Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MIXG70W1200TED | IXYS | MIXG70W1200TED IGBT modules |
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MKE38P600LB | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series Mounting: SMD Technology: CoolMOS™ Semiconductor structure: double series Kind of channel: enhancement Case: SMPD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Reverse recovery time: 660ns On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
MKE38RK600DFELB | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: diode/transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MKI100-12F8 | IXYS | MKI100-12F8 IGBT modules |
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MKI50-06A7 | IXYS |
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MKI50-06A7T | IXYS |
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MKI50-12F7 | IXYS | MKI50-12F7 IGBT modules |
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MKI65-06A7T | IXYS | MKI65-06A7T IGBT modules |
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MKI75-06A7 | IXYS | MKI75-06A7 IGBT modules |
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MKI75-06A7T | IXYS | MKI75-06A7T IGBT modules |
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MMIX1F132N50P3 | IXYS |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1F160N30T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A Mounting: SMD Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Polarisation: unipolar Gate charge: 367nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 20mΩ Kind of channel: enhancement Case: SMPD Drain current: 102A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 570W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1F180N25T | IXYS |
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MMIX1F210N30P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 108A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 520W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 268nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1F230N20T | IXYS |
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MMIX1F360N15T2 | IXYS |
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MMIX1F40N110P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 500W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 310nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1F420N10T | IXYS | MMIX1F420N10T SMD N channel transistors |
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MMIX1F44N100Q3 | IXYS |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1F520N075T2 | IXYS |
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MMIX1G120N120A3V1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT Power dissipation: 400W Case: SMPD Mounting: SMD Gate charge: 420nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 105ns Turn-off time: 1365ns Collector current: 105A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMIX1G320N60B3 | IXYS | MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors |
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MMIX1H60N150V1 | IXYS |
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MMIX1T550N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 550A Pulsed drain current: 2kA Power dissipation: 830W Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 595nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1T600N04T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W Case: SMPD Kind of channel: enhancement Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 100ns Gate charge: 590nC On-state resistance: 1.3mΩ Drain current: 600A Power dissipation: 830W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 2kA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX1X100N60B3H1 | IXYS |
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MMIX1X200N60B3 | IXYS |
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MMIX1X200N60B3H1 | IXYS |
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MMIX1X340N65B4 | IXYS |
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MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS |
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MMIX2F60N50P3 | IXYS |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMIX4B22N300 | IXYS |
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MMIX4G20N250 | IXYS |
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MMJX1H40N150 | IXYS |
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MMO110-12IO7 | IXYS |
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MMO110-14IO7 | IXYS |
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MMO140-12IO7 | IXYS |
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MMO140-16IO7 | IXYS |
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MMO175-12IO7 | IXYS |
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MMO175-16IO7 | IXYS |
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MMO230-12IO7 | IXYS |
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MMO230-16IO7 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MMO62-12IO6 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V Electrical mounting: screw Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: opposing Type of semiconductor module: thyristor Gate current: 100mA Max. forward voltage: 1.29V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.4kA Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMO62-16IO6 | IXYS |
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MMO74-12IO6 | IXYS |
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auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMO74-16IO6 | IXYS |
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MMO90-12io6 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
MMO90-14IO6 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MMO90-16io6 | IXYS |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MPK95-06DA | IXYS |
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MUBW10-06A6K | IXYS | MUBW10-06A6K IGBT modules |
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MUBW10-06A7 | IXYS |
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MUBW10-12A7 | IXYS | MUBW10-12A7 IGBT modules |
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MUBW100-06A8 | IXYS | MUBW100-06A8 IGBT modules |
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MUBW15-06A6K | IXYS | MUBW15-06A6K IGBT modules |
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MUBW15-06A7 | IXYS | MUBW15-06A7 IGBT modules |
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MUBW15-12A7 | IXYS |
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MUBW15-12T7 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MUBW20-06A6K | IXYS |
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MUBW25-06A6K | IXYS | MUBW25-06A6K IGBT modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MIXG70W1200TED |
Hersteller: IXYS
MIXG70W1200TED IGBT modules
MIXG70W1200TED IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKE38P600LB |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Semiconductor structure: double series
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 660ns
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Semiconductor structure: double series
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 660ns
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKE38RK600DFELB |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI100-12F8 |
Hersteller: IXYS
MKI100-12F8 IGBT modules
MKI100-12F8 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI50-06A7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MKI50-06A7 IGBT modules
MKI50-06A7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI50-06A7T |
![]() |
Hersteller: IXYS
MKI50-06A7T IGBT modules
MKI50-06A7T IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI50-12F7 |
Hersteller: IXYS
MKI50-12F7 IGBT modules
MKI50-12F7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI65-06A7T |
Hersteller: IXYS
MKI65-06A7T IGBT modules
MKI65-06A7T IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI75-06A7 |
Hersteller: IXYS
MKI75-06A7 IGBT modules
MKI75-06A7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MKI75-06A7T |
Hersteller: IXYS
MKI75-06A7T IGBT modules
MKI75-06A7T IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1F132N50P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMIX1F132N50P3 SMD N channel transistors
MMIX1F132N50P3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 72.93 EUR |
2+ | 52.14 EUR |
MMIX1F160N30T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 367nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 367nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 20mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 44.97 EUR |
10+ | 43.24 EUR |
MMIX1F180N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1F210N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 47.65 EUR |
10+ | 45.87 EUR |
20+ | 45.82 EUR |
MMIX1F230N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1F360N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMIX1F360N15T2 SMD N channel transistors
MMIX1F360N15T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1F40N110P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 60.78 EUR |
10+ | 58.46 EUR |
20+ | 58.43 EUR |
MMIX1F420N10T |
Hersteller: IXYS
MMIX1F420N10T SMD N channel transistors
MMIX1F420N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1F44N100Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 81.65 EUR |
2+ | 58.32 EUR |
MMIX1F520N075T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1G120N120A3V1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector current: 105A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Collector current: 105A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1G320N60B3 |
Hersteller: IXYS
MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors
MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMIX1H60N150V1 |
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Hersteller: IXYS
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
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Stück im Wert von UAH
MMIX1T550N055T2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 46.58 EUR |
10+ | 44.84 EUR |
20+ | 44.79 EUR |
MMIX1T600N04T2 |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 36.79 EUR |
20+ | 35.74 EUR |
MMIX1X100N60B3H1 |
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Hersteller: IXYS
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
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MMIX1X200N60B3 |
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Hersteller: IXYS
MMIX1X200N60B3 SMD IGBT transistors
MMIX1X200N60B3 SMD IGBT transistors
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MMIX1X200N60B3H1 |
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Hersteller: IXYS
MMIX1X200N60B3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1X200N60B3H1 SMD IGBT transistors
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MMIX1X340N65B4 |
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Hersteller: IXYS
MMIX1X340N65B4 SMD IGBT transistors
MMIX1X340N65B4 SMD IGBT transistors
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MMIX1Y100N120C3H1 |
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Hersteller: IXYS
MMIX1Y100N120C3H1 SMD IGBT transistors
MMIX1Y100N120C3H1 SMD IGBT transistors
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MMIX2F60N50P3 |
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Hersteller: IXYS
MMIX2F60N50P3 Multi channel transistors
MMIX2F60N50P3 Multi channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 42.49 EUR |
MMIX4B22N300 |
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Hersteller: IXYS
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
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MMIX4G20N250 |
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Hersteller: IXYS
MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
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MMJX1H40N150 |
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Hersteller: IXYS
MMJX1H40N150 SMD/THT thyristors
MMJX1H40N150 SMD/THT thyristors
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MMO110-12IO7 |
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Hersteller: IXYS
MMO110-12IO7 Thyristor modules
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MMO110-14IO7 |
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Hersteller: IXYS
MMO110-14IO7 Thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
MMO140-12IO7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO140-12IO7 Thyristor modules
MMO140-12IO7 Thyristor modules
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MMO140-16IO7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO140-16IO7 Thyristor modules
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MMO175-12IO7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO175-12IO7 Thyristor modules
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MMO175-16IO7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO175-16IO7 Thyristor modules
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MMO230-12IO7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO230-12IO7 Thyristor modules
MMO230-12IO7 Thyristor modules
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MMO230-16IO7 |
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Hersteller: IXYS
MMO230-16IO7 Thyristor modules
MMO230-16IO7 Thyristor modules
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MMO62-12IO6 |
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Hersteller: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: opposing
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 100mA
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: opposing
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 100mA
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 30.97 EUR |
MMO62-16IO6 |
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Hersteller: IXYS
MMO62-16IO6 Thyristor modules
MMO62-16IO6 Thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
MMO74-12IO6 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO74-12IO6 Thyristor modules
MMO74-12IO6 Thyristor modules
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 36.87 EUR |
3+ | 34.85 EUR |
MMO74-16IO6 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO74-16IO6 Thyristor modules
MMO74-16IO6 Thyristor modules
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Stück im Wert von UAH
MMO90-12io6 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO90-12IO6 Thyristor modules
MMO90-12IO6 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMO90-14IO6 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO90-14IO6 Thyristor modules
MMO90-14IO6 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MMO90-16io6 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MMO90-16IO6 Thyristor modules
MMO90-16IO6 Thyristor modules
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.88 EUR |
MPK95-06DA |
![]() |
Hersteller: IXYS
MPK95-06DA Diode modules
MPK95-06DA Diode modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW10-06A6K |
Hersteller: IXYS
MUBW10-06A6K IGBT modules
MUBW10-06A6K IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW10-06A7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MUBW10-06A7 IGBT modules
MUBW10-06A7 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW10-12A7 |
Hersteller: IXYS
MUBW10-12A7 IGBT modules
MUBW10-12A7 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW100-06A8 |
Hersteller: IXYS
MUBW100-06A8 IGBT modules
MUBW100-06A8 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW15-06A6K |
Hersteller: IXYS
MUBW15-06A6K IGBT modules
MUBW15-06A6K IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW15-06A7 |
Hersteller: IXYS
MUBW15-06A7 IGBT modules
MUBW15-06A7 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW15-12A7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MUBW15-12A7 IGBT modules
MUBW15-12A7 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW15-12T7 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MUBW15-12T7 IGBT modules
MUBW15-12T7 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
MUBW20-06A6K |
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Hersteller: IXYS
MUBW20-06A6K IGBT modules
MUBW20-06A6K IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MUBW25-06A6K |
Hersteller: IXYS
MUBW25-06A6K IGBT modules
MUBW25-06A6K IGBT modules
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