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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK60011CMCTOKO
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60011CMC-G
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60011DS8G0L
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60012BM5G0TOKO
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60012BM5GOL
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60015CS8G
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60015CS8G0L
auf Bestellung 6064 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60015CS8GOLTOKOSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60022AM4GOLTOKOSSOP-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6011BP21-5V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60A08J1
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60A08K3
auf Bestellung 39012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60D08J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 75V 150W 3600pF 0.0085
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.74 EUR
100+2.58 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshibaMOSFETs PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+3.08 EUR
100+2.23 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60J25D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 410W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.51 EUR
14+17.8 EUR
16+13.77 EUR
50+11.11 EUR
100+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60J25D,S1Q(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.78 EUR
25+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60J25DS1Q(OToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
10+2.65 EUR
100+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.58 EUR
116+1.49 EUR
250+1.4 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.12 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.58 EUR
116+1.49 EUR
250+1.4 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.53 EUR
100+1.77 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 6007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.19 EUR
4000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1LLQ(OToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK61027STL
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6110ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+372.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK61130U
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK61220
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62012FTLTOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62012FTL-GTOKO09+
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62256-15
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62512-15
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.19 EUR
10+24.48 EUR
100+18.05 EUR
500+17.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W5,S1VQ(OToshiba0
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.88 EUR
17+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60WToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W
Produktcode: 183830
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.5 EUR
30+22.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.58 EUR
10+25.82 EUR
120+21.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.96 EUR
10+20.72 EUR
120+17.89 EUR
510+17.8 EUR
1020+17.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.35 EUR
10+17.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.31 EUR
30+13.99 EUR
120+11.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 178-182 Tag (e)
1+21.09 EUR
10+18.1 EUR
30+15.05 EUR
270+13.28 EUR
510+11.96 EUR
2520+11.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F
Produktcode: 198877
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.99 EUR
30+12.04 EUR
60+11.16 EUR
120+10.27 EUR
270+9.5 EUR
510+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.35 EUR
14+12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.69 EUR
13+17.96 EUR
17+12.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60XS1F(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.57 EUR
10+33.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.37 EUR
10+31.61 EUR
100+25.79 EUR
500+23.26 EUR
1000+22.32 EUR
2500+21.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.26 EUR
9+26.8 EUR
12+19.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6302
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6310ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+372.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63101HCL-GTOKOSOT26/SOT363
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63118SCL-G
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63125SCL-GTOKO
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63126BCB-G
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128BCB-G
auf Bestellung 9350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128HCL-G
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128SCL
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128SCL-GTOKO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63129HC-GG
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63130BCB-G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63133BCB-G
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63202FC-GJ
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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