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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BGH75N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 444nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 84ns Turn-off time: 565ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BIDW75N65EH5 | Bourns |
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L |
auf Bestellung 5811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CXG75N65HS | Createk Microelectronics |
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DI7A5N65D2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH165N65S3R0-F155 | onsemi |
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCMT125N65S3 | onsemi |
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP125N65S3 | onsemi |
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220 |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP125N65S3R0 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP165N65S3 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm |
auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF165N65S3L1-F154 | onsemi |
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F |
auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF15N65 | onsemi | MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH |
auf Bestellung 3679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKA15N65F5 | Infineon Technologies |
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ES5 | Infineon Technologies |
IGBTs Trenchstop 5 IGBT |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZ75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYA55N65B5 | IXYS |
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH75N65C3H1 | IXYS |
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247 |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LGEGB15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LGEGF15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 30.6W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LGEGP15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LGEGW75N65F | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 71W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 161ns Turn-off time: 274ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LGEGW75N65FP | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 215ns Turn-off time: 225ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LGEGW75N65S | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 156ns Turn-off time: 348ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB35N65FL2WG | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB095N65S3HF | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO |
auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL065N65S3F | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL065N65S3HF | onsemi |
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247 |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL095N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3 |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL095N65S3HF | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO |
auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL125N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3 |
auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMT095N65S3H | onsemi |
MOSFETs SF3 FAST 95MOHM PQFN88 |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMT125N65S3H | onsemi |
MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP055N65S3H | onsemi |
MOSFETs FAST 650V TO220 |
auf Bestellung 3625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP095N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220 |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP095N65S3HF | onsemi |
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220 |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP125N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220 |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTP165N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220 |
auf Bestellung 1457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTPF095N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTPF125N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F |
auf Bestellung 849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTPF165N65S3H | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F |
auf Bestellung 11921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVHL025N65S3 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVHL095N65S3F | onsemi |
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTL35N65G2V | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac |
auf Bestellung 2311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCTW35N65G2V | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 73nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHA15N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG055N65E-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 650V |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG065N65E-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 650V |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP15N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB45N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD15N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5 |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP15N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP45N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
auf Bestellung 3404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BGH75N65ZF1 |
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Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.54 EUR |
| BIDW75N65EH5 |
|
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
auf Bestellung 5811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.34 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 100+ | 6 EUR |
| 600+ | 5.68 EUR |
| CXG75N65HS |
|
Hersteller: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 7.9 EUR |
| DI7A5N65D2K |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 44+ | 1.63 EUR |
| FCH165N65S3R0-F155 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.54 EUR |
| 10+ | 6.32 EUR |
| 120+ | 4.95 EUR |
| FCMT125N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.35 EUR |
| 10+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 5.16 EUR |
| 500+ | 4.84 EUR |
| 1000+ | 4.82 EUR |
| FCP125N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 4.42 EUR |
| 100+ | 4.03 EUR |
| 500+ | 3.68 EUR |
| FCP125N65S3R0 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.27 EUR |
| 10+ | 3.96 EUR |
| 100+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.59 EUR |
| FCP165N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.9 EUR |
| 10+ | 3.89 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| FCPF165N65S3L1-F154 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.68 EUR |
| 10+ | 3.73 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.16 EUR |
| FDPF15N65 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.35 EUR |
| 28+ | 2.59 EUR |
| FDPF15N65 |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.95 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.29 EUR |
| IGW75N65H5XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 5.52 EUR |
| 19+ | 3.95 EUR |
| 20+ | 3.6 EUR |
| 30+ | 3.16 EUR |
| IKA15N65F5 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.66 EUR |
| 10+ | 2.97 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| 2500+ | 1.51 EUR |
| 5000+ | 1.47 EUR |
| IKW75N65EH5XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 23.84 EUR |
| IKW75N65ES5 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.74 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 100+ | 5.79 EUR |
| 480+ | 5.12 EUR |
| IKW75N65RH5XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.48 EUR |
| 10+ | 8.48 EUR |
| 100+ | 7.2 EUR |
| 480+ | 7.18 EUR |
| 1200+ | 6.97 EUR |
| IKZ75N65EL5XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.02 EUR |
| 10+ | 7.64 EUR |
| 100+ | 6.44 EUR |
| 480+ | 6.11 EUR |
| IKZA75N65SS5XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.76 EUR |
| 10+ | 12.53 EUR |
| 100+ | 11.18 EUR |
| IXYA15N65C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.19 EUR |
| 25+ | 2.89 EUR |
| 29+ | 2.53 EUR |
| 50+ | 2.29 EUR |
| IXYA55N65B5 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.58 EUR |
| 10+ | 8.87 EUR |
| 100+ | 7.16 EUR |
| 500+ | 6.35 EUR |
| 1000+ | 5.63 EUR |
| IXYH75N65C3H1 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 32.4 EUR |
| 10+ | 24.2 EUR |
| 120+ | 19.71 EUR |
| 510+ | 19.15 EUR |
| 1020+ | 18.78 EUR |
| LGEGB15N65T2 |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 90+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| 400+ | 0.56 EUR |
| LGEGF15N65T2 |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 80+ | 0.89 EUR |
| LGEGP15N65T2 |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 90+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| LGEGW75N65F |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.49 EUR |
| 18+ | 4.05 EUR |
| 20+ | 3.58 EUR |
| 30+ | 3.33 EUR |
| LGEGW75N65FP |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.6 EUR |
| 18+ | 4.16 EUR |
| 20+ | 3.66 EUR |
| 30+ | 3.42 EUR |
| 120+ | 3.19 EUR |
| 240+ | 3.1 EUR |
| LGEGW75N65S |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.49 EUR |
| 18+ | 4.05 EUR |
| 20+ | 3.58 EUR |
| 30+ | 3.33 EUR |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 7.01 EUR |
| 16+ | 4.62 EUR |
| NTB095N65S3HF |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.74 EUR |
| 10+ | 8.84 EUR |
| 100+ | 6.49 EUR |
| 500+ | 5.98 EUR |
| NTHL065N65S3F |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.03 EUR |
| 10+ | 11.49 EUR |
| 120+ | 10.75 EUR |
| NTHL065N65S3HF |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.01 EUR |
| 10+ | 12.13 EUR |
| 120+ | 11.48 EUR |
| NTHL095N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.48 EUR |
| 10+ | 7.64 EUR |
| 120+ | 7 EUR |
| NTHL095N65S3HF |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.33 EUR |
| 10+ | 8.41 EUR |
| 120+ | 7.41 EUR |
| NTHL125N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.55 EUR |
| 10+ | 6.32 EUR |
| 120+ | 5.98 EUR |
| NTMT095N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FAST 95MOHM PQFN88
MOSFETs SF3 FAST 95MOHM PQFN88
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.55 EUR |
| 10+ | 9.43 EUR |
| 100+ | 6.99 EUR |
| 500+ | 6.97 EUR |
| 1000+ | 6.71 EUR |
| 3000+ | 6.51 EUR |
| NTMT125N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88
MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.11 EUR |
| 10+ | 5.33 EUR |
| 100+ | 4.54 EUR |
| NTP055N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs FAST 650V TO220
MOSFETs FAST 650V TO220
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.89 EUR |
| 10+ | 8.62 EUR |
| 100+ | 8.38 EUR |
| NTP095N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.28 EUR |
| 10+ | 5.86 EUR |
| 100+ | 5.47 EUR |
| 500+ | 5.42 EUR |
| NTP095N65S3HF |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.39 EUR |
| 10+ | 6.44 EUR |
| 100+ | 5.91 EUR |
| 500+ | 5.79 EUR |
| NTP125N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.08 EUR |
| 10+ | 4.52 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| NTP165N65S3H |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.73 EUR |
| 22+ | 3.37 EUR |
| NTP165N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.66 EUR |
| 10+ | 4.08 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| NTPF095N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6 EUR |
| NTPF125N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.36 EUR |
| 10+ | 4.51 EUR |
| NTPF165N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
auf Bestellung 11921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.62 EUR |
| 10+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.77 EUR |
| 500+ | 3.63 EUR |
| NVHL025N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V
MOSFETs SUPERFET3 650V
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 32.42 EUR |
| 10+ | 22.4 EUR |
| 120+ | 22.39 EUR |
| 510+ | 21.35 EUR |
| NVHL095N65S3F |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.3 EUR |
| 10+ | 7.25 EUR |
| 120+ | 6.16 EUR |
| SCTL35N65G2V |
|
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 25.96 EUR |
| 10+ | 18.34 EUR |
| 100+ | 15.73 EUR |
| 500+ | 15.72 EUR |
| 1000+ | 14.71 EUR |
| SCTW35N65G2V |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 11.58 EUR |
| SIHA15N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.97 EUR |
| 10+ | 4.58 EUR |
| 100+ | 3.41 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.52 EUR |
| SIHG055N65E-GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.31 EUR |
| 10+ | 9.36 EUR |
| 100+ | 7.59 EUR |
| 500+ | 6.02 EUR |
| SIHG065N65E-GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.23 EUR |
| 10+ | 8.18 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |
| 500+ | 5.56 EUR |
| 1000+ | 5.24 EUR |
| SIHP15N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.39 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.82 EUR |
| 2000+ | 2.66 EUR |
| STB45N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.85 EUR |
| 10+ | 9.47 EUR |
| 100+ | 6.97 EUR |
| 500+ | 6.95 EUR |
| 1000+ | 6.49 EUR |
| STD15N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.59 EUR |
| 10+ | 2.97 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
| 2500+ | 1.54 EUR |
| STF35N65DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.66 EUR |
| 11+ | 6.89 EUR |
| 12+ | 6.09 EUR |
| 50+ | 5.48 EUR |
| STF45N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.07 EUR |
| 10+ | 7.21 EUR |
| 11+ | 7.12 EUR |
| STP15N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 6.9A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 2.36 EUR |
| 33+ | 2.2 EUR |
| 50+ | 1.99 EUR |
| STP45N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 3404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.82 EUR |
| 10+ | 7.55 EUR |
| 100+ | 6.95 EUR |
| 500+ | 6.41 EUR |
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