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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIGW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10 EUR
10+9.94 EUR
25+5.86 EUR
100+5.76 EUR
240+4.79 EUR
480+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.59 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.12 EUR
10+9.68 EUR
100+7.8 EUR
1000+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+6.49 EUR
100+5.68 EUR
480+5.51 EUR
1200+5.37 EUR
2640+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.07 EUR
10+10.77 EUR
100+9.13 EUR
480+9.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.27 EUR
600+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+10.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+10.74 EUR
150+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.61 EUR
30+9.55 EUR
150+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH150N65F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.69 EUR
10+6.86 EUR
100+5.79 EUR
450+5.77 EUR
900+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.27 EUR
3000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.73 EUR
100+4.49 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+3.61 EUR
100+2.82 EUR
480+2.36 EUR
1200+2.01 EUR
2640+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.85 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+2.87 EUR
100+2.34 EUR
480+1.8 EUR
1200+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.33 EUR
10+6.58 EUR
100+6.56 EUR
480+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.23 EUR
10+10.03 EUR
100+8.55 EUR
480+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.44 EUR
100+3.68 EUR
480+3.1 EUR
1200+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+5.26 EUR
100+4.28 EUR
480+3.78 EUR
1200+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.15 EUR
100+2.97 EUR
480+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.4 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.4 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.62 EUR
10+4.29 EUR
100+3.52 EUR
480+2.76 EUR
1200+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.88 EUR
10+4.59 EUR
100+3.52 EUR
480+3.13 EUR
1200+2.69 EUR
2640+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.65 EUR
18+4.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
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IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.65 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.4 EUR
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1200+5.02 EUR
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IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+9.15 EUR
100+7.78 EUR
480+7.44 EUR
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.26 EUR
15+4.8 EUR
16+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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15+4.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
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IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.54 EUR
100+4.28 EUR
480+3.13 EUR
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IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.6 EUR
10+3.12 EUR
100+2.32 EUR
480+2.06 EUR
1200+1.95 EUR
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IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+11.92 EUR
100+10.21 EUR
480+9.98 EUR
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IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+3.85 EUR
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IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.24 EUR
100+4.38 EUR
480+3.78 EUR
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IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+9.45 EUR
100+8.96 EUR
480+8.94 EUR
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+32.78 EUR
5+32.76 EUR
10+32.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.78 EUR
5+32.76 EUR
10+32.25 EUR
25+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB150N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.22 EUR
10+44.12 EUR
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IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 145A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFN150N65X2-Datasheet.PDF MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.28 EUR
10+70.15 EUR
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IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYA50N65C5-Datasheet.pdf IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.52 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+9.35 EUR
9+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+9.35 EUR
9+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH50N65C3H1-Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.62 EUR
10+11.86 EUR
120+10.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-50N65C3-Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.99 EUR
10+7.04 EUR
500+6.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon-AIGW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10 EUR
10+9.94 EUR
25+5.86 EUR
100+5.76 EUR
240+4.79 EUR
480+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.59 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.59 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.12 EUR
10+9.68 EUR
100+7.8 EUR
1000+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+9.28 EUR
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480+5.51 EUR
1200+5.37 EUR
2640+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf
AIKW50N65RF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+9.13 EUR
480+9.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.27 EUR
600+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.74 EUR
150+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.61 EUR
30+9.55 EUR
150+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.18 EUR
10+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-D.PDF
FCH150N65F-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.69 EUR
10+6.86 EUR
100+5.79 EUR
450+5.77 EUR
900+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.54 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.27 EUR
3000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.38 EUR
10+4.73 EUR
100+4.49 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.88 EUR
10+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.95 EUR
10+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.53 EUR
10+3.61 EUR
100+2.82 EUR
480+2.36 EUR
1200+2.01 EUR
2640+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.26 EUR
10+2.87 EUR
100+2.34 EUR
480+1.8 EUR
1200+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.33 EUR
10+6.58 EUR
100+6.56 EUR
480+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.23 EUR
10+10.03 EUR
100+8.55 EUR
480+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.22 EUR
10+4.44 EUR
100+3.68 EUR
480+3.1 EUR
1200+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf
IKW50N65ES5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.94 EUR
10+5.26 EUR
100+4.28 EUR
480+3.78 EUR
1200+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+4.15 EUR
100+2.97 EUR
480+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.4 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.4 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 Infineon-IKW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.62 EUR
10+4.29 EUR
100+3.52 EUR
480+2.76 EUR
1200+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.88 EUR
10+4.59 EUR
100+3.52 EUR
480+3.13 EUR
1200+2.69 EUR
2640+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.65 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+13.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.65 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.4 EUR
10+6.64 EUR
100+5.56 EUR
1200+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.08 EUR
10+9.15 EUR
100+7.78 EUR
480+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.26 EUR
15+4.8 EUR
16+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.26 EUR
15+4.8 EUR
16+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.52 EUR
10+4.54 EUR
100+4.28 EUR
480+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH50N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.6 EUR
10+3.12 EUR
100+2.32 EUR
480+2.06 EUR
1200+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.73 EUR
10+11.92 EUR
100+10.21 EUR
480+9.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a
IKZ50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.32 EUR
10+4.65 EUR
100+3.85 EUR
480+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+5.24 EUR
100+4.38 EUR
480+3.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.71 EUR
10+9.45 EUR
100+8.96 EUR
480+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.78 EUR
5+32.76 EUR
10+32.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.78 EUR
5+32.76 EUR
10+32.25 EUR
25+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB150N65X2-Datasheet.PDF
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+46.22 EUR
10+44.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 145A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFN150N65X2-Datasheet.PDF
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.28 EUR
10+70.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYA50N65C5-Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.52 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
8+9.35 EUR
9+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
8+9.35 EUR
9+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH50N65C3H1-Datasheet.PDF
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.62 EUR
10+11.86 EUR
120+10.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-50N65C3-Datasheet.PDF
IXYP50N65C3
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.99 EUR
10+7.04 EUR
500+6.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442
LGEGW50N65SEU
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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