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IPI020N06N

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI020N06NAKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI020N06NAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI020N06NAKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3

auf Bestellung 491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI023NE7N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI023NE7N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI023NE7N3G

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

143+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 143 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI023NE7N3GAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 7246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	4.26 EUR
500+	3.96 EUR
1000+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI023NE7N3GAKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI023NE7N3GAKSA1 - IPI023NE7 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 946 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	5.97 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI024N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI024N06N3 G E8174

Infineon Technologies

MOSFET

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IPI024N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI024N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

MOSFET MV POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 23500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 120A I2PAK-3

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.66 EUR
10+	5.02 EUR
100+	3.67 EUR
500+	2.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI028N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06N

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.87 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.01 EUR
2500+	1.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 237500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.54 EUR
61+	3.86 EUR
100+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
50+	2.63 EUR
100+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.28 EUR
10+	4.08 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.24 EUR
2500+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.36 EUR
72+	2.37 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.54 EUR
10+	13.99 EUR
100+	11.44 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3 G
Produktcode: 110398

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.74 EUR
10+	5.15 EUR
100+	4.24 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.01 EUR
2500+	2.87 EUR
5000+	2.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.74 EUR
10+	5.15 EUR
100+	4.24 EUR
500+	3.36 EUR
1000+	2.95 EUR
2500+	2.89 EUR
5000+	2.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

168+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 168 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GE8214AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI034NE7N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI034NE7N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI034NE7N3G

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

164+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 164 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI034NE7N3G

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI034NE7N3G - IPI034NE7 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N06L3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3 G E8174

Infineon Technologies

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI03N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 133 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.62 EUR
60+	1.43 EUR
67+	1.27 EUR
74+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.62 EUR
10+	3.69 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	2.01 EUR
2500+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.82 EUR
10+	8.02 EUR
100+	6.5 EUR
500+	5.78 EUR
1000+	4.94 EUR
2500+	4.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3G

Rochester Electronics, LLC

Description: IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.71 EUR
10+	9.83 EUR
100+	7.95 EUR
500+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 28500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.28 EUR
21+	8.28 EUR
100+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.28 EUR
21+	8.47 EUR
100+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 2081 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.46 EUR
10+	4.9 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	3 EUR
2500+	2.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3 G

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXK

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.59 EUR
49+	4.78 EUR
100+	3.81 EUR
500+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 149500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.89 EUR
75000+	2.61 EUR
112500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 1341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.98 EUR
10+	5.24 EUR
50+	4.05 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI04CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI04N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI04N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

auf Bestellung 836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

461+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 461 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.63 EUR
10+	9.23 EUR
100+	7.47 EUR
500+	5.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI052NE7N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

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IPI052NE7N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

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IPI052NE7N3G

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

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IPI057N08N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

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IPI05CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

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IPI05N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

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IPI06CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

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IPI06N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

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IPI06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS

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IPI070N06N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

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IPI070N06NG

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPI070N08N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPI072N10N3 G

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1000 Stücke:

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202+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 202 Stücke

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IPI072N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.53 EUR
10+	5.87 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3G

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

197+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 197 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3GXK

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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