 EUR
6000+1.32 EUR
12000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 6877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.25 EUR
6000+1.2 EUR
12000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.23 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.12 EUR
80+1.76 EUR
82+1.65 EUR
100+1.3 EUR
250+1.22 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 10A; Idm: 10A; 7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.83 EUR
82+1.71 EUR
100+1.35 EUR
250+1.27 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 5635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEInfineon
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3917 Stücke:
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IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
auf Bestellung 23054 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3199 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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186+0.78 EUR
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IPN60R3K4CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 2.6A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
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IPN60R3K4CEATMA1
Produktcode: 143229
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
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IPN60R600P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 4826 Stücke:
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2+1.65 EUR
10+1.03 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
17+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.07 EUR
160+0.88 EUR
186+0.72 EUR
200+0.66 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
3000+0.47 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 4582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.81 EUR
100+0.63 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN65R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.1 EUR
10+0.97 EUR
100+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN65R1K5CEATMA1InfineonN-Channel 5.2A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN65R1K5CEATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN65R1K5CEATMA1 - IPN65R1K5 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
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19+0.97 EUR
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IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
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IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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138+1.05 EUR
166+0.84 EUR
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214+0.6 EUR
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1000+0.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 138
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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311+0.47 EUR
330+0.42 EUR
333+0.4 EUR
392+0.33 EUR
399+0.31 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 311
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IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.44 EUR
392+0.36 EUR
399+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 333
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IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
auf Bestellung 47329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
23+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPN70R1K4P7SATMA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.78 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN70R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEInfineon technologies
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.55 EUR
100+0.39 EUR
500+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.49 EUR
310+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesIPN70R2K0P7S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.66 EUR
250+0.61 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 220
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IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
auf Bestellung 14553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 16730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.43 EUR
338+0.41 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 337
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.31 EUR
134+1.04 EUR
135+0.99 EUR
171+0.76 EUR
250+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1InfineonMOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.08 EUR
135+1.03 EUR
171+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.59 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.4 EUR
122+1.15 EUR
142+0.95 EUR
200+0.87 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 4022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+0.89 EUR
100+0.63 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.8 EUR
195+0.71 EUR
196+0.69 EUR
231+0.56 EUR
250+0.52 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.74 EUR
196+0.71 EUR
231+0.58 EUR
250+0.54 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 195
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3431 Stücke:
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500+0.54 EUR
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3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SInfineon TechnologiesDescription: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
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3+0.97 EUR
10+0.88 EUR
100+0.6 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1
Produktcode: 193676
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.12 EUR
10+0.84 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7
Produktcode: 144481
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.78 EUR
120+1.17 EUR
200+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
714+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 714
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
714+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 714
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7InfineonPG-SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.2 EUR
143+0.98 EUR
144+0.93 EUR
179+0.72 EUR
250+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
13+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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143+1.02 EUR
144+0.97 EUR
179+0.75 EUR
250+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.44 EUR
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IPN80R1K4P7ATMA1
Produktcode: 148097
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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94+1.55 EUR
110+1.27 EUR
128+1.05 EUR
200+0.96 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
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IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
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IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
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2+1.76 EUR
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100+0.78 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
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IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 2.4Ω
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.25 EUR
137+1.02 EUR
159+0.85 EUR
200+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
auf Bestellung 5961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor
auf Bestellung 5052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 3.3Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.78 EUR
203+0.69 EUR
204+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
auf Bestellung 18542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 8259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1 EUR
100+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
93+0.77 EUR
106+0.68 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
auf Bestellung 3311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+2.08 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.55 EUR
103+1.36 EUR
104+1.29 EUR
118+1.1 EUR
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.55 EUR
103+1.36 EUR
104+1.29 EUR
118+1.1 EUR
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.97 EUR
100+0.95 EUR
500+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.54 EUR
100+1.11 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.56 EUR
94+1.49 EUR
117+1.15 EUR
250+1.1 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 7.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.85 EUR
93+1.5 EUR
94+1.43 EUR
117+1.11 EUR
250+1.05 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3839 Stücke:
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IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.41 EUR
10+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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92+1.58 EUR
101+1.39 EUR
124+1.09 EUR
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1000+0.83 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 92
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IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.72 EUR
6000+0.67 EUR
9000+0.64 EUR
15000+0.62 EUR
21000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
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2+2.78 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.78 EUR
6000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
auf Bestellung 30606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
11+1.7 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 21955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.19 EUR
137+1.02 EUR
139+0.97 EUR
140+0.92 EUR
185+0.67 EUR
250+0.62 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.77 EUR
9000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
auf Bestellung 26156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.97 EUR
15+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 32421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1.1 EUR
100+0.78 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.59 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
9000+0.44 EUR
15000+0.42 EUR
21000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.04 EUR
163+0.86 EUR
166+0.81 EUR
262+0.49 EUR
264+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH