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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+19.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.52 EUR
30+8.34 EUR
120+7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Inc. BIDW50N65T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12 EUR
30+6.83 EUR
120+5.69 EUR
510+4.86 EUR
1020+4.56 EUR
2010+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CXG50N65HSEU CXG50N65HSEU Createk Microelectronics TCXG50n65hseu_CREATEK_0001.pdf Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU CREATEK TCXG50n65hseu
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.88 EUR
10+5.89 EUR
50+4.62 EUR
100+4.2 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.27 EUR
2000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.89 EUR
31+2.8 EUR
50+2.38 EUR
100+2.23 EUR
125+2.14 EUR
150+2.09 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.74 EUR
16+5.33 EUR
18+5 EUR
22+4.01 EUR
25+3.51 EUR
30+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon info-tigw50n65f5.pdf IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+18.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.13 EUR
30+5.07 EUR
120+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
30+4.15 EUR
120+3.4 EUR
510+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
30+4.22 EUR
120+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
30+4.15 EUR
120+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.81 EUR
30+6.1 EUR
120+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.62 EUR
17+5.3 EUR
21+4.2 EUR
23+3.75 EUR
30+3.49 EUR
120+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.81 EUR
30+5.5 EUR
120+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.71 EUR
19+4.55 EUR
30+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Infineon info-tikw50n65h5.pdf 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+15.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 13522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
30+5.4 EUR
120+4.47 EUR
510+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc27f90f31a6 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.36 EUR
30+7.68 EUR
120+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
30+4.24 EUR
120+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
30+6.25 EUR
120+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.9 EUR
30+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn150n65x2-datasheet?assetguid=267ded7c-8437-4232-a994-db49420e4872 Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.12 EUR
10+87.18 EUR
50+79.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
auf Bestellung 22620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.61 EUR
10+9.91 EUR
50+7.9 EUR
100+7.25 EUR
500+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5 Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 ONN FCH150N65F-D.PDF
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 ON Semiconductor
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3L1 ON Semiconductor fcpf250n65s3l1-d.pdf
auf Bestellung 9840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L ON Semiconductor fcpf250n65s3r0l-d.pdf
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5 Infineon technologies Part_Number_Guide_Web.pdf
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 Infineon technologies
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5 Infineon
auf Bestellung 12360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5 Infineon Part_Number_Guide_Web.pdf
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5 Infineon technologies
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M34350N6-562SP MTTSUBIS
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M34350N6562SP
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor ngtb50n65fl2w-d.pdf
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF ON Semiconductor
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF ON Semiconductor
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP150N65S3HF ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF ON Semiconductor
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVB150N65S3F ON Semiconductor
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L050N65S3F ON Semiconductor
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3F ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HF ON Semiconductor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG50N65DFBHWQ
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT65R850F MOT65R850F MOT T65R850F_MOT_MOT-MOS_0001.pdf 650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z; MOT65R850F TO-220F MOT T65R850F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1; YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI TYGW60n65fma1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW60N65T1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1; YGW60N65T1 LUXIN-SEMI TYGW60n65t1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1
Produktcode: 168638
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Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d08132bd27f3c Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1
Produktcode: 85495
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DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.52 EUR
30+8.34 EUR
120+7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 2162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12 EUR
30+6.83 EUR
120+5.69 EUR
510+4.86 EUR
1020+4.56 EUR
2010+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CXG50N65HSEU TCXG50n65hseu_CREATEK_0001.pdf
CXG50N65HSEU
Hersteller: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU CREATEK TCXG50n65hseu
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.88 EUR
10+5.89 EUR
50+4.62 EUR
100+4.2 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.64 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.27 EUR
2000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.89 EUR
31+2.8 EUR
50+2.38 EUR
100+2.23 EUR
125+2.14 EUR
150+2.09 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.03 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.74 EUR
16+5.33 EUR
18+5 EUR
22+4.01 EUR
25+3.51 EUR
30+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 info-tigw50n65f5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+18.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.13 EUR
30+5.07 EUR
120+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.56 EUR
30+4.15 EUR
120+3.4 EUR
510+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.66 EUR
30+4.22 EUR
120+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.54 EUR
30+4.15 EUR
120+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.81 EUR
30+6.1 EUR
120+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.62 EUR
17+5.3 EUR
21+4.2 EUR
23+3.75 EUR
30+3.49 EUR
120+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.81 EUR
30+5.5 EUR
120+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
Hersteller: Infineon
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.71 EUR
19+4.55 EUR
30+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 info-tikw50n65h5.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+15.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 13522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.65 EUR
30+5.4 EUR
120+4.47 EUR
510+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc27f90f31a6
IKW50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.36 EUR
30+7.68 EUR
120+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 Infineon-IKW50N65WR5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624c330ffd014c7099770661b8
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.75 EUR
30+4.24 EUR
120+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.04 EUR
30+6.25 EUR
120+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a
IKZ50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069
IKZA50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.9 EUR
30+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn150n65x2-datasheet?assetguid=267ded7c-8437-4232-a994-db49420e4872
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+114.12 EUR
10+87.18 EUR
50+79.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT150N65S3HF ntmt150n65s3hf-d.pdf
NTMT150N65S3HF
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
auf Bestellung 22620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.61 EUR
10+9.91 EUR
50+7.9 EUR
100+7.25 EUR
500+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT150N65S3HF ntmt150n65s3hf-d.pdf
NTMT150N65S3HF
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW50N65F1A
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW50N65T1
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-D.PDF
Hersteller: ONN
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3L1 fcpf250n65s3l1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 9840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L fcpf250n65s3r0l-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65DH5XKSA1
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M34350N6-562SP
Hersteller: MTTSUBIS
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M34350N6562SP
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WG ngtb50n65fl2w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP150N65S3HF
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVB150N65S3F
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L050N65S3F
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3F
Hersteller: ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HF
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG50N65DFBHWQ
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT65R850F T65R850F_MOT_MOT-MOS_0001.pdf
MOT65R850F
Hersteller: MOT
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z; MOT65R850F TO-220F MOT T65R850F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW60N65FMA1
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1; YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI TYGW60n65fma1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW60N65T1
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Similar to: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1; YGW60N65T1 LUXIN-SEMI TYGW60n65t1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1
Produktcode: 168638
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Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d08132bd27f3c
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1
Produktcode: 85495
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
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