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08+;

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SIA-200U015S-1P

08+;

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SIA-200U025S-1P

08+;

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SIA-200U040S-1P

08+;

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SIA-200U050S-1P

08+;

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SIA-200U075S-1P

08+;

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SIA-200U090S-1P

08+;

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SIA-400U010S-1P

08+;

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SIA-400U015S-1P

08+;

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SIA-400U025S-1P

08+;

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SIA-400U040S-1P

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SIA-400U050S-1P

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SIA-400U075S-1P

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SIA-400U090S-1P

08+;

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SIA-4040AI5S-1

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SIA-812S-1

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SIA-LT1121C5S-1

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SIA-MA001S-1

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SIA0051X

SOP

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SIA0241A01-10

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SIA0291X01-A0

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SIA0426C01-SO

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SIA0426C02-SO

SAMSUNG

09+ SOP28

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SIA0426CO1-SO

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SIA0427B01-D0

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SIA0427B01-DO

SAMSUNG

auf Bestellung 76 Stücke:

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SIA0427B01-DO

SIP

2001

auf Bestellung 23 Stücke:

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SIA0501X01-SO

auf Bestellung 100 Stücke:

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SIA0686X01-AO

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIA0900A01-A0

auf Bestellung 130 Stücke:

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SIA0900A01-A0

auf Bestellung 130 Stücke:

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SIA0902X01-AO

auf Bestellung 2002 Stücke:

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SIA0902X01-AOBO

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SIA0903X01

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SIA0903X01-007

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SIA0903X01-EORO

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SIA0903X01-QO

auf Bestellung 5750 Stücke:

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SIA1000T

09+ .

auf Bestellung 760 Stücke:

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SIA1000T

SILICON

09+ .

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SIA106DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIA106DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

auf Bestellung 5601 Stücke:

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SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 63141 Stücke:

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26+	2.03 EUR
30+	1.77 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.77 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 26

SIA106DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
13+	2.01 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIA108DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 14998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA108DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 5885 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.31 EUR
26+	2.05 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIA108DJ-T1-GE3

auf Bestellung 14998 Stücke:

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SIA108DJ-T1-GE3

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SIA108DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA110DJ-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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SIA110DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 12A; Idm: 20A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 5350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.11 EUR
16+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIA110DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA110DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 20950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA110DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA112LDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA112LDJ-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 10935 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.67 EUR
36+	1.46 EUR
100+	1 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 32

SIA112LDJ-T1-GE3

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SIA112LDJ-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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SIA1514-C

auf Bestellung 689 Stücke:

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SIA2206

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2206D01-D0

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2206D01-D0B0

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2206D01-DO

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2206D01HO

N/A

auf Bestellung 1878 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2220X01-IO

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2221A01-10

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2221A02-10

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2268

auf Bestellung 1040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2284A01-10

auf Bestellung 487 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2297B

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA2297B01

SAMSUNG

02+

auf Bestellung 7105 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA3223-1R0M

auf Bestellung 3816 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 10690 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 19.2
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

auf Bestellung 151951 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

auf Bestellung 144000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.43 EUR
30000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA402A

auf Bestellung 472 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA406DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA408DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 2757 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA408DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 2757 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA411DJ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA411DJ-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA411DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA413ADJ-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.11 EUR
16+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIA413ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

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SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA413DJ-T1-GE3

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

auf Bestellung 173789 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.13 EUR
15+	1.74 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

auf Bestellung 27540 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.93 EUR
32+	1.65 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.92 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	0.63 EUR
255+	0.59 EUR
256+	0.57 EUR
273+	0.51 EUR
275+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 248

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

auf Bestellung 171000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.84 EUR
9000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA414DJ-T1-GE3

MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

auf Bestellung 40168 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.3 EUR
26+	2.04 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.97 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA414DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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SIA414DJ-T1-GE3

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SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

auf Bestellung 22412 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

202+	0.78 EUR
214+	0.7 EUR
215+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 202

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.99 EUR
6000+	0.94 EUR
15000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 5849 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA415DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 5849 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA415DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V

auf Bestellung 14250 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA416DJ-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 3725 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA416DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3727 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA416DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3727 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

auf Bestellung 3896 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
18+	1.46 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIA416DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIA416DJ-T1-GE3

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SIA417DJ-T1-E3

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

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SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 5871 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 5871 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA418DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V

auf Bestellung 2523 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 53213 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.31 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIA421DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA421DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.98 EUR
6000+	0.93 EUR
15000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA421DJ-T1-GE3

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SIA421DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 5934 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.18 EUR
27+	1.95 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	1.04 EUR
6000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

auf Bestellung 2702 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

auf Bestellung 1374 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

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SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

auf Bestellung 1374 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA4263DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 51.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA4263DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

auf Bestellung 23337 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.55 EUR
9000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SIA4263DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

auf Bestellung 6010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.34 EUR
100+	1 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

auf Bestellung 6040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.94 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIA4265EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

auf Bestellung 23424 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
62+	0.84 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 53

SIA4265EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 67.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA4265EDJ-T1-GE3

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SIA4265EDJ-T1-GE3

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 8006 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA426DJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 5537 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 8006 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

auf Bestellung 17320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIA427ADJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -12A; Idm: -50A; 12W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -12A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA427ADJ-T1-GE3

MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 6308 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA427ADJ-T1-GE3

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SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

auf Bestellung 240528 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

39+	1.33 EUR
46+	1.15 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 39

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

auf Bestellung 22828 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.3 EUR
24+	1.12 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

auf Bestellung 27360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA429DJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

auf Bestellung 20675 Stücke:

Lieferzeit 874-888 Tag (e)

35+	1.52 EUR
40+	1.3 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

auf Bestellung 27360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA430DJ-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 3605 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA430DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 3605 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA430DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA430DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin Thin PowerPAK SC-70 EP

Produkt ist nicht verfügbar

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA430DJT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

auf Bestellung 13935 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.46 EUR
42+	1.25 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.52 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA430DJT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 19.2
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA431DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A; 12W
Case: PowerPAK® SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -30A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

auf Bestellung 2434 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA431DJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 100133 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.38 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA431DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA432DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 8921 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.59 EUR
25+	2.11 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.07 EUR
6000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIA432DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIA432DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5589 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

auf Bestellung 3210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
13+	2.1 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIA432DJ-T1-GE3

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SIA433DJ-T1-GE3

SIA 433DJ-T1-GE3 PPAK-SC70

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SIA433EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.61 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

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SIA433EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 9165 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.64 EUR
37+	1.43 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 32

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

auf Bestellung 8146 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.61 EUR
19+	1.4 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIA433EDJ-T1-GE3.

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA436DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 50A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 178022 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.54 EUR
39+	1.36 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SIA436DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 350
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

auf Bestellung 18063 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIA436DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 1099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

246+	0.64 EUR
248+	0.61 EUR
251+	0.58 EUR
299+	0.47 EUR
308+	0.44 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 246

SIA436DJ-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA436DJ-T4-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA4371EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

auf Bestellung 23997 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
53+	1 EUR
100+	0.68 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR
24000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

auf Bestellung 5510 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
28+	0.95 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SIA4371EDJ-T1-GE3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA437DJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA437DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 29.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

auf Bestellung 22247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA438EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

Produkt ist nicht verfügbar

SIA438EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Produkt ist nicht verfügbar

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III

auf Bestellung 1496 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Produkt ist nicht verfügbar

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Produkt ist nicht verfügbar

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 2865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.62 EUR
290+	0.52 EUR
293+	0.5 EUR
381+	0.37 EUR
391+	0.34 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 251

SIA440DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIA440DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

auf Bestellung 22594 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.94 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIA440DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 81424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 2865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

293+	0.53 EUR
381+	0.4 EUR
391+	0.37 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 293

SIA440DJ-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 210688 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
59+	0.88 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.36 EUR
9000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SIA440DJ-T1-GE3
Produktcode: 192984

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR
30000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA441DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

auf Bestellung 7473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA441DJ-T1-GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 166033 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.5 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.67 EUR
9000+	0.64 EUR
24000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIA441DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

auf Bestellung 65050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
20+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA441DJ-T1-GE3

auf Bestellung 7473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA442DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

Produkt ist nicht verfügbar

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA443DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA443DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA4446DJ-T1-GE3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA444DJT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

auf Bestellung 5347 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA445EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA445EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 8939 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
40+	1.3 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA445EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SiA445EDJT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SiA445EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

auf Bestellung 105122 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
54+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 46

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SiA445EDJT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
28+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 177mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 2838 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.92 EUR
205+	0.74 EUR
208+	0.7 EUR
286+	0.49 EUR
289+	0.46 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 171

SIA446DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70

auf Bestellung 1554 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA446DJ-T1-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 2412 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA447DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

auf Bestellung 87000 Stücke:

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3000+	0.38 EUR
6000+	0.36 EUR
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SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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77+	0.68 EUR
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500+	0.37 EUR
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SIA447DJ-T1-GE3
Produktcode: 188286

IC > IC andere

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SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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412+	0.38 EUR
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SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

auf Bestellung 89712 Stücke:

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24+	1.12 EUR
28+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 24

SIA447DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 47305 Stücke:

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SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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348+	0.45 EUR

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SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V

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SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

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SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

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SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

auf Bestellung 12723 Stücke:

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SIA448DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA449DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -30A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

auf Bestellung 130337 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
29+	0.91 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 8430 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 49

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

auf Bestellung 129000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR
9000+	0.32 EUR
30000+	0.31 EUR
75000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA449DJ-T1-GE3

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SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

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SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

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SIA450DJ-T1-E3

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

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SIA450DJ-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIA450DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

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SIA453EDJ-T1-GE3

MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET

auf Bestellung 257 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

auf Bestellung 7362 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

auf Bestellung 7362 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA456DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 19
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

auf Bestellung 23400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
15+	1.77 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIA456DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 19
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

auf Bestellung 22200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.89 EUR
6000+	0.85 EUR
9000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA456DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 2A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA456DJ-T1-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 266-280 Tag (e)

24+	2.18 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.12 EUR
6000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIA456DJ-T1-GE3

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SIA456DJ-T3-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 4996 Stücke:

Lieferzeit 744-758 Tag (e)

23+	2.27 EUR
26+	2.02 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.03 EUR
2500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIA456DJ-T3-GE3

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA456DJ-T3-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA459EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -40A; 10W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA459EDJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

auf Bestellung 5998 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
27+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 129056 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
53+	0.99 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.37 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 45

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIA461DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400
Verlustleistung: 17.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA461DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 3662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA461DJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 45249 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA462DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 4754 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L

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SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA462DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SIA462DJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD

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SIA465EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

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SIA465EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

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SIA466EDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3038 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA466EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 3450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3038 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

auf Bestellung 7578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
19+	1.37 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIA466EDJ-T1-GE3

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SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

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SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

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SIA467EDJ-T1-GE3

MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

auf Bestellung 3023 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.48 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

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SIA468DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 78661 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.54 EUR
40+	1.33 EUR
100+	1 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIA468DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SiA469DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 153660 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
66+	0.8 EUR
111+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SiA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

196+	0.37 EUR
304+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 196

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 5695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

527+	0.3 EUR
530+	0.28 EUR
628+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 527

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

auf Bestellung 179046 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

auf Bestellung 174000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
75000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SiA469DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	3.35 EUR
10+	1.18 EUR
100+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 4095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	0.48 EUR
351+	0.43 EUR
377+	0.39 EUR
418+	0.33 EUR
440+	0.3 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 327

SIA471DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 19.2W
On-state resistance: 24.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

auf Bestellung 13606 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA471DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 4095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

377+	0.42 EUR
418+	0.36 EUR
440+	0.33 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 377

SIA471DJ-T1-GE3

MOSFET Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

auf Bestellung 167723 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
52+	1 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 45

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

auf Bestellung 23897 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

auf Bestellung 13606 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA471DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	2.46 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIA471DJGE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA472EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

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SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIA472EDJ-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA477EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP

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SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

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SIA477EDJ-T1-GE3

MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

auf Bestellung 68000 Stücke:

Lieferzeit 574-588 Tag (e)

45+	1.16 EUR
52+	1.01 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.42 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 45

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

auf Bestellung 1789 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

auf Bestellung 13917 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.93 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

auf Bestellung 13179 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
55+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 47

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA477EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA483ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA483ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 87617 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.27 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30-V PWRPAK SC-70

auf Bestellung 5989 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA483ADJ-T1-GE3

SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA483ADJ-T1-GE3

P Channel MOSFET

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SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30-V PWRPAK SC-70

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA483DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA483DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

auf Bestellung 81000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR
30000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 67217 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
56+	0.94 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

auf Bestellung 85785 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIA483DJ-T1-GE3

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SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

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SIA485DJ-T1-GE3

MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 75861 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
50+	1.04 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.42 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA485DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

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SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

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SIA513DJ-T1-E3

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA517DJ-T1-GE3
Produktcode: 164618

IC > IC Transistoranordnungen

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SIA517DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 7197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 37173 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA517DJ-T1-GE3

auf Bestellung 7197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.5 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.44 EUR
30000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA517DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA517DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA517DJ-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 100097 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.5 EUR
42+	1.25 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFET N- & P- Channel 20V MOSFET

auf Bestellung 100898 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
43+	1.24 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

229+	0.68 EUR
250+	0.6 EUR
252+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 229

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 293676 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
12000+	0.49 EUR
24000+	0.44 EUR
36000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA519EDJ-T1-GE3
Produktcode: 168959

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 121466 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 288000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.43 EUR
30000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA527DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA527DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 4.5 A, 0.024 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 6744 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	0.6 EUR
301+	0.5 EUR
304+	0.48 EUR
377+	0.37 EUR
414+	0.32 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 259

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 12600 Stücke:

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21+	1.25 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIA527DJ-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

auf Bestellung 6196 Stücke:

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34+	1.56 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA527DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIA533EDJ-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 123583 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
43+	1.24 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA533EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 1391 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	0.83 EUR
221+	0.68 EUR
223+	0.65 EUR
294+	0.48 EUR
297+	0.45 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 188

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIA533EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 4.5 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC70
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
21+	1.3 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIA537EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 4069 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

361+	0.43 EUR
365+	0.41 EUR
379+	0.38 EUR
395+	0.35 EUR
418+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 361

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIA537EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA537EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.51 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SIA777EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

auf Bestellung 874 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA778DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

auf Bestellung 874 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA810DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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SIA811ADJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6.8W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 6.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA811ADJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

auf Bestellung 2765 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.3 EUR
24+	1.12 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA811DJ-T1-E3

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA811DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA811DJ-T1-GE3

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA811DJ-TI-E3

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA813DJ-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA813DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA814DJ-T1-GE3

auf Bestellung 1222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA817EDJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 50975 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
64+	0.81 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.38 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 56

SIA817EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

auf Bestellung 1806 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	0.99 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: LITTLE FOOT
Wandlerpolarität: p-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA817EDJ-T1-GE3

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SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

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SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFET

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SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

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SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

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SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 2775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

387+	0.4 EUR
389+	0.39 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.31 EUR
2000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 387

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

auf Bestellung 119578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA906EDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 68652 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
43+	1.24 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.43 EUR
30000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA906EDJ-T1-GE3

auf Bestellung 3979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA906EDJ-T1-GE3

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SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFET

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SIA907EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

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SIA907EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

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SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

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SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

auf Bestellung 30 Stücke:

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SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

auf Bestellung 80835 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
48+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.42 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIA910EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 173347 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.31 EUR
46+	1.13 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 40

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 53848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 1747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

370+	0.42 EUR
395+	0.38 EUR
398+	0.36 EUR
442+	0.32 EUR
447+	0.3 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 370

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 16832 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA910EDJ-T1-GE3

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SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA911ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA911ADJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 6.5W

auf Bestellung 3906 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SiA911DJ-T1-E3

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA911DJ-T1-GE3

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA911DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA911DJ-T5-GE3

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA911EDJ-T1-GE3

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA912DJ

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA912DJ-T1-GE3

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA913ADJ-T1-GE3

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V

auf Bestellung 17990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
40+	1.3 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIA913ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 17350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.21 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIA913DJ-T1-E3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA913DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA913DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA913DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

SIA913DJ-T1-GE3

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

auf Bestellung 8352 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

auf Bestellung 8352 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA914ADJ-T1-GE3

MOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH

auf Bestellung 7235 Stücke:

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SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3CT

auf Bestellung 248 Stücke:

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SIA915DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L

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SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

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SiA918EDJ-T1-GE3

SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIA918EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SiA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 9330 Stücke:

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47+	1.12 EUR
55+	0.96 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 47

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIA920DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 4064 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA920DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

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SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 77402 Stücke:

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36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 2260 Stücke:

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SIA921EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA921EDJ-T4-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 2613 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 5651 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 5651 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

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SIA922EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 1113 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 28453 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIA923AEDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 7.8W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.5 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA923AEDJ-T1-GE3

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SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

auf Bestellung 28716 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
48+	1.09 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.48 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SIA923AEDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 5596 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.4 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.044 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 500
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA923EDJ-T1-GE3

SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIA923EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.044 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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SIA923EDJ-T4-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 699 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

37+	1.41 EUR
42+	1.25 EUR
100+	1 EUR
250+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 37

SiA928DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 7.8W
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET x2
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 33mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

SiA928DJ-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ

auf Bestellung 13271 Stücke:

Lieferzeit 280-294 Tag (e)

47+	1.11 EUR
55+	0.95 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
9000+	0.48 EUR
24000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 47

SIA928DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SiA928DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIA929DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A; 5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIA929DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.052 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 1696 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIA929DJ-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIA929DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.052 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIA929DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 22578 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 36

SIA929DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR
9000+	0.36 EUR
30000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 270910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA931DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 348462 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.22 EUR
52+	1.02 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SIA931DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

auf Bestellung 57018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
25+	1.04 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

Produkt ist nicht verfügbar

SIA938DJT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF

auf Bestellung 2828 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA938DJT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIA938DJT-T1-GE3

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SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 11793 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
20+	1.3 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A T/R

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SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

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SIA950DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

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SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

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SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 87831 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIA975DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIA975DJ-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 6328 Stücke:

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SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

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SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

auf Bestellung 4230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm

auf Bestellung 5313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIAA02DJ-T1-GE3

MOSFET 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

auf Bestellung 21430 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.49 EUR
9000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm

auf Bestellung 5313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIAA40DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIAA40DJ-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

auf Bestellung 11695 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SIAA40DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V

auf Bestellung 5363 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
17+	1.56 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIAA40DJ-T1-GE3