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IPN06N03LAG

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN102

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	72.8 EUR

IPN103

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	104 EUR

IPN104

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN10EL-S

Infineon Technologies

Gate Drivers MOSFET

auf Bestellung 2095 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

auf Bestellung 237500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

473+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 473

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP

Produkt ist nicht verfügbar

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

Produkt ist nicht verfügbar

IPN2120A

TQFP128

auf Bestellung 17290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN2220

O4

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm

auf Bestellung 2759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

auf Bestellung 17319 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm

auf Bestellung 2759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 8006 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
51+	1.03 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 44

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 186000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R2K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm

auf Bestellung 3172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 2680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

249+	0.63 EUR
272+	0.56 EUR
273+	0.53 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 249

IPN50R2K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

auf Bestellung 4835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
26+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 791 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
52+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 44

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm

auf Bestellung 3172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R2K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R3K0CE

Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CEATMA1
Produktcode: 193023

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 12067 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
30+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm

auf Bestellung 7690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 4057 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R3K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm

auf Bestellung 7690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 330

IPN50R650CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 330

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 954-968 Tag (e)

30+	1.76 EUR
34+	1.56 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

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IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R650CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

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IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R800CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm

auf Bestellung 3138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN50R800CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2906 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

79+	0.92 EUR
98+	0.73 EUR
109+	0.66 EUR
112+	0.64 EUR
119+	0.6 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 15140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
21+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPN50R800CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	0.92 EUR
98+	0.73 EUR
109+	0.66 EUR
112+	0.64 EUR
119+	0.6 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.86 EUR
32+	1.63 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.72 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPN50R800CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm

auf Bestellung 3138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R950CE

Infineon Technologies

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R950CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2946 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

148+	0.49 EUR
164+	0.44 EUR
214+	0.33 EUR
227+	0.32 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 148

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R950CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2946 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.49 EUR
164+	0.44 EUR
214+	0.33 EUR
227+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 148

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 619 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 8921 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.47 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN5320

04+

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN5330

O4

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 14990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.35 EUR
15000+	0.33 EUR
30000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 1351 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
61+	0.86 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.54 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 53

IPN60R1K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.85 EUR
201+	0.75 EUR
203+	0.72 EUR
240+	0.58 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 185

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 185

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 14990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPN60R1K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.39 EUR
15000+	0.36 EUR
30000+	0.34 EUR

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IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

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IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 13112 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.77 EUR
38+	1.39 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

RECP ASSY

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IPN60R1K5CE

Infineon technologies

auf Bestellung 97 Stücke:

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IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

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IPN60R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

auf Bestellung 20640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

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3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR
12000+	0.41 EUR
15000+	0.39 EUR

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IPN60R1K5CEATMA1

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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 8950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
45+	1.17 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPN60R1K5CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors

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IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.4 EUR
6000+	0.39 EUR
12000+	0.37 EUR
15000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

auf Bestellung 20640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.3 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IPN60R2K0PFD7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.62 EUR
199+	0.76 EUR
217+	0.67 EUR
218+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 97

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 5897 Stücke:

Lieferzeit 345-359 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

auf Bestellung 15430 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R2K1CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K1CE

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

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IPN60R2K1CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm

auf Bestellung 1680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.38 EUR
46+	1.15 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

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IPN60R2K1CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm

auf Bestellung 1680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R2K1CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R2K1CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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3000+	1.49 EUR
6000+	1.42 EUR
12000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

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IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

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IPN60R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	1.36 EUR
6000+	1.29 EUR
12000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

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IPN60R360P7SATMA1
Produktcode: 133578

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 6919 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.92 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

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IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	29.76 EUR

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	14.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

auf Bestellung 3000 Stücke:

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80+	1.98 EUR
82+	1.85 EUR
100+	1.46 EUR
250+	1.37 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 80

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 4828 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.59 EUR
25+	2.09 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	1.06 EUR
6000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

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IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

auf Bestellung 13404 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
13+	2.11 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.29 EUR
80+	1.91 EUR
82+	1.78 EUR
100+	1.4 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 69

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.07 EUR
6000+	1.02 EUR
9000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R3K4CE

Infineon technologies

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN60R3K4CE

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN60R3K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm

auf Bestellung 6336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 21822 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
52+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 44

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R3K4CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R3K4CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 186

IPN60R3K4CEATMA1
Produktcode: 143229

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R3K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm

auf Bestellung 6336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 22709 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

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IPN60R600P7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

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IPN60R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

auf Bestellung 2193 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.98 EUR
31+	1.69 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.73 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

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IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	1.15 EUR
160+	0.95 EUR
186+	0.78 EUR
200+	0.71 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 136

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R600P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN60R600P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPN60R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

auf Bestellung 2193 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

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IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.88 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

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IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

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IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.83 EUR
6000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.91 EUR
31+	1.7 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.8 EUR
6000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 28

IPN65R1K5CE

Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN65R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

auf Bestellung 1415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 1973 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.62 EUR
37+	1.44 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IPN65R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

auf Bestellung 1415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 3934 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
47+	1.12 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.53 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.14 EUR
166+	0.91 EUR
197+	0.74 EUR
214+	0.65 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.4 EUR
3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 138

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

311+	0.5 EUR
330+	0.46 EUR
333+	0.44 EUR
392+	0.36 EUR
399+	0.34 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 311

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.24 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

333+	0.47 EUR
392+	0.39 EUR
399+	0.36 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 333

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R1K4P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 955 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
41+	1.3 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.48 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 10788 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K5CE

Infineon technologies

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN70R1K5CE

Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 10566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 968 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
54+	0.98 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 52

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

298+	0.53 EUR
310+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 298

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K5CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 10566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R1K5CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K0P7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

179+	0.88 EUR
209+	0.72 EUR
212+	0.69 EUR
295+	0.47 EUR
298+	0.45 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 179

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

563+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 563

IPN70R2K0P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm

auf Bestellung 1810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

auf Bestellung 2787 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm

auf Bestellung 1810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.42 EUR
134+	1.13 EUR
135+	1.08 EUR
171+	0.82 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 110

IPN70R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6562 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

134+	1.17 EUR
135+	1.12 EUR
171+	0.85 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 134

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6562 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 5279 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.13 EUR
30+	1.75 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.93 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

auf Bestellung 3733 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
15+	1.83 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.3 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.52 EUR
122+	1.24 EUR
142+	1.03 EUR
200+	0.94 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 104

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	0.86 EUR
195+	0.77 EUR
196+	0.74 EUR
231+	0.61 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 182

IPN70R450P7SATMA1

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

195+	0.8 EUR
196+	0.77 EUR
231+	0.63 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 195

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

auf Bestellung 821 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
13+	2.02 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

auf Bestellung 6640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 5870 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.93 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.72 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

auf Bestellung 6436 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

auf Bestellung 3169 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.98 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPN70R750P7S

Infineon Technologies

Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.62 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 13522 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.31 EUR
46+	1.14 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.57 EUR
317+	0.48 EUR
318+	0.46 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 275

IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

auf Bestellung 14189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.48 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.88 EUR
171+	0.89 EUR
186+	0.78 EUR
200+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 83

IPN70R750P7SATMA1
Produktcode: 193676

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

252+	0.62 EUR
270+	0.56 EUR
275+	0.53 EUR
317+	0.44 EUR
318+	0.42 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 252

IPN70R900P7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

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IPN70R900P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R900P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R900P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
39+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R900P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

auf Bestellung 2770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPN80R1K2P7

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPN80R1K2P7
Produktcode: 144481

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPN80R1K2P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

auf Bestellung 2665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

auf Bestellung 5962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

auf Bestellung 2665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R1K2P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K2P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.89 EUR
91+	1.66 EUR
109+	1.34 EUR
200+	1.22 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 83

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 2968 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.54 EUR
26+	2.06 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPN80R1K4P7

Infineon Technologies

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K4P7

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
110+	1.37 EUR
128+	1.13 EUR
200+	1.03 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.83 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPN80R1K4P7ATMA1
Produktcode: 148097

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.29 EUR
143+	1.06 EUR
144+	1.01 EUR
179+	0.78 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 121

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	1.1 EUR
144+	1.05 EUR
179+	0.81 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 143

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 1931 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
15+	1.83 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 15905 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
29+	1.8 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

P7 Power Transistor

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IPN80R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm

auf Bestellung 2454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.98 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.78 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

auf Bestellung 11665 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2 EUR
16+	1.72 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm

auf Bestellung 2454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.72 EUR
9000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R2K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R2K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.35 EUR
137+	1.11 EUR
159+	0.91 EUR
200+	0.83 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 116

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R3K3P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R3K3P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

auf Bestellung 11402 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
17+	1.55 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 182-196 Tag (e)

30+	1.77 EUR
33+	1.58 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.68 EUR
6000+	0.64 EUR
9000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 2279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	1.74 EUR
90+	0.8 EUR
101+	0.71 EUR
123+	0.58 EUR
130+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPN80R4K5P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2279 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

41+	1.74 EUR
90+	0.8 EUR
101+	0.71 EUR
123+	0.58 EUR
130+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

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Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4464 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 11960 Stücke:

Lieferzeit 540-554 Tag (e)

32+	1.64 EUR
37+	1.43 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 32

IPN80R4K5P7ATMA1

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Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.84 EUR
203+	0.75 EUR
204+	0.71 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 185

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

auf Bestellung 5293 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.61 EUR
19+	1.4 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.69 EUR

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IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4464 Stücke:

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IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 629 Stücke:

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IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 520 Stücke:

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94+	1.67 EUR
103+	1.47 EUR
104+	1.4 EUR
118+	1.19 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPN80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 629 Stücke:

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IPN80R600P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

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IPN80R600P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

auf Bestellung 2914 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.98 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.54 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.75 EUR

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IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
103+	1.47 EUR
104+	1.4 EUR
118+	1.19 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 101 Stücke:

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14+	3.98 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.54 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.76 EUR
3000+	1.66 EUR
6000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN80R750P7

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

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IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.69 EUR
94+	1.61 EUR
117+	1.25 EUR
250+	1.19 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 93

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.38 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.5 EUR
3000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPN80R750P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R750P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2 EUR
93+	1.63 EUR
94+	1.55 EUR
117+	1.2 EUR
250+	1.14 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 5760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.96 EUR
11+	2.41 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.71 EUR
101+	1.5 EUR
124+	1.18 EUR
200+	1.06 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 92

IPN80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 18880 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.96 EUR
22+	2.39 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.3 EUR
3000+	1.22 EUR
6000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPN80R900P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R900P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
15+	3.48 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	1.73 EUR
3000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPN95R1K2P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

auf Bestellung 5872 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.02 EUR
11+	2.47 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.25 EUR

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IPN95R2K0P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors

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IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.98 EUR
6000+	0.94 EUR
9000+	0.89 EUR

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IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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IPN95R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

auf Bestellung 23606 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
14+	1.95 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPN95R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2147 Stücke:

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122+	1.28 EUR
137+	1.1 EUR
139+	1.05 EUR
140+	1 EUR
185+	0.73 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.47 EUR

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IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 212 Stücke:

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19+	2.83 EUR
21+	2.55 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.29 EUR
3000+	1.14 EUR
9000+	1.1 EUR

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IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

950V Power Transistor

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IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.83 EUR
6000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

950V Power Transistor

auf Bestellung 473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.13 EUR
163+	0.93 EUR
166+	0.88 EUR
262+	0.53 EUR
264+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 139

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 402 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.3 EUR
28+	1.87 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.01 EUR
3000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1595 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN95R3K7P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors

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IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

auf Bestellung 8035 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.9 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

950V Power Transistor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1595 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)