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BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+11.08 EUR
150+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
48+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi fch125n65s3r0-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.98 EUR
10+8.85 EUR
30+6.09 EUR
120+5.19 EUR
270+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
10+6.9 EUR
120+5.9 EUR
270+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+4.96 EUR
25+4.93 EUR
100+4.59 EUR
3000+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.34 EUR
10+5.9 EUR
50+4.47 EUR
100+4.08 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi fcp165n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+5.16 EUR
50+3.7 EUR
100+3.41 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild fcpf125n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.59 EUR
10+6.04 EUR
50+4.26 EUR
100+3.92 EUR
500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.91 EUR
100+3.1 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.13 EUR
5000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+3.59 EUR
50+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.76 EUR
16+4.49 EUR
17+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.76 EUR
16+4.49 EUR
17+4.23 EUR
1200+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE92E3A7A2ABEFC0D5&compId=IKA15N65ET6.pdf?ci_sign=a5d0997715c8dfdacffa9de02f1033ffc16b814e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Collector current: 11A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
250+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB15N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3422239.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.56 EUR
25+3.17 EUR
100+2.46 EUR
250+2.36 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.15 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN-3361992.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.59 EUR
25+10.07 EUR
100+8.5 EUR
240+7.62 EUR
480+7.02 EUR
1200+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65ES5_DataSheet_v02_02_EN-3362313.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.36 EUR
10+13.32 EUR
25+8.25 EUR
100+6.93 EUR
240+6.27 EUR
480+5.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+11.4 EUR
25+8.48 EUR
100+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.55 EUR
10+18.92 EUR
25+12.44 EUR
50+12.43 EUR
100+11.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA55N65B5Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+8.38 EUR
50+7.11 EUR
100+6.3 EUR
500+5.6 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS media-3319727.pdf IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.1 EUR
10+26.08 EUR
30+17.35 EUR
120+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.4 EUR
10+7.37 EUR
100+6.39 EUR
500+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.34 EUR
10+16.21 EUR
30+11.39 EUR
120+10.28 EUR
510+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF onsemi nthl065n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.33 EUR
30+11.39 EUR
120+10.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi nthl095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.61 EUR
30+6.79 EUR
120+6.46 EUR
510+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi nthl095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.41 EUR
10+10.63 EUR
120+8.55 EUR
270+7.57 EUR
510+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H onsemi nthl125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+8.59 EUR
30+8.11 EUR
120+6.74 EUR
270+6.11 EUR
510+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP055N65S3H NTP055N65S3H onsemi ntp055n65s3h-d.pdf MOSFETs FAST 650V TO220
auf Bestellung 3716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.56 EUR
10+8.52 EUR
50+8.5 EUR
100+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3H NTP095N65S3H onsemi ntp095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
50+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi ntp095n65s3hf-d.pdf MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.21 EUR
10+8.32 EUR
50+6.27 EUR
100+5.77 EUR
250+5.76 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP125N65S3H NTP125N65S3H onsemi ntp125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
auf Bestellung 569 Stücke:
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NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 142W
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 53A
Drain current: 19A
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NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H onsemi ntpf095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F
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NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi ntpf125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F
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NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H onsemi ntpf165n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
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NVHL025N65S3 NVHL025N65S3 onsemi nvhl025n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V
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SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
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SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHB075N65E-GE3 SIHB075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
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SIHB125N65E-GE3 SIHB125N65E-GE3 Vishay sihb125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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SIHG055N65E-GE3 SIHG055N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
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100+7.57 EUR
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SIHG075N65E-GE3 SIHG075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
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10+7.73 EUR
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500+5.37 EUR
1000+4.75 EUR
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SIHG125N65E-GE3 SIHG125N65E-GE3 Vishay sihg125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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SIHH125N65E-T1-GE3 SIHH125N65E-T1-GE3 Vishay sihh125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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SIHK125N65E-T1-GE3 SIHK125N65E-T1-GE3 Vishay sihk125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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100+8.03 EUR
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SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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STB35N65DM2 STB35N65DM2 STMicroelectronics stb35n65dm2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 823 Stücke:
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25+3.91 EUR
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250+3.8 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
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STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
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STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+7.39 EUR
50+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+7.39 EUR
50+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5 STL15N65M5 STMicroelectronics stl15n65m5.pdf MOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
auf Bestellung 2858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.54 EUR
100+2.55 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.37 EUR
10+7.51 EUR
11+7.09 EUR
50+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.37 EUR
10+7.51 EUR
11+7.09 EUR
50+7.08 EUR
100+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5 STW45N65M5 STMicroelectronics en.DM00072250.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+10.52 EUR
100+8.76 EUR
600+7.81 EUR
1200+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4 STW75N65DM6-4 STMicroelectronics stw75n65dm6-4.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.33 EUR
10+17.41 EUR
30+16.03 EUR
120+14.82 EUR
270+14.29 EUR
510+13.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+11.08 EUR
150+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
48+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.98 EUR
10+8.85 EUR
30+6.09 EUR
120+5.19 EUR
270+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.68 EUR
10+6.9 EUR
120+5.9 EUR
270+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.41 EUR
10+4.96 EUR
25+4.93 EUR
100+4.59 EUR
3000+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.34 EUR
10+5.9 EUR
50+4.47 EUR
100+4.08 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N65S3 fcp165n65s3-d.pdf
FCP165N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.41 EUR
10+5.16 EUR
50+3.7 EUR
100+3.41 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.59 EUR
10+6.04 EUR
50+4.26 EUR
100+3.92 EUR
500+3.71 EUR
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FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.96 EUR
10+3.91 EUR
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500+2.62 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.13 EUR
5000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65
FDPF15N65
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.91 EUR
10+3.59 EUR
50+2.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
16+4.49 EUR
17+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
16+4.49 EUR
17+4.23 EUR
1200+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA15N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE92E3A7A2ABEFC0D5&compId=IKA15N65ET6.pdf?ci_sign=a5d0997715c8dfdacffa9de02f1033ffc16b814e
IKA15N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Collector current: 11A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
250+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon_IKB15N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3422239.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.07 EUR
10+3.56 EUR
25+3.17 EUR
100+2.46 EUR
250+2.36 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.15 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN-3361992.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.59 EUR
25+10.07 EUR
100+8.5 EUR
240+7.62 EUR
480+7.02 EUR
1200+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1 Infineon_IKZ75N65ES5_DataSheet_v02_02_EN-3362313.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.36 EUR
10+13.32 EUR
25+8.25 EUR
100+6.93 EUR
240+6.27 EUR
480+5.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.44 EUR
10+11.4 EUR
25+8.48 EUR
100+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.55 EUR
10+18.92 EUR
25+12.44 EUR
50+12.43 EUR
100+11.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA55N65B5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA55N65B5Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.29 EUR
10+8.38 EUR
50+7.11 EUR
100+6.3 EUR
500+5.6 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1 media-3319727.pdf
IXYH75N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.1 EUR
10+26.08 EUR
30+17.35 EUR
120+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.4 EUR
10+7.37 EUR
100+6.39 EUR
500+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.34 EUR
10+16.21 EUR
30+11.39 EUR
120+10.28 EUR
510+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
NTHL065N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.33 EUR
30+11.39 EUR
120+10.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
NTHL095N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.61 EUR
30+6.79 EUR
120+6.46 EUR
510+6.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
NTHL095N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.41 EUR
10+10.63 EUR
120+8.55 EUR
270+7.57 EUR
510+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
NTHL125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.54 EUR
10+8.59 EUR
30+8.11 EUR
120+6.74 EUR
270+6.11 EUR
510+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP055N65S3H ntp055n65s3h-d.pdf
NTP055N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs FAST 650V TO220
auf Bestellung 3716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.56 EUR
10+8.52 EUR
50+8.5 EUR
100+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3H ntp095n65s3h-d.pdf
NTP095N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.97 EUR
50+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP095N65S3HF ntp095n65s3hf-d.pdf
NTP095N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.21 EUR
10+8.32 EUR
50+6.27 EUR
100+5.77 EUR
250+5.76 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP125N65S3H ntp125n65s3h-d.pdf
NTP125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.07 EUR
50+4.01 EUR
100+3.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 142W
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 53A
Drain current: 19A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF095N65S3H ntpf095n65s3h-d.pdf
NTPF095N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.53 EUR
10+10.84 EUR
50+9.22 EUR
100+8.61 EUR
250+8.06 EUR
500+5.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
NTPF125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.92 EUR
10+7.08 EUR
50+4.22 EUR
100+4.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF165N65S3H ntpf165n65s3h-d.pdf
NTPF165N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
auf Bestellung 11956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.16 EUR
10+5.95 EUR
50+4.35 EUR
100+3.96 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3 nvhl025n65s3-d.pdf
NVHL025N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.66 EUR
30+20.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.83 EUR
10+17.58 EUR
25+17.56 EUR
100+14.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.46 EUR
10+4.07 EUR
100+3.29 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB075N65E-GE3
SIHB075N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.41 EUR
10+7.04 EUR
100+5.7 EUR
500+5.09 EUR
1000+4.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB125N65E-GE3 sihb125n65e.pdf
SIHB125N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.05 EUR
10+9.28 EUR
100+7.73 EUR
500+7.22 EUR
1000+6.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG055N65E-GE3
SIHG055N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.7 EUR
10+8.98 EUR
100+7.57 EUR
500+6.42 EUR
1000+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG075N65E-GE3
SIHG075N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.2 EUR
10+7.73 EUR
100+6.34 EUR
500+5.37 EUR
1000+4.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N65E-GE3 sihg125n65e.pdf
SIHG125N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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SIHH125N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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SIHK125N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
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2000+6.37 EUR
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SIHP15N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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STB35N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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250+3.8 EUR
500+3.68 EUR
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STF35N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
auf Bestellung 61 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
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STF45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STF45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.58 EUR
10+7.39 EUR
50+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STF45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.58 EUR
10+7.39 EUR
50+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5 stl15n65m5.pdf
STL15N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
auf Bestellung 2858 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.32 EUR
10+3.54 EUR
100+2.55 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STP45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.37 EUR
10+7.51 EUR
11+7.09 EUR
50+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STP45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.37 EUR
10+7.51 EUR
11+7.09 EUR
50+7.08 EUR
100+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5 en.DM00072250.pdf
STW45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.47 EUR
10+10.52 EUR
100+8.76 EUR
600+7.81 EUR
1200+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4 stw75n65dm6-4.pdf
STW75N65DM6-4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.33 EUR
10+17.41 EUR
30+16.03 EUR
120+14.82 EUR
270+14.29 EUR
510+13.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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