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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TK60011CMCTOKO
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TK60011CMC-G
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TK60011DS8G0L
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TK60012BM5G0TOKO
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TK60012BM5GOL
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TK60015CS8G
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TK60015CS8G0L
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TK60015CS8GOLTOKOSOT23
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TK60022AM4GOLTOKOSSOP-8
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TK60022AM4GOLTOKO09+
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TK6011BP21-5V
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TK60A08J1
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TK60A08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK60A08K3
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TK60D08J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
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TK60D08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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TK60E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 75V 150W 3600pF 0.0085
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TK60E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
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TK60F10N1L,LXGQToshibaMOSFET PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 2906 Stücke:
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10+5.38 EUR
12+ 4.47 EUR
100+ 3.56 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.56 EUR
2000+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TK60F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
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TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.49 EUR
10+ 4.57 EUR
100+ 3.64 EUR
500+ 3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK60J25D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK60P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK60P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
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TK60R10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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131+1.2 EUR
250+ 1.11 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 131
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.2 EUR
250+ 1.11 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 131
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 3 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK60S10N1L,LXHQToshibaMOSFET PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 7988 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.42 EUR
250+ 2.24 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.74 EUR
2000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TK60S10N1LLQ(OToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK61027STL
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6110ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
Produkt ist nicht verfügbar
TK61130U
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK61220
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62012FTLTOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62012FTL-GTOKO09+
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62012FTL-GTOKO07+NOP
auf Bestellung 5560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62012FTL-GTOKO07+
auf Bestellung 5560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62256-1595 DIP
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62256-15
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62512-15
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TK62J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Produkt ist nicht verfügbar
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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TK62J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+42.56 EUR
10+ 39.12 EUR
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaTK62J60W5,S1VQ(O
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.52 EUR
11+ 13.96 EUR
25+ 12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK62N60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W
Produktcode: 183830		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+43.03 EUR
10+ 39.55 EUR
TK62N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+38.12 EUR
10+ 33.59 EUR
30+ 32.66 EUR
60+ 30.86 EUR
120+ 29.04 EUR
270+ 28.13 EUR
510+ 26.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK62N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+29.59 EUR
10+ 27.19 EUR
TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.47 EUR
10+ 23.32 EUR
30+ 22.7 EUR
60+ 21.42 EUR
120+ 20.12 EUR
270+ 19.53 EUR
510+ 18.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.31 EUR
9+ 17.71 EUR
10+ 16.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.74 EUR
30+ 20.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.96 EUR
11+ 13.71 EUR
30+ 10.92 EUR
270+ 9.06 EUR
510+ 7.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK62N60X,S1F
Produktcode: 198877		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.96 EUR
11+ 13.71 EUR
30+ 10.92 EUR
270+ 9.06 EUR
510+ 7.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 182-196 Tag (e)
2+26.18 EUR
10+ 22.46 EUR
30+ 18.69 EUR
270+ 16.48 EUR
510+ 14.85 EUR
2520+ 14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.64 EUR
18+ 8.72 EUR
30+ 8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK62N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK62N60XS1F(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK62Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+42.67 EUR
10+ 39.23 EUR
100+ 32.01 EUR
500+ 28.89 EUR
1000+ 27.72 EUR
2500+ 27.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK62Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+45.4 EUR
10+ 41.73 EUR
TK62Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK62Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK62Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6302
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6310ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
Produkt ist nicht verfügbar
TK63101HCL-GTOKOSOT26/SOT363
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63118SCL-G
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63125SCL-GTOKO
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63126BCB-G
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63128BCB-G
auf Bestellung 9350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63128HCL-G
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63128SCL
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63128SCL-GTOKO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63129HC-GG
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63130BCB-G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63133BCB-G
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63202FC-GJ
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63203FCL-GTOKO09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63203FCL-GTOKO07NOPB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63715S-G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63718HCL-G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63723AB1GOBTOKO09+
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63723AB1GOBTOKO06NOPB
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63725HCL-GTOKO06+NOP
auf Bestellung 7317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63725HCL-GTOKO09+
auf Bestellung 7335 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728AB1G0BTOKO07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728AB1G0BTOKO09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728AB1G0BTOKO07+NOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728AB6GHB-C
auf Bestellung 8490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728AB6GHB-C-G
auf Bestellung 8490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728AB6GHB-G
auf Bestellung 8496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63728S-G
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63733AB1GOBTOKO07NOPB
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63735AB1G0BTOKO06NOPB
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63735AB1G0BTOKO09+
auf Bestellung 10518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63735AB1G0BTOKO07+PB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK63735AB1G0BTOKOFC-4
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK64901AME-GH
auf Bestellung 4892 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65000FTL-GTOKO08NOPB
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65015MTOKOSOT-163
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65015MTLTOKO1995
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65025M
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65025MTLToko America Inc.Description: IC REG BOOST 3V 4MA SOT23L-6
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65025MTL
auf Bestellung 11420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK650A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK650A60F,S4XToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
Produkt ist nicht verfügbar
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK650A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
31+ 2.36 EUR
40+ 1.79 EUR
43+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK650A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK650A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.62 EUR
31+ 2.36 EUR
40+ 1.79 EUR
43+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK650A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK65911MTL
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65919MTLTKO
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65929MTL-G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65931MTLTOKO
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65933
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65933MTL
auf Bestellung 16900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK65A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK65A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK65A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
Produkt ist nicht verfügbar
TK65A10N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 850 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.78 EUR
56+ 2.71 EUR
62+ 2.37 EUR
100+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK65A10N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
TK65A10N1S4X(SToshibaMOSFET
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TK65A10N1S4X(S-XToshibaMOSFET
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TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK65E10N1,S1XToshibaMOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
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TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.92 EUR
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TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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28+5.6 EUR
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63+ 2.31 EUR
100+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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1000+1.73 EUR
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TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 1900 Stücke:
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99+1.58 EUR
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TK65E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
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TK65G10N1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
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TK65G10N1,RQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
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10+ 6.11 EUR
100+ 4.91 EUR
500+ 4.03 EUR
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2000+ 3.12 EUR
5000+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK65G10N1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
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TK65G10N1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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TK65G10N1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TK65G10NE,RQ(SToshibaToshiba
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TK65L60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK65S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
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TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
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TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK65S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 7976 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.58 EUR
10+ 3.79 EUR
100+ 3.02 EUR
500+ 2.55 EUR
1000+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK65S04N1L,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.65 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.07 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.2 EUR
2000+ 2.09 EUR
4000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.06 EUR
6000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.81 EUR
12+ 2.3 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK65S04N1L,LXHQToshibaMOSFET 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 11935 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.86 EUR
23+ 2.34 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.26 EUR
2000+ 1.18 EUR
4000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 19
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK65S04N1L,LXHQ(OToshibaSilicon N-Channel MOS
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.41 EUR
116+ 1.3 EUR
250+ 1.2 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 1.03 EUR
2500+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 111
TK67673M (TC)Description: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (46)
Tape Type: Safety
Tape Included: 17002, 220, 3431, 3903, 471, 6900, 766, 983-326, SJ3550, SJ3560
Produkt ist nicht verfügbar
TK68112AS-G
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68112AS2GOL-C
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68112SG
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68126AMFGOL-C
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68129AMFGOL-C
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68418AB1G0B
auf Bestellung 3215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68522AS2-GH@C
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68528AS2-GH
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68530AS2-GH
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68530AS2-GH@C
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68533AS2-GH
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68HC11D0CFNE3TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC11D0CFNE3Tekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC11D0CFNE3/REELSTekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC11K1CFNE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 84-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC11K1CFUE4TekmosHigh-Performance Microcontroller Units
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC24FN
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK68HC705C9ACFNTekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC705C9ACFNETekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC711D3CFNE2TekmosTK68HC711D3CFNE2^TEKMOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310Tekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707ATekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707A
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TK68HC711E9MFNE2Tekmos Inc.TK68HC711E9MFNE2
Produkt ist nicht verfügbar
TK68HC711KS2CFNE4-(PROG)TekmosTK68HC711KS2CFNE4-(PROG)^TEKMOS
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TK6900_1/2NA
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A55DA
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A60
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6A60DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A60D
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A60D(Q)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
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TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
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TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
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TK6A60D(STA4,Q,M)
Produktcode: 107094		Transistoren > MOSFET N-CH
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TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
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TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
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TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
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TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.81 EUR
13+ 4.19 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.25 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.39 EUR
2500+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke
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TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
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TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
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TK6A65DToshibaToshiba
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.52 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 2.76 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.04 EUR
5000+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK6A65D(STA4XM)ToshibaToshiba
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TK6A65DSTA4QM
Produktcode: 143200		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.85Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK6A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.85Ω
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A80E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.39 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 1.98 EUR
2500+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.5 EUR
10+ 3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.29 EUR
35+ 2.06 EUR
40+ 1.82 EUR
48+ 1.5 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 32
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
35+ 2.06 EUR
40+ 1.82 EUR
48+ 1.5 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 32
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6A80E,S4X(SToshibaSilicon N-Channel MOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK6P53D
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.25 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 2.07 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK6P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.2 EUR
19+ 2.81 EUR
100+ 2.39 EUR
250+ 2.37 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.57 EUR
108+ 1.4 EUR
117+ 1.25 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 100
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.57 EUR
108+ 1.4 EUR
117+ 1.25 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 100
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.02 EUR
10+ 4.18 EUR
100+ 3.32 EUR
500+ 2.81 EUR
1000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
102+ 1.48 EUR
125+ 1.16 EUR
200+ 1.05 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 93
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 1246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 3.25 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.1 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK6P65W,RQToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 7670 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.22 EUR
20+ 2.65 EUR
100+ 2.07 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.43 EUR
2000+ 1.34 EUR
4000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK6P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q65W,S1Q(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R4E10PL,S1X(SToshibaPower MOSFET (N-ch single 60V
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.51 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.56 EUR
2500+ 1.47 EUR
5000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 25753 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.78 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+ 0.86 EUR
12500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
auf Bestellung 29509 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.47 EUR
24+ 2.22 EUR
100+ 1.73 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.13 EUR
2500+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 22
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaTK6R7P06PL,RQ(S2
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 92
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R8A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
19+ 2.76 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.3 EUR
5000+ 1.24 EUR
10000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R8A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK6R8A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.08 EUR
5000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R9P08QM,RQToshibaMOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
auf Bestellung 31625 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.65 EUR
24+ 2.18 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.17 EUR
2500+ 1.1 EUR
5000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.63 EUR
13+ 2.14 EUR
100+ 1.66 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK6R9P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)