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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
KBU1501 GeneSiC Semiconductor KBU1501
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G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf 1700V 1000m TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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GBJ20J GBJ20J GeneSiC Semiconductor gbj20k.pdf SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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GBJ20G GBJ20G GeneSiC Semiconductor gbj20g.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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GBJ20K GBJ20K GeneSiC Semiconductor gbj20k.pdf SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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GBJ20M GBJ20M GeneSiC Semiconductor gbj20k.pdf SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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GBJ20B GBJ20B GeneSiC Semiconductor gbj20b.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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GBJ20D GBJ20D GeneSiC Semiconductor gbj20d.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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S25MR GeneSiC Semiconductor s25kr.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 25A 2-Pin DO-4
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KBPC3510W GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf description Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
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150KR80A GeneSiC Semiconductor 150kr20a.pdf Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
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MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a150.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a060.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A200 MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a200.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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BR86 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR81 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR82 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR84 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
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MBRH20045 GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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MBR2X060A180 MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a180.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A120 MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a150.pdf Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a080.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBRH20060R GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
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FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
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S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
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S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
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FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+38.58 EUR
10+37.42 EUR
30+37.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.34 EUR
11+6.52 EUR
12+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+63.18 EUR
100+60.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+137.21 EUR
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.65 EUR
12+6.35 EUR
120+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F69B42A640C7&compId=GB10MPS17-247.pdf?ci_sign=3ef9c30ec8388b7c1ead11bc136bcddfbaa50834 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO247-2
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GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 231A
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+57.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+25.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.168kA
auf Bestellung 90 Stücke:
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G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
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10+7.39 EUR
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G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3320C7&compId=G3R160MT17D.pdf?ci_sign=276ec0a4ae3fd6dab9f56d72e76e55585fff9413 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU1501
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
KBU1501
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1700V 1000m TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBJ20J gbj20k.pdf
GBJ20J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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GBJ20G gbj20g.pdf
GBJ20G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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GBJ20K gbj20k.pdf
GBJ20K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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GBJ20M gbj20k.pdf
GBJ20M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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GBJ20B gbj20b.pdf
GBJ20B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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GBJ20D gbj20d.pdf
GBJ20D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25MR s25kr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 25A 2-Pin DO-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC3510W description kbpc3506w.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR80A 150kr20a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf
MBR2X080A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR86 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR88 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR81 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR82 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR84 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRH20045 mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRH20060R mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70YR s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70D s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70M s70k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR70J05 fr70b05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70JR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70DR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70V s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70BR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70B s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.58 EUR
10+37.42 EUR
30+37.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
11+6.52 EUR
12+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+63.18 EUR
100+60.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+137.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb
GD30MPS06H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
12+6.35 EUR
120+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB10MPS17-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F69B42A640C7&compId=GB10MPS17-247.pdf?ci_sign=3ef9c30ec8388b7c1ead11bc136bcddfbaa50834
GB10MPS17-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO247-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 231A
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+57.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac
GD30MPS06J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.168kA
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
25+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 845 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.39 EUR
11+6.68 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3320C7&compId=G3R160MT17D.pdf?ci_sign=276ec0a4ae3fd6dab9f56d72e76e55585fff9413
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 392 Stücke:
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Anzahl Preis
6+12.96 EUR
7+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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