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Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
26+	1.01 EUR
27+	0.98 EUR
50+	0.96 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV1-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV1-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 2765 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
54+	0.97 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV1-3FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV1-3FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED

auf Bestellung 35300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV1-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 2505 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
54+	0.97 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.75 EUR
9000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

Produkt ist nicht verfügbar

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 1686 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
26+	1.01 EUR
27+	0.98 EUR
50+	0.96 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV1-3RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
12+	2.35 EUR
25+	2.29 EUR
50+	2.23 EUR
100+	2.12 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV1-3RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV1-3RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3

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PMV1-3RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

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PMV1-4FB-CY

Description: TERM FORK INS

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PMV1-4RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

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PMV1-4RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

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PMV1-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

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PMV1-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

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PMV1-5FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV1-5FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV1-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

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PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 5415 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
26+	1.01 EUR
27+	0.98 EUR
50+	0.96 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV1-5RB-CY

Ring Tongue Terminal 18-22AWG Copper Red 23.11mm Tin Bottle

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PMV1-5RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV1-5RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.910" (23.11mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.4 EUR
25+	2.35 EUR
50+	2.29 EUR
100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV1-5RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

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PMV1-5RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP

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PMV1-6FB-CY

Description: TERM FORK INS

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PMV1-6RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV1-6RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

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PMV1-P10-CY

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 0

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PMV1-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

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PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.78 EUR
246+	0.61 EUR
249+	0.58 EUR
386+	0.36 EUR
390+	0.34 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV100ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.118Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
30+	0.89 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 23

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100ENEAR

MOSFET PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 20644 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

127+	0.41 EUR
163+	0.32 EUR
169+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR
45000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 127

PMV100ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

249+	0.63 EUR
386+	0.39 EUR
390+	0.37 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 249

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 29676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100EPAR

MOSFET PMV100EPA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 85974 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
57+	0.93 EUR
102+	0.51 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.3 EUR
9000+	0.28 EUR
24000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 44

PMV100EPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 276mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -9A
Drain-source voltage: -60V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V

auf Bestellung 20343 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
28+	0.94 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV100EPAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEA,215

Description: 2.4A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV100XPEA215

Description: NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6693+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 6693

PMV100XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 187mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEAR

MOSFET PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 70-84 Tag (e)

48+	1.09 EUR
71+	0.74 EUR
169+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 48

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15000+	0.089 EUR
24000+	0.084 EUR
30000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 15000

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8127 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
35+	0.75 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.089 EUR
24000+	0.084 EUR
30000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100XPEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

243+	0.65 EUR
349+	0.43 EUR
353+	0.41 EUR
820+	0.17 EUR
828+	0.16 EUR
837+	0.15 EUR
1086+	0.11 EUR
3000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 243

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

820+	0.19 EUR
828+	0.18 EUR
837+	0.17 EUR
1086+	0.13 EUR
3000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 820

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV10A440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -20...60°C
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 208...480V AC
Contact actuation delay: 60ms
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Kind of output 1: SPDT
Power supply: from tested wiring system
IP rating: IP20 at terminal side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	43.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV10A440

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	43.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV117EN

PHILILPS

09+

auf Bestellung 2018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV117EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB

auf Bestellung 4607 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3206+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3206

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8481 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
35+	0.74 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

345+	0.45 EUR
413+	0.37 EUR
448+	0.32 EUR
753+	0.19 EUR
760+	0.18 EUR
768+	0.17 EUR
1056+	0.12 EUR
3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 345

PMV120ENEAR

PMV120ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV120ENEAR

MOSFET PMV120ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 32876 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
72+	0.73 EUR
130+	0.4 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 54

PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV1216GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV1216GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1414 N4, Eclipse Junior, 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV1216GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel, Grey

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV1216GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 705000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV130ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

auf Bestellung 1262 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	0.22 EUR
365+	0.2 EUR
407+	0.18 EUR
523+	0.14 EUR
554+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 319

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 16288 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
36+	0.74 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

407+	0.38 EUR
553+	0.27 EUR
599+	0.24 EUR
762+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 407

PMV130ENEAR

MOSFET PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 74745 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.05 EUR
75+	0.69 EUR
113+	0.46 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	0.54 EUR
379+	0.4 EUR
407+	0.36 EUR
553+	0.25 EUR
599+	0.22 EUR
762+	0.17 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 292

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV130ENEAR

auf Bestellung 1262 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

319+	0.22 EUR
365+	0.2 EUR
407+	0.18 EUR
523+	0.14 EUR
554+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 319

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3046 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
37+	0.7 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV13XNEAR

MOSFET PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 13707 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
74+	0.71 EUR
131+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 57

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV13XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.6A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNEAR

PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
28+	0.96 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV15ENEAR

MOSFET PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 8901 Stücke:

Lieferzeit 154-168 Tag (e)

50+	1.05 EUR
66+	0.79 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.3 EUR
6000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV15ENEAR

PMV15ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 88102 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
32+	0.83 EUR
35+	0.76 EUR
100+	0.56 EUR
250+	0.51 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR
15000+	0.26 EUR
30000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV15ENER

MOSFET PMV15ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 14828 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
65+	0.81 EUR
100+	0.55 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

auf Bestellung 8074 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV15UNEAR

MOSFET PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 10883 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
62+	0.84 EUR
100+	0.57 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR
24000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV15UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

auf Bestellung 6110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV15UNEAR

PMV15UNEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

auf Bestellung 6110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV160UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.8A; 480mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

275+	0.26 EUR
506+	0.14 EUR
562+	0.13 EUR
747+	0.096 EUR
789+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 275

PMV160UP,215

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.26 EUR
506+	0.14 EUR
562+	0.13 EUR
747+	0.096 EUR
789+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 275

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

auf Bestellung 97356 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
39+	0.68 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 324000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

95+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 95

PMV160UP,215

MOSFET PMV160UP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 53705 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
93+	0.56 EUR
173+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.15 EUR
24000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 54

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
9000+	0.18 EUR
75000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV160UPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV160UPVL

MOSFET PMV160UP/SOT23/TO-236AB

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PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV164ENEAR

PMV164ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 24804 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

MOSFET PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 85439 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
71+	0.74 EUR
171+	0.3 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

auf Bestellung 4302 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
39+	0.67 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV164ENER

MOSFET PMV164ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 33659 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
72+	0.73 EUR
127+	0.41 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 53

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV16UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV16UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16XNR

Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 510mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23815 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
15000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9111 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

303+	0.52 EUR
357+	0.42 EUR
360+	0.4 EUR
495+	0.28 EUR
500+	0.27 EUR
646+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 303

PMV16XNR

MOSFET PMV16XN/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 131787 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

60+	0.87 EUR
75+	0.7 EUR
139+	0.37 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 60

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9111 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

360+	0.44 EUR
495+	0.3 EUR
500+	0.29 EUR
646+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 360

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

auf Bestellung 33389 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.94 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV16XNR

Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 510mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 13950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2219+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

auf Bestellung 260243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2219+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

PMV185XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.8A; Idm: 24A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 18.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV19XNEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

MOSFET PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 15905 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
65+	0.81 EUR
116+	0.45 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR
45000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 3327 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV2-35RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 5558 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
26+	1.01 EUR
27+	0.98 EUR
50+	0.96 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV2-3FB-C

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.840" (21.34mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 1307 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
12+	2.32 EUR
100+	2.1 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV2-3FB-C

Fork Terminal 14-16AWG Copper Blue 21.34mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.42 EUR
23+	2.36 EUR
100+	2.13 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.91 EUR
5000+	1.8 EUR
10000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV2-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3RB-C

Terminals VYL-RING 1.5-2.5MM M3

auf Bestellung 3177 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV2-3RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP

auf Bestellung 1785 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
12+	2.32 EUR
25+	2.27 EUR
50+	2.21 EUR
100+	2.1 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV2-3RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV2-3RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4FB-3K

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4FB-C

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-C

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV2-5RB-C

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.42 EUR
23+	2.36 EUR
100+	2.13 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.91 EUR
5000+	1.8 EUR
10000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV2-5RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.935" (23.75mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1947 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.38 EUR
25+	2.32 EUR
50+	2.27 EUR
100+	2.15 EUR
500+	2.1 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV2-5RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV2-5RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6FB-3K

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6FB-C

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-P10-C

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 14-16AWG
Packaging: Bulk
Color: Blue
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Pin Diameter: Circular - 0.080" (2.03mm) Dia
Length - Overall: 0.890" (22.61mm)
Termination: Crimp
Length - Pin: 0.394" (10.00mm)

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2024GY

Electrical Enclosure Accessories Vertical Steel Channel, Grey

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV2024GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV2024GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 73269098
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV20A240

PMV20A240 Monitoring Relays

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR

PMV20A575

PMV20A575 Monitoring Relays

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	105.63 EUR
2+	51.98 EUR

PMV20A600

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Power supply: from tested wiring system
Kind of output 1: SPDT
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...600V AC
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20A600

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20A600

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	639.13 EUR

PMV20A600-LVTO

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	639.13 EUR

PMV20EN

Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 3-Pin TO-236AB PMV20ENR TPMV20e
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV20EN215

Description: NEXPERIA PMV20EN - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

911+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 911

PMV20ENR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

285+	0.25 EUR
379+	0.19 EUR
421+	0.17 EUR
555+	0.13 EUR
588+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 285

PMV20ENR

auf Bestellung 2878 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

285+	0.25 EUR
379+	0.19 EUR
421+	0.17 EUR
555+	0.13 EUR
588+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 285

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 175314 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11835 Stücke:

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375+	0.42 EUR
492+	0.31 EUR
521+	0.28 EUR
663+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 375

PMV20ENR

MOSFET PMV20EN/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 149607 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

61+	0.87 EUR
75+	0.7 EUR
109+	0.48 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 61

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR
75000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV20XN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV20XN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 8397 Stücke:

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PMV20XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 212456 Stücke:

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PMV20XNEA,215

Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

MOSFET PMV20XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 15099 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
67+	0.78 EUR
131+	0.4 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20400 Stücke:

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PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
31+	0.87 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	0.65 EUR
332+	0.45 EUR
372+	0.39 EUR
639+	0.22 EUR
674+	0.2 EUR
741+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 240

PMV20XNER

MOSFET PMV20XNE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 92492 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
78+	0.67 EUR
131+	0.4 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 56

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV20XNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 24A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3417 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

262+	0.27 EUR
291+	0.25 EUR
385+	0.19 EUR
407+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 262

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

auf Bestellung 29928 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV20XNER

auf Bestellung 3417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

262+	0.27 EUR
291+	0.25 EUR
385+	0.19 EUR
407+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 262

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213APW

auf Bestellung 5800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV213SN

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV213SN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213SN T/R

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

299+	0.52 EUR
331+	0.46 EUR
410+	0.35 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 299

PMV213SN,215

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.36 EUR
210+	0.34 EUR
275+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 45984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

220+	0.71 EUR
254+	0.59 EUR
257+	0.57 EUR
345+	0.4 EUR
349+	0.38 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.2 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 220

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

auf Bestellung 262371 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV213SN,215

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.36 EUR
210+	0.34 EUR
275+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

auf Bestellung 258000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1855 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

auf Bestellung 45984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.61 EUR
345+	0.44 EUR
349+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 257

PMV213SN,215

MOSFET PMV213SN/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 258385 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
51+	1.03 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.37 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 44

PMV22EN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV22EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV22EN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 994810 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV230ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10232 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
42+	0.63 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV230ENEAR

MOSFET PMV230ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 34045 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

59+	0.89 EUR
83+	0.63 EUR
184+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 59

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV230ENEAR

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PMV240SPR

MOSFET PMV240SP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 15970 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
60+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV240SPR

Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV240SPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -800mA; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 840mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV240SPR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

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PMV250EPEA

NXP Semiconductors

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PMV250EPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

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PMV250EPEAR

Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

auf Bestellung 38246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV250EPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	0.22 EUR
445+	0.16 EUR
490+	0.15 EUR
650+	0.11 EUR
685+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 330

PMV250EPEAR

auf Bestellung 2745 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

330+	0.22 EUR
445+	0.16 EUR
490+	0.15 EUR
650+	0.11 EUR
685+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 330

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV250EPEAR

MOSFET PMV250EPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 251593 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
77+	0.68 EUR
159+	0.33 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 46

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.1 EUR
15000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV250EPEAR

auf Bestellung 38246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 40990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.1 EUR
15000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV25ENEA215

Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 22A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

MOSFET PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 27998 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.05 EUR
61+	0.86 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV27UPEA,215

Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV27UPEAR

MOSFET PMV27UPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 25139 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

51+	1.03 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 51

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2923 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
31+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

267+	0.59 EUR
304+	0.5 EUR
306+	0.47 EUR
397+	0.35 EUR
401+	0.33 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 267

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	0.51 EUR
397+	0.38 EUR
401+	0.36 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 306

PMV27UPER

MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 11377 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.05 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV27UPER

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV27UPER

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

auf Bestellung 11978 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
30+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV27UPER

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PMV27UPER

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PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV280ENEA

NXP Semiconductors

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PMV280ENEA,215

Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV280ENEA215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV280ENEAR

MOSFET PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 237745 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.12 EUR
61+	0.85 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 47

PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 34561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 23

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV280ENEAR
Produktcode: 194408

Transistoren > MOSFET N-CH

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV280ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 5A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1078mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

193+	0.37 EUR
368+	0.19 EUR
410+	0.17 EUR
485+	0.15 EUR
513+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 193

PMV280ENEAR

auf Bestellung 1535 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

193+	0.37 EUR
368+	0.19 EUR
410+	0.17 EUR
485+	0.15 EUR
513+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 193

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	0.51 EUR
452+	0.33 EUR
488+	0.3 EUR
673+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 306

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	0.71 EUR
286+	0.53 EUR
306+	0.47 EUR
452+	0.31 EUR
488+	0.27 EUR
673+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 219

PMV28ENEAR

PMV28ENEAR SMD N channel transistors

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PMV28ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
38+	0.69 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV28ENEAR

MOSFET PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 31343 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

59+	0.89 EUR
80+	0.66 EUR
110+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 59

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28ENER

MOSFET PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 5718 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
71+	0.74 EUR
104+	0.5 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 57

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV28UN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 6399 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.53 EUR
390+	0.39 EUR
393+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 295

PMV28UNEAR

PMV28UNEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4501 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
37+	0.72 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28UNEAR

MOSFET PMV28UNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/

auf Bestellung 17955 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV28XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28XPEAR

MOSFET PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 135170 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
86+	0.61 EUR
120+	0.44 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV28XPEAR

PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28XPEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28XPEAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1812 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV3036GY

Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray

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PMV3036GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PMK Series
Accessory Type: Mounting Kit

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PMV30A240

PMV30A240 Monitoring Relays

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PMV30A600

PMV30A600 Monitoring Relays

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PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30ENEAR

40 V N-channel Trench MOSFET

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PMV30ENEAR

PMV30ENEAR SMD N channel transistors

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PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V

auf Bestellung 11285 Stücke:

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23+	1.14 EUR
30+	0.89 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 23

PMV30UN

07+ROHS SOT-23

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV30UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

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PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

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PMV30UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30UN2

NXP Semiconductors

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PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7734 Stücke:

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667+	0.23 EUR
674+	0.22 EUR
688+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 667

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

auf Bestellung 138000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR
75000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 40534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
12000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 924000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7734 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	0.68 EUR
302+	0.5 EUR
352+	0.41 EUR
667+	0.21 EUR
674+	0.2 EUR
688+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.085 EUR

Mindestbestellmenge: 231

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

auf Bestellung 143333 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

auf Bestellung 40534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 7205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	0.3 EUR
394+	0.18 EUR
443+	0.16 EUR
607+	0.12 EUR
642+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 237

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 924000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

auf Bestellung 7205 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

237+	0.3 EUR
394+	0.18 EUR
443+	0.16 EUR
607+	0.12 EUR
642+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 237

PMV30UN2R

MOSFET PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 28941 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
69+	0.76 EUR
143+	0.36 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.18 EUR
45000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 48

PMV30UN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

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PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

MOSFET PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

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PMV30XN

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

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PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV30XPAR

MOSFET PMV30XPA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 10492 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
67+	0.78 EUR
121+	0.43 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV30XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV30XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPAR

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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 29214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.27 EUR
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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear
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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR

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PMV30XPEAR

MOSFET PMV30XPEA/SOT23/TO-236AB

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83+	0.63 EUR
103+	0.51 EUR
153+	0.34 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 83

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPEAR

PMV30XPEAR SMD P channel transistors

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166+	0.43 EUR
363+	0.2 EUR
383+	0.19 EUR

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PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV31XN

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PMV31XN,215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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PMV32UP

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 8855 Stücke:

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20+	1.35 EUR
23+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.51 EUR

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PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.25 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 930mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2957 Stücke:

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218+	0.33 EUR
243+	0.29 EUR
304+	0.24 EUR
322+	0.22 EUR

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PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

auf Bestellung 2957 Stücke:

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218+	0.33 EUR
243+	0.29 EUR
304+	0.24 EUR
322+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 218

PMV32UP,215

Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

auf Bestellung 6711 Stücke:

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PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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100+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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PMV32UP,215

MOSFET PMV32UP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 230821 Stücke:

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50+	1.04 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.33 EUR
45000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

auf Bestellung 6711 Stücke:

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PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV32UP,215
Produktcode: 188518

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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PMV32UP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP215

Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

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PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.39 EUR
30000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV33UPE,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV33UPE,215

MOSFET PMV33UPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 44944 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

auf Bestellung 53365 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.33 EUR
23+	1.13 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV35EPER

MOSFET PMV35EPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 8809 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
55+	0.95 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.39 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 46

PMV35EPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -17A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

auf Bestellung 2365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

145+	0.5 EUR
165+	0.44 EUR
230+	0.31 EUR
245+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 145

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV35EPER

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2017 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

auf Bestellung 6411 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.33 EUR
23+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

363+	0.43 EUR
436+	0.35 EUR
506+	0.29 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 363

PMV35EPER

auf Bestellung 2365 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

145+	0.5 EUR
165+	0.44 EUR
230+	0.31 EUR
245+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 145

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV35EPER
Produktcode: 187543

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8

erwartet 400 Stück:

400 Stück - erwartet

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV35EPER

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 480mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2017 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

324+	0.48 EUR
363+	0.42 EUR
436+	0.33 EUR
506+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 324

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

MOSFET PMV37EN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 1232 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.12 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 47

PMV37EN2R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 21753 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
36+	0.72 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR
15000+	0.25 EUR
30000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 3763 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV37ENEAR

MOSFET PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 237451 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
71+	0.74 EUR
125+	0.42 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.24 EUR
24000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV37ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6319 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV37ENEAR

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PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 33801 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
33+	0.81 EUR
36+	0.74 EUR
100+	0.55 EUR
250+	0.5 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV37ENER

MOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 17587 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
67+	0.78 EUR
100+	0.53 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.24 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 54

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

auf Bestellung 3609 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV40A240

PMV40A240 Monitoring Relays

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PMV40A575

PMV40A575 Monitoring Relays

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	110.7 EUR

PMV40A600

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Type of module: voltage monitoring relay
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Manufacturer series: PMV
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Leads: screw terminals
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Contact actuation delay: 0.1...20s
Kind of output 1: SPDT
Power supply: from tested wiring system
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40A600

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN

auf Bestellung 58400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV40UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2

NXP Semiconductors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2

Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2,215

Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2215

Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 168000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

auf Bestellung 422077 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
37+	0.71 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV40UN2R
Produktcode: 175226

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2R

Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215; PMV40UN2R TPMV40u
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.095 EUR
30000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.095 EUR
30000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV40UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

249+	0.29 EUR
407+	0.18 EUR
447+	0.16 EUR
593+	0.12 EUR
626+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 249

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

auf Bestellung 419895 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
9000+	0.19 EUR
75000+	0.16 EUR
150000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 48799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV40UN2R

auf Bestellung 2125 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

249+	0.29 EUR
407+	0.18 EUR
447+	0.16 EUR
593+	0.12 EUR
626+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 249

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.09 EUR
30000+	0.085 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

MOSFET PMV40UN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 331795 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

77+	0.68 EUR
104+	0.5 EUR
169+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 77

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 47345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV41XPAR

MOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23

auf Bestellung 4246 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
65+	0.8 EUR
100+	0.55 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR
9000+	0.24 EUR
24000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 53

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3213 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
35+	0.76 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV4248GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel

Produkt ist nicht verfügbar

PMV4248GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

auf Bestellung 12229 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.94 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV42ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV42ENER

MOSFET PMV42ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 76318 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

55+	0.96 EUR
72+	0.72 EUR
115+	0.45 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 55

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV42ENER

PMV42ENER SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV450ENEA

NXP Semiconductors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV450ENEA215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 16266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

702+	0.22 EUR
750+	0.2 EUR
1060+	0.14 EUR
1548+	0.09 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.068 EUR
15000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 702

PMV450ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 323mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 16266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

318+	0.49 EUR
382+	0.39 EUR
406+	0.36 EUR
702+	0.2 EUR
750+	0.18 EUR
1060+	0.12 EUR
1548+	0.079 EUR
3000+	0.073 EUR
6000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 318

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR
30000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.081 EUR
6000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.086 EUR
6000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEAR

MOSFET PMV450ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 23406 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

66+	0.8 EUR
81+	0.65 EUR
150+	0.35 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 66

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV450ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 323mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

33+	0.81 EUR
46+	0.57 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 33

PMV45EM

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV45EN

07+ SOP16

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 7892 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	0.27 EUR
451+	0.16 EUR
496+	0.14 EUR
626+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 266

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

314+	0.5 EUR
374+	0.4 EUR
390+	0.37 EUR
549+	0.25 EUR
564+	0.24 EUR
604+	0.21 EUR
1007+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 314

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 57603 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 510mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

390+	0.4 EUR
549+	0.27 EUR
564+	0.26 EUR
604+	0.23 EUR
1007+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 390

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 117000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.12 EUR
24000+	0.11 EUR
99000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV45EN2R

auf Bestellung 7892 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

266+	0.27 EUR
451+	0.16 EUR
496+	0.14 EUR
626+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 266

PMV45EN2R
Produktcode: 187508

Transistoren > MOSFET N-CH

erwartet 400 Stück:

400 Stück - erwartet

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 117000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.12 EUR
24000+	0.11 EUR
99000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV45EN2R

MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 44836 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
70+	0.75 EUR
117+	0.45 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 54

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 510mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2VL

Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

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PMV45EN2VL

MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

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PMV45EN2VL

Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PMV45EN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2VL

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PMV48XP

MOSFET

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PMV48XP
Produktcode: 143394

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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21000+	0.25 EUR
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PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3568 Stücke:

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PMV48XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 3120 Stücke:

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200+	0.36 EUR
225+	0.32 EUR
305+	0.24 EUR
325+	0.22 EUR

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PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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521+	0.29 EUR
524+	0.28 EUR
588+	0.24 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 464

PMV48XP,215

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200+	0.36 EUR
225+	0.32 EUR
305+	0.24 EUR
325+	0.22 EUR

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PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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428+	0.37 EUR
452+	0.33 EUR
464+	0.31 EUR
521+	0.27 EUR
524+	0.26 EUR
588+	0.22 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 428

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

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3000+	0.22 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.16 EUR
30000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 25274 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.1 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

PMV48XP,215

MOSFET PMV48XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 86935 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.38 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 43

PMV48XP,215

auf Bestellung 13581 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

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3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR
18000+	0.17 EUR
27000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

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3000+	0.22 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.41 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

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PMV48XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

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PMV48XP/ZLR

Description: PMV48XP/ZLR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

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PMV48XPA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

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PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

751+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 751

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18179 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

31+	0.86 EUR
40+	0.67 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 31

PMV48XPA2R

MOSFET PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 109313 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

60+	0.87 EUR
78+	0.67 EUR
140+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 60

PMV48XPA2R

Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1025+	0.15 EUR
1073+	0.14 EUR
1118+	0.13 EUR
1159+	0.12 EUR
1200+	0.11 EUR
2500+	0.1 EUR
5000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

PMV48XPA2R

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XPA2R

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XPA2R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPAR

Description: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

386+	0.41 EUR
457+	0.33 EUR
530+	0.27 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 386

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
12000+	0.25 EUR
24000+	0.23 EUR
36000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5332 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

PMV48XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

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PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7094 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

352+	0.44 EUR
442+	0.34 EUR
449+	0.32 EUR
540+	0.26 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.073 EUR
6000+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 352

PMV48XPAR

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PMV48XPAR

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.43 EUR
386+	0.39 EUR
457+	0.32 EUR
530+	0.26 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 362

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPAR

MOSFET PMV48XPA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 21198 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 44

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.22 EUR
24000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR
45000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7094 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	0.49 EUR
350+	0.43 EUR
352+	0.41 EUR
442+	0.32 EUR
449+	0.3 EUR
540+	0.24 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.07 EUR
6000+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 319

PMV48XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XPVL

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PMV48XPVL

MOSFET PMV48XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 9115 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
54+	0.97 EUR
100+	0.73 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.44 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 47

PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

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PMV50A240

PMV50A240 Monitoring Relays

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PMV50A575

PMV50A575 Monitoring Relays

auf Bestellung 2 Stücke:

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1+	125.3 EUR

PMV50A600

PMV50A600 Monitoring Relays

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PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3924 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 5.5A
Pulsed drain current: 5.5A
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50ENEAR

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PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV50ENEAR

MOSFET PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 30675 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.58 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

auf Bestellung 11330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.62 EUR
340+	0.44 EUR
371+	0.39 EUR
774+	0.18 EUR
799+	0.17 EUR
821+	0.16 EUR
1069+	0.11 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 251

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10880 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
34+	0.78 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV50EPEAR

MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 118333 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
78+	0.67 EUR
131+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 56

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

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PMV50NA240

PMV50NA240 Monitoring Relays

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PMV50NA440

PMV50NA440 Monitoring Relays

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PMV50NA600

PMV50NA600 Monitoring Relays

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PMV50UN

auf Bestellung 1487 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV50UPE,215

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 14925 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.84 EUR
100+	0.53 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.21 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 48

PMV50UPE,215

Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

auf Bestellung 3366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50UPE,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -12.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

auf Bestellung 19171 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
33+	0.79 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV50UPE,215

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50UPE215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV50UPEVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPEVL

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPEVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XNEAR

PMV50XNEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XNEAR

MOSFET PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 26601 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

55+	0.96 EUR
77+	0.68 EUR
153+	0.34 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 55

PMV50XNEAR

PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4547 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
38+	0.69 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV50XP215

Description: P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 1464000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 2425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
34+	0.79 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV50XPAR

MOSFET MOS DISCRETES

auf Bestellung 10368 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
63+	0.83 EUR
100+	0.56 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 8260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
35+	0.75 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XPR

MOSFET PMV50XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 108364 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
78+	0.67 EUR
127+	0.41 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 54

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.5A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2094 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

171+	0.42 EUR
275+	0.26 EUR
407+	0.18 EUR
431+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 171

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XPR

auf Bestellung 2094 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.42 EUR
275+	0.26 EUR
407+	0.18 EUR
431+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 171

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10705 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
38+	0.69 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV52ENEAR

MOSFET PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 6693 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

59+	0.89 EUR
75+	0.7 EUR
133+	0.39 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 59

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENEAR

PMV52ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

auf Bestellung 1838 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
37+	0.71 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENER

Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENER

MOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 5658 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
70+	0.75 EUR
103+	0.51 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 57

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENER

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV55A240

PMV55A240 Monitoring Relays

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	103.35 EUR

PMV55A440

PMV55A440 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEA

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEA,215

Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEAR

PMV55ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEAR

MOSFET PMV55ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 416839 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
77+	0.68 EUR
117+	0.44 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 56

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
30+	0.88 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV56XN

auf Bestellung 52600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV56XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV56XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV56XN215

nxp

10+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV6-35RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-3R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

auf Bestellung 2206 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.91 EUR
50+	2.68 EUR
100+	2.54 EUR
250+	2.51 EUR
2500+	2.42 EUR
5000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 18

PMV6-3R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 1.026" (26.06mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 817 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.02 EUR
50+	2.8 EUR
100+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 9

PMV6-3R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-3R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-3RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-3RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-4F-L

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-4FB-2K

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-4R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-4R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-4RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5F-L

Fork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.23 EUR
100+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV6-5F-L

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.91 EUR
50+	2.68 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.4 EUR
1000+	2.31 EUR
2500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

PMV6-5F-L

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.040" (26.42mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV6-5FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.020" (25.91mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5FB-2K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

auf Bestellung 659 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
50+	2.89 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.51 EUR
2500+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 18

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.067" (27.10mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1323 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.02 EUR
10+	2.95 EUR
25+	2.88 EUR
50+	2.8 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 9

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

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PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

auf Bestellung 6550 Stücke:

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100+	2.21 EUR
200+	2.11 EUR
400+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV6-5R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

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PMV6-5R-X

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PMV6-5RB-2K

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.7mm Tin T/R

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PMV6-5RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

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PMV6-5RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.030" (0.76mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.050" (26.67mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

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PMV6-6F-L

Description: TERM FORK INS

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PMV6-6FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL

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PMV6-6R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

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PMV6-6R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP

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PMV6-6RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

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PMV6-8R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M8 Stud
Length - Overall: 1.235" (31.37mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm)
Contact Material: Copper

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PMV6-8R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

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PMV6-8RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

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PMV6-P10-L

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4

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PMV60EN

2003 SOT-23

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

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PMV60ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 615mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

auf Bestellung 765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV60ENEAR

MOSFET PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 700-714 Tag (e)

50+	1.04 EUR
61+	0.86 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV60ENEAR

PMV60ENEAR SMD N channel transistors

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PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60ENEAR

auf Bestellung 765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 38889 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
38+	0.7 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV60ENROSH

auf Bestellung 2509 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV62XN,215

Description: MOSFET N-CH SOT-23

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PMV62XN215

Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6662+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6662

PMV65

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65ENEA,215

Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.7A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5363 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
29+	0.93 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65ENEAR

MOSFET PMV65ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 11232 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.32 EUR
51+	1.03 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 40

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UN,215

MOSFET N-Chan 20V 2A

auf Bestellung 1784 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

PMV65UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNE,215

Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV65UNEAR

MOSFET PMV65UNEA/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

PMV65UNEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 13735 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.24 EUR
420+	0.17 EUR
465+	0.15 EUR
570+	0.13 EUR
600+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 295

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

577+	0.27 EUR
583+	0.26 EUR
833+	0.17 EUR
1091+	0.13 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 577

PMV65UNER

auf Bestellung 13735 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

295+	0.24 EUR
420+	0.17 EUR
465+	0.15 EUR
570+	0.13 EUR
600+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 295

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

MOSFET PMV65UNE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 49966 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
76+	0.69 EUR
177+	0.29 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 57

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

289+	0.54 EUR
417+	0.36 EUR
642+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 289

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

272+	0.58 EUR
368+	0.41 EUR
381+	0.38 EUR
577+	0.24 EUR
583+	0.23 EUR
833+	0.15 EUR
1091+	0.11 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 272

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

auf Bestellung 6827 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
41+	0.64 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV65UNER

auf Bestellung 3758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

642+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 642

PMV65XP

PHILIPS

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP

PHILIPS

09+

auf Bestellung 15148 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

SOT23

auf Bestellung 4650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

PHILIPS

06+ SOT-23

auf Bestellung 351001 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

09+ SOP14

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 624000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
156000+	0.13 EUR
312000+	0.12 EUR
468000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 663000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
165000+	0.09 EUR
330000+	0.081 EUR
495000+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

256+	0.61 EUR
331+	0.46 EUR
355+	0.41 EUR
736+	0.19 EUR
779+	0.17 EUR
789+	0.16 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 256

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 264000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR
75000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

736+	0.21 EUR
779+	0.19 EUR
789+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.087 EUR
6000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 736

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB PMV65XP,215 TPMV65x
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 13430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 833mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 32189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

302+	0.24 EUR
527+	0.14 EUR
589+	0.12 EUR
729+	0.098 EUR
771+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 302

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.097 EUR
12000+	0.093 EUR
18000+	0.088 EUR
30000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 663000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.091 EUR
12000+	0.086 EUR
18000+	0.082 EUR
30000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

MOSFET PMV65XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 106957 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
72+	0.73 EUR
159+	0.33 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.097 EUR
12000+	0.093 EUR
18000+	0.088 EUR
30000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 265404 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV65XP,215

auf Bestellung 32189 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

302+	0.24 EUR
527+	0.14 EUR
589+	0.12 EUR
729+	0.098 EUR
771+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 302

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 13430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XP,215 Transistor
Produktcode: 58607

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
/: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP/MIR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP1215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPE

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPE215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEA,215

Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3439+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3439

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

MOSFET PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 24092 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
60+	0.87 EUR
108+	0.48 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.26 EUR
24000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 47

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 170662 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
31+	0.86 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2067 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

183+	0.39 EUR
258+	0.28 EUR
364+	0.2 EUR
385+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 183

PMV65XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

auf Bestellung 2067 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	0.39 EUR
258+	0.28 EUR
364+	0.2 EUR
385+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 183

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 879000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
219000+	0.21 EUR
438000+	0.19 EUR
657000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 954000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
45000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

359+	0.44 EUR
456+	0.33 EUR
466+	0.31 EUR
836+	0.17 EUR
844+	0.16 EUR
854+	0.15 EUR
1053+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 359

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

466+	0.34 EUR
836+	0.18 EUR
844+	0.17 EUR
854+	0.16 EUR
1053+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 466

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 168000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR
30000+	0.25 EUR
75000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 954000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
45000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
35+	0.74 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV65XPER

Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 5107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

252+	0.62 EUR
343+	0.44 EUR
367+	0.4 EUR
544+	0.26 EUR
549+	0.24 EUR
584+	0.22 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 252

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 4100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

838+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR
2500+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 838

PMV65XPER

MOSFET PMV65XPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 12729 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
74+	0.71 EUR
117+	0.44 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.3 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 52

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPER

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPER

auf Bestellung 1555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 5107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	0.43 EUR
544+	0.28 EUR
549+	0.26 EUR
584+	0.24 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 367

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 9085 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
37+	0.72 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR
2000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

MOSFET PMV65XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 25802 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
71+	0.74 EUR
159+	0.33 EUR
1000+	0.23 EUR
2500+	0.22 EUR
10000+	0.15 EUR
20000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW1BBLK

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: On-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	43.78 EUR
10+	39.26 EUR
25+	37.53 EUR

PMV6DW1BBLK

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	42.59 EUR
10+	38.95 EUR
25+	38.25 EUR
50+	35.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV6DW1BBLK

PMV6DW1BBLK Push Button Switches

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW2BBLU

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Blue
Actuator Marking: No Marking
Voltage Rating - DC: 24 V

auf Bestellung 111 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	39.73 EUR
20+	35.62 EUR
100+	31.12 EUR

PMV6DW2BBLU

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	41.26 EUR
10+	38.09 EUR
25+	37.6 EUR
50+	34.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV6DW2BBLU

PMV6DW2BBLU Push Button Switches

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW2BBLU

Description: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL
tariffCode: 85365080
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Blue
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: Off-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: -
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: No
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV6DW3BYEL

PMV6DW3BYEL Push Button Switches

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW3BYEL

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW3BYEL

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	41.83 EUR
10+	38.25 EUR
25+	36.87 EUR
50+	34.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV70A240

PMV70A240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70A575

PMV70A575 Monitoring Relays

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	135.68 EUR

PMV70A600

PMV70A600 Monitoring Relays

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PMV70NA240

PMV70NA240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70NA440

PMV70NA440 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70NA600

PMV70NA600 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

auf Bestellung 11930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
38+	0.7 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV74EPER

MOSFET 30V P-CHANNEL

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.31 EUR
54+	0.97 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 40

PMV74EPER

30 V, P-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

auf Bestellung 12645 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
35+	0.76 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV75UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

MOSFET PMV75UP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 48192 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
69+	0.76 EUR
171+	0.3 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 48

PMV75UP,215

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP/S500R

Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

PMV80NA240

PMV80NA240 Monitoring Relays

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PMV80NA440

PMV80NA440 Monitoring Relays

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PMV80NA600

PMV80NA600 Monitoring Relays

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PMV88ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENEAR

MOSFET PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
64+	0.82 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV88ENEAR

PMV88ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7512 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

31+	0.86 EUR
40+	0.66 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 31

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

auf Bestellung 7399 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

32+	0.83 EUR
40+	0.65 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 32

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV88ENER

MOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 28441 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

60+	0.87 EUR
75+	0.69 EUR
110+	0.47 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 60

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV90EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV90ENE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 35457 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
38+	0.7 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV90ENER

Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

auf Bestellung 8405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV90ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

283+	0.25 EUR
496+	0.14 EUR
550+	0.13 EUR
691+	0.1 EUR
731+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 283

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV90ENER

MOSFET PMV90ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 3537 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.12 EUR
63+	0.83 EUR
111+	0.47 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 47

PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV90ENER

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

283+	0.25 EUR
496+	0.14 EUR
550+	0.13 EUR
691+	0.1 EUR
731+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 283

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7513 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

389+	0.4 EUR
513+	0.29 EUR
560+	0.26 EUR
899+	0.16 EUR
953+	0.14 EUR
1108+	0.12 EUR
1401+	0.088 EUR
3000+	0.069 EUR
6000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 389

PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

Produkt ist nicht verfügbar

PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

Produkt ist nicht verfügbar

PMVCIR-3-850-PM-L-10-NE

Ascentta

Description: PM circulator, 850nm, 3 port, PM
Packaging: Tape & Box (TB)
Type: Optical Circulator, 3 Port

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	4290 EUR

PMVF30

PMVF30 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMVF30D048

PMVF30D048 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMVF51

PMVF51 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMVF80