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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXYH50N65C3H1 Produktcode: 189326
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![]() Gehäuse: TO-247AD Vces: 650 V Vce: 2,1 V Ic 25: 130 A Ic 100: 50 A td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80 |
auf Bestellung 22 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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AIGW50N65F5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BGH50N65HF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 256ns |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGH50N65HF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 256ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BGH50N65HS1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 256ns |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGH50N65HS1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 256ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BGH50N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 476ns |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BGH50N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 476ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BIDW50N65T | Bourns |
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auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH150N65F-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCMT250N65S3 | onsemi |
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auf Bestellung 1671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF150N65F | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF250N65S3R0L-F154 | onsemi |
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auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW50N65F5FKSA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW50N65R5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW50N65R6XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKFW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKQ150N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKY150N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFB150N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56kW Case: PLUS264™ Mounting: THT Gate charge: 355nC Kind of package: tube Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 260ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 150A On-state resistance: 17mΩ Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFB150N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56kW Case: PLUS264™ Mounting: THT Gate charge: 355nC Kind of package: tube Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 260ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 150A On-state resistance: 17mΩ Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFB150N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN150N65X2 | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate charge: 355nC Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 145A On-state resistance: 17mΩ Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN150N65X2 | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate charge: 355nC Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 145A On-state resistance: 17mΩ Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN150N65X2 | IXYS |
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auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYA50N65C5 | IXYS | IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH50N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYH50N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYH50N65C3H1 | IXYS |
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auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYP50N65C3 | IXYS |
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auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB50N65FL2WG | onsemi |
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auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB150N65S3HF | onsemi |
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auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD250N65S3H | onsemi |
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auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH50N65C3H1 Produktcode: 189326
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AIGW50N65F5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 10.24 EUR |
10+ | 9.93 EUR |
25+ | 6.02 EUR |
240+ | 5 EUR |
480+ | 4.4 EUR |
AIKB50N65DF5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.98 EUR |
10+ | 6.12 EUR |
100+ | 4.42 EUR |
500+ | 4.14 EUR |
1000+ | 3.66 EUR |
AIKB50N65DH5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.94 EUR |
10+ | 6.12 EUR |
100+ | 4.42 EUR |
500+ | 4.33 EUR |
1000+ | 3.66 EUR |
AIKBE50N65RF5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.77 EUR |
10+ | 10.14 EUR |
100+ | 8.17 EUR |
1000+ | 6.92 EUR |
AIKW50N65DF5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.72 EUR |
10+ | 6.79 EUR |
100+ | 5.95 EUR |
480+ | 5.77 EUR |
1200+ | 5.63 EUR |
2640+ | 5.47 EUR |
AIKW50N65RF5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.77 EUR |
10+ | 11.3 EUR |
100+ | 10 EUR |
480+ | 9.75 EUR |
1200+ | 9.05 EUR |
BGH50N65HF1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.76 EUR |
7+ | 10.28 EUR |
BGH50N65HF1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.76 EUR |
7+ | 10.28 EUR |
600+ | 10.15 EUR |
BGH50N65HS1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.61 EUR |
7+ | 10.75 EUR |
BGH50N65HS1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.61 EUR |
7+ | 10.75 EUR |
150+ | 10.35 EUR |
BGH50N65ZF1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.01 EUR |
8+ | 9.62 EUR |
BGH50N65ZF1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.01 EUR |
8+ | 9.62 EUR |
30+ | 9.55 EUR |
150+ | 9.25 EUR |
BIDW50N65T |
![]() |
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.01 EUR |
10+ | 4.56 EUR |
100+ | 4.52 EUR |
FCH150N65F-F155 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.23 EUR |
10+ | 7.22 EUR |
100+ | 6.05 EUR |
450+ | 6.04 EUR |
900+ | 5.7 EUR |
FCMT250N65S3 |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.1 EUR |
10+ | 3.73 EUR |
100+ | 3.66 EUR |
500+ | 3.48 EUR |
1000+ | 3.27 EUR |
3000+ | 3.15 EUR |
FCPF150N65F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.14 EUR |
10+ | 4.14 EUR |
100+ | 4.12 EUR |
FCPF250N65S3R0L-F154 |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.76 EUR |
10+ | 3.56 EUR |
100+ | 3.04 EUR |
500+ | 2.68 EUR |
1000+ | 2.52 EUR |
IGB50N65H5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.63 EUR |
10+ | 3.68 EUR |
100+ | 2.82 EUR |
500+ | 2.36 EUR |
1000+ | 2.18 EUR |
2000+ | 1.9 EUR |
IGW50N65F5FKSA1 |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.12 EUR |
IHW50N65R5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.79 EUR |
10+ | 3.78 EUR |
100+ | 2.96 EUR |
480+ | 2.46 EUR |
1200+ | 2.11 EUR |
2640+ | 2.01 EUR |
IHW50N65R5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.06 EUR |
14+ | 5.35 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
17+ | 4.39 EUR |
IHW50N65R5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.06 EUR |
14+ | 5.35 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
17+ | 4.39 EUR |
IHW50N65R6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.05 EUR |
10+ | 3.63 EUR |
100+ | 2.89 EUR |
480+ | 2.41 EUR |
1200+ | 2.11 EUR |
2640+ | 2.06 EUR |
IKFW50N65EH5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.69 EUR |
10+ | 8.25 EUR |
100+ | 6.88 EUR |
480+ | 6.11 EUR |
1200+ | 5.46 EUR |
IKQ150N65EH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 19.1 EUR |
10+ | 12.69 EUR |
100+ | 10.88 EUR |
480+ | 10.35 EUR |
1200+ | 9.49 EUR |
IKW50N65EH5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.31 EUR |
10+ | 5.51 EUR |
100+ | 4.45 EUR |
480+ | 3.96 EUR |
1200+ | 3.4 EUR |
IKW50N65ES5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.32 EUR |
10+ | 5.53 EUR |
100+ | 4.49 EUR |
480+ | 3.96 EUR |
1200+ | 3.4 EUR |
IKW50N65ES5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.05 EUR |
25+ | 5.07 EUR |
100+ | 4.24 EUR |
240+ | 4.22 EUR |
480+ | 3.45 EUR |
IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.03 EUR |
10+ | 5.19 EUR |
100+ | 4.21 EUR |
480+ | 3.66 EUR |
1200+ | 3.22 EUR |
2640+ | 3.03 EUR |
IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.71 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.71 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
120+ | 3.52 EUR |
240+ | 3.43 EUR |
IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.17 EUR |
10+ | 7.69 EUR |
25+ | 4.49 EUR |
100+ | 3.78 EUR |
480+ | 3.04 EUR |
1200+ | 2.94 EUR |
IKW50N65H5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.01 EUR |
18+ | 4.09 EUR |
19+ | 3.86 EUR |
60+ | 3.72 EUR |
IKW50N65H5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 13.08 EUR |
IKW50N65H5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.01 EUR |
18+ | 4.09 EUR |
19+ | 3.86 EUR |
60+ | 3.72 EUR |
IKW50N65RH5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.88 EUR |
10+ | 6.93 EUR |
100+ | 5.83 EUR |
480+ | 5.81 EUR |
1200+ | 5.24 EUR |
IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.79 EUR |
10+ | 9.59 EUR |
100+ | 8.15 EUR |
480+ | 8.13 EUR |
1200+ | 7.8 EUR |
IKW50N65WR5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.99 EUR |
12+ | 6.29 EUR |
15+ | 4.82 EUR |
16+ | 4.55 EUR |
IKW50N65WR5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.99 EUR |
12+ | 6.29 EUR |
15+ | 4.82 EUR |
16+ | 4.55 EUR |
IKWH50N65EH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.54 EUR |
10+ | 5.67 EUR |
100+ | 4.59 EUR |
480+ | 4.07 EUR |
1200+ | 3.48 EUR |
IKWH50N65WR6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.07 EUR |
10+ | 3.92 EUR |
100+ | 3.1 EUR |
480+ | 2.6 EUR |
1200+ | 2.22 EUR |
2640+ | 2.11 EUR |
IKY150N65EH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 20.06 EUR |
10+ | 14.98 EUR |
100+ | 12.95 EUR |
480+ | 12.28 EUR |
1200+ | 10.44 EUR |
IKZA50N65EH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.66 EUR |
10+ | 6.6 EUR |
100+ | 5.53 EUR |
480+ | 4.73 EUR |
1200+ | 4.31 EUR |
IKZA50N65RH5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.3 EUR |
10+ | 11.23 EUR |
25+ | 7.13 EUR |
100+ | 6.42 EUR |
240+ | 6.41 EUR |
480+ | 5.88 EUR |
IKZA50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.52 EUR |
10+ | 11.02 EUR |
100+ | 9.75 EUR |
480+ | 9.36 EUR |
IXFB150N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.82 EUR |
IXFB150N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.82 EUR |
25+ | 32.15 EUR |
100+ | 31.55 EUR |
IXFB150N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 50.97 EUR |
10+ | 44.12 EUR |
IXFN150N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 62.83 EUR |
IXFN150N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 62.83 EUR |
IXFN150N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 76.89 EUR |
10+ | 70.15 EUR |
IXYA50N65C5 |
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.19 EUR |
10+ | 7.81 EUR |
100+ | 6.3 EUR |
500+ | 5.6 EUR |
1000+ | 4.8 EUR |
IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.07 EUR |
8+ | 9.37 EUR |
9+ | 8.85 EUR |
IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.07 EUR |
8+ | 9.37 EUR |
9+ | 8.85 EUR |
IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 21.58 EUR |
10+ | 13.01 EUR |
120+ | 11.35 EUR |
IXYP50N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.5 EUR |
10+ | 6.9 EUR |
500+ | 6.41 EUR |
NGTB50N65FL2WG |
![]() |
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
IGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.53 EUR |
10+ | 7.29 EUR |
120+ | 7.27 EUR |
600+ | 6.12 EUR |
NTB150N65S3HF |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.36 EUR |
10+ | 6.55 EUR |
100+ | 5.32 EUR |
500+ | 4.35 EUR |
NTD250N65S3H |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.07 EUR |
10+ | 3.71 EUR |
100+ | 2.83 EUR |
500+ | 2.46 EUR |
1000+ | 2.24 EUR |
2500+ | 2.09 EUR |
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