Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5819) > Seite 97 nach 97
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KBU1501 | GeneSiC Semiconductor | KBU1501 |
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G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
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GBJ20J | GeneSiC Semiconductor |
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GBJ20G | GeneSiC Semiconductor |
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GBJ20K | GeneSiC Semiconductor |
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GBJ20M | GeneSiC Semiconductor |
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GBJ20B | GeneSiC Semiconductor |
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GBJ20D | GeneSiC Semiconductor |
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G3F40MT12K | GeneSiC Semiconductor | 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
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S25MR | GeneSiC Semiconductor |
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KBPC3510W | GeneSiC Semiconductor |
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150KR80A | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X080A120 | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X080A150 | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X080A060 | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X080A200 | GeneSiC Semiconductor |
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BR86 | GeneSiC Semiconductor |
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BR88 | GeneSiC Semiconductor |
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BR81 | GeneSiC Semiconductor |
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BR82 | GeneSiC Semiconductor |
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BR84 | GeneSiC Semiconductor |
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MBRH20045 | GeneSiC Semiconductor |
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G3F75MT12K | GeneSiC Semiconductor | 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
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G3F40MT12K | GeneSiC Semiconductor | 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
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G3F20MT12K | GeneSiC Semiconductor | 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
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MBR2X060A180 | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X060A120 | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X060A150 | GeneSiC Semiconductor |
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MBR2X060A080 | GeneSiC Semiconductor |
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MBRH20060R | GeneSiC Semiconductor |
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FR70BR02 | GeneSiC Semiconductor |
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S70YR | GeneSiC Semiconductor |
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S70D | GeneSiC Semiconductor |
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S70M | GeneSiC Semiconductor |
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FR70J05 | GeneSiC Semiconductor |
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S70JR | GeneSiC Semiconductor |
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S70DR | GeneSiC Semiconductor |
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S70V | GeneSiC Semiconductor |
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S70BR | GeneSiC Semiconductor |
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S70B | GeneSiC Semiconductor |
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MBR6040R | GeneSiC Semiconductor |
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G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Case: TO247-4 |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R30MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 155nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Case: TO247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 106nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Case: TO247-4 |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 54nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-4 |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G2R™; SiC |
auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R20MT17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R350MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 75W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G3R™; SiC |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: TO247-2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 650V Load current: 108A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 0.44kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Kind of package: tube Max. load current: 231A |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Kind of package: tube Max. load current: 60A |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.168kA |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 123W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC Technology: G3R™; SiC |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Technology: G3R™; SiC |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KBU1501 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
KBU1501
KBU1501
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G2R1000MT17J-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1700V 1000m TO-263-7 G2R SiC MOSFET
1700V 1000m TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GBJ20J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GBJ20G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GBJ20K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GBJ20M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GBJ20B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GBJ20D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3F40MT12K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S25MR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 25A 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 1KV 25A 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
KBPC3510W | ![]() |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
150KR80A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X080A120 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X080A150 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X080A060 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X080A200 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BR86 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BR88 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BR81 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BR82 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BR84 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBRH20045 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3F75MT12K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3F40MT12K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3F20MT12K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X060A180 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X060A120 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X060A150 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBR2X060A080 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Schottky Rectifier Module Type 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MBRH20060R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FR70BR02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70YR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FR70J05 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Produkt ist nicht verfügbar
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S70JR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70DR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70V |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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S70BR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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S70B |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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Stück im Wert von UAH
MBR6040R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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G3R20MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 38.58 EUR |
10+ | 37.42 EUR |
30+ | 37.09 EUR |
G3R30MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
G3R40MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.68 EUR |
G3R75MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11 EUR |
G2R1000MT17J |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.34 EUR |
11+ | 6.52 EUR |
12+ | 6.11 EUR |
G3R20MT12N |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 63.18 EUR |
100+ | 60.75 EUR |
G3R20MT17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 137.21 EUR |
G3R350MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.65 EUR |
G3R350MT12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.18 EUR |
G3R75MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.18 EUR |
GD30MPS06H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.65 EUR |
12+ | 6.35 EUR |
120+ | 6.12 EUR |
GB10MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO247-2
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 231A
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 231A
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 57.16 EUR |
GD2X30MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 25.43 EUR |
GD30MPS06J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.168kA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.168kA
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.55 EUR |
25+ | 5.49 EUR |
G3R160MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.39 EUR |
11+ | 6.68 EUR |
30+ | 6.42 EUR |
G3R160MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.96 EUR |
7+ | 10.85 EUR |