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BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.12 EUR
7+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.12 EUR
7+11.07 EUR
600+10.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
48+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi FCB125N65S3-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.74 EUR
10+5.77 EUR
100+4.24 EUR
500+4.15 EUR
800+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+5.6 EUR
120+4.91 EUR
510+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.43 EUR
10+6.74 EUR
120+4.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+5.56 EUR
100+4.84 EUR
500+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.34 EUR
10+4.17 EUR
100+3.91 EUR
500+3.29 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.11 EUR
10+3.47 EUR
100+3.26 EUR
500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild FCPF125N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.03 EUR
100+3.82 EUR
500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+3.8 EUR
100+2.97 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild FDPF15N65-D.PDF MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
10+2.16 EUR
100+2.01 EUR
500+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.58 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKA15N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d635e5280 IKA15N65ET6 THT IGBT transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
43+1.66 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.8 EUR
100+1.97 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.86 EUR
27+2.66 EUR
35+2.04 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
200+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
27+2.66 EUR
35+2.04 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
200+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5 IKW75N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.64 EUR
10+6.92 EUR
100+5.6 EUR
480+4.96 EUR
1200+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.45 EUR
10+12.16 EUR
100+11.51 EUR
480+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.32 EUR
10+6.83 EUR
100+5.16 EUR
480+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+7.44 EUR
100+7.2 EUR
480+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.52 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
123+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
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LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F73B7F2EC840E1&compId=LGEGW75N65FP.pdf?ci_sign=24299b571d17b2b0aaf072aeb1e60a71979dc684 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
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LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D576AE8BA020DF&compId=LGEGW75N65S.pdf?ci_sign=fb1e9622f07ee67d8300f38c89e2392346fc9694 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
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NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi NTB095N65S3HF-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
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NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi NTHL095N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
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NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi NTHL095N65S3HF-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
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NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H onsemi NTHL125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-247
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NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi NTMT125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, Power88
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NTP055N65S3H NTP055N65S3H onsemi NTP055N65S3H-D.PDF MOSFETs FAST 650V TO220
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NTP095N65S3H NTP095N65S3H onsemi NTP095N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220
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NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi NTP095N65S3HF-D.PDF MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
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NTP125N65S3H NTP125N65S3H onsemi NTP125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220
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NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 88 Stücke:
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18+4.02 EUR
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NTP165N65S3H NTP165N65S3H onsemi NTP165N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220
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NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H onsemi NTPF095N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F
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NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi NTPF125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F
auf Bestellung 874 Stücke:
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NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H onsemi NTPF165N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
auf Bestellung 11956 Stücke:
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NVHL025N65S3 NVHL025N65S3 onsemi NVHL025N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V
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1+24.04 EUR
10+19.59 EUR
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SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
auf Bestellung 2437 Stücke:
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1+24.25 EUR
10+17.14 EUR
100+15.75 EUR
500+15.73 EUR
3000+13.39 EUR
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SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
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5+15.62 EUR
6+11.94 EUR
7+11.28 EUR
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SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf SiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
auf Bestellung 540 Stücke:
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10+11.58 EUR
600+10.6 EUR
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SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.24 EUR
100+3.15 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.5 EUR
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SIHB075N65E-GE3 SIHB075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 950 Stücke:
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1+8.91 EUR
10+6.72 EUR
100+5.46 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.12 EUR
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SIHG055N65E-GE3 SIHG055N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
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1+11.81 EUR
10+8.59 EUR
100+7.3 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.68 EUR
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SIHG065N65E-GE3 SIHG065N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 438 Stücke:
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1+11 EUR
10+8.13 EUR
100+6.71 EUR
500+5.68 EUR
1000+5 EUR
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SIHG075N65E-GE3 SIHG075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 432 Stücke:
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1+9.64 EUR
10+7.39 EUR
100+6.11 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.54 EUR
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SIHG125N65E-GE3 SIHG125N65E-GE3 Vishay sihg125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.68 EUR
10+9.96 EUR
100+8.71 EUR
500+7.41 EUR
1000+6.6 EUR
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SIHP065N65E-GE3 SIHP065N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 950 Stücke:
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1+10.26 EUR
10+7.52 EUR
100+6.07 EUR
500+5.44 EUR
1000+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.49 EUR
10+4.35 EUR
100+3.33 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.12 EUR
7+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.12 EUR
7+11.07 EUR
600+10.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
48+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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FCB125N65S3 FCB125N65S3-D.PDF
FCB125N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.74 EUR
10+5.77 EUR
100+4.24 EUR
500+4.15 EUR
800+3.89 EUR
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FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-D.PDF
FCH125N65S3R0-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.73 EUR
10+5.6 EUR
120+4.91 EUR
510+4.89 EUR
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FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.43 EUR
10+6.74 EUR
120+4.51 EUR
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FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.2 EUR
10+5.56 EUR
100+4.84 EUR
500+3.19 EUR
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FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.34 EUR
10+4.17 EUR
100+3.91 EUR
500+3.29 EUR
1000+3.26 EUR
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FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.11 EUR
10+3.47 EUR
100+3.26 EUR
500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+7.41 EUR
10+4.03 EUR
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500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-D.PDF
FCPF165N65S3L1-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
auf Bestellung 729 Stücke:
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1+5.81 EUR
10+3.8 EUR
100+2.97 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65 FDPF15N65-D.PDF
FDPF15N65
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.79 EUR
10+2.16 EUR
100+2.01 EUR
500+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA15N65ET6XKSA2 Infineon-IKA15N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d635e5280
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKA15N65ET6 THT IGBT transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
43+1.66 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.38 EUR
10+2.8 EUR
100+1.97 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
27+2.66 EUR
35+2.04 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
200+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
27+2.66 EUR
35+2.04 EUR
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
200+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf
IKW75N65ES5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.64 EUR
10+6.92 EUR
100+5.6 EUR
480+4.96 EUR
1200+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.45 EUR
10+12.16 EUR
100+11.51 EUR
480+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.32 EUR
10+6.83 EUR
100+5.16 EUR
480+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.46 EUR
10+7.44 EUR
100+7.2 EUR
480+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA55N65B5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.52 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGB15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGB15N65T2
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
123+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGF15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGF15N65T2
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGP15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGP15N65T2
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW75N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380
LGEGW75N65F
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
18+4.05 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW75N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F73B7F2EC840E1&compId=LGEGW75N65FP.pdf?ci_sign=24299b571d17b2b0aaf072aeb1e60a71979dc684
LGEGW75N65FP
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
18+4.05 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW75N65S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D576AE8BA020DF&compId=LGEGW75N65S.pdf?ci_sign=fb1e9622f07ee67d8300f38c89e2392346fc9694
LGEGW75N65S
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
18+4.05 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF-D.PDF
NTB095N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.94 EUR
10+7.04 EUR
100+6.09 EUR
500+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H-D.PDF
NTHL095N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.22 EUR
10+6.41 EUR
120+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF-D.PDF
NTHL095N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.64 EUR
10+10.16 EUR
120+6.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H-D.PDF
NTHL125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-247
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.61 EUR
10+6.93 EUR
120+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H-D.PDF
NTMT125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, Power88
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.04 EUR
10+7.96 EUR
100+6.65 EUR
500+5.98 EUR
1000+5.21 EUR
3000+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP055N65S3H NTP055N65S3H-D.PDF
NTP055N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs FAST 650V TO220
auf Bestellung 3706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.64 EUR
10+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTP095N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.65 EUR
10+4.7 EUR
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NTP095N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.96 EUR
10+5.98 EUR
100+5.61 EUR
500+5.12 EUR
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NTP125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTP165N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.02 EUR
19+3.88 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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NTP165N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.51 EUR
10+3.5 EUR
100+3.45 EUR
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NTPF095N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.88 EUR
10+8.66 EUR
100+7.2 EUR
500+5.7 EUR
2500+5.68 EUR
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NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H-D.PDF
NTPF125N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.57 EUR
10+3.91 EUR
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NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H-D.PDF
NTPF165N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
auf Bestellung 11956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.85 EUR
10+4 EUR
100+3.78 EUR
500+3.27 EUR
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NVHL025N65S3 NVHL025N65S3-D.PDF
NVHL025N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.04 EUR
10+19.59 EUR
120+19.4 EUR
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SCTL35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.25 EUR
10+17.14 EUR
100+15.75 EUR
500+15.73 EUR
3000+13.39 EUR
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SCTW35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.62 EUR
6+11.94 EUR
7+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SCTWA35N65G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.83 EUR
10+11.58 EUR
600+10.6 EUR
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SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.44 EUR
10+4.24 EUR
100+3.15 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB075N65E-GE3
SIHB075N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.91 EUR
10+6.72 EUR
100+5.46 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG055N65E-GE3
SIHG055N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.81 EUR
10+8.59 EUR
100+7.3 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG065N65E-GE3
SIHG065N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11 EUR
10+8.13 EUR
100+6.71 EUR
500+5.68 EUR
1000+5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG075N65E-GE3
SIHG075N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.64 EUR
10+7.39 EUR
100+6.11 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG125N65E-GE3 sihg125n65e.pdf
SIHG125N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.68 EUR
10+9.96 EUR
100+8.71 EUR
500+7.41 EUR
1000+6.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N65E-GE3
SIHP065N65E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.26 EUR
10+7.52 EUR
100+6.07 EUR
500+5.44 EUR
1000+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.49 EUR
10+4.35 EUR
100+3.33 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.28 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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