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TK60011CMCTOKO
auf Bestellung 3500 Stücke:
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TK60011CMC-G
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TK60011DS8G0L
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TK60012BM5G0TOKO
auf Bestellung 360 Stücke:
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TK60012BM5GOL
auf Bestellung 540 Stücke:
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TK60015CS8G
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TK60015CS8G0L
auf Bestellung 6064 Stücke:
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TK60015CS8GOLTOKOSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
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TK60022AM4GOLTOKO09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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TK60022AM4GOLTOKOSSOP-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6011BP21-5V
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK60A08J1
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK60A08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK60A08K3
auf Bestellung 39012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK60D08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60D08J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 75V 150W 3600pF 0.0085
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshibaMOSFETs PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.73 EUR
50+2.57 EUR
100+1.97 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.84 EUR
10+3.14 EUR
100+2.17 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60J25D,S1Q(OToshiba0
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60J25D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60R10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBATK60S06K3L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.34 EUR
116+1.24 EUR
250+1.14 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
10+2.23 EUR
100+1.78 EUR
500+1.50 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.34 EUR
116+1.24 EUR
250+1.14 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+2.25 EUR
100+1.80 EUR
250+1.65 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.28 EUR
2000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBATK60S10N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 7590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+2.01 EUR
25+1.87 EUR
100+1.60 EUR
250+1.50 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
10+2.11 EUR
100+1.49 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1LLQ(OToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK61027STL
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6110ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+312.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6110IFM ELECTRONICTK6110 Thermostats
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK61130U
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK61220
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62012FTLTOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62012FTL-GTOKO07+
auf Bestellung 5560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62012FTL-GTOKO09+
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62012FTL-GTOKO07+NOP
auf Bestellung 5560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62256-1595 DIP
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62256-15
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62512-15
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.81 EUR
10+26.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W5,S1VQ(OToshiba0
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.24 EUR
17+8.70 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W
Produktcode: 183830
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.22 EUR
30+20.41 EUR
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TK62N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.44 EUR
10+26.14 EUR
30+18.36 EUR
60+17.23 EUR
120+16.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.16 EUR
17+8.54 EUR
30+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.03 EUR
10+18.41 EUR
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TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
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TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.76 EUR
10+15.75 EUR
30+13.36 EUR
60+12.99 EUR
120+12.88 EUR
270+12.74 EUR
510+12.39 EUR
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TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.70 EUR
10+14.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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TK62N60X,S1F
Produktcode: 198877
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 178-182 Tag (e)
1+17.72 EUR
10+15.21 EUR
30+12.65 EUR
270+11.16 EUR
510+10.05 EUR
2520+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.15 EUR
30+13.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.89 EUR
30+10.24 EUR
60+9.49 EUR
120+8.73 EUR
270+8.07 EUR
510+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.90 EUR
14+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60XS1F(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.73 EUR
10+28.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.88 EUR
10+26.56 EUR
100+21.67 EUR
500+19.55 EUR
1000+18.76 EUR
2500+18.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6302
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6310IFM ELECTRONICTK6310 Thermostats
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6310ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+312.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63101HCL-GTOKOSOT26/SOT363
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63118SCL-G
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63125SCL-GTOKO
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63126BCB-G
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128BCB-G
auf Bestellung 9350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128HCL-G
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128SCL
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63128SCL-GTOKO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63129HC-GG
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63130BCB-G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63133BCB-G
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63202FC-GJ
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63203FCL-GTOKO09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63203FCL-GTOKO07NOPB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63715S-G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63718HCL-G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63723AB1GOBTOKO09+
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63723AB1GOBTOKO06NOPB
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63725HCL-GTOKO09+
auf Bestellung 7335 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63725HCL-GTOKO06+NOP
auf Bestellung 7317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63728AB1G0BTOKO07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63728AB1G0BTOKO09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63728AB1G0BTOKO07+NOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63728AB6GHB-C
auf Bestellung 8490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63728AB6GHB-C-G
auf Bestellung 8490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK63728AB6GHB-G
auf Bestellung 8496 Stücke:
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TK63728S-G
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TK63733AB1GOBTOKO07NOPB
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TK63735AB1G0BTOKO09+
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TK63735AB1G0BTOKO07+PB
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TK63735AB1G0BTOKOFC-4
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TK63735AB1G0BTOKO06NOPB
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TK64901AME-GH
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TK65000FTL-GTOKO08NOPB
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TK65015MTOKOSOT-163
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TK65015MTLTOKO1995
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TK65025M
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TK65025MTL
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TK65025MTLToko America Inc.Description: IC REG BOOST 3V 4MA SOT23L-6
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TK650A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
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TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK650A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
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2+2.48 EUR
10+2.24 EUR
50+1.37 EUR
100+1.17 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK650A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
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TK650A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
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TK650A60F,S4X(STOSHIBATK650A60F THT N channel transistors
auf Bestellung 1012 Stücke:
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28+2.62 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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TK65911MTL
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK65919MTLTKO
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK65929MTL-G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK65931MTLTOKO
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK65933
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK65933MTL
auf Bestellung 16900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK65A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK65A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK65A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
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TK65A10N1,S4X(STOSHIBATK65A10N1 THT N channel transistors
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TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
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TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.44 EUR
67+2.14 EUR
100+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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TK65A10N1S4X(SToshibaMOSFET
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TK65A10N1S4X(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 1061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.98 EUR
50+3.01 EUR
100+2.74 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaMOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+4.42 EUR
50+2.94 EUR
100+2.68 EUR
500+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.42 EUR
68+2.12 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(STOSHIBATK65E10N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 900
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+4.14 EUR
100+3.33 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.27 EUR
2000+2.11 EUR
5000+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQ(STOSHIBATK65G10N1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10NE,RQ(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65L60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBATK65S04K3L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.39 EUR
6000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 7976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.10 EUR
10+2.57 EUR
100+2.04 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.26 EUR
10+2.82 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 7008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBATK65S04N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.16 EUR
4000+1.05 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.16 EUR
4000+1.04 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.90 EUR
12+1.56 EUR
100+1.21 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 11915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.63 EUR
25+1.48 EUR
100+1.20 EUR
250+1.19 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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TK67673M (TC)Description: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION
Packaging: Bulk
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (46)
Tape Type: Safety
Tape Included: 17002, 220, 3431, 3903, 471, 6900, 766, 983-326, SJ3550, SJ3560
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TK68112AS2GOL-C
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TK68129AMFGOL-C
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TK68522AS2-GH@C
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TK68528AS2-GH
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TK68530AS2-GH
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TK68530AS2-GH@C
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TK68533AS2-GH
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TK68HC11D0CFN3Tekmos Inc.MCU 8-bitCISC ROMLess 44-Pin PLCC
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TK68HC11D0CFNE3Tekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
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TK68HC11D0CFNE3TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
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TK68HC11D0CFNE3/REELSTekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
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TK68HC11K1CFNE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 84-Pin PLCC
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TK68HC11K1CFUE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 80-Pin QFP
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TK68HC24FN
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TK68HC705C9ACFNTekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
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TK68HC705C9ACFNETekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
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TK68HC711D3CFNE2TekmosTK68HC711D3CFNE2^TEKMOS
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TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310Tekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310
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TK68HC711D3CFNE3/REELSTekmos Inc.TK68HC711D3CFN3/REELS
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TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707ATekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707A
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TK68HC711E9MFNE2Tekmos Inc.TK68HC711E9MFNE2
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TK68HC711KS2CFNE4-(PROG)TekmosTK68HC711KS2CFNE4-(PROG)^TEKMOS
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TK6900_1/2NA
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TK6A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
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TK6A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
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TK6A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
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TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBATK6A50D THT N channel transistors
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TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
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TK6A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
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TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
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TK6A55DA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK6A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
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TK6A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
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TK6A60
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK6A60D
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK6A60DToshibaMOSFETs
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TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(Q)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK6A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
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TK6A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
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TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
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TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(STA4,Q,M)
Produktcode: 107094
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
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TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
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TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
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TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.61 EUR
50+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK6A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+3.57 EUR
25+3.40 EUR
50+2.52 EUR
100+2.24 EUR
250+1.88 EUR
500+1.61 EUR
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
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TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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TK6A65DToshibaArray
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
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TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
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TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
48+1.50 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.94 EUR
48+1.50 EUR
76+0.94 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.91 EUR
10+3.57 EUR
50+2.18 EUR
100+1.97 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
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TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaSilicon N Channel MOS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK6A65D(STA4XM)ToshibaArray
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TK6A65DSTA4QM
Produktcode: 143200
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Transistoren > MOSFET N-CH
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10 Stück - erwartet 05.05.2025
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TK6A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TK6A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK6A65W,S5X(MTOSHIBATK6A65W THT N channel transistors
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TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.26 EUR
50+2.09 EUR
100+1.92 EUR
250+1.72 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(STOSHIBATK6A80E THT N channel transistors
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(SToshibaSilicon N-Channel MOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
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TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TK6P53D
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.13 EUR
10+2.00 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.45 EUR
10+2.88 EUR
100+1.98 EUR
500+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 165-169 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+3.33 EUR
100+2.64 EUR
500+2.22 EUR
1000+1.90 EUR
2000+1.81 EUR
4000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.52 EUR
108+1.33 EUR
132+1.04 EUR
200+0.94 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(STOSHIBATK6P60W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 7484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.72 EUR
25+1.62 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
10+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(STOSHIBATK6P65W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
75+2.43 EUR
150+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+4.01 EUR
25+4.00 EUR
75+1.80 EUR
300+1.78 EUR
525+1.57 EUR
1050+1.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBATK6Q60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
auf Bestellung 375 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 115 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBATK6Q65W THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1Q(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK6R4E10PL,S1X(SToshibaPower MOSFET (N-ch single 60V
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TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1256 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
auf Bestellung 26 Stücke:
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6+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.95 EUR
100+1.53 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.19 EUR
142+1.01 EUR
161+0.85 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
auf Bestellung 38517 Stücke:
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2+1.46 EUR
10+1.19 EUR
100+0.93 EUR
250+0.90 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 25753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
15+1.20 EUR
100+0.94 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.58 EUR
12500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBATK6R7P06PL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6530 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2Toshiba0
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+0.99 EUR
176+0.81 EUR
206+0.67 EUR
217+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.87 EUR
100+1.47 EUR
500+1.20 EUR
1000+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaTK6R8A08QM,S4X(S
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
auf Bestellung 25028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.46 EUR
100+1.02 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
11+1.64 EUR
100+1.10 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH