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Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

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IPI020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

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IPI020N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3

auf Bestellung 491 Stücke:

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IPI020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

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IPI020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

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IPI023NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

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IPI023NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 5746 Stücke:

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143+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 143

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IPI023NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI023NE7N3GAKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI023NE7N3GAKSA1 - IPI023NE7 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 946 Stücke:

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IPI024N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

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IPI024N06N3 G E8174

MOSFET

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IPI024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

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IPI024N06N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

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IPI024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

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IPI024N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A I2PAK-3

auf Bestellung 10 Stücke:

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1+	6.44 EUR
10+	4.22 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.27 EUR

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IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

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IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 23500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPI028N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

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IPI029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 484 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.61 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.57 EUR
2500+	1.5 EUR

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 240

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPI029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.44 EUR
50+	2.21 EUR
100+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPI029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.45 EUR

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IPI029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	2.78 EUR
72+	1.93 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 237500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPI030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI030N10N3GXKSA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI030N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.06 EUR
10+	11.76 EUR
100+	9.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.53 EUR
2500+	2.41 EUR
5000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3 G
Produktcode: 110398

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPI032N06N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

168+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 168

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.56 EUR
500+	2.82 EUR
1000+	2.48 EUR
2500+	2.43 EUR
5000+	2.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI032N06N3GE8214AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI034NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI034NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI034NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

164+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 164

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IPI034NE7N3G

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI034NE7N3G - IPI034NE7 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI034NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N06L3GXK

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI037N08N3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3 G E8174

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

53+	1.36 EUR
60+	1.2 EUR
67+	1.07 EUR
74+	0.97 EUR
250+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 53

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IPI040N06N3GXKSA1

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.36 EUR
60+	1.2 EUR
67+	1.07 EUR
74+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 53

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IPI040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.72 EUR
10+	3.1 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.69 EUR
2500+	1.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFETs N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.25 EUR
10+	6.74 EUR
100+	5.46 EUR
500+	4.86 EUR
1000+	4.15 EUR
2500+	3.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3G

Description: IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 28500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.54 EUR
21+	6.88 EUR
100+	5.34 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.54 EUR
21+	6.88 EUR
100+	5.34 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI041N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.84 EUR
10+	8.26 EUR
100+	6.68 EUR
500+	5.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXK

Description: MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.29 EUR
31+	4.56 EUR
100+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.58 EUR
50+	3.36 EUR
100+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.83 EUR
34+	4.16 EUR
100+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI04CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

auf Bestellung 836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

461+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 461

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI04N03LA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.61 EUR
10+	7.76 EUR
100+	6.28 EUR
500+	4.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

150V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI052NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI052NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

396+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 396

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IPI052NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI057N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI06N03LA

MOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

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IPI070N06NG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.49 EUR
10+	4.93 EUR
100+	4.03 EUR
500+	3.45 EUR

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IPI072N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

197+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 197

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3GXK

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

178+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 178

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3 G

08+ PLUS26..

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.82 EUR
10+	4.08 EUR
500+	4.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 648 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.91 EUR
24+	5.81 EUR
100+	4.71 EUR
500+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 394000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.78 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

auf Bestellung 591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.38 EUR
50+	5.52 EUR
100+	5.16 EUR
500+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.57 EUR
22+	6.37 EUR
100+	5.16 EUR
500+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	4.61 EUR
35+	3.97 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
10+	4.44 EUR
100+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.86 EUR
41+	1.77 EUR
43+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.21 EUR
38+	3.63 EUR
100+	2.85 EUR
500+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N15N5AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.81 EUR
10+	4.17 EUR
100+	3.75 EUR
500+	3.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI076N15N5AKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 316 Stücke:

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3+	8.17 EUR
50+	4.28 EUR
100+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

auf Bestellung 236 Stücke:

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IPI084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI084N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPI084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 1027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

405+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 405

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IPI086N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.8 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1.98 EUR
79+	1.75 EUR
100+	1.37 EUR
200+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 72

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IPI086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI086N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 127 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.3 EUR
58+	1.24 EUR
66+	1.09 EUR
100+	1.02 EUR
250+	0.92 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.71 EUR
50+	1.8 EUR
100+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPI086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPI086N10N3GXKSA1

auf Bestellung 127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.3 EUR
58+	1.24 EUR
66+	1.09 EUR
100+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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IPI08CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

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IPI08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

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IPI09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPI09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI100N04S3-03

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI100N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T

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IPI100N04S3-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

275+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 275

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IPI100N04S3-03M

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI100N04S303MATMA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

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IPI100N04S303MATMA2

OPTIMOS-T POWER-TRANSISTOR

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IPI100N04S4-H2

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N04S4H2AKSA1

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

397+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 397

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IPI100N04S4H2AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3-03

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3-04

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2442 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

197+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 197

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3L-03

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3L-04

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N06S3L04XK

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
50+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N08S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N10S3-05

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

auf Bestellung 19500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

160+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 160

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IPI100N10S305AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI100N12S305AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI100N12S305AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI100N12S305AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 29500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

139+	3.66 EUR

Mindestbestellmenge: 139

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IPI100P03P3L-04

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI110N20N3 G

MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 14 Stücke:

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1+	14.19 EUR
10+	12.81 EUR
100+	10.61 EUR
500+	9.24 EUR

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IPI110N20N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI110N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI111N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI111N15N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.18 EUR
50+	4.29 EUR
100+	3.91 EUR
500+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPI111N15N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI111N15N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI111N15N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI11N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

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IPI11N60C3A

1 channel N-Channel MOSFET

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IPI11N60C3AAKSA2

Description: MOSFET N-CH I2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete

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IPI11N60C3AAKSA2

Description: MOSFET N-CH I2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 21902 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

91+	5.83 EUR

Mindestbestellmenge: 91

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IPI120N04S3-02

MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S302AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 50600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

82+	5.53 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S302AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S302AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S4-01

MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.51 EUR
10+	2.8 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	1.95 EUR

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IPI120N04S4-01M

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI120N04S4-02

MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	2.53 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S401AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
50+	2.8 EUR
100+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S401AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S402AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N04S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.96 EUR
50+	2.49 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4-02

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4-03

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4-H1

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4-H1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S402AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

135+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 135

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S402AKSA2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.93 EUR
10+	4.98 EUR
25+	4.7 EUR
100+	4.03 EUR
250+	3.8 EUR
500+	3.57 EUR
1000+	3.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S402AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S402AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S403AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4H1AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4H1AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI120N06S4H1AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

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IPI120N08S403AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

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IPI120N08S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI120N08S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI120N08S404AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI120N08S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI120N08S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI120N10S403AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI120N10S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI120N10S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI120N10S405AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI120N10S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI120N10S405AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI120P04P404AKSA1

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3

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IPI120P04P4L-03

MOSFET P-Ch -40V -120A I2PAK-3 OptiMOS-P2

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI120P04P4L03AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI120P04P4L03AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI126N10N3 G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

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IPI126N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI126N10N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI126N10N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

456+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 456

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IPI126N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI12CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI12CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI139N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.01 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3G

Description: IPI147N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

auf Bestellung 14603 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI14N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI14N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI16CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI16CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 43A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	1.49 EUR
56+	1.29 EUR
70+	1.03 EUR
250+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3GXKSA1

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

49+	1.49 EUR
56+	1.29 EUR
70+	1.03 EUR
250+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L-15

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L-15

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L-15

MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L15AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L15AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L15AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

741+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 741

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI25N06S3-25

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI25N06S3-25

Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI25N06S3L-22

Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI25N06S3L-22

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI26CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI26CN10NG

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPI26CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

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IPI320N203G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

161+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 161

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IPI320N20N3 G

MOSFET N-Ch 200V 34A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.27 EUR
10+	5.63 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.92 EUR

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IPI320N20N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI320N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI320N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	74.47 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI35CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S3-16

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S3-16

Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S3L-13

Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S3L-13

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4-09AKSA2

Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

auf Bestellung 97500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

359+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 359

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

799+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 799

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.04 EUR
10+	2.53 EUR
100+	2.01 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.45 EUR
2500+	1.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S409AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 550500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

331+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 331

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L-08

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L-08

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA1

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA2

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

742+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 742

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA2

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA3

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 29287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

730+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 730

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA3

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA3

MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4L08AKSA3

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45P03P4L-11

MOSFET P-Ch -30V -45A I2PAK-3 OptiMOS-P2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45P03P4L11AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI47N10S-33

MOSFET N-Ch 100V 33A I2PAK-3 SIPMOS

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI47N10S33AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI47N10SL-26

MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI47N10SL26AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI47N10SL26AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N10S3L-16

MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.9 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR
2500+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N10S3L16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N10S3L16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

231+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 231

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IPI50N10S3L16AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI50N12S3L15AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

360+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 360

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IPI50N12S3L15AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI50R140CP

MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CP

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

auf Bestellung 20374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

126+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 126

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI50R140CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

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IPI50R199CP

MOSFET N-Ch 550V 17A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI50R199CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R250CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

auf Bestellung 10500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

270+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 270

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R250CP

MOSFET N-Ch 550V 13A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI50R250CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R250CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

auf Bestellung 1485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

270+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 270

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R250CPXKSA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R299CP

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 9978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

341+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 341

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R299CPXK

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R299CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R299CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.98 EUR
10+	4.51 EUR
100+	3.59 EUR
500+	2.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R350CP

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R350CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI50R350CPXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI50R350CPXKSA1 - IPI50R350 - 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANEL
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IPI50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R399CP

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI50R399CPXKSA1

MOSFET N-Ch 560V 9A I2PAK-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R399CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R399CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI50R399CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI50R399CPXKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R399CPXKSA2

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

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IPI530N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI530N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

auf Bestellung 823 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI530N15N3GXKSA1

Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI530N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI600N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3

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IPI600N25N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI600N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

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IPI60R099CP
Produktcode: 124116

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IPI60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP

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1+	10.88 EUR
10+	7.8 EUR
25+	7.25 EUR
100+	6.2 EUR
500+	6.02 EUR
1000+	5.9 EUR

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IPI60R099CP

Description: PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPI60R099CPA

MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA

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1+	17.64 EUR
10+	15.95 EUR
100+	13.2 EUR
500+	12.36 EUR

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IPI60R099CPAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

auf Bestellung 3400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

57+	8.44 EUR

Mindestbestellmenge: 57

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IPI60R099CPAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R099CPAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

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IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.52 EUR
15+	9.46 EUR
100+	7.54 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IPI60R099CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.25 EUR
10+	11.37 EUR
100+	9.48 EUR
500+	8.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.52 EUR
15+	9.46 EUR
100+	7.54 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI60R125CP

MOSFETs N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP

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IPI60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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IPI60R125CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.91 EUR
50+	4.7 EUR
100+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	4.11 EUR
500+	3.75 EUR
1000+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	4.11 EUR
500+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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IPI60R125CPXKSA1

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	4.11 EUR
500+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 131

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R165CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R165CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R165CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.34 EUR
10+	5.55 EUR
100+	3.96 EUR
500+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPI60R165CPXKSA1

CoolMOS Power Transistors

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IPI60R165CPXKSA1

MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3

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IPI60R190C6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 1274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.24 EUR
10+	2.66 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R190C6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	1.92 EUR
84+	1.66 EUR
90+	1.48 EUR
100+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 75

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IPI60R190C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.26 EUR
50+	2.66 EUR
100+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R190C6XKSA1

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.2 EUR
100+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CP

MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CP
Produktcode: 132999

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI60R199CPXKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CPXKSA2

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.61 EUR
50+	2.84 EUR
100+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 16A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CPXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R199CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R250CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V

auf Bestellung 474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

176+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 176

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R250CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R250CPAKSA1

MOSFET N-Ch 650V 12A I2PAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R280C6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 1083 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 202

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IPI60R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 2121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

214+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 214

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IPI60R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

251+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 251

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R299CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

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IPI60R299CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R299CPXKSA1

auf Bestellung 500 Stücke:

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231+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 231

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IPI60R380C6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI60R380C6

MOSFET N-Ch 650V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI60R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

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IPI60R385CP

MOSFET N-Ch 650V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.07 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	1.99 EUR
2500+	1.85 EUR
5000+	1.8 EUR

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IPI60R385CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

auf Bestellung 78346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

293+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 293

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IPI60R385CP (6R385P)
Produktcode: 192857

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R385CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

293+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 293

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IPI60R385CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R385CPXKSA1

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IPI60R520CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R600CP

Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI60R600CP

MOSFET N-Ch 600V 6.1A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R600CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R099C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R099C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R099C6XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 38A I2PAK-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R099C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R099C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R110CFD

MOSFET N-Ch 700V 31.2A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R110CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

119+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 119

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R110CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R110CFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO262-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.11Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Drain-source voltage: 650V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R150CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

auf Bestellung 17139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 189

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R150CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

auf Bestellung 17000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 189

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R150CFDXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R150CFDXKSA1

MOSFET N-Ch 700V 72A I2PAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R190C

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

163+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 163

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R190C6

MOSFETs N-Ch 700V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R190C6XKSA1

Description: IPI65R190C6 - 650V-700V COOLMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

auf Bestellung 1474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

139+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 139

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IPI65R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI65R190C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

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IPI65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.69 EUR
10+	6 EUR
100+	4.93 EUR
500+	4.17 EUR
1000+	3.96 EUR
3000+	3.85 EUR
5000+	3.71 EUR

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IPI65R190CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

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IPI65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI65R190CFDXKSA1
Produktcode: 156343

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPI65R190CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

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IPI65R190CFDXKSA2

650V Power Transistor

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IPI65R190CFDXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

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IPI65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 500 Stücke:

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IPI65R280C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

260+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 260

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IPI65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

176+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 176

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IPI65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

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IPI65R280E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

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IPI65R280E6XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3

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IPI65R310CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

auf Bestellung 10696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

336+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 336

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IPI65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

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IPI65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

auf Bestellung 14500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

336+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 336

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IPI65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R310CFDXKSA1700

Description: IPI65R310 - 650V AND 700V COOLMO

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

336+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 336

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IPI65R380C6

MOSFETs N-Ch 700V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.84 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.36 EUR

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IPI65R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR
50+	1.89 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R420CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 10945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

395+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 395

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IPI65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R420CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R600C6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A I2PAK-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R600C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R660CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 10483 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

424+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 424

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R660CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI65R660CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S3-07

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S3-07

MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S307AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S4-06

MOSFETs N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.1 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	0.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S406AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N04S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

414+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 414

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S3-12

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S312AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S312AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S3L-12

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S3L-12

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S3L12AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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452+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 452

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IPI70N10S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI70N10SL-16

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 SIPMOS

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IPI70N10SL16AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

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192+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N12S311AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

218+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 218

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N12S311AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

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IPI70N12S3L12AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70N12S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19000 Stücke:

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218+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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IPI70P04P4-09

MOSFET P-Ch -40V -70A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70P04P409AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70P04P409AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 72A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70R950CEXKSA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI70R950CEXKSA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 82 Stücke:

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2+	2.11 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI77N06S3-09

Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L-03

MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 461 Stücke:

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1+	2.9 EUR
10+	2.6 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L-03

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L-04

MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L-04

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.13 EUR
131+	1.05 EUR
134+	0.99 EUR
138+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 127

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L03AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.15 EUR
127+	1.09 EUR
131+	1.01 EUR
134+	0.95 EUR
138+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 124

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N03S4L04AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

296+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 296

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S204AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S204AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

296+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 296

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2H4AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2H4AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2H4AKSA2

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2H4AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

auf Bestellung 14500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

273+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 273

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S2H4AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-03

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

248+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 248

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-04

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-06

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

670+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 670

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-06

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 172000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

251+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 251

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IPI80N04S304AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S306AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S306AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S3H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S3H4AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S4-03

MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S4-03

Description: IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

350+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 350

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IPI80N04S4-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.57 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.36 EUR
250+	2.18 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.69 EUR
2500+	1.61 EUR

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IPI80N04S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S403AKSA1

Description: INFINEON - IPI80N04S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.38 EUR
50+	1.66 EUR
100+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IPI80N04S403BAKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V TO263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 285682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

268+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 268

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IPI80N04S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S4L-04

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S4L-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI80N04S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

650+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 650

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S4L04AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N04S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2-07

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2-08

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 249

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S207AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

152+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S208AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S208AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S208AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S208AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S208AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L05AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

138+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 138

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L05AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L05AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L11AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L11AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L11AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L11AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V

auf Bestellung 40500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

214+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 214

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S2L11AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S3-05

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S3-07

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7768 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S3L-05

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S3L-06

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S3L-08

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6475 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S3L06XK

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4-05

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4-07

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4-07

Infineon

auf Bestellung 156500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S405AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S405AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S405AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S405AKSA2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.41 EUR
250+	2.22 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.74 EUR
2500+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S405AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 189

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

MOSFETs MOSFET

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.82 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

Infineon

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 IPI80N06S407AKSA2 TIPI80N06S4-07
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.84 EUR
50+	1.88 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

33+	2.23 EUR
36+	2.02 EUR
40+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S407AKSA2

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.23 EUR
36+	2.02 EUR
40+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L-05

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L-05

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L-07

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

244+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 244

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L05AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L07AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L07AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L07AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

235+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 235

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L07AKSA2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.5 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.72 EUR
2500+	1.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L07AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N06S4L07AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N07S4-05

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N07S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

188+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 188

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N07S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S406AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S406AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

101+	4.6 EUR

Mindestbestellmenge: 101

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80N08S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80P03P4-05

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80P03P4-05

P2 Power-Transistor Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80P03P4-05AKSA1

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V

auf Bestellung 2596 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

378+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 378

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80P03P405AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI80P03P405AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPI80P03P4L-04

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

auf Bestellung 386 Stücke:

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IPI80P03P4L-04

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P03P4L-07

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P03P4L-07

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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IPI80P03P4L04AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPI80P03P4L04AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P03P4L07AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPI80P03P4L07AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P04P4-05

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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IPI80P04P4-07

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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IPI80P04P405AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P04P407AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P04P4L-04

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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IPI80P04P4L-06

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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IPI80P04P4L-08

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

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IPI80P04P4L04AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P04P4L04AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P04P4L06AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P04P4L06AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI80P04P4L08AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI80P04P4L08AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

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IPI90N04S4-02

MOSFETs N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2

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IPI90N04S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.75 EUR
50+	2.38 EUR
100+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPI90N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI90N04S402BSAKSA1

Customer specific part: IPI90N04S4-02 for Brose

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IPI90N04S402BSAKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V TO263

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IPI90N04S402TATMA1

Description: MOSFET

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IPI90N06S4-04

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90N06S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90N06S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

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IPI90N06S404AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90N06S404AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

188+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 188

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IPI90N06S4L-04

MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI90N06S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

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IPI90N06S4L04AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90N06S4L04AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 46914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

221+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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IPI90N06S4L04AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90N06S4L04AKSA2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 376 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.28 EUR
10+	4.75 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.26 EUR
1000+	3.04 EUR
2500+	2.89 EUR
5000+	2.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90N06S4L04AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPI90R1K0C3

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 900V 5.7A I2PAK-3 CoolMOS C3

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IPI90R1K0C3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 11990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R1K0C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3

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IPI90R1K2C3
Produktcode: 101850

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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

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IPI90R1K2C3

MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3

auf Bestellung 847 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI90R1K2C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R1K2C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

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IPI90R1K2C3XKSA2

Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPI90R1K2C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

341+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 341

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IPI90R1K2C3XKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPI90R1K2C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R1K2C3XKSA2

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R340C3

MOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R340C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90R340C3XKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPI90R340C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3

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IPI90R340C3XKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R340C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.13 EUR
10+	7.66 EUR
100+	6.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R340C3XKSA2

Power Mosfet

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IPI90R340C3XKSA2

Power Mosfet

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R500C3

MOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI90R500C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3

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IPI90R500C3XKSA2

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI90R500C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.84 EUR
10+	4.91 EUR
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IPI90R800C3

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90R800C3

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

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IPI90R800C3

MOSFET N-Ch 900V 6.9A I2PAK-3 CoolMOS C3

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IPI90R800C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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IPI90R800C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

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