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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTDApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
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NTDWellerAntennas +3dB GSM Patch antenna RG174 SMA Male
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NTDWELLERDescription: WELLER - NTD - Lötspitze, meißelförmig, 4mm
Breite der Spitze/Düse: 4
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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NTDWELLERWEL.NT-D Soldering tips
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NTD03-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 10ohm 3A +/-15% box
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NTD03-010LYageoNTD03-010L
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NTD03-010MYageoNTD03-010M
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NTD03-010MYAGEODescription: YAGEO - NTD03-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 8mm, 3A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 3A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 8mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD036JRC00+
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD036JRC
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD04-005MYAGEODescription: YAGEO - NTD04-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 8mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 8mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD04-005MYageoInrush Current Limiter Thermistors
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NTD101B105M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B155M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B225M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NTD101B334M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B335M43A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B474M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B475M43A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B684M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD101B685M55A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD10N10ELT4
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTD110N02RON SemiconductorMOSFET 24V 110A N-Channel
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NTD110N02RONSOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
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NTD110N02RRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 807 Stücke:
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NTD110N02RON07+ SOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
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NTD110N02RON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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NTD110N02RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD110N02R-001
auf Bestellung 36000 Stücke:
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NTD110N02R-001Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02R-001 - NTD110N02R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD110N02R-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
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NTD110N02R-001G
auf Bestellung 4099 Stücke:
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NTD110N02R-001GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
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NTD110N02R-001GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 17861 Stücke:
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NTD110N02R-1
auf Bestellung 305 Stücke:
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NTD110N02R-1(ON)
auf Bestellung 375 Stücke:
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NTD110N02R-1(ON).
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02R-1.
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02R-1G
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
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NTD110N02RGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NTD110N02RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
680+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 680
NTD110N02RST4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
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NTD110N02RST4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 24V 100A 4.6OHM
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NTD110N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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NTD110N02RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02RT4 - NTD110N02RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD110N02RT4Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 13330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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NTD110N02RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD110N02RT4GON SemiconductorMOSFET 24V 110A N-Channel
auf Bestellung 4163 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD110N02RT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
auf Bestellung 12155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD110N02RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02RT4G - MOSFET, N CHANNEL, 24V, 110A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 23221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD110N02RT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD110N02RT4G**********
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10ONSOT-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10ON07+ SOT-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10-001
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
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NTD12N10-1G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD12N10G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD12N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD12N10T4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4GON
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
2501+ 0.42 EUR
5001+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD12N10T4Gon10+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD12N10T4G2500ON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
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NTD14N03RONSOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03R-001
auf Bestellung 3556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
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NTD14N03R-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RG
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RT4
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD14N03RT4GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 2,5 А; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20; Qg, нКл = 1,8 @ 5 В; Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; DPAK-3
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+2.2 EUR
10+ 1.9 EUR
100+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
auf Bestellung 7565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD14N03RT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.78 EUR
104+ 1.46 EUR
105+ 1.39 EUR
125+ 1.12 EUR
250+ 1 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.7 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 88
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
auf Bestellung 10454 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 2.82 EUR
100+ 2.19 EUR
500+ 1.86 EUR
1000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.51 EUR
105+ 1.45 EUR
125+ 1.16 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.74 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 104
NTD14N03RT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
auf Bestellung 7565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.42 EUR
5000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD14N03RT4GonsemiMOSFET 25V 14A N-Channel
auf Bestellung 5745 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.89 EUR
22+ 2.44 EUR
100+ 2 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.45 EUR
2500+ 1.39 EUR
5000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTD14N03RT4G******
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD14N03T4G
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
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NTD15N06-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06AV1onsemiDescription: 15A, 60V, 0.09OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NTD15N06AVT4onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.120R TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NTD15N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06LONSOT-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
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NTD15N06L-001ON0414
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06L-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06L-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06L-1G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD15N06L-1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2061+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2061
NTD15N06LG
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06LGonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NTD15N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
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NTD15N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06LT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4 - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD15N06LT4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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NTD15N06LT4G
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD15N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
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NTD15N06T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2061+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2061
NTD15N06T4G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N06VT4
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD15N40
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06onsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
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NTD18N06ONSOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06-1G - NTD18N06-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2049+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
NTD18N06-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06LONSOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06L-1GONDPAK-3 10+
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06LGON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LGonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.44 EUR
113+ 1.34 EUR
144+ 1.01 EUR
250+ 0.96 EUR
500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 109
NTD18N06LT4GonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.24 EUR
2500+ 1.16 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
auf Bestellung 12476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.73 EUR
12+ 2.24 EUR
100+ 1.74 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD18N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.13 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.73 EUR
109+ 1.38 EUR
113+ 1.29 EUR
144+ 0.97 EUR
250+ 0.92 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 91
NTD18N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD18N06T4G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N03
auf Bestellung 15300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27ONSOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27ON07+ SOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-001 - MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N03L27-1
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
952+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 952
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27-1GON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-1G - NTD20N03L27-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N03L27GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03L27T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4 - NTD20N03L27T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N03L27T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
889+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 889
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N03L27T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 5156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.67 EUR
10+ 3.01 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.99 EUR
1000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTD20N03L27T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20N03L27T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20N03L27T4GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
auf Bestellung 35565 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.63 EUR
2500+ 1.46 EUR
5000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N03LT4
auf Bestellung 7480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03LT4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N03RT4G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06ON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06ON09+ QFN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06onsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06ONSOT-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06-001 - MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N06-1ON05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06-1GON Semiconductor
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06LonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LONSOT-252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06L-001 - NTD20N06L-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD20N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
650+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 650
NTD20N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
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NTD20N06L-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06L-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LGonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LG
Produktcode: 27874		ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 60
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.0375
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LT4on04+
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
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NTD20N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
65+ 1.12 EUR
85+ 0.84 EUR
91+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NTD20N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.94 EUR
11+ 2.4 EUR
100+ 1.87 EUR
500+ 1.58 EUR
1000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.85 EUR
5000+ 1.76 EUR
10000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20N06LT4GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
16+3.25 EUR
18+ 2.91 EUR
100+ 2.27 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.5 EUR
2500+ 1.38 EUR
5000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTD20N06LT4GON-SemicoductorN-MOSFET 20A 60V 60W 0.048Ω NTD20N06LT4G, NTD20N06T4G NTD20N06L smd ONS TNTD20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTD20N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
65+ 1.12 EUR
85+ 0.84 EUR
91+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NTD20N06T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06T4onsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
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NTD20N06T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06T4GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.89 EUR
21+ 2.56 EUR
100+ 2.24 EUR
250+ 2.19 EUR
500+ 1.99 EUR
1000+ 1.71 EUR
2500+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTD20N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.54 EUR
10+ 2.94 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.98 EUR
1000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTD20N06T4GON09+
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.6 EUR
5000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06T4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06T4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20N06T4G**********
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06VLT4
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N06VLT4G
auf Bestellung 56200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N3L27T
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N3L27T4G
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N3L27T4G**********
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20N3L27T4G************
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P03HDLT4
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06ON
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06HDLT4
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06HL
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LonsemiMOSFET -60V -15.5A
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LONSOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06L-001onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06L-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06L-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06L-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LGON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LGonsemiMOSFET -60V -15.5A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LG
Produktcode: 35247		ON SemiconductorTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 60
Id,A: 15.5
Rds(on),Om: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LGON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LGON09+ MSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LT4ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LT4onsemiMOSFET -60V -15.5A
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LT4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD20P06LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD20P06LT4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Produkt ist nicht verfügbar
NTD20P06LT4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD20P06LT4GonsemiMOSFET -60V -15.5A P-Channel
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.59 EUR
25+ 2.13 EUR
100+ 1.66 EUR
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1000+ 1.14 EUR
2500+ 1.05 EUR
5000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NTD20P06LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2695 Stücke:
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10+2.6 EUR
13+ 2.12 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD20P06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm
auf Bestellung 1330 Stücke:
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NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD23N03RONSOT-252
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NTD23N03RON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
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NTD23N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
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NTD23N03RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD23N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
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3372+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3372
NTD23N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD23N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD23N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
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NTD23N03R-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD23N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
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NTD23N03R-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD23N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
auf Bestellung 13611 Stücke:
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2404+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2404
NTD23N03R-1GON Semiconductor
auf Bestellung 15 Stücke:
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NTD23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
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NTD23N03RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
auf Bestellung 15804 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2885+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
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NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
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NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
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2885+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
NTD23N03RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
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NTD23N03RT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD23N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
auf Bestellung 1084941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2885+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
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NTD2405Crydom Co.Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 5A PNL
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NTD2410Crydom Co.Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 10A PNL
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NTD2410FSensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 10A 24-280V
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NTD2425Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
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NTD2425CrydomSolid State Relays - Industrial Mount 25A TRIAC OUTPUT
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NTD2425-10Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
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NTD2425-10
Produktcode: 125552		Relais
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NTD24N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
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NTD24N06ONSOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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NTD24N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1567+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
NTD24N06-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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NTD24N06LONSOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06LonsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD24N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD24N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06L-001onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06L-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LGonsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LT4
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06LT4onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.72 EUR
10+ 3.09 EUR
100+ 2.46 EUR
500+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD24N06LT4GON-SemicoductorN-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LT4GonsemiMOSFET 24A 60V POWER MOSFET
auf Bestellung 7437 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.74 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.49 EUR
250+ 2.37 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.78 EUR
2500+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTD24N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD24N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD24N06LT4G(Transistor)
Produktcode: 81607		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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NTD24N06T4ON07+ TO-252/D-PAK
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NTD24N06T4ONTO-252/D-PAK
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NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD24N06T4GON SemiconductorMOSFET 24A 60V N-Channel
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NTD24N06T4GON
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NTD24N06T4GONTO-252/D-PAK
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NTD24N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD24N06T4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD24N06T4GON Semiconductor
auf Bestellung 81 Stücke:
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NTD24N60
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD24N6LG
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD250B106M43A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD250N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD250N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
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NTD250N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
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NTD250N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.53 EUR
10+ 5.49 EUR
100+ 4.44 EUR
500+ 3.95 EUR
1000+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTD250N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 250MOHM, DPAK
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.58 EUR
10+ 5.51 EUR
25+ 5.2 EUR
100+ 4.47 EUR
250+ 4.21 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTD25P03ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03LonsemiMOSFET -30V -25A P-Channel
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NTD25P03LONSOT-252
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03L1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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NTD25P03L1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03L1ON09+ QFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03L1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD25P03L1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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NTD25P03L1GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03LGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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NTD25P03LG0N08+ TO252
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.59 EUR
80+ 1.88 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 61
NTD25P03LG 20P03.HXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NTD25P03LT4G; NTD25P03LG HXY MOSFET TNTD25P03 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NTD25P03LRLGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LRLGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD25P03LT4onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LT4GON-SemicoductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 4070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.28 EUR
10+ 2.68 EUR
100+ 2.08 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTD25P03LT4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.86 EUR
57+ 1.27 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LT4GON-SemicoductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD25P03LT4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
57+ 1.27 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NTD25P03LT4GonsemiMOSFET -30V -25A P-Channel
auf Bestellung 30423 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.45 EUR
2500+ 1.36 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTD280N60S5ZON SemiconductorPower, SingleN-Channel, SUPERFET,with Zener Diode, DPAK600 V, 280 mOhm, 13 A
Produkt ist nicht verfügbar
NTD280N60S5Zonsemionsemi SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955onsemiMOSFET -60V -12A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955-001onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955-001ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955-1GON-SemicoductorP-MOSFET 12A 60V 55W NTD2955T4G, NTD2955G NTD2955-1G TNTD2955-1g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955-1GON-SemicoductorP-MOSFET 12A 60V 55W NTD2955T4G, NTD2955G NTD2955-1G TNTD2955-1g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTD2955-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
842+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 842
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955-1GON SemiconductorMOSFET -60V -12A P-Channel
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD2955-1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD2955DONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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NTD2955GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955GonsemiMOSFET -60V -12A P-Channel
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NTD2955GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NTD2955GONTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955GON07+ TSSOP
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955PT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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NTD2955PT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955PT4GON Semiconductor
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955PT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD2955PT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD2955T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+ 0.56 EUR
10000+ 0.53 EUR
12500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.57 EUR
101+ 1.5 EUR
125+ 1.17 EUR
250+ 1.11 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.79 EUR
100+ 1.52 EUR
101+ 1.45 EUR
125+ 1.12 EUR
250+ 1.07 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 88
NTD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.17 EUR
5000+ 1.12 EUR
12500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+ 0.56 EUR
10000+ 0.53 EUR
12500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD2955T4GonsemiMOSFET -60V -12A P-Channel
auf Bestellung 12034 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
23+ 2.34 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.26 EUR
2500+ 1.18 EUR
5000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 15483 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.83 EUR
12+ 2.32 EUR
100+ 1.81 EUR
500+ 1.53 EUR
1000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD3055ON09+
auf Bestellung 55018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055−094T4GON09+ 8-SSOP
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
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NTD3055-094onsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094-1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094GonsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
14+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094T4GonsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.3 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.02 EUR
2500+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-094T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-103
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-120
auf Bestellung 43500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-120T4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150ONSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2885+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
NTD3055-150ON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150-1onsemiDescription: MOSFET N-CHAN 9A 60V DPAK STR
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2959+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
NTD3055-150-1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150-1 - 9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-150-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150-1G - NTD3055-150-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-150-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 9321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD3055-150-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4 - 9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-150T4GON09+ SOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD3055-150T4GonsemiMOSFET 60V 9A N-Channel
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 259-273 Tag (e)
26+2.03 EUR
32+ 1.67 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.9 EUR
2500+ 0.83 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NTD3055-150T4GON Semiconductor
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD3055-150T4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD3055-150T4G**********
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-150T4G************
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-170ON07+ SOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-170ONSOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-170T4G
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30550941GON
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055150T4GON
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055AV1onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.15R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NTD3055AVL
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055AVT4onsemiDescription: RF MOSFET 60V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1401+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1401
NTD3055AVT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055AVT4 - NFET DPAK 60V 0.15R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055EL
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104ON07+ SOT-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104ONSOT-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104ON09+ TSOP-48
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104-1ON0104
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104-1GON10+
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3055L104-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD3055L104-1GON SemiconductorMOSFET 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 12782 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD3055L104-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L104T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104T4GonsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 116201 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.49 EUR
26+ 2.03 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.09 EUR
2500+ 0.99 EUR
5000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
100+ 0.72 EUR
106+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 69
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L104T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
100+ 0.72 EUR
106+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 69
NTD3055L170ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L170onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L170-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L170-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L170-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L170T4ON07+;
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055L170T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
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NTD3055L170T4GON SemiconductorMOSFET 60V 9A N-Channel
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD3055L170T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.84 EUR
194+ 0.78 EUR
196+ 0.74 EUR
283+ 0.49 EUR
291+ 0.46 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 186
NTD3055L170T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3055L170T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
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NTD3055LT4
auf Bestellung 19892 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3055LT4G
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD3055VL
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N02ONSOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N02ON07+ SOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N02ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N02G
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1567+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
NTD30N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD30N02T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD30N02T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N02T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD30N02T4G - NTD30N02T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD30N02T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
987+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 987
NTD30N02T4G
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30N06
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30X7R1H335M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30X7R1H475M
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30X7R2A155M
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD30X7R2A225M
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3150
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3151PT1G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD31X7R1E156M
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD31X7R1E226M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD31X7R1H106M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD31X7R1H685M
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD31X7R2A335M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD31X7R2A475M
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06ONSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1202+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1202
NTD32N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LONSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD32N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD32N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTD32N06L-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06L-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06LG
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LT4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06LT4G
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD32N06T4G
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD32N06T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.06 EUR
82+ 1.84 EUR
83+ 1.75 EUR
84+ 1.67 EUR
100+ 1.36 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 76
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 4.74 EUR
100+ 3.77 EUR
500+ 3.19 EUR
1000+ 2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTD360N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 360MOHM, DPAK
auf Bestellung 6793 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.29 EUR
11+ 4.91 EUR
100+ 4.55 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.74 EUR
1000+ 3.15 EUR
2500+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZonsemiMOSFET SF3 800V 360MOHM, DPAK
auf Bestellung 9802 Stücke:
Lieferzeit 455-469 Tag (e)
8+6.63 EUR
10+ 5.56 EUR
25+ 5.25 EUR
100+ 4.5 EUR
250+ 4.26 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZON Semiconductor
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD360N80S3ZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
auf Bestellung 7275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1255+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1255
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3808N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808N-35G - NTD3808N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3808NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808NT4G - NTD3808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 59025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
auf Bestellung 59025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3813N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3813N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3813NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3817N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD3817N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
auf Bestellung 15525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1697+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1697
NTD3817NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RONSOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03R (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45586		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
№ 3: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2219+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
NTD40N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 45A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03R-1onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03R-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03R-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 351580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1402+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
NTD40N03R-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RT4onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03RT4 - NTD40N03RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD40N03RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2219+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RT4GON Semiconductor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RT4GonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
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NTD40N03RT4GONTO252
auf Bestellung 16377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD40N03RT4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302ON07+ SOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4302onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302ONSOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4302onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302-001onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-001 - NTD4302-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4302-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTD4302-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-1G - NTD4302-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
auf Bestellung 34404 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTD4302-1GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
auf Bestellung 43625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
650+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 650
NTD4302GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4302T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4302T4ON07+;
auf Bestellung 14570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4302T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4302T4GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
14+ 3.93 EUR
100+ 3.15 EUR
250+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTD4302T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
426+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 426
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4302T4G**********
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4404N1
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4404NT4G - NTD4404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD452AP
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD452AP
Produktcode: 94294		IC > IC andere
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4804N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4804Nonsemionsemi NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804N-1onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804N-35onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804N-35GON Semiconductor
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
592+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 592
NTD4804N-35GonsemiMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
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NTD4804N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4804N-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 43879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
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NTD4804N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4804NA-35G - MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4804NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
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auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1567+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
NTD4804NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
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NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
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NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD4804NT4GonsemiMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.03 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.83 EUR
500+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
417+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 417
NTD4804NT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 230A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 124A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4804NT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 230A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 124A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805N-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
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NTD4805N-1GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805N-1GON Semiconductor
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805N-35GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805N-35GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805N-35GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NG
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.7 EUR
227+ 0.67 EUR
230+ 0.63 EUR
234+ 0.6 EUR
250+ 0.56 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 223
NTD4805NT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; Idm: 175A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 88A 5MOHM
auf Bestellung 6521 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD4805NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4805NT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; Idm: 175A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806N
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4806N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2850+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2850
NTD4806N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806N-35G - NTD4806N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4806N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 46050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTD4806NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NA-1G - NTD4806NA-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4806NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2664+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
NTD4806NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
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NTD4806NA-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
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NTD4806NA-35GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
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NTD4806NAT4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
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NTD4806NAT4GON Semiconductor
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4806NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806NAT4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4806NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NAT4G - NTD4806NAT4G - MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4806NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1210+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1210
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
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NTD4806NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 15.6A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4806NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4769 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 50897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1065+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1065
NTD4806NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD4806NT4GONTO-252 10+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
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NTD4806NT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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NTD4808nON SemiconductorON Semiconductor NFET DPAK 30V 63A 8MOHM
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NTD4808n
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4808N-1GONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 54.6W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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NTD4808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4808N-1GONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 54.6W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD4808N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4808N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4808N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD4808N-1GonsemiMOSFET NFET 30V 63A 8MOHM
auf Bestellung 16703 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD4808N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD4808N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4808N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
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NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD4808NT4GON0710+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4808NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
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NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
2501+ 0.16 EUR
5001+ 0.15 EUR
20001+ 0.14 EUR
40001+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4808NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
auf Bestellung 22486 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4809
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4809Nonsemionsemi NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
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NTD4809N-1GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809N-1G
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4809N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809N-1G - NTD4809N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 6748 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2959+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
NTD4809N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 61875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1401+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1401
NTD4809N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809N-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809N-35GON09+ TO252
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4809N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809N-35G - NTD4809N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 61875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809N-35HonsemiDescription: RF MOSFET 30V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 108300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NA-1GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-1G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2959+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
NTD4809NA-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD4809NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-35G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NA-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 193200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1401+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1401
NTD4809NAT4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
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NTD4809NAT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NAT4G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 193200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NH-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NH-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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auf Bestellung 3624 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1567+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NH-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NH-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
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Part Status: Obsolete
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auf Bestellung 63872 Stücke:
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1567+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
NTD4809NH-35GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
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NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
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NTD4809NH-35HonsemiMOSFET
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NTD4809NHT4G
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
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NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 142167 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1210+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1210
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NHT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NHT4G - NTD4809NHT4G, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 142167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NHT4HonsemiMOSFET
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NTD4809NT4GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
26+ 2.01 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.1A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NT4GONSOT-252 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 60285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
789+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 789
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4809NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 30V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD4809NT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4H - NTD4809N - NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4809NT4HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4810
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810N-1G
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD4810N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810N-1G - NTD4810N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4810N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD4810NH-1G
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810NH-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NH-1G - NTD4810NH-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4810NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2049+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
NTD4810NH-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4810NHT4
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4810NHT4G
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810NHT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 54 A 10 mOhm Single N-Channel DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1025+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
NTD4810NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NHT4G - MOSFET, N, 30V, D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Supplier Device Package: DPAK
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NTD4810NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4810NT4GON06+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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NTD4813N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4813N-35GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
auf Bestellung 6150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NHON09+ TO252
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTD4813NH-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
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NTD4813NH-35GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
auf Bestellung 14455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NHT4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
auf Bestellung 314585 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NHT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
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NTD4813NHT4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NHT4GON Semiconductor
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NHT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD4813NT4G
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4813NT4GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4815N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4815N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
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NTD4815N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD4815N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
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NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815N-35GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTD4815N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815N-35G - MOSFET, N CH, 30V, 35A, IPAKTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 72225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4815N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD4815N1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 13241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.65 EUR
269+ 0.56 EUR
470+ 0.31 EUR
535+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.18 EUR
5000+ 0.17 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 242
NTD4815NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NH-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NH-1G - MOSFET, N, 30V, IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 64240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4815NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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auf Bestellung 64240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3206+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
NTD4815NH-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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NTD4815NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NHT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
auf Bestellung 647241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4121+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4121
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NHT4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4815NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NHT4G - NTD4815NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 647241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NT4G - NTD4815NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTD4815NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4815NT4G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4815NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
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auf Bestellung 18300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1697+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1697
NTD4815NT4HonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4854N-1GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4854N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTD4854N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
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auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
650+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 650
NTD4854NHT4G
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4854NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK
auf Bestellung 51325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4855N-1GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 10425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4855N-35GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4855NT4GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 209901 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4855NT4G
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4855NT4HRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4856N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4856N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
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NTD4856N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
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NTD4856NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
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NTD4857N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857N-1G - NTD4857N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8400 Stücke:
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NTD4857N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
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NTD4857N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
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NTD4857NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
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1025+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
NTD4857NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857NA-1G - NTD4857NA - MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTD4857NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
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