Produkte > IXB

Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXB027WJW1Q
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB027WJZZQ
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB033WJZZQ
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB078WJZZQ
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB119WJZZQPANAQFP
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB144WJZZQSHARPQFP
auf Bestellung 21106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB200I600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB246WJZZQ
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB249WJZZQ
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB251WJZZQ
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB326SHARPQFP
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB611P1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8DIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB611S1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 470 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB80IF600NAIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
IGBT Type: NPT, PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Input Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXB80IF600NAIXYSIGBTs XPT Single IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA10N300HVIXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA14N300HVIXYSIGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA14N300HVIXYSDescription: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.51 EUR
50+46.04 EUR
100+45.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA16N170AHVIXYSMOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBA16N170AHVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.66 EUR
10+53.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4410IXYSDIP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4410PCIXYS COR..DIP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4410PIDIXYS1995 DIP
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4410PIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4410SIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4411IXYSDIP
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4411PIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4411PIIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4411SIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBD4412PI96/97
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF 40N140/160IXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF10N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/390ns
Switching Energy: 7.2mJ (on), 1.04mJ (off)
Test Condition: 1500V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 240 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF10N300CIXYSMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF14N250IXYSGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF14N250IXYSDescription: IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF14N250IXYS Integrated CircuitsGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF15N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF15N300CIXYSMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF1958LittelfuseLittelfuse Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBF20N360 - IGBT, 45 A, 2.9 V, 230 W, 3.6 kV, ISOPLUS i4-PAK, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: -
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360IXYSDescription: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.19 EUR
25+99.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N360IXYSIGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.62 EUR
10+114.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF32N300IXYSIGBT Transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF32N300IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1600V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.85 EUR
10+52.41 EUR
25+50.04 EUR
100+44.76 EUR
500+42.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300IXYSDescription: IGBT 3000V TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF42N300IXYSMOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF50N360IXYSIGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF50N360IXYSDescription: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF55N300IXYSIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.05 EUR
10+12.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V 1600V 9A
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH 40N140/160IXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 63ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.91 EUR
10+11.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170IXYSIGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.99 EUR
10+13.4 EUR
120+11.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.76 EUR
30+13.65 EUR
120+11.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HV
Produktcode: 161629
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 180 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 180W
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 88A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 805ns
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+121.61 EUR
3+107.36 EUR
10+96.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.29 EUR
30+58.26 EUR
120+56.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+77.56 EUR
5+66.97 EUR
10+57.19 EUR
25+52.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300IXYSIGBTs TO247 3KV 12A IGBT
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.62 EUR
10+66.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH12N300BIMOSFET IGBT 3000V, Ic25=30A, Ic90=12A, 300Вт, TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N250IXYS Integrated CircuitsGate Drivers 2500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N250IXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N250AIXYS Integrated CircuitsGate Drivers 14 Amps 2500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N250AIXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N300HVIXYSIGBTs TO247 3KV 14A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH14N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Mounting: THT
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170IXYSIGBTs 1700V 25A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.33 EUR
10+28.63 EUR
120+23.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.27 EUR
30+20.1 EUR
120+17.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-off time: 940ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 220ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.74 EUR
5+21.57 EUR
10+19.91 EUR
30+17.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170IGBT 1700V 40A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 150W
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170AIXYSIGBTs 1700V 16A
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.1 EUR
10+25.61 EUR
120+25.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.3 EUR
30+26.08 EUR
120+22.76 EUR
510+22.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+157.26 EUR
5+139.21 EUR
10+122.18 EUR
50+115.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSIGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+164.99 EUR
10+135.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 130A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5  [ Nächste Seite >> ]