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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
IXB027WJW1Q
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IXB027WJZZQ
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IXB033WJZZQ
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IXB078WJZZQ
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IXB119WJZZQPANAQFP
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IXB144WJZZQSHARPQFP
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IXB144WJZZQPANAQFP
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IXB200I600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
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IXB246WJZZQ
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IXB249WJZZQ
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IXB251WJZZQ
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IXB326SHARPQFP
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IXB611P1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8DIP
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IXB611S1IXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
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IXB611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-SOIC
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IXB80IF600NAIXYSIGBT Transistors XPT Single IGBT
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IXB80IF600NAIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 80A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT, PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
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IXBA10N300HVIXYSIGBT Transistors
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IXBA14N300HVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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IXBA14N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
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IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXBA14N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXBA16N170AHVIXYSMOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
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IXBA16N170AHVLittelfuseHigh Voltage, High Gain BIMOSFET
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IXBA16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+26.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBA16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBA16N170AHVIXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 25 Stücke:
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1+71.58 EUR
10+ 66.01 EUR
IXBD4410IXYSDIP
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IXBD4410PCIXYS COR..DIP
auf Bestellung 70 Stücke:
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IXBD4410PIDIXYS1995 DIP
auf Bestellung 1208 Stücke:
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IXBD4410PIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBD4410PIIXYSDIP16
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBD4410SIIXYSDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBD4411IXYSDIP
auf Bestellung 695 Stücke:
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IXBD4411PIIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBD4411PIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBD4411SIIXYSDescription: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBD4412PI96/97
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBF 40N140/160IXYSLittelfuse
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IXBF10N300CIXYSMOSFET
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IXBF10N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/390ns
Switching Energy: 7.2mJ (on), 1.04mJ (off)
Test Condition: 1500V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 240 W
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IXBF12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBF14N250IXYSDescription: IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXBF14N250IXYSGate Drivers 28 Amps 2500V 4.0 V Rds
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IXBF15N300CIXYSMOSFET
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IXBF15N300CIXYSDescription: IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
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IXBF1958LittelfuseLittelfuse Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
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IXBF20N300IXYSIXBF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+82.08 EUR
2+ 67.71 EUR
IXBF20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4
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IXBF20N300IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+150.96 EUR
10+ 141.8 EUR
25+ 137.23 EUR
100+ 129.06 EUR
IXBF20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
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IXBF20N360IXYSIGBT Transistors 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+156.16 EUR
10+ 146.69 EUR
25+ 141.93 EUR
IXBF20N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 45A 230000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
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IXBF20N360LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBF20N360 - IGBT, 45 A, 2.9 V, 230 W, 3.6 kV, ISOPLUS i4-PAK, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: -
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXBF20N360IXYSIXBF20N360 THT IGBT transistors
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IXBF20N360IXYSDescription: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+146.61 EUR
10+ 137.74 EUR
IXBF22N300LittelfuseBipolar MOS Transistor
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IXBF32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
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IXBF32N300IXYSIGBT Transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBF40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBF40N160IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1600V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+70.56 EUR
10+ 65.05 EUR
25+ 62.11 EUR
100+ 55.56 EUR
500+ 52.16 EUR
IXBF40N160IXYSIXBF40N160 THT IGBT transistors
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IXBF42N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 60A 240000mW ISOPLUS I4-Pak
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IXBF42N300IXYSDescription: IGBT 3000V TO247
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IXBF42N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+73.95 EUR
IXBF42N300IXYSMOSFET IGBT DISC IGBT
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IXBF42N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+73.95 EUR
25+ 72.82 EUR
IXBF50N360IXYSDescription: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBF50N360IXYSIGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBF55N300IXYSIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
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IXBF9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V 1600V 9A
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBF9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.45 EUR
10+ 15.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBH 40N140/160IXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH10N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+30.52 EUR
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.47 EUR
7+ 10.72 EUR
8+ 10.15 EUR
30+ 9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXBH10N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.47 EUR
7+ 10.72 EUR
8+ 10.15 EUR
30+ 9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXBH10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.82 EUR
10+ 25.04 EUR
30+ 22.52 EUR
120+ 21.19 EUR
270+ 20.93 EUR
510+ 19.19 EUR
1020+ 17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBH10N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+81.74 EUR
30+ 79.88 EUR
IXBH10N300HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+81.74 EUR
30+ 79.88 EUR
IXBH10N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+169.16 EUR
10+ 153.3 EUR
30+ 148.02 EUR
60+ 142.71 EUR
120+ 137.31 EUR
270+ 136.08 EUR
IXBH10N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH10N300HV
Produktcode: 161629		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH12N300 - TRANSISTOR, IGBT, 3KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BIMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A 160W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+79.98 EUR
30+ 66.31 EUR
120+ 62.16 EUR
IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 160W
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IXBH12N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH12N300IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+80.52 EUR
10+ 71.55 EUR
30+ 66.77 EUR
60+ 64.69 EUR
120+ 62.61 EUR
270+ 60.09 EUR
IXBH14N250IXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
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IXBH14N250IXYSGate Drivers 2500V
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IXBH14N250AIXYSGate Drivers 14 Amps 2500V
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IXBH14N250AIXYSDescription: IGBT 2500V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
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IXBH14N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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IXBH14N300HVIXYSIGBT Transistors DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO
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IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO247-3
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IXBH16N170IXYSIGBT Transistors 1700V 25A
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IXBH16N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
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IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
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IXBH16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 40A
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
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IXBH16N170AIXYSIGBT Transistors 1700V 16A
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+42.2 EUR
10+ 37.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBH16N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 40A
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
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IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
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IXBH20N300IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+105.2 EUR
10+ 93.76 EUR
30+ 88.17 EUR
60+ 85.2 EUR
120+ 82.26 EUR
270+ 79.33 EUR
510+ 76.73 EUR
IXBH20N300IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH20N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH20N360HVIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+264.11 EUR
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH20N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+252.15 EUR
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
IXBH24N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+ 35.75 EUR
30+ 25.95 EUR
IXBH24N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+66.2 EUR
30+ 54.87 EUR
120+ 51.44 EUR
IXBH24N170IXYSIGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 60A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+66.64 EUR
10+ 59.23 EUR
30+ 55.25 EUR
60+ 53.51 EUR
120+ 51.79 EUR
270+ 48.98 EUR
510+ 44.46 EUR
IXBH24N170(Transistor )
Produktcode: 43528		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH28N170AIXYSIGBT Transistors 30Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH28N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/265ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A 32W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+160.63 EUR
10+ 145.56 EUR
100+ 130.5 EUR
IXBH2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH2N250
Produktcode: 131686		Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+157.48 EUR
10+ 145.78 EUR
30+ 143.05 EUR
60+ 140.3 EUR
120+ 134.84 EUR
IXBH32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+236.96 EUR
10+ 224.74 EUR
IXBH32N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 80A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH32N300IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+232.31 EUR
10+ 212.11 EUR
30+ 202.36 EUR
60+ 197.86 EUR
120+ 192.92 EUR
IXBH32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH32N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247HV
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH40N160IXYSDescription: IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH40N160IXYSIGBT Transistors 1600V 33A
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH40N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 33A 350mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBH42N170IXYSIGBT Transistors 1700V 75A
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+68.82 EUR
10+ 64.56 EUR
30+ 56.84 EUR
60+ 56.37 EUR
120+ 54.55 EUR
510+ 45.89 EUR
IXBH42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH42N170
Produktcode: 40513		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBH42N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBH42N170 - IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BIMOSFET
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBH42N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.26 EUR
30+ 26.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBH42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH42N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.06 EUR
10+ 27.58 EUR
30+ 26.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBH42N170AIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.06 EUR
10+ 27.58 EUR
30+ 26.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBH42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+70.33 EUR
30+ 58.29 EUR
120+ 54.65 EUR
IXBH42N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH42N170AIXYSIGBT Transistors BIMOSET 42A 1700V
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 294-308 Tag (e)
1+70.82 EUR
10+ 65.78 EUR
30+ 58.71 EUR
60+ 57.02 EUR
120+ 55.07 EUR
270+ 53.79 EUR
510+ 50.02 EUR
IXBH42N250IXYSDescription: BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+90.17 EUR
10+ 80.34 EUR
100+ 70.52 EUR
IXBH42N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXBH42N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+88.37 EUR
10+ 78.75 EUR
30+ 74.07 EUR
60+ 72.57 EUR
IXBH42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
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IXBH42N300HVIXYSDescription: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-247AD
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH5N160GIXYSIGBT Transistors 5 Amps 1600V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH6N170IXYSIGBT Transistors 12 Amps 1700V 3.6 Rds
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.13 EUR
10+ 24.1 EUR
30+ 21.87 EUR
120+ 20.1 EUR
270+ 19.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 17nC
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+27.95 EUR
30+ 22.31 EUR
120+ 19.96 EUR
510+ 17.61 EUR
IXBH6N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 17nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH6N170
Produktcode: 83906		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH9N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH9N160G
Produktcode: 60732		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH9N160GIXYSIGBT Transistors 9 Amps 1600V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBH9N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 9A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK55N300LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 130A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK55N300IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBK55N300IXYSIXBK55N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+125.74 EUR
25+ 125.55 EUR
IXBK64N250IXYSIGBT Transistors BIMOSFET 2500V 75A
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+356.51 EUR
10+ 333.89 EUR
25+ 327.89 EUR
250+ 327.03 EUR
IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK64N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK64N250IXYSDescription: BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+354.04 EUR
IXBK64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK75N170LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBK75N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 200A, TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 1.04
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6
Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BiMOSFET Series
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A 1040W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+156.86 EUR
10+ 147.36 EUR
100+ 132.14 EUR
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK75N170IXYSIGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 200A
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+173.55 EUR
10+ 163.02 EUR
25+ 157.77 EUR
100+ 143.86 EUR
IXBK75N170IXYSIXBK75N170 THT IGBT transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.59 EUR
IXBK75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBK75N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 110A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL20N300CIXYSDescription: IGBT 3000V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL20N300CLittelfuseMonolithic Bipolar MOS Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL60N360IXYSDescription: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL60N360LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 92A 417000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL60N360IXYSIGBT Transistors 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL64N250IXYSIGBT Transistors MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL64N250IXYSDescription: IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Gate Charge: 400 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBL64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 116A 500mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I5-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN42N170AIXYSIGBT Transistors 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+107.64 EUR
10+ 100.41 EUR
30+ 96.2 EUR
100+ 87.18 EUR
500+ 82.24 EUR
1000+ 82.08 EUR
IXBN42N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN42N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.5 EUR
10+ 42.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBN42N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+43.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170IXYSIGBT Modules 145Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170IXYSDescription: IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.93 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170IXYSIXBN75N170 IGBT modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+114.14 EUR
IXBN75N170AIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1700V 6.00 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170AIXYSDescription: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+67.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBN75N170AIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+67.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBN75N170ALittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBOD1-06IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBOD1-06IXYSIXBOD1-06 Thyristors - others
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IXBOD1-06LittelfuseSCR 1.4A(RMS) 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBOD1-06IXYSSidacs 1 Amps 600V
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35.39 EUR
10+ 31.17 EUR
20+ 30.32 EUR
50+ 28.65 EUR
100+ 27.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBOD1-06IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXBOD1-06 - TVS-Thyristor, 2 Pin(s), FP-Case, Breakover-Diode, 600 V, 1 Schaltkreis(e)
tariffCode: 85411000
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Schwellenspannung, max.: 600V
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spitzenimpulsstrom Ippm: -A
Sperrspannung Vrwm: -V
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBOD1-07LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
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IXBOD1-07IXYSSidacs 1 Amps 700V
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IXBOD1-07IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP
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IXBOD1-07IXYSIXBOD1-07 Thyristors - others
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IXBOD1-08IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 800V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 800V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+36.06 EUR
10+ 31.77 EUR
100+ 27.48 EUR
IXBOD1-08IXYSIXBOD1-08 Thyristors - others
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.31 EUR
5+ 14.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXBOD1-08LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBOD1-08IXYSSidacs 1 Amps 800V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.3 EUR
10+ 31.98 EUR
20+ 31.12 EUR
50+ 29.38 EUR
100+ 27.66 EUR
200+ 26.78 EUR
500+ 25.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBOD1-09LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
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IXBOD1-09IXYSSidacs 1 Amps 900V
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IXBOD1-09IXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 900V FP-CASE
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 900V
Supplier Device Package: FP-Case
Number of Circuits: 1
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IXBOD1-09IXYSIXBOD1-09 Thyristors - others
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IXBOD1-10IXYSSidacs 1 Amps 1000V
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+37.08 EUR
10+ 32.66 EUR
100+ 29.69 EUR
500+ 29.12 EUR
1000+ 27.59 EUR
2000+ 25.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBOD1-10IXYSDescription: IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBOD1-10IXYSIXBOD1-10 Thyristors - others
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IXBOD1-10LittelfuseThyristor SCR 200A 2-Pin Case FP
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IXBOD1-12RIXYSIXBOD1-12R Thyristors - others
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.24 EUR
20+ 87.09 EUR
IXBOD1-12RIXYSSidacs 1 Amps 1200V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+166.37 EUR
10+ 150.77 EUR
20+ 146.9 EUR
IXBOD1-12RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V
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IXBOD1-12RDIXYSSidacs 1 Amps 1200V
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+194.25 EUR
10+ 176.02 EUR
20+ 169.96 EUR
60+ 167.86 EUR
IXBOD1-12RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V
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IXBOD1-12RDIXYSIXBOD1-12RD Thyristors - others
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IXBOD1-13RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1300V
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IXBOD1-13RIXYSIXBOD1-13R Thyristors - others
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+88.99 EUR
IXBOD1-13RIXYSSidacs 1 Amps 1300V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-13RDIXYSSidacs 1 Amps 1300V
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IXBOD1-13RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1300V
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IXBOD1-13RDIXYSIXBOD1-13RD Thyristors - others
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IXBOD1-14RIXYSSidacs 1 Amps 1400V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-14RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
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IXBOD1-14RIXYSIXBOD1-14R Thyristors - others
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IXBOD1-14RDIXYSIXBOD1-14RD Thyristors - others
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IXBOD1-14RDIXYSSidacs 1 Amps 1400V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-14RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
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IXBOD1-15RIXYSSidacs 1 Amps 1500V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-15RLittelfuseSCR 2A(RMS) 200A 2-Pin BOD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBOD1-15RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1500V
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IXBOD1-15RIXYSIXBOD1-15R Thyristors - others
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IXBOD1-15RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1500V
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IXBOD1-15RDIXYSIXBOD1-15RD Thyristors - others
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IXBOD1-15RDIXYSSidacs 1 Amps 1500V
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IXBOD1-16RIXYSSidacs 1 Amps 1600V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+166.4 EUR
10+ 149.73 EUR
IXBOD1-16RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1600V
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IXBOD1-16RIXYSIXBOD1-16R Thyristors - others
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IXBOD1-16RDLittelfuseSCR 0.3A(RMS) 50A 2-Pin BOD
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IXBOD1-16RDIXYSSidacs 1 Amps 1600V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+194.3 EUR
10+ 182.13 EUR
IXBOD1-16RDIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.6kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Case: BOD
Breakover voltage: 1.6kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Max. load current: 0.2A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+102.62 EUR
IXBOD1-16RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1600V
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IXBOD1-16RDIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.6kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Case: BOD
Breakover voltage: 1.6kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Max. load current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+102.62 EUR
IXBOD1-17RIXYSSidacs 1 Amps 1700V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-17RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1700V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBOD1-17RIXYSIXBOD1-17R Thyristors - others
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IXBOD1-17RDIXYSSidacs 1 Amps 1700V
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IXBOD1-17RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1700V
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IXBOD1-17RDIXYSIXBOD1-17RD Thyristors - others
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IXBOD1-18RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1800V
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IXBOD1-18RIXYSIXBOD1-18R Thyristors - others
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+87.24 EUR
IXBOD1-18RIXYSSidacs 1 Amps 1800V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-18RDIXYSSidacs 1 Amps 1800V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-18RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBOD1-18RDIXYSIXBOD1-18RD Thyristors - others
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IXBOD1-19RIXYSSidacs 1 Amps 1900V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-19RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
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IXBOD1-19RIXYSIXBOD1-19R Thyristors - others
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IXBOD1-19RDIXYSSidacs 1 Amps 1900V
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IXBOD1-19RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1900V
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IXBOD1-19RDIXYSIXBOD1-19RD Thyristors - others
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IXBOD1-20RIXYSSidacs 1 Amps 2000V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-20RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2000V
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IXBOD1-20RIXYSIXBOD1-20R Thyristors - others
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IXBOD1-20RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2000V
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IXBOD1-20RDIXYSIXBOD1-20RD Thyristors - others
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IXBOD1-20RDIXYSSidacs 1 Amps 2000V
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IXBOD1-21RIXYSSidacs 1 Amps 2100V
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IXBOD1-21RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
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IXBOD1-21RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2.1kV
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 2.1kV
Type of thyristor: BOD x3
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+57.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBOD1-21RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2.1kV
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 2.1kV
Type of thyristor: BOD x3
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+57.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBOD1-21RDIXYSSidacs 1 Amps 2100V
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IXBOD1-21RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2100V
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IXBOD1-21RDIXYSIXBOD1-21RD Thyristors - others
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IXBOD1-22RIXYSSidacs 1 Amps 2200V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+206.05 EUR
10+ 195.75 EUR
20+ 177.92 EUR
100+ 168.04 EUR
260+ 166.27 EUR
IXBOD1-22RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
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IXBOD1-22RIXYSIXBOD1-22R Thyristors - others
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IXBOD1-22RDIXYSSidacs 1 Amps 2200V
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IXBOD1-22RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2200V
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IXBOD1-22RDIXYSIXBOD1-22RD Thyristors - others
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IXBOD1-23RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2300V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBOD1-23RIXYSIXBOD1-23R Thyristors - others
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IXBOD1-23RIXYSSidacs 1 Amps 2300V
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IXBOD1-23RDIXYSSidacs 1 Amps 2300V
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IXBOD1-23RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2300V
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IXBOD1-23RDIXYSIXBOD1-23RD Thyristors - others
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IXBOD1-24RIXYSSidacs 1 Amps 2400V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+206.05 EUR
10+ 195.75 EUR
20+ 190.58 EUR
IXBOD1-24RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2400V
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IXBOD1-24RIXYSIXBOD1-24R Thyristors - others
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IXBOD1-24RDIXYSSidacs 1 Amps 2400V
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IXBOD1-24RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2400V
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IXBOD1-24RDIXYSIXBOD1-24RD Thyristors - others
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IXBOD1-25RIXYSSidacs 1 Amps 2500V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-25RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2500V
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IXBOD1-25RIXYSIXBOD1-25R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-25RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2500V
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IXBOD1-25RDIXYSIXBOD1-25RD Thyristors - others
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IXBOD1-25RDIXYSSidacs 1 Amps 2500V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+228.05 EUR
10+ 211.69 EUR
20+ 199.21 EUR
100+ 196.2 EUR
IXBOD1-26RIXYSSidacs 1 Amps 2600V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-26RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V
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IXBOD1-26RIXYSIXBOD1-26R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-26RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2600V
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IXBOD1-26RDIXYSIXBOD1-26RD Thyristors - others
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+117.49 EUR
IXBOD1-26RDIXYSSidacs 1 Amps 2600V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-28RIXYSSidacs 1 Amps 2800V
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IXBOD1-28RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
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IXBOD1-28RIXYSIXBOD1-28R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-28RDIXYSSidacs 1 Amps 2800V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-28RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
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IXBOD1-28RDIXYSIXBOD1-28RD Thyristors - others
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IXBOD1-30RIXYSIXBOD1-30R Thyristors - others
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IXBOD1-30RIXYSSidacs 1 Amps 3000V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-30RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
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IXBOD1-30RDIXYSSidacs 1 Amps 3000V
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IXBOD1-30RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
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IXBOD1-30RDIXYSIXBOD1-30RD Thyristors - others
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IXBOD1-32RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
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IXBOD1-32RIXYSIXBOD1-32R Thyristors - others
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IXBOD1-32RIXYSSidacs 1 Amps 3200V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+194.27 EUR
10+ 185.72 EUR
IXBOD1-32RDIXYSSidacs 1 Amps 3200V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-32RDIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
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IXBOD1-32RDIXYSIXBOD1-32RD Thyristors - others
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IXBOD1-34RIXYSSidacs 1 Amps 3400V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD1-34RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
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IXBOD1-34RIXYSIXBOD1-34R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-36RIXYSIXBOD1-36R Thyristors - others
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IXBOD1-36RIXYSSidacs 1 Amps 3600V
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IXBOD1-36RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
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IXBOD1-38RIXYSSidacs 1 Amps 3800V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+214.99 EUR
10+ 191.78 EUR
IXBOD1-38RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-38RIXYSIXBOD1-38R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-40RIXYSDescription: IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-40RIXYSIXBOD1-40R Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD1-40RIXYSSidacs 1 Amps 4000V
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IXBOD1-42RIXYSSidacs 1 Amps 4200V
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IXBOD1-42RLittelfuseSCR 1.1A(RMS) 200A 2-Pin BOD
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IXBOD1-42RIXYSDescription: TVS DEVICE MIXED 4200V BOD
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Applications: High Voltage
Technology: Mixed Technology
Voltage - Clamping: 4200V (4.2kV)
Supplier Device Package: BOD
Number of Circuits: 4
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IXBOD1-42RIXYSIXBOD1-42R Thyristors - others
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IXBOD2-04IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
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IXBOD2-04LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-04IXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
Packaging: Box
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 400V
Supplier Device Package: FP-Case
Current - Hold (Ih): 20 mA
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IXBOD2-04IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 400V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-04IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 400V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-05IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-05IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-05IXYSIXBOD2-05 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-06IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-06IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-06IXYSIXBOD2-06 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-06LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-07IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-07IXYSIXBOD2-07 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-07LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-07IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-08IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-08IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-08IXYSIXBOD2-08 Thyristors - others
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-09IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-09IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
IXBOD2-09IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 900V
Kind of package: bulk
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 900V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBOD2-09IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 900V
Kind of package: bulk
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 900V
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
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IXBOD2-09LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-10LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-10IXYSThyristor Surge Protection Devices - TSPD Breakover Diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 1199-1213 Tag (e)
2+42.28 EUR
10+ 37.26 EUR
20+ 36.24 EUR
50+ 34.22 EUR
100+ 32.21 EUR
200+ 31.2 EUR
500+ 29.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBOD2-10IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-10IXYSIXBOD2-10 Thyristors - others
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IXBOD2-11LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-11IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-11IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-11IXYSIXBOD2-11 Thyristors - others
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IXBOD2-12IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-12IXYSIXBOD2-12 Thyristors - others
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IXBOD2-12IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-13IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-13IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.3kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.3kV
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IXBOD2-13IXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-13IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.3kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.3kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBOD2-14IXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXBOD2-14IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.4kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.4kV
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IXBOD2-14IXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; bulk; 2nd Gen; 1.4kV
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 1.4kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBOD2-14LittelfuseSCR Diode 1.4A(RMS) 2-Pin Case FP
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IXBOD2-15RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-15RIXYSDiodes - General Purpose, Power, Switching Breakover Diodes
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IXBOD2-15RIXYSIXBOD2-15R Thyristors - others
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IXBOD2-17RIXYSDiscrete Semiconductor Modules PWR DISC FP-CASE OILPR
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IXBOD2-17RIXYSDescription: POWER DIODE DISC-OTHERS FP-CASE
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IXBOD2-50RIXYSDescription: BREAKOVER DIODE
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IXBOD2-50RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBOD2-50RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5kV
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IXBOD2-50RIXYSSidacs Breakover Diodes
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IXBOD2-56RIXYSDescription: THYRISTOR RADIAL
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IXBOD2-56RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5.6kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBOD2-56RIXYSCategory: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x4; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2nd Gen; 5.6kV
Type of thyristor: BOD x4
Max. load current: 0.9A
Case: BOD
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 5.6kV
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IXBOD2-56RIXYSSidacs Breakover Diodes
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IXBP5N160GIXYSIGBT Transistors 5 Amps 1600V
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IXBP5N160G
Produktcode: 194939		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBP5N160GIXYSDescription: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Test Condition: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Power - Max: 68 W
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IXBP5N160GIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.6kV; 3.5A; 68W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Gate charge: 26nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 340ns
Turn-off time: 190ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.5A
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBP5N160GLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 5.7A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXBP5N160GIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.6kV; 3.5A; 68W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Gate charge: 26nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 340ns
Turn-off time: 190ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.5A
Collector-emitter voltage: 1.6kV
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IXBR42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
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IXBR42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXBR42N170IXYSIGBT Transistors 57Amps 1700V
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IXBT10N170IXYSIGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
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IXBT10N170IXYSIXBT10N170 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.21 EUR
7+ 10.7 EUR
30+ 10.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXBT10N170IXYSDescription: IGBT 1700V 20A 140W TO268
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IXBT12N300IXYSDescription: IGBT 3000V 30A 160W TO268
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IXBT12N300LittelfuseIGBT Transistors
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IXBT12N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 30A 160W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
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IXBT12N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+88.37 EUR
10+ 78.75 EUR
30+ 74.07 EUR
60+ 73.58 EUR
IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 160W
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IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT12N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 98A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 180ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXBT12N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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IXBT14N300HVLittelfuseIXBA14N300HV
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IXBT14N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 38A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
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IXBT14N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+113.31 EUR
10+ 106.39 EUR
30+ 94.95 EUR
60+ 92.59 EUR
120+ 88.61 EUR
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT16N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 16A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.86 EUR
30+ 15.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXBT16N170AIXYSIGBT Transistors 1700V 16A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.1 EUR
10+ 42.35 EUR
30+ 40.59 EUR
120+ 35.78 EUR
510+ 31.82 EUR
1020+ 30 EUR
2520+ 28.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.86 EUR
30+ 15.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXBT16N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT16N170AHVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXBT16N170AHVLittelfuseTrans IGBTChip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT16N170AHVIXYSDescription: IGBT
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXBT20N300IXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT20N300HVIXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT20N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 50A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT20N360HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT20N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 70A TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT20N360HV
Produktcode: 129397		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT22N300HVIXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 60A 250W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.49 EUR
10+ 29.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBT24N170IXYSIGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT24N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.49 EUR
10+ 29.07 EUR
30+ 28.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+58.32 EUR
10+ 53.79 EUR
30+ 51.35 EUR
120+ 45.92 EUR
IXBT2N250IXYSIXBT2N250 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.17 EUR
4+ 21.28 EUR
30+ 20.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT2N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5A 32W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+50.67 EUR
10+ 45.03 EUR
100+ 39.38 EUR
IXBT2N250-TRIXYSDescription: IXBT2N250 TR
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT2N250-TRIXYSMOSFET IXBT2N250 TR
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT2N250-TRLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT32N300IXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT32N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT32N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT32N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 80A 400W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT42N170IXYSDescription: IGBT 1700V 80A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 360 W
Produkt ist nicht verfügbar
IXBT42N170
Produktcode: 37260		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT42N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBT42N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXBT42N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT42N170IXYSIGBT Transistors BIMOSFET 1700V 75A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 294-308 Tag (e)
1+72.36 EUR
10+ 52.52 EUR
IXBT42N170-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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IXBT42N170-TRLIXYSMOSFET IXBT42N170 TRL
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IXBT42N170-TRLIXYSDescription: IXBT42N170 TRL
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IXBT42N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 42A 357W TO268
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IXBT42N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBT42N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXBT42N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+61.66 EUR
30+ 59.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBT42N300HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+61.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBT42N300HVIXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+129.69 EUR
10+ 117.88 EUR
30+ 113.96 EUR
60+ 110.03 EUR
120+ 106.11 EUR
270+ 102.15 EUR
510+ 101.17 EUR
IXBT42N300HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3000V 104A 500000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
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IXBT42N300HVIXYSDescription: IGBT 3000V 42A 357W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 500 W
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IXBT6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXBT6N170IXYSDescription: IGBT 1700V 12A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
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IXBT6N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 75W
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 36A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 104ns
Kind of package: tube
Case: D3PAK
Turn-off time: 700ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBT6N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 75W
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 36A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 104ns
Kind of package: tube
Case: D3PAK
Turn-off time: 700ns
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IXBT6N170IXYSIGBT Transistors 12 Amps 1700V 3.6 Rds
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.41 EUR
10+ 28.39 EUR
30+ 27.09 EUR
120+ 23.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXBX25N250IXYSDescription: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+110.58 EUR
10+ 103.15 EUR
100+ 89.56 EUR
IXBX25N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 694ns
Turn-off time: 650ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBX25N250IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 694ns
Turn-off time: 650ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXBX25N250IXYSIGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+117.31 EUR
10+ 109.43 EUR
30+ 104.86 EUR
IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXBX25N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXBX50N360HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV
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IXBX50N360HVIXYSDescription: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+168.77 EUR
10+ 152.96 EUR
100+ 137.13 EUR
IXBX50N360HVIXYSIXBX50N360HV THT IGBT transistors
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IXBX50N360HVIXYSIGBT Transistors 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+170.92 EUR
10+ 162.4 EUR
120+ 150.44 EUR
IXBX55N300IXYSDescription: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
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IXBX55N300IXYSIGBT Transistors Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+227.11 EUR
10+ 207.32 EUR
30+ 197.78 EUR
60+ 193.39 EUR
120+ 188.6 EUR
IXBX64N250IXYSGate Drivers 2500V 64A
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX64N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 156A 735000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX64N250IXYSDescription: IGBT 2500V
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IXBX75N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 350nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 580A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 277ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 840ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX75N170IXYSDescription: IGBT 1700V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+151.55 EUR
30+ 133.2 EUR
IXBX75N170IXYSIGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 200A
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 469-483 Tag (e)
1+172.25 EUR
10+ 161.8 EUR
30+ 156.57 EUR
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX75N170IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 350nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 580A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 277ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 840ns
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX75N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 200A 1040000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX75N170AIXYSIXBX75N170A THT IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.87 EUR
30+ 71.79 EUR
IXBX75N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
IXBX75N170AIXYSIGBT Transistors 65Amps 1700V
Produkt ist nicht verfügbar