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IXB027WJW1Q
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IXB027WJZZQ
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IXB033WJZZQ
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IXB078WJZZQ
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IXB119WJZZQPANAQFP
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IXB144WJZZQPANAQFP
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IXB144WJZZQSHARPQFP
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IXB200I600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
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IXB246WJZZQ
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IXB249WJZZQ
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IXB251WJZZQ
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IXB326SHARPQFP
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IXB611P1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8DIP
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IXB611S1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
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IXB611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
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IXB80IF600NAIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT, PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
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IXB80IF600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
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IXBA10N300HVIXYSIGBT Transistors
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IXBA14N300HVIXYSIGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
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IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXBA14N300HVIXYSDescription: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXBA16N170AHVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.45 EUR
10+44.68 EUR
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IXBA16N170AHVIXYSMOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
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IXBA16N170AHVIXYSIXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
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2+41.76 EUR
3+26.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXBA16N170AHVLittelfuseHigh Voltage, High Gain BIMOSFET
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IXBD4410IXYSDIP
auf Bestellung 70 Stücke:
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IXBD4410PCIXYS COR..DIP
auf Bestellung 70 Stücke:
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IXBD4410PIIXYSDIP16
auf Bestellung 90 Stücke:
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IXBD4410PIDIXYS1995 DIP
auf Bestellung 1208 Stücke:
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IXBD4410PIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4410SIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBD4411IXYSDIP
auf Bestellung 695 Stücke:
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IXBD4411PIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBD4411PIIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXBD4411SIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4412PI96/97
auf Bestellung 100 Stücke:
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IXBF 40N140/160IXYSLittelfuse
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IXBF10N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/390ns
Switching Energy: 7.2mJ (on), 1.04mJ (off)
Test Condition: 1500V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 240 W
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IXBF10N300CIXYSMOSFETs
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IXBF12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXBF14N250IXYSGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
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IXBF14N250IXYSDescription: IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF15N300CIXYSMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF15N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
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IXBF1958LittelfuseLittelfuse Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
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IXBF20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
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IXBF20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300IXYSIXBF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+82.08 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360IXYSDescription: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+115.37 EUR
25+100.95 EUR
100+93.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBF20N360 - IGBT, 45 A, 2.9 V, 230 W, 3.6 kV, ISOPLUS i4-PAK, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: -
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXBF20N360IXYSIGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+115.54 EUR
10+108.86 EUR
25+100.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 45A 230000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360IXYSIXBF20N360 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF22N300LittelfuseBipolar MOS Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF32N300IXYSIGBT Transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXBF40N160IXYSIXBF40N160 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1600V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.77 EUR
10+44.04 EUR
25+42.05 EUR
100+37.61 EUR
500+35.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 60A 240000mW ISOPLUS I4-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300IXYSDescription: IGBT 3000V TO247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300IXYSIXBF42N300 THT IGBT transistors
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IXBF42N300IXYSMOSFET IGBT DISC IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF50N360IXYSIGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF50N360IXYSDescription: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF55N300IXYSIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
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IXBF9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.81 EUR
10+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V 1600V 9A
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH 40N140/160IXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170IXYSIGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.49 EUR
10+15.03 EUR
30+10.40 EUR
120+9.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.43 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
30+10.12 EUR
120+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.43 EUR
30+11.02 EUR
120+9.39 EUR
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IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.43 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBH10N300HV
Produktcode: 161629
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IXBH10N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 10A IGBT
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IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+82.35 EUR
30+79.88 EUR
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IXBH10N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
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IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+82.35 EUR
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IXBH12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.72 EUR
30+35.29 EUR
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IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300IXYSIGBTs TO247 3KV 12A IGBT
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.90 EUR
10+48.17 EUR
30+37.15 EUR
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IXBH12N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH14N250IXYSGate Drivers 2500V
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IXBH14N250IXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
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IXBH14N250AIXYSGate Drivers 14 Amps 2500V
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IXBH14N250AIXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
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IXBH14N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 14A IGBT
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IXBH14N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170IXYSIGBTs 1700V 25A
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.00 EUR
10+19.55 EUR
30+14.48 EUR
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IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.38 EUR
30+14.93 EUR
120+12.87 EUR
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IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.30 EUR
7+11.63 EUR
10+11.47 EUR
30+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.30 EUR
7+11.63 EUR
10+11.47 EUR
30+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBH16N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.58 EUR
10+21.40 EUR
30+14.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.97 EUR
30+15.33 EUR
120+13.22 EUR
510+13.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.51 EUR
30+48.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+170.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N360HVIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
30+25.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.02 EUR
10+27.14 EUR
30+26.14 EUR
60+25.50 EUR
120+25.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH24N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.53 EUR
30+21.91 EUR
120+20.11 EUR
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IXBH24N170(Transistor )
Produktcode: 43528
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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IXBH28N170AIXYSIGBT Transistors 30Amps 1700V
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IXBH28N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/265ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 300 W
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IXBH2N250
Produktcode: 131686
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.57 EUR
10+100.60 EUR
30+93.24 EUR
60+90.96 EUR
120+86.61 EUR
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IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.71 EUR
30+28.45 EUR
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IXBH32N300IXYSIGBTs TO247 3KV 32A IGBT
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+144.20 EUR
30+133.41 EUR
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IXBH32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
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IXBH32N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 80A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH32N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 80A IGBT
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IXBH32N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247HV
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
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IXBH32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH40N160IXYSIGBTs 1600V 33A
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IXBH40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 350 W
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IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH42N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBH42N170IXYSIGBTs 1700V 75A
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.84 EUR
10+34.67 EUR
30+30.34 EUR
60+29.99 EUR
120+28.97 EUR
510+25.19 EUR
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IXBH42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.71 EUR
30+25.40 EUR
120+23.70 EUR
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IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBH42N170
Produktcode: 40513
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH42N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH42N170AIXYSIXBH42N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXBH42N170AIXYSIGBTs BIMOSET 42A 1700V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.62 EUR
10+37.01 EUR
30+28.27 EUR
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IXBH42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.17 EUR
30+25.45 EUR
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IXBH42N250IXYSIGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.82 EUR
10+53.31 EUR
30+52.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N250IXYSDescription: IGBT 2500V 104A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.48 EUR
30+41.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
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IXBH5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
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IXBH5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.34 EUR
30+11.63 EUR
120+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.42 EUR
30+12.32 EUR
120+10.55 EUR
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IXBH6N170
Produktcode: 83906
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBH6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
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IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V
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IXBH9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH9N160G
Produktcode: 60732
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IXBK55N300IXYSIGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.03 EUR
10+158.89 EUR
25+145.50 EUR
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IXBK55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+169.49 EUR
25+140.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300IXYSIXBK55N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+125.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK55N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 130A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+235.45 EUR
25+208.66 EUR
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IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBK64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXBK64N250IXYSIGBTs BIMOSFET 2500V 75A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+242.40 EUR
10+239.61 EUR
25+223.48 EUR
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IXBK75N170IXYSIGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.01 EUR
10+76.19 EUR
25+69.10 EUR
50+67.25 EUR
100+64.47 EUR
250+62.62 EUR
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IXBK75N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBK75N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 200A, TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 1.04
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6
Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BiMOSFET Series
SVHC: To Be Advised
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IXBK75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.06 EUR
25+56.93 EUR
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IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXBK75N170IXYSIXBK75N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+92.09 EUR
2+71.44 EUR
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IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXBK75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
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IXBK75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W TO264
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IXBK75N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXBL20N300CLittelfuseMonolithic Bipolar MOS Transistor
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IXBL20N300CIXYSDescription: IGBT 3000V
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IXBL60N360IXYSDescription: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
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IXBL60N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 92A 417000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
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IXBL60N360IXYSIGBT Transistors 3600V/92A Rev Conducting IGBT
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IXBL64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 500 W
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IXBL64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 116A 500mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
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IXBL64N250IXYSIGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
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IXBN42N170AIxys CorporationTrans IGBT Module N-CH 1700V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+79.81 EUR
3+68.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXBN42N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.50 EUR
10+42.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXBN42N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
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IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+43.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXBN42N170AIXYSIGBT Transistors 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.86 EUR
10+67.97 EUR
30+65.12 EUR
100+59.01 EUR
500+55.67 EUR
1000+55.56 EUR
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IXBN75N170IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Power dissipation: 625W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+114.07 EUR
10+112.21 EUR
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IXBN75N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
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IXBN75N170IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Power dissipation: 625W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+114.07 EUR
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IXBN75N170IXYSIGBT Modules 145Amps 1700V
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IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN75N170AIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 100A
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+67.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 100A
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+67.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBOD1-06IXYSIXBOD1-06 Thyristors - others
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IXBOD1-06IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spitzenimpulsstrom Ippm: -A
Sperrspannung Vrwm: -V
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06IXYSSidacs 1 Amps 600V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.46 EUR
10+21.56 EUR
20+21.40 EUR
50+20.42 EUR
100+18.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.81 EUR
10+17.82 EUR
25+16.89 EUR
50+15.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07IXYSSidacs 1 Amps 700V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-07IXYSIXBOD1-07 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.15 EUR
10+18.51 EUR
25+17.43 EUR
50+16.19 EUR
100+12.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.26 EUR
10+18.60 EUR
25+17.51 EUR
50+16.26 EUR
100+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08IXYSIXBOD1-08 Thyristors - others
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.23 EUR
5+14.49 EUR
500+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.41 EUR
10+21.51 EUR
100+18.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-08IXYSSidacs 1 Amps 800V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
10+21.63 EUR
20+21.08 EUR
50+19.91 EUR
100+17.18 EUR
200+17.04 EUR
500+16.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09IXYSIXBOD1-09 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.66 EUR
10+21.72 EUR
100+18.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09IXYSSidacs 1 Amps 900V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-09LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10IXYSSidacs 1 Amps 1000V
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
10+21.67 EUR
20+21.08 EUR
50+19.91 EUR
100+19.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.26 EUR
10+18.58 EUR
25+17.51 EUR
50+16.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10IXYSIXBOD1-10 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-10LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.53 EUR
10+19.17 EUR
25+17.97 EUR
50+17.10 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RIXYSIXBOD1-12R Thyristors - others
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RIXYSSidacs 1 Amps 1200V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+112.64 EUR
10+104.14 EUR
60+97.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RDIXYSSidacs 1 Amps 1200V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.49 EUR
10+119.15 EUR
20+117.74 EUR
60+113.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RDIXYSIXBOD1-12RD Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBOD1-12RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V
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IXBOD1-24RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2400V
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IXBOD1-25RIXYSSidacs 1 Amps 2500V
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IXBOD1-25RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2500V
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20+134.85 EUR
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IXBOD1-26RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V
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auf Bestellung 10 Stücke:
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auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+117.89 EUR
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auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.82 EUR
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IXBOD1-28RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
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IXBOD1-28RIXYSSidacs 1 Amps 2800V
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IXBOD1-28RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
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IXBOD1-30RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
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auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.51 EUR
10+115.03 EUR
20+114.91 EUR
60+113.63 EUR
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IXBOD1-30RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
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IXBOD1-32RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
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auf Bestellung 5 Stücke:
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1+134.32 EUR
10+121.74 EUR
20+119.43 EUR
60+115.83 EUR
100+113.63 EUR
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IXBOD1-32RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
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IXBOD1-34RIXYSIXBOD1-34R Thyristors - others
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IXBOD1-34RIXYSSidacs 1 Amps 3400V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXBOD1-34RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
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IXBOD1-36RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
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IXBOD1-36RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Mounting: THT
Case: BOD
Kind of package: bulk
Max. load current: 0.7A
Breakover voltage: 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+116.29 EUR
20+114.39 EUR
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IXBOD1-36RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.6kV
Mounting: THT
Case: BOD
Kind of package: bulk
Max. load current: 0.7A
Breakover voltage: 3.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+116.29 EUR
20+114.39 EUR
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IXBOD1-36RIXYSSidacs 1 Amps 3600V
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IXBOD1-38RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Mounting: THT
Case: BOD
Kind of package: bulk
Max. load current: 0.7A
Breakover voltage: 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+116.00 EUR
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IXBOD1-38RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.7A; BOD; THT; bulk; 3.8kV
Mounting: THT
Case: BOD
Kind of package: bulk
Max. load current: 0.7A
Breakover voltage: 3.8kV
Type of thyristor: BOD x4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+116.00 EUR
20+114.11 EUR
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IXBOD1-38RIXYSSidacs 1 Amps 3800V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+145.52 EUR
10+136.38 EUR
20+131.63 EUR
60+129.82 EUR
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IXBOD1-38RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
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IXBOD1-40RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
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IXBOD1-40RIXYSIXBOD1-40R Thyristors - others
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IXBOD1-40RIXYSSidacs 1 Amps 4000V
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IXBOD1-42RIXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 4200V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 4200V (4.2kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 4
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IXBOD1-42RLittelfuseSCR 1.1A(RMS) 200A 2-Pin BOD
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IXBOD1-42RIXYSIXBOD1-42R Thyristors - others
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IXBOD1-42RIXYSSidacs 1 Amps 4200V
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IXBOD2-04IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
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IXBOD2-04IXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 400V
Supplier Device Package: FP-Case
Current - Hold (Ih): 20 mA
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IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-04IXYSIXBOD2-04 Thyristors - others
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IXBOD2-05IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-05IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-06IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-06LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-06IXYSIXBOD2-06 Thyristors - others
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IXBOD2-06IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-07IXYSIXBOD2-07 Thyristors - others
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IXBOD2-07IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-07IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-07LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-08IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-08IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-08IXYSIXBOD2-08 Thyristors - others
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IXBOD2-09IXYSIXBOD2-09 Thyristors - others
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IXBOD2-09LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-09IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-09IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
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IXBOD2-10LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-10IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-10IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 1195-1199 Tag (e)
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20+24.53 EUR
50+23.16 EUR
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200+21.12 EUR
500+19.76 EUR
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IXBOD2-10IXYSIXBOD2-10 Thyristors - others
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IXBOD2-11IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-11IXYSIXBOD2-11 Thyristors - others
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IXBOD2-11LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-11IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-12IXYSIXBOD2-12 Thyristors - others
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IXBOD2-12IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-12IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-13IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-13IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-13IXYSIXBOD2-13 Thyristors - others
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IXBOD2-14IXYSIXBOD2-14 Thyristors - others
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IXBOD2-14LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-14IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXBOD2-15RIXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-15RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-15RIXYSIXBOD2-15R Thyristors - others
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IXBOD2-17RIXYSDiscrete Semiconductor Modules PWR DISC FP-CASE OILPR
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IXBOD2-17RIXYSDescription: POWER DIODE DISC-OTHERS FP-CASE
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
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IXBOD2-32RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
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IXBOD2-36RDIXYSDescription: POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD
Packaging: Tube
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - On State: 1.3 V
Supplier Device Package: FP-Case
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IXBOD2-50RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-50RIXYSIXBOD2-50R Thyristors - others
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IXBOD2-50RIXYSSidacs Breakover Diodes
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IXBOD2-56RIXYSIXBOD2-56R Thyristors - others
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IXBOD2-56RIXYSSidacs Breakover Diodes
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IXBOD2-56RIXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
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IXBP5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
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IXBP5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXBP5N160G
Produktcode: 194939
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IXBP5N160GIXYSIGBTs 5 Amps 1600V
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IXBR42N170IXYSIGBT Transistors 57Amps 1700V
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IXBR42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
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IXBR42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXBT10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
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IXBT10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO268
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT10N170IXYSIXBT10N170 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.21 EUR
7+10.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXBT12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT12N300IXYSIGBTs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160W 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT12N300HVIXYSIXBT12N300HV SMD IGBT transistors
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IXBT12N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.77 EUR
10+50.41 EUR
30+50.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT12N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.48 EUR
30+41.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT14N300HVLittelfuseIXBA14N300HV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT14N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.10 EUR
30+52.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT14N300HVIXYSIGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.91 EUR
10+66.51 EUR
30+56.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.94 EUR
10+25.64 EUR
30+24.11 EUR
60+23.18 EUR
120+22.33 EUR
270+21.28 EUR
510+20.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.86 EUR
30+15.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVLittelfuseTrans IGBTChip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.86 EUR
30+15.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT16N170AHVIxys CorporationIXBT16N170AHV
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.02 EUR
10+25.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N300HVIXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBT20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-268HV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N360HV
Produktcode: 129397
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
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IXBT22N300HVIXYSIGBT Transistors
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IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.49 EUR
10+29.07 EUR
30+28.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXBT24N170IXYSIGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
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IXBT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A 250W TO268
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IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.49 EUR
10+29.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXBT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.99 EUR
10+32.38 EUR
30+28.92 EUR
60+28.09 EUR
120+27.19 EUR
510+24.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.23 EUR
30+24.97 EUR
120+23.10 EUR
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IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT2N250IXYSIXBT2N250 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.17 EUR
4+21.24 EUR
30+20.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT2N250-TRLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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IXBT2N250-TRIXYSMOSFET IXBT2N250 TR
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IXBT2N250-TRIXYSDescription: IGBT 2500V 5A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 10.6 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
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IXBT32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
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IXBT32N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
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IXBT32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBT32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
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IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBT42N170IXYSIXBT42N170 SMD IGBT transistors
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IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
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IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT42N170
Produktcode: 37260
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBT42N170IXYSIGBTs BIMOSFET 1700V 75A
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 255-259 Tag (e)
1+44.90 EUR
10+33.18 EUR
30+33.00 EUR
60+29.36 EUR
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IXBT42N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBT42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-268 (D3PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBT42N170-TRLIXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/340ns
Test Condition: 850V, 42A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
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IXBT42N170-TRLIXYSMOSFET IXBT42N170 TRL
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IXBT42N170-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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IXBT42N170AIXYSIXBT42N170A SMD IGBT transistors
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IXBT42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A 357W TO268
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IXBT42N300HVIXYSIGBTs TO268 3KV 42A IGBT
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.71 EUR
10+83.67 EUR
30+70.10 EUR
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IXBT42N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 104A 500000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
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IXBT42N300HVIXYSIXBT42N300HV SMD IGBT transistors
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IXBT42N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 104A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.34 EUR
30+67.79 EUR
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IXBT6N170IXYSIXBT6N170 SMD IGBT transistors
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IXBT6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.41 EUR
10+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXBT6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.70 EUR
10+12.92 EUR
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IXBT6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXBX25N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.41 EUR
10+74.08 EUR
30+70.98 EUR
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IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXBX25N250IXYSIXBX25N250 THT IGBT transistors
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IXBX25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.85 EUR
10+69.82 EUR
100+60.63 EUR
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IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV
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IXBX50N360HVIXYSIXBX50N360HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+112.34 EUR
30+86.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX50N360HVIXYSIGBT Transistors 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.58 EUR
10+107.78 EUR
30+98.21 EUR
60+98.10 EUR
120+91.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX55N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+173.84 EUR
10+158.72 EUR
30+144.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 156A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/232ns
Test Condition: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 156 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 735 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX64N250IXYSGate Drivers 2500V 64A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.59 EUR
30+56.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBX75N170IXYSIGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 200A
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 465-469 Tag (e)
1+116.60 EUR
10+109.52 EUR
30+105.99 EUR
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IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
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IXBX75N170IXYSIXBX75N170 THT IGBT transistors
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IXBX75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX75N170AIXYSIXBX75N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBX75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH