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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
NTDWellerAntennas +3dB GSM Patch antenna RG174 SMA Male
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTDWELLERDescription: WELLER - NTD - Lötspitze, meißelförmig, 4mm
Breite der Spitze/Düse: 4
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTDApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD03-010LYageoNTD03-010L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD03-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 10ohm 3A +/-15% box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD03-010MYAGEODescription: YAGEO - NTD03-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 8mm, 3A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 3A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 8mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD03-010MYageoNTD03-010M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD036JRC
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD036JRC00+
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-003LYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-003LFYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-003MYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-003MFYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-004LYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-004LFYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-004MYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-004MFYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 20% BOX
Packaging: Box
Tolerance: ±20%
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005LYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005LFYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005MYageoInrush Current Limiter Thermistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005MYAGEODescription: YAGEO - NTD04-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 8mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 8mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005MYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 8mm, 5ohm 4A, +/-20% box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-005MFYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-006LYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-006LFYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-006MYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-006MFYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-007LYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-007LFYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-007MYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD04-007MFYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B105M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B155M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B225M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B334M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B335M43A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B474M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B475M43A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B684M32A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD101B685M55A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD10N10ELT4
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RON07+ SOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RONSOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RON SemiconductorMOSFET 24V 110A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02R-001 - NTD110N02R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-001GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
auf Bestellung 17861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 683
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-1
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-1(ON)
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-1(ON).
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-1.
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02R-1G
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
680+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 680
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RST4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 24V 100A 4.6OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RST4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RT4Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 13330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02RT4 - NTD110N02RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD110N02RT4GON SemiconductorMOSFET 24V 110A N-Channel
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NTD110N02RT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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NTD110N02RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD110N02RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02RT4G - MOSFET, N CHANNEL, 24V, 110A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTD110N02RT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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NTD110N02RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD110N02RT4G**********
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NTD12N10ONSOT-252
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NTD12N10ON07+ SOT-252
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NTD12N10-001
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NTD12N10-1ONTO-252/D-PAK
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NTD12N10-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD12N10-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
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NTD12N10-1G
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NTD12N10G
auf Bestellung 36000 Stücke:
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NTD12N10GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD12N10T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD12N10T4GONTO-252/D-PAK
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NTD12N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.83 EUR
2501+0.40 EUR
5001+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD12N10T4GON
auf Bestellung 2500 Stücke:
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NTD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4Gon10+
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NTD12N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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NTD12N10T4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD12N10T4G2500ON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03
auf Bestellung 2500 Stücke:
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NTD14N03RONSOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
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NTD14N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
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NTD14N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD14N03RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD14N03R-001
auf Bestellung 3556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03R-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD14N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD14N03RG
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD14N03RT4
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
auf Bestellung 7565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
auf Bestellung 10454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
10+1.91 EUR
100+1.48 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.68 EUR
104+1.38 EUR
105+1.32 EUR
125+1.06 EUR
250+0.95 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GONSEMINTD14N03RT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GonsemiMOSFETs 25V 14A N-Channel
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.90 EUR
10+0.76 EUR
100+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.43 EUR
105+1.37 EUR
125+1.10 EUR
250+0.99 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.70 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
auf Bestellung 7565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 2,5 А; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20; Qg, нКл = 1,8 @ 5 В; Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; DPAK-3
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+2.00 EUR
10+1.72 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03RT4G******
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD14N03T4G
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06AV1onsemiDescription: 15A, 60V, 0.09OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06AVT4onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.120R TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06LONSOT-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06L-001ON0414
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD15N06L-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD15N06L-1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2725 Stücke:
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1560+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1560
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NTD15N06L-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06L-1G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD15N06LG
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD15N06LGonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NTD15N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD15N06LT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4 - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD15N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD15N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06LT4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 2591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1560+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1560
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NTD15N06LT4G
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
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NTD15N06T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2061+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2061
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06T4G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N06VT4
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD15N40
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06ONSOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06onsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
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NTD18N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
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NTD18N06-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06-1G - NTD18N06-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LONSOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06L-1GONDPAK-3 10+
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LGonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LGON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GonsemiMOSFETs 60V 18A N-Channel
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.50 EUR
100+1.12 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.64 EUR
109+1.31 EUR
113+1.22 EUR
144+0.92 EUR
250+0.87 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
auf Bestellung 7272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.67 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.36 EUR
113+1.26 EUR
144+0.96 EUR
250+0.91 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GONSEMINTD18N06LT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD18N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD18N06T4G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD20N03
auf Bestellung 15300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20N03L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20N03L27ONSOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD20N03L27ON07+ SOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20N03L27-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-001 - MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD20N03L27-1
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20N03L27-1GON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20N03L27-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
781+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-1G - NTD20N03L27-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4 - NTD20N03L27T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
662+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 3434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.99 EUR
10+1.90 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GonsemiMOSFETs 30V 20A N-Channel
auf Bestellung 25960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03L27T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03LT4
auf Bestellung 7480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03LT4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N03RT4G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06onsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06ONSOT-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06ON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06ON09+ QFN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
auf Bestellung 3436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1040+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06-001 - MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-1ON05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-1GON Semiconductor
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1040+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LONSOT-252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
650+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06L-001 - NTD20N06L-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06L-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06L-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LGonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LG
Produktcode: 27874
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ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 60
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.0375
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4on04+
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.75 EUR
5000+1.67 EUR
10000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
2+2.20 EUR
10+1.97 EUR
100+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GON-SemicoductorN-MOSFET 20A 60V 60W 0.048Ω NTD20N06LT4G, NTD20N06T4G NTD20N06L smd ONS TNTD20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.15 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4onsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0375 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0375ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.03 EUR
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GON09+
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0375 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0375ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
auf Bestellung 7764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
10+1.92 EUR
100+1.54 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GonsemiMOSFETs 60V 20A N-Channel
auf Bestellung 2059 Stücke:
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10+1.94 EUR
100+1.52 EUR
250+1.33 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06T4G**********
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20N06VLT4
auf Bestellung 58700 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N06VLT4G
auf Bestellung 56200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N3L27T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N3L27T4G
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N3L27T4G**********
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20N3L27T4G************
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD20P03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P03HDLT4
auf Bestellung 5400 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06ON
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06HDLT4
auf Bestellung 500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06HL
auf Bestellung 1850 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LonsemiMOSFET -60V -15.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LONSOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06L-001onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06L-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06L-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06L-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGON09+ MSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LG
Produktcode: 35247
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ON SemiconductorTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 60
Id,A: 15.5
Rds(on),Om: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.70 EUR
10+0.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LGonsemiMOSFET -60V -15.5A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4onsemiMOSFET -60V -15.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GONSEMINTD20P06LT4G SMD P channel transistors
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
2500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
11+1.61 EUR
100+1.15 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GonsemiMOSFETs -60V -15.5A P-Channel
auf Bestellung 123405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.53 EUR
100+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD22OTAX ElectronicsNTD22
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.45 EUR
50+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RONSOT-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
auf Bestellung 3372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3372+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3372
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD23N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
auf Bestellung 13611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2404+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2404
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-1GON Semiconductor
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03R-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
auf Bestellung 15804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2885+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
auf Bestellung 29908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2885+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
auf Bestellung 1084941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2885+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2405Crydom Co.Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 5A PNL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2410Crydom Co.Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 10A PNL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2410FSensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 10A 24-280V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2425CrydomSolid State Relays - Industrial Mount 25A TRIAC OUTPUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2425Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
Packaging: Bulk
Package / Case: Hockey Puck
Output Type: AC, Zero Cross
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 3 ~ 32VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Termination Style: Screw Terminal
Load Current: 25 A
Approval Agency: CE, CSA, UL
Voltage - Load: 24 V ~ 280 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2425-10Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
Packaging: Bulk
Package / Case: Hockey Puck
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 3 ~ 32VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Termination Style: Screw Terminal
Load Current: 25 A
Approval Agency: CE, CSA, UL
Voltage - Load: 24 V ~ 280 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2425-10
Produktcode: 125552
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Relais
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06onsemiMOSFETs 24V 60A N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06ONSOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD24N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1285+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD24N06-1GON SemiconductorNTD24N06-1G
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1916+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1916
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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NTD24N06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD24N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
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NTD24N06LONSOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD24N06LonsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
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NTD24N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD24N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD24N06L-001onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
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NTD24N06L-1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD24N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LGonsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD24N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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NTD24N06LT4
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD24N06LT4onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
25+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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NTD24N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+0.99 EUR
161+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON-SemicoductorN-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GonsemiMOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
auf Bestellung 13006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+1.99 EUR
100+1.45 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.14 EUR
144+0.95 EUR
161+0.82 EUR
250+0.79 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
auf Bestellung 10640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.40 EUR
10+2.27 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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NTD24N06LT4G(Transistor)
Produktcode: 81607
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON Semiconductor
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON SemiconductorMOSFET 24A 60V N-Channel
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N60
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD24N6LG
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD250B106M43A0T00
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
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NTD250N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD250N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
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NTD250N65S3HONSEMINTD250N65S3H SMD N channel transistors
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NTD250N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
auf Bestellung 14985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.59 EUR
10+3.61 EUR
100+2.63 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, DPAK
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.54 EUR
10+3.56 EUR
100+2.59 EUR
500+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.201ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD25P03ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD25P03ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LONSOT-252
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LonsemiMOSFET -30V -25A P-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03L1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03L1ON09+ QFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD25P03L1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD25P03L1GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD25P03L1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD25P03L1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LGUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.45 EUR
80+1.78 EUR
100+1.43 EUR
500+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LGUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LG0N08+ TO252
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LG 20P03.HXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NTD25P03LT4G; NTD25P03LG HXY MOSFET TNTD25P03 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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NTD25P03LRLGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LRLGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GONSEMINTD25P03LT4G SMD P channel transistors
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GON-SemicoductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 4189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GonsemiMOSFETs -30V -25A P-Channel
auf Bestellung 16192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.85 EUR
100+1.31 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GON-SemicoductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD25P03LT4GOSonsemiMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5ZONSEMINTD280N60S5Z SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5ZonsemiDescription: SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.5A, 10V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+3.21 EUR
100+2.45 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5ZON SemiconductorPower, SingleN-Channel, SUPERFET,with Zener Diode, DPAK600 V, 280 mOhm, 13 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5ZonsemiDescription: SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.5A, 10V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD280N60S5ZonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive with Zener Diode, 600 V, 13 A, 280 mohm, DPAK Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive with Zener Diode, 600 V, 13 A, 280 mohm, DPAK
auf Bestellung 2400 Stücke:
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NTD2955ONTO-252/D-PAK
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NTD2955onsemiMOSFETs -60V -12A P-Channel
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NTD2955ON07+ TO-252/D-PAK
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NTD2955-001ONTO-252/D-PAK
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NTD2955-001onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
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NTD2955-1GON SemiconductorMOSFET -60V -12A P-Channel
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NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD2955-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
842+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 842
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NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD2955-1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD2955-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD2955DONTO-252/D-PAK
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD2955GON
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NTD2955GONTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD2955GonsemiMOSFETs -60V -12A P-Channel
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NTD2955GON07+ TSSOP
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD2955GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NTD2955GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955PT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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NTD2955PT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD2955PT4GON Semiconductor
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955PT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955PT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 8642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.85 EUR
5000+0.77 EUR
7500+0.74 EUR
10000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.74 EUR
7500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GonsemiMOSFETs -60V -12A P-Channel
auf Bestellung 15412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.69 EUR
100+1.23 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.80 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.51 EUR
25000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.20 EUR
144+1.00 EUR
145+0.95 EUR
174+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.03 EUR
145+0.99 EUR
174+0.79 EUR
250+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 7874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
10+1.77 EUR
100+1.23 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GONSEMINTD2955T4G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.57 EUR
25000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.50 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.57 EUR
25000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055ON09+
auf Bestellung 55018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055−094T4GON09+ 8-SSOP
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094onsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094-1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094GonsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD3055-094GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NTD3055-094T4GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 1503 Stücke:
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10+1.13 EUR
100+0.81 EUR
500+0.67 EUR
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5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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148+1.00 EUR
170+0.84 EUR
171+0.80 EUR
222+0.60 EUR
267+0.48 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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NTD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 6613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
15+1.20 EUR
100+0.85 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055-094T4GONSEMINTD3055-094T4G SMD N channel transistors
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NTD3055-094T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+0.91 EUR
165+0.87 EUR
215+0.64 EUR
267+0.50 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-103
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-120
auf Bestellung 43500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-120T4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2885+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150ONSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150ON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150-1 - 9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1onsemiDescription: MOSFET N-CHAN 9A 60V DPAK STR
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2427+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2427
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 9321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150-1G - NTD3055-150-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4 - 9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.83 EUR
202+0.71 EUR
204+0.68 EUR
232+0.57 EUR
250+0.53 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GON09+ SOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GON Semiconductor
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 3912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
16+1.10 EUR
100+0.80 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GonsemiMOSFETs 60V 9A N-Channel
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.20 EUR
100+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NTD3055-150T4GONSEMINTD3055-150T4G SMD N channel transistors
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NTD3055-150T4G**********
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NTD3055-150T4G************
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NTD3055-170ONSOT-252
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NTD3055-170ON07+ SOT-252
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NTD3055-170T4G
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NTD3055-NL
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NTD30550941GON
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NTD3055150T4GON
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NTD3055AV1onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.15R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NTD3055AVL
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NTD3055AVT4onsemiDescription: RF MOSFET 60V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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1150+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
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NTD3055AVT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055AVT4 - NFET DPAK 60V 0.15R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD3055E
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NTD3055EL
auf Bestellung 18000 Stücke:
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NTD3055L104ON07+ SOT-252
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NTD3055L104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NTD3055L104ONSOT-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
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NTD3055L104onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD3055L104onsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
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NTD3055L104ON09+ TSOP-48
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NTD3055L104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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NTD3055L104ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTD3055L104-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
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NTD3055L104-1ON0104
auf Bestellung 20 Stücke:
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NTD3055L104-1GON10+
auf Bestellung 11325 Stücke:
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NTD3055L104-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD3055L104-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD3055L104-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
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NTD3055L104-1GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
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NTD3055L104GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD3055L104GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD3055L104GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
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NTD3055L104GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
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NTD3055L104GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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NTD3055L104GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD3055L104GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NTD3055L104T4onsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
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NTD3055L104T4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD3055L104T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.58 EUR
110+1.30 EUR
115+1.20 EUR
156+0.85 EUR
250+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.35 EUR
115+1.25 EUR
156+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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NTD3055L104T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.089 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.92 EUR
106+1.35 EUR
149+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
25000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.60 EUR
5000+0.54 EUR
25000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
12+1.54 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 91592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.55 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4G
Produktcode: 208676
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
25000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.55 EUR
25000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4ON07+;
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4GON SemiconductorMOSFET 60V 9A N-Channel
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4GONSEMINTD3055L170T4G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.80 EUR
194+0.74 EUR
196+0.70 EUR
283+0.47 EUR
291+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055L170T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3055LT4
auf Bestellung 19892 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD3055LT4G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD3055VL
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NTD30N02ON07+ SOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02ONSOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02G
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02T4G
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
987+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 987
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N02T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD30N02T4G - NTD30N02T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30N06
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30X7R1H335M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30X7R1H475M
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30X7R2A155M
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD30X7R2A225M
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3150
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3151PT1G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD31X7R1E156M
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD31X7R1E226M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD31X7R1H106M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD31X7R1H685M
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD31X7R2A335M
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD31X7R2A475M
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06ONSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06ON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LONSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD32N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06L-1ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06L-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LG
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LT4ON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06LT4G
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06T4G
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD32N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
auf Bestellung 5318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.90 EUR
100+2.09 EUR
500+1.80 EUR
1000+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK
auf Bestellung 6370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.45 EUR
10+2.92 EUR
100+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.95 EUR
82+1.74 EUR
83+1.66 EUR
84+1.58 EUR
100+1.29 EUR
250+1.16 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZONSEMINTD360N80S3Z SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZonsemiMOSFETs SF3 800V 360MOHM, DPAK
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.50 EUR
100+2.55 EUR
500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
10+3.44 EUR
100+2.50 EUR
500+2.08 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZON Semiconductor
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD360N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
auf Bestellung 7275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1158+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808N-35G - NTD3808N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808NT4G - NTD3808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 59025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
auf Bestellung 59025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3813N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 963 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 963 pF @ 12 V
auf Bestellung 11550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3813NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3817N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
auf Bestellung 15525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD3817NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RONSOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45586
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
№ 3: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 45A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1820+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 350178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1150+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03RT4 - NTD40N03RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 4451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1820+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GONTO252
auf Bestellung 16377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GON Semiconductor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302ON07+ SOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302ONSOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-001onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-001 - NTD4302-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-1ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-1GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-1G - NTD4302-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
auf Bestellung 34404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
auf Bestellung 35125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
650+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4ON07+;
auf Bestellung 14570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
426+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 426
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.66 EUR
100+2.13 EUR
250+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4GONSEMINTD4302T4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4302T4G**********
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4404N1
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4404NT4G - NTD4404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD452AP
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD452AP
Produktcode: 94294
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804Nonsemi NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-1onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4804N-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 43879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35GON Semiconductor
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35GonsemiMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
auf Bestellung 43879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
486+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 486
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4804NA-35G - MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GONSEMINTD4804NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GonsemiMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
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500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
auf Bestellung 21450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-1GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-1GON Semiconductor
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-35GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-35GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 952
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NG
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GONSEMINTD4805NT4G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.66 EUR
227+0.63 EUR
230+0.60 EUR
234+0.57 EUR
250+0.53 EUR
500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
auf Bestellung 588024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
562+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 562
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 88A 5MOHM
auf Bestellung 6521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806N-35G - NTD4806N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 46050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NA-1G - NTD4806NA-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NA-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NA-35GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NAT4GON Semiconductor
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD4806NAT4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NAT4G - NTD4806NAT4G - MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NAT4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 15.6A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 43597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
auf Bestellung 43597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4769 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4GONTO-252 10+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4806NT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808n
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808nON SemiconductorON Semiconductor NFET DPAK 30V 63A 8MOHM
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NTD4808N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-1GonsemiMOSFET NFET 30V 63A 8MOHM
auf Bestellung 16703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-1GONSEMINTD4808N-1G THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
auf Bestellung 4265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
2501+0.15 EUR
5001+0.14 EUR
20001+0.13 EUR
40001+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808NT4GON0710+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
auf Bestellung 22486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809Nonsemi NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-1GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-1G
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809N-1G - NTD4809N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 6748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35GON09+ TO252
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809N-35G - NTD4809N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 61875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 61875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809N-35HonsemiDescription: RF MOSFET 30V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 108300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-1G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-35G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 195700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NAT4G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 193200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NGonsemiArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 3624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 63872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NH-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NH-35HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NHT4G - NTD4809NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 142167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4G
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
auf Bestellung 142167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NHT4HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.1A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.52 EUR
10+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GONSOT-252 10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
auf Bestellung 65285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4H - NTD4809N - NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4809NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 30V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810N-1G
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810N-1G - NTD4810N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
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NTD4810NH-1G
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD4810NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1680+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1680
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NTD4810NH-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NH-1G - NTD4810NH-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NH-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD4810NHT4
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
841+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 841
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NTD4810NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NHT4G - MOSFET, N, 30V, D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4G
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NHT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 54 A 10 mOhm Single N-Channel DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD4810NT4GON06+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 12 V
auf Bestellung 6150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NHON09+ TO252
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4813NH-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH