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Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

auf Bestellung 524 Stücke:

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4+	0.77 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.40 EUR
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2000+	0.36 EUR
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WNS-0420-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

auf Bestellung 189 Stücke:

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2+	1.56 EUR
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500+	0.83 EUR
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WNS-632-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

auf Bestellung 1000 Stücke:

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500+	0.24 EUR
1000+	0.22 EUR
2000+	0.21 EUR
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WNS-832-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

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WNS14Q575-FC

auf Bestellung 325 Stücke:

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WNS20H100C

Dual power Schottky diode

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WNS20H100C

WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

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WNS20H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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WNS20H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

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WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 1129 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	1.24 EUR
79+	0.91 EUR
167+	0.43 EUR
176+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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WNS20H100CBJ

WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 4000 Stücke:

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WNS20H100CBJ

auf Bestellung 173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 302 Stücke:

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9+	2.11 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR

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WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 3960 Stücke:

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2+	1.62 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.77 EUR
800+	0.54 EUR
2400+	0.48 EUR
4800+	0.47 EUR

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WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 8628 Stücke:

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11+	1.64 EUR
50+	0.76 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
2000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 4655 Stücke:

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4+	0.94 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20H100CQ

WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	0.51 EUR
1600+	0.47 EUR
2400+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 6411 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.10 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.55 EUR
800+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CBJ

Dual Power Schottky Diode

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 3054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
15+	1.20 EUR
100+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CBJ

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CQ

Dual Power Schottky Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 5861 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
50+	0.75 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.45 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.8V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	0.87 EUR
124+	0.58 EUR
175+	0.41 EUR
185+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 4438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 3850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.17 EUR
10+	0.75 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.45 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CXQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; Ufmax: 0.95V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Max. forward voltage: 0.95V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CXQ

WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 5562 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.83 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.20 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	0.81 EUR
1600+	0.75 EUR
2400+	0.72 EUR
4000+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 5466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.40 EUR
100+	1.09 EUR
500+	1.00 EUR
800+	0.75 EUR
2400+	0.71 EUR
4800+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 7485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.25 EUR
10+	0.91 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 12652 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
50+	0.92 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS32702

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 3155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 14995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
12+	1.60 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.84 EUR
2000+	0.78 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40100CQ
Produktcode: 195265

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1.00 EUR
86+	0.84 EUR
106+	0.67 EUR
113+	0.64 EUR
500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 72

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WNS40H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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WNS40H100C

WeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

Produkt ist nicht verfügbar

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WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 4843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.54 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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WNS40H100CBJ
Produktcode: 203131

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

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WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.59 EUR
52+	1.38 EUR
96+	0.75 EUR
102+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	0.70 EUR
1600+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.16 EUR
1600+	1.07 EUR
2400+	1.02 EUR
4000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNS40H100CBJ

WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 7278 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.31 EUR
800+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

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WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CGQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; I2PAK; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: I2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 2107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.15 EUR
500+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 2846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
50+	1.49 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.10 EUR
1000+	1.02 EUR
2000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube

auf Bestellung 854 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.30 EUR
68+	1.06 EUR
85+	0.85 EUR
90+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010102

Software Data Center Expert Basic Administration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010103

Software Data Center Expert Advanced Administration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010104

Software Data Center Expert Alarm Threshold Configuration

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010105

Software Data Center Expert Alarm Action Configuration

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010106

Software Data Center Expert Alarm Profile Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010107

Software Data Center Expert Remote Management Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010108

Software Data Center Expert Network Management Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010109

Software Data Center Expert Building Management Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010110

Software Data Center Expert Surveillance Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010111

Software Data Center Device Identification

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010212

Data Center Operation Installation

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010401

Software Data Center Expert Post Configuration Review

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC0112

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.63 EUR
10+	3.26 EUR
100+	3.19 EUR
1000+	2.71 EUR
2000+	2.59 EUR
5000+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC04650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2862 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.59 EUR
10+	3.20 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.75 EUR
3000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC04650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC04650T6J

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.73 EUR
10+	3.35 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 414 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.75 EUR
10+	8.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC06650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC06650T6J

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.56 EUR
10+	3.78 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.18 EUR
3000+	2.02 EUR
6000+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC08

Software ITA Base Remote Software Installation

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.37 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.36 EUR
1000+	2.83 EUR
3000+	2.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 2876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.56 EUR
10+	5.01 EUR
100+	4.10 EUR
500+	3.49 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC09

Software ITA Base Onsite Software Installation

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

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WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

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WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.79 EUR
10+	10.60 EUR
100+	9.47 EUR
1000+	9.19 EUR

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WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

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WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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WNSC10650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.09 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.80 EUR
1000+	3.20 EUR
3000+	3.08 EUR

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WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC10650T6J

auf Bestellung 2620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 541 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC10650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.16 EUR
10+	4.63 EUR
100+	3.78 EUR
600+	3.22 EUR
1200+	2.71 EUR
5400+	2.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC12

Specialist Controllers Remote System Training

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

auf Bestellung 2998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.49 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.73 EUR
500+	3.32 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC12650T6J

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

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WNSC12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC12650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube

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WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.72 EUR
10+	6.02 EUR
100+	4.95 EUR
600+	4.21 EUR
1200+	3.56 EUR
3000+	3.41 EUR
5400+	3.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

auf Bestellung 1197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.76 EUR
10+	6.08 EUR
100+	4.98 EUR
500+	4.24 EUR
1000+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC13

Calibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC14

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

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WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.75 EUR
10+	7.85 EUR
100+	6.42 EUR
480+	5.72 EUR
1200+	5.21 EUR
2640+	5.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 20A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.22 EUR
10+	17.35 EUR
100+	17.16 EUR
480+	14.26 EUR
1200+	13.32 EUR
2640+	13.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 220A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 40A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1144 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.22 EUR
10+	17.35 EUR
100+	16.33 EUR
3000+	12.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC208006Q

WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D001200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D0212006Q

WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC2D021200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D021200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 2A

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC2D021200D6J

WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC2D03650MBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Technology: SiC
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 3A
Max. load current: 6A

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D03650MBJ

WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D04650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 4667 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.13 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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WNSC2D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.90 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.94 EUR
5000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 8A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650Q

WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 10523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.20 EUR
1000+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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WNSC2D04650TJ

Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R

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WNSC2D04650TJ

auf Bestellung 2984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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WNSC2D04650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 2746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.31 EUR
50+	1.59 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.03 EUR
2000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D0512006Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 5A
Max. load current: 10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D0512006Q

Silicon Carbide Diode

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D051200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D051200D6J

Silicon Carbide Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D051200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 5A
Max. load current: 10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 6997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.30 EUR
5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650TJ

auf Bestellung 2977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 2024 Stücke:

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4+	4.63 EUR
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WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D06650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC2D06650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 817 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

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WNSC2D06650XQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube

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WNSC2D08650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 7463 Stücke:

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4+	4.98 EUR
10+	3.23 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.67 EUR

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WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC2D08650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.47 EUR
50+	2.42 EUR
100+	2.20 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.70 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WNSC2D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.50 EUR
10+	2.85 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.78 EUR
2000+	1.72 EUR
5000+	1.53 EUR

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WNSC2D08650Q
Produktcode: 203152

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WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D08650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D08650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D08650TJ

auf Bestellung 2999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200BT26J

WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 472 Stücke:

Lieferzeit 66-70 Tag (e)

1+	4.73 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.13 EUR
480+	2.64 EUR
1200+	2.24 EUR
2640+	2.15 EUR
5040+	2.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. load current: 20A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200W-A6Q

Silicon Carbide Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.44 EUR
10+	6.27 EUR
100+	5.05 EUR
250+	4.79 EUR
600+	4.51 EUR
1200+	3.85 EUR
3000+	3.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200WQ

auf Bestellung 2317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.99 EUR
10+	5.57 EUR
100+	4.13 EUR
600+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.88V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 531 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650BJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 20A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650BJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 8768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.21 EUR
10+	4.06 EUR
100+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650BJ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 4746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.80 EUR
10+	3.56 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.53 EUR
800+	2.02 EUR
2400+	2.01 EUR
4800+	1.90 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	1.90 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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WNSC2D10650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R

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WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D10650DJ

auf Bestellung 2495 Stücke:

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WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 7097 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.88 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.02 EUR

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WNSC2D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2990 Stücke:

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1+	4.91 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.13 EUR
5000+	1.92 EUR

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WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.16 EUR
50+	2.81 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.30 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.20 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WNSC2D10650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D10650TJ

auf Bestellung 2780 Stücke:

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WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.86 EUR
30+	2.84 EUR
120+	2.37 EUR
510+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WNSC2D10650WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 862 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.18 EUR
1200+	2.04 EUR
3000+	2.02 EUR
5400+	2.01 EUR

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WNSC2D10650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2905 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC2D10650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.35 EUR
10+	4.40 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200BT26J

WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

auf Bestellung 4259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.64 EUR
30+	7.48 EUR
120+	6.51 EUR
510+	5.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.94 EUR
10+	8.54 EUR
100+	7.13 EUR
250+	6.95 EUR
600+	6.28 EUR
1200+	5.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 596 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D151200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 102A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.95V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 449 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.50 EUR
30+	4.49 EUR
120+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.27 EUR
10+	5.53 EUR
100+	4.40 EUR
250+	4.35 EUR
480+	3.94 EUR
960+	3.50 EUR
2880+	3.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D16650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 484 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
240+	4.21 EUR
1200+	3.20 EUR
2640+	3.03 EUR
5040+	2.97 EUR
10080+	2.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A x2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 16A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D2012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200BT26J

WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC2D201200W-A6Q

SiC Schottky Diodes Silicon Carbide Diode

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WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 2391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.33 EUR
10+	10.51 EUR
100+	7.79 EUR
600+	6.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 584 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.84 EUR
10+	7.43 EUR
100+	6.00 EUR
250+	5.67 EUR
480+	5.33 EUR
960+	4.26 EUR
2880+	3.27 EUR

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WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A

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WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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WNSC2D20650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.29 EUR
30+	5.00 EUR
120+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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WNSC2D20650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.83 EUR
10+	5.17 EUR
100+	4.38 EUR
240+	4.36 EUR
1200+	4.19 EUR
2640+	3.92 EUR
5040+	3.89 EUR

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WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200CW6Q

WNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 102A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D301200W6Q

Silicon Carbide Diode

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WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 2218 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.06 EUR
30+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D30650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.13 EUR
30+	7.03 EUR
120+	5.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200CWQ

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200W6Q

WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 350A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 40A
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 80A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D501200W6Q

WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D501200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 420A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 50A
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 100A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2D601200W6Q

WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M12120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 152.8A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 1071W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 19.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 321nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC2M12120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M150120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20.3A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 231W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M150120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M150120B76J

WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M150120R6Q

WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M150120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M150120W6Q

WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M150120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M150120W6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WNSC2M1K0170B7J

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M1K0170B7J

WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M1K0170JQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M1K0170WQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WNSC2M1K0170WQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

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WNSC2M20120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 109.2A; Idm: 300A; 789W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 109.2A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 789W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 27.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M20120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M20120B76J

WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M20120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M20120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M20120R6Q

WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M20120TB6J

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WNSC2M30120B76J

WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M30120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M30120R6Q

WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M30120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75.2A; Idm: 200A; 652W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 652W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M40120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M40120B76J

WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M40120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40120R6Q

WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M40120W6Q

WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40140R6Q

Schottky Diodes & Rectifiers N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M45065B76J

SiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M45065B76J

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M45065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M45065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M60120B76J

WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M60120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M60120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43.2A; Idm: 120A; 417W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43.2A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M60120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M60120W6Q

WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M75120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M75120B76J

WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M75120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M75120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38.1A; Idm: 100A; 366W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 366W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M75120W6Q

WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M75120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

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WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 104 Stücke:

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WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D046506Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 28A
Kind of package: tube
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V

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WNSC5D046506Q

WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D04650D6J

WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D04650D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 26A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V

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WNSC5D04650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D04650T6J

Silicon Carbide Diode

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WNSC5D066506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

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WNSC5D06650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D086506Q

WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D08650X6Q

WNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D106506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D10650D6J

WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC5D126506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D12650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D12650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D16650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

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WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D20650W6Q

WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D20650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube

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WNSC5D20650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 2.2V

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.00 EUR
27+	2.69 EUR
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WNSC5D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D208006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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WNSC5D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

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WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

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WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

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WNSC6D02650D-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D046506Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.55V

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WNSC6D04650Q

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WNSC6D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.92 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.50 EUR
5000+	1.36 EUR
10000+	1.34 EUR

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WNSC6D04650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 950 Stücke:

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WNSC6D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D06650D6J

WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3021 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC6D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 9011 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	2.41 EUR
100+	2.22 EUR
1000+	1.88 EUR
2000+	1.55 EUR

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WNSC6D06650Q

WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D06650Y6Q

WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D06650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 817 Stücke:

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100+	2.78 EUR
1000+	2.34 EUR
2000+	2.20 EUR
5000+	2.11 EUR
10000+	2.09 EUR

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WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC6D08650Q

WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D08650X6Q

WNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D10650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
50+	3.33 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 712 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC6D10650Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

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WNSC6D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.02 EUR
10+	3.34 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.55 EUR
2000+	2.52 EUR
5000+	2.32 EUR

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WNSC6D10650T6J

WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D10650T6J

Description: WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.03 EUR
50+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D166506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.27 EUR
1600+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 1865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.68 EUR
10+	5.77 EUR
100+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D16650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.32 EUR
30+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D20650-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V

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WNSC6D20650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 519 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 4518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.31 EUR
10+	5.81 EUR
100+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D20650B6J

auf Bestellung 519 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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WNSC6D20650B6J

WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D20650CJ6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D20650CW6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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WNSC6D20650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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30+	5.11 EUR
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WNSC6D20650W6Q

WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D20650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

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WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

auf Bestellung 478 Stücke:

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WNSC6D20650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube

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WNSC6D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D30650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D30650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 77A
Max. forward impulse current: 215A
Kind of package: tube

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WNSC6D40650CW-A6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 140A
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Load current: 20A x2

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WNSC6D40650CW6Q

WNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D40650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 170A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Load current: 20A x2

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WNSCCAPADM

Development Software Data Center Capacity Administrator Training

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WNSCESOSTRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service

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WNSCESREALRM

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

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WNSCESREALRT

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

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WNSCESREBASE

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

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WNSCESREBMS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

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WNSCESREBMS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

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WNSCESREDAY

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

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WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

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WNSCESRETRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

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WNSCESREVS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

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WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

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WNSCISXCADM

Development Software Data Center Expert Administrator Training

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WNSCISXOADM

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training

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WNSCM160120W6Q

MOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

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WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM160120WQ

MOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSCM80120R6Q

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120R6Q

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

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WNSCM80120RQ

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120W6Q

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSCM80120W6Q

MOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120WQ

MOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120WQ

Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

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WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCRCAPADM