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MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a150.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a060.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A200 MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a200.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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BR86 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR81 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR82 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR84 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
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MBRH20045 GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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MBR2X060A180 MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a180.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A120 MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a150.pdf Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a080.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBRH20060R GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
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FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
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S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
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S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
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FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+38.7 EUR
10+37.44 EUR
30+37.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.46 EUR
11+6.64 EUR
12+6.18 EUR
50+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+136.58 EUR
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.58 EUR
14+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.38 EUR
14+5.16 EUR
100+5.09 EUR
250+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.37 EUR
10+7.52 EUR
11+7.11 EUR
120+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.03 EUR
7+11.5 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
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GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
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GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 124 Stücke:
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MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf
MBR2X080A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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BR86 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR88 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR81 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR82 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR84 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
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MBRH20045 mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBRH20060R mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
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FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
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S70YR s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
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S70D s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70M s70k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
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FR70J05 fr70b05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70JR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70DR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70V s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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S70BR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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S70B s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.7 EUR
10+37.44 EUR
30+37.21 EUR
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G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.46 EUR
11+6.64 EUR
12+6.18 EUR
50+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+136.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
14+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
14+5.16 EUR
100+5.09 EUR
250+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.37 EUR
10+7.52 EUR
11+7.11 EUR
120+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
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GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
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GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
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G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAP3SLT33-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f
GAP3SLT33-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f
GB01SLT06-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1
GB01SLT12-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e
GB02SLT12-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb
GD30MPS06H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
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