Produkte > SIA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| SIA-1573 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-1574 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-1575 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-1663S-1 | 97 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA-1663S-1 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-200U010S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-200U015S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-200U025S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-200U040S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-200U050S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-200U075S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-200U090S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U010S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U015S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U025S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U040S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U050S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U075S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-400U090S-1P | TTI | 08+; | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA-4040AI5S-1 | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-812S-1 | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-LT1121C5S-1 | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA-MA001S-1 | auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0051X | SOP | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA0241A01-10 | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0291X01-A0 | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0426C01-SO | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0426C02-SO | SAMSUNG | 09+ SOP28 | auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA0426CO1-SO | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0427B01-D0 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0427B01-DO | SIP | 2001 | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA0427B01-DO | SAMSUNG | 2 | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA0501X01-SO | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0686X01-AO | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0900A01-A0 | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0900A01-A0 | 2 | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA0902X01-AO | auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0902X01-AOBO | auf Bestellung 4217 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0903X01 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0903X01-007 | auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0903X01-EORO | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA0903X01-QO | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA1000T | SILICON | 09+ . | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA1000T | . | 09+ . | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA106DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA106DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA106DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA106DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 63141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA106DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | auf Bestellung 10023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA106DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA106DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA108DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA108DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA108DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 5885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA108DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA108DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 9673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA108DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA108DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA110DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V | auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA110DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 31630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA110DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA112LDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V | auf Bestellung 10935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA112LDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA1514-C | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2206 | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2206D01-D0 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2206D01-D0B0 | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2206D01-DO | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2206D01HO | N/A | auf Bestellung 1878 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA2220X01-IO | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2221A01-10 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2221A02-10 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2268 | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2284A01-10 | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2297B | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA2297B01 | SAMSUNG | 02+ | auf Bestellung 7105 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA3223-1R0M | auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 23688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 2844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V | auf Bestellung 149957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA400EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA402A | auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA406DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA406DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA406DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA408DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA408DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA408DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA408DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 2757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA408DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 2757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413ADJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA413ADJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V | auf Bestellung 159622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V | auf Bestellung 27540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA413DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V | auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V | auf Bestellung 37948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V | auf Bestellung 17033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA414DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | auf Bestellung 5849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V | auf Bestellung 14250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | auf Bestellung 5849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 3725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA416DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA416DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA416DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm | auf Bestellung 13010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V | auf Bestellung 9559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA417DJ-T1-E3 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | auf Bestellung 5871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | auf Bestellung 5871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V | auf Bestellung 2523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA419DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA419DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA419DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | auf Bestellung 53213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA421DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 5934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA421DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V | auf Bestellung 2702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4263DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V | auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4263DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A On-state resistance: 51.1mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4263DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A On-state resistance: 51.1mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4263DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4263DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4263DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20-V MSFT | auf Bestellung 23337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4263DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4265EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4265EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20-V MSFT | auf Bestellung 23424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4265EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V | auf Bestellung 6040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4265EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4265EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4265EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 8006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 5537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA426DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 8006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V | auf Bestellung 10800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427ADJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.013 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 6308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427ADJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA427ADJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.013 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427ADJ-T4-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V | auf Bestellung 22828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA427DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V | auf Bestellung 138436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V | auf Bestellung 20785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 20675 Stücke: Lieferzeit 870-874 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V | auf Bestellung 20300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA429DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | VISHAY | QFN | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin Thin PowerPAK SC-70 EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJT-T1-GE3 | VISHAY | SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA430DJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 13935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 96155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V | auf Bestellung 6557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA431DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V | auf Bestellung 3210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA432DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 8510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA432DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433DJ-T1-GE3 | Vishay | SIA 433DJ-T1-GE3 PPAK-SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 9165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V | auf Bestellung 8146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA433EDJ-T1-GE3. | VISHAY | Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 3.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500 Verlustleistung: 3.5 Bauform - Transistor: PowerPAK SC70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 178022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA436DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 111918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V | auf Bestellung 9521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA436DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 111783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 1099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA436DJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA436DJ-T4-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4371EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4371EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30-V MSFT | auf Bestellung 23997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4371EDJ-T1-GE3 | Vishay | SIA4371EDJ-T1-GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4371EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 17864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4371EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4371EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V | auf Bestellung 5510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70 | auf Bestellung 22247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 127792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 258418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA437DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 127730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III | auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 132996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V | auf Bestellung 29042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 162171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 Produktcode: 192984
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 127839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA441DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm | auf Bestellung 7473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA441DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V | auf Bestellung 28917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA441DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA442DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA442DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA442DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA442DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA443DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA443DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4446DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V | auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA4446DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4446DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA4446DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 5347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA445EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 8939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA445EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V | auf Bestellung 6539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA445EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiA445EDJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 105122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA445EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA445EDJT-T1-GE3 | VISHAY | SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA445EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA445EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA445EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA445EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 2838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA446DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 7.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 19 Bauform - Transistor: PowerPAK SC70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA446DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V | auf Bestellung 9567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V | auf Bestellung 64098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 5742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 36273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA447DJ-T1-GE3 Produktcode: 188286
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| SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 5740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 41995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L | auf Bestellung 12723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V | auf Bestellung 3699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L | auf Bestellung 12723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA449DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V | auf Bestellung 80709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA449DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 8430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA449DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V | auf Bestellung 80709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA449DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA449DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-E3 | auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA453EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA453EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA453EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6 | auf Bestellung 7362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA453EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6 | auf Bestellung 7362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 11653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V | auf Bestellung 11907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 262-266 Tag (e) |
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| SIA456DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 11838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T3-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 4996 Stücke: Lieferzeit 740-744 Tag (e) |
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| SIA456DJ-T3-GE3 | Vishay | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA456DJ-T3-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA459EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V | auf Bestellung 16938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA459EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA459EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 62330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA459EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA459EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 127656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | auf Bestellung 33614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 45249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA461DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 20010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA461DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA461DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA462DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 4754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA462DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 19635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA462DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA462DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA462DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V | auf Bestellung 8047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA462DJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA465EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA465EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA466EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 16735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 2587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA466EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 2587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V | auf Bestellung 6385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA467EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA467EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA467EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 78661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA468DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V | auf Bestellung 3023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA468DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA469DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA469DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA469DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6 Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA469DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 5695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SiA469DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | auf Bestellung 167506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiA469DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIA469DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 18750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 153660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA469DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 14795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L | auf Bestellung 164032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 14795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V | auf Bestellung 22742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA471DJGE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA472EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA472EDJ-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA472EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 | auf Bestellung 1789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA477EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch | auf Bestellung 58890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA477EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V | auf Bestellung 13346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L | auf Bestellung 64601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA477EDJT-T1-GE3 | VISHAY | SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | Vishay | P Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | auf Bestellung 3296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA483ADJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA483ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA483ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 87617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA483DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -40A | auf Bestellung 2844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 67217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V | auf Bestellung 50931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA483DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2844 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIA485DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 72861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA485DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA485DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA485DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA485DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70 | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA513DJ-T1-E3 | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 Produktcode: 164618
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| IC > IC Transistoranordnungen | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 28961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12/-12V Drain current: 4.5/-4.5A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 170/65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 28950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 89735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12/-12V Drain current: 4.5/-4.5A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 170/65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 120212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 295244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 120212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 Produktcode: 168959
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 291000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET | auf Bestellung 72942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 26510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR | auf Bestellung 48270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 11796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA527DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 101595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA533EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12/-12V Drain current: 4.5/-4.5A Power dissipation: 7.8W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 215/70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA533EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12/-12V Drain current: 4.5/-4.5A Power dissipation: 7.8W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 215/70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 38652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA533EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 8395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA537EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 4069 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA537EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 8909 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA777EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W, 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 | auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 | auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA810DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA810DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA810DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA810DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V | auf Bestellung 2751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 2769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA811ADJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811DJ-T1-E3 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA811DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA811DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA811DJ-TI-E3 | auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA813DJ-T1-GE3 | VISHAY | QFN | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA814DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA814DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 1222 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA814DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: LITTLE FOOT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W Type of transistor: P-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V | auf Bestellung 7824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 50784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA817EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W Type of transistor: P-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA850DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA850DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | auf Bestellung 116960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | auf Bestellung 2619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 55048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA907EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA907EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 110754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Not For New Designs | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Not For New Designs | auf Bestellung 3593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA910EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 1747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 171588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 18421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA910EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 51588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | auf Bestellung 3906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA911DJ-T1-E3 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SiA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA911DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA911DJ-T5-GE3 | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA911EDJ-T1-GE3 | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA912DJ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA912DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA913ADJ-T1-GE3 | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 17014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V | auf Bestellung 5624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA913ADJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA913DJ-T1-E3 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA913DJ-T1-GE3 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | auf Bestellung 8352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH | auf Bestellung 7235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | auf Bestellung 8352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914ADJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-GE3CT | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIA915DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA918EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 12390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiA918EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA918EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA918EDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA918EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA918EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA920DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 4064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA920DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 71776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA921EDJ-T4-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 2775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 5651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | auf Bestellung 5651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA923AEDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA923AEDJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 21563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH | auf Bestellung 27369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 35755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 15488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | auf Bestellung 3123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA923EDJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 35755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923EDJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA928DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 4466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiA928DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA928DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA928DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA928DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiA928DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ | auf Bestellung 16395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA929DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA929DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A; 5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 11359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA929DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA929DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA929DJ-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A; 5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA931DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 282535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual | auf Bestellung 28837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA931DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 262020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 265919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA936EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA936EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA936EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA938DJT-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 7.8W On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA938DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA938DJT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 20V | auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA938DJT-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 7.8W On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA938DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 17569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA938DJT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA938DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7W Drain to Source Voltage (Vdss): 190V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7W Drain to Source Voltage (Vdss): 190V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 17970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA975DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 46919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA00DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA00DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAA00DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA00DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAA02DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAA02DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | auf Bestellung 20113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA02DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V | auf Bestellung 7210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA02DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm | auf Bestellung 4743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAA02DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA02DJ-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAA40DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V | auf Bestellung 5363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA40DJ-T1-GE3 | VISHAY | SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAA40DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | auf Bestellung 4472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIAA40DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAERO+-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR AERO+ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIAO426COZ-SO | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |