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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S25MR GeneSiC Semiconductor s25kr.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 25A 2-Pin DO-4
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KBPC3510W GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf description Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
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150KR80A GeneSiC Semiconductor 150kr20a.pdf Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
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MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a150.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a060.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A200 MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a200.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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BR86 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR81 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR82 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR84 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
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MBRH20045 GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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MBR2X060A180 MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a180.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A120 MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a150.pdf Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a080.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBRH20060R GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
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FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
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S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
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S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
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FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.19 EUR
10+7.18 EUR
11+6.78 EUR
30+6.75 EUR
120+6.55 EUR
600+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+38.35 EUR
3+38.34 EUR
30+37.42 EUR
120+36.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.30 EUR
10+19.19 EUR
30+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.36 EUR
7+11.63 EUR
10+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.82 EUR
5+17.79 EUR
30+17.20 EUR
120+17.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.93 EUR
7+11.77 EUR
10+11.34 EUR
30+11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.54 EUR
11+6.66 EUR
12+6.25 EUR
50+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+62.65 EUR
3+60.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+154.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X30MPS06N.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: SOT227B
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.71 EUR
7+11.04 EUR
10+10.93 EUR
30+10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.38 EUR
15+5.08 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.82 EUR
13+5.55 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 224W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X100MPS06N.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 231A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: SOT227B
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+59.10 EUR
3+58.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X50MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.32kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS12-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.4kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS17-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.432kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X100MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.64kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X100MPS12-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB10MPS17-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.38 EUR
14+5.16 EUR
100+5.09 EUR
250+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.37 EUR
10+7.52 EUR
11+7.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25MR s25kr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 25A 2-Pin DO-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC3510W description kbpc3506w.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR80A 150kr20a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf
MBR2X080A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR86 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR88 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR81 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR82 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR84 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRH20045 mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRH20060R mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70YR s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70D s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70M s70k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR70J05 fr70b05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70JR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70DR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70V s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70BR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70B s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.19 EUR
10+7.18 EUR
11+6.78 EUR
30+6.75 EUR
120+6.55 EUR
600+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.35 EUR
3+38.34 EUR
30+37.42 EUR
120+36.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.30 EUR
10+19.19 EUR
30+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
7+11.63 EUR
10+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.82 EUR
5+17.79 EUR
30+17.20 EUR
120+17.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.93 EUR
7+11.77 EUR
10+11.34 EUR
30+11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.54 EUR
11+6.66 EUR
12+6.25 EUR
50+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+62.65 EUR
3+60.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+154.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: SOT227B
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.71 EUR
7+11.04 EUR
10+10.93 EUR
30+10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.38 EUR
15+5.08 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.82 EUR
13+5.55 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 224W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 231A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: SOT227B
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+59.10 EUR
3+58.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227.pdf
GC2X50MPS06-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.32kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.4kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227.pdf
GB2X50MPS17-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.432kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.64kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.8kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
GB10MPS17-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
14+5.16 EUR
100+5.09 EUR
250+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.37 EUR
10+7.52 EUR
11+7.11 EUR
120+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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