Suchergebnisse für "50n65" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 19 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.35 EUR
10+6.83 EUR
100+6.42 EUR
480+5.63 EUR
1200+5.61 EUR
2640+5.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.8 EUR
10+5.88 EUR
100+4.21 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.53 EUR
100+3.98 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+6.04 EUR
480+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.24 EUR
30+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.01 EUR
7+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.12 EUR
10+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CXG50N65HSEU CXG50N65HSEU Createk Microelectronics TCXG50n65hseu_CREATEK_0001.pdf Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU CREATEK TCXG50n65hseu
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.8 EUR
10+4.59 EUR
100+3.63 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F onsemi fcp150n65f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
10+5.16 EUR
100+4.7 EUR
500+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi fcpf150n65f-d.pdf MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.79 EUR
10+5.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.73 EUR
100+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.63 EUR
33+2.19 EUR
36+2 EUR
50+1.9 EUR
100+1.76 EUR
125+1.7 EUR
150+1.64 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.68 EUR
19+3.8 EUR
21+3.55 EUR
24+3.03 EUR
26+2.77 EUR
30+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon info-tigw50n65f5.pdf IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5 IGW50N65H5 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+5.7 EUR
100+5.53 EUR
480+5.51 EUR
1200+2.59 EUR
2640+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+3.43 EUR
100+2.59 EUR
480+2.2 EUR
1200+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.54 EUR
10+3.63 EUR
100+2.83 EUR
480+2.36 EUR
1200+2.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+9.43 EUR
480+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.96 EUR
100+4.12 EUR
480+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+6.16 EUR
100+4.54 EUR
480+4.03 EUR
1200+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.15 EUR
10+5.74 EUR
100+4.38 EUR
480+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.4 EUR
20+3.75 EUR
25+2.89 EUR
28+2.62 EUR
30+2.49 EUR
120+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.71 EUR
10+4.29 EUR
100+4.14 EUR
480+3.45 EUR
1200+3.13 EUR
2640+2.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 Infineon IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65H5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.06 EUR
10+5.26 EUR
100+4.14 EUR
480+3.43 EUR
1200+3.19 EUR
2640+2.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.69 EUR
17+4.22 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Infineon info-tikw50n65h5.pdf 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.28 EUR
10+6.48 EUR
100+5.58 EUR
480+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+9.08 EUR
100+7.69 EUR
480+7.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+5.26 EUR
100+4.38 EUR
480+3.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.13 EUR
100+2.52 EUR
480+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.73 EUR
10+9.68 EUR
100+8.24 EUR
480+8.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ50N65ES5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+6.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+5.77 EUR
100+4.8 EUR
480+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.37 EUR
10+7.18 EUR
100+6.02 EUR
480+5.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+11.09 EUR
100+9.19 EUR
480+8.47 EUR
1200+8.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.09 EUR
10+52.96 EUR
100+46.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN150N65X2_Datasheet.PDF MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+107.08 EUR
10+90.99 EUR
100+80.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.58 EUR
10+8.87 EUR
100+7.16 EUR
500+6.35 EUR
1000+5.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.43 EUR
10+10.27 EUR
30+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.38 EUR
10+18.57 EUR
120+13.13 EUR
510+12.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_50N65C3_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.84 EUR
10+10.14 EUR
100+8.34 EUR
500+7.43 EUR
1000+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.97 EUR
27+2.67 EUR
31+2.36 EUR
33+2.19 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.97 EUR
27+2.67 EUR
31+2.36 EUR
33+2.19 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF NTB150N65S3HF onsemi ntb150n65s3hf-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.31 EUR
10+6.83 EUR
100+4.86 EUR
500+4.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H onsemi ntbl050n65s3h-d.pdf MOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.13 EUR
10+12.57 EUR
100+9.89 EUR
1000+9.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3H NTD250N65S3H onsemi ntd250n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.23 EUR
10+3.78 EUR
100+2.9 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF onsemi nthl050n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 650V 50MOHM
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.06 EUR
10+14.82 EUR
120+14.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF onsemi ntmt150n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88
auf Bestellung 2729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
10+7.23 EUR
100+5.9 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP150N65S3HF NTP150N65S3HF onsemi ntp150n65s3hf-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+4.93 EUR
100+4.49 EUR
500+4.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF NTPF150N65S3HF onsemi ntpf150n65s3hf-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.91 EUR
10+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF250N65S3H NTPF250N65S3H onsemi ntpf250n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM TO-220F
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.34 EUR
10+3.82 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 19 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.35 EUR
10+6.83 EUR
100+6.42 EUR
480+5.63 EUR
1200+5.61 EUR
2640+5.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.8 EUR
10+5.88 EUR
100+4.21 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.69 EUR
10+5.53 EUR
100+3.98 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.68 EUR
10+6.04 EUR
480+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
30+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
7+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.12 EUR
10+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CXG50N65HSEU TCXG50n65hseu_CREATEK_0001.pdf
CXG50N65HSEU
Hersteller: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU CREATEK TCXG50n65hseu
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.8 EUR
10+4.59 EUR
100+3.63 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F fcp150n65f-d.pdf
FCP150N65F
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.7 EUR
10+5.16 EUR
100+4.7 EUR
500+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F fcpf150n65f-d.pdf
FCPF150N65F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.79 EUR
10+5.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.33 EUR
10+2.73 EUR
100+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
33+2.19 EUR
36+2 EUR
50+1.9 EUR
100+1.76 EUR
125+1.7 EUR
150+1.64 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.68 EUR
19+3.8 EUR
21+3.55 EUR
24+3.03 EUR
26+2.77 EUR
30+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 info-tigw50n65f5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IGW50N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.14 EUR
10+5.7 EUR
100+5.53 EUR
480+5.51 EUR
1200+2.59 EUR
2640+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.39 EUR
10+3.43 EUR
100+2.59 EUR
480+2.2 EUR
1200+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.54 EUR
10+3.63 EUR
100+2.83 EUR
480+2.36 EUR
1200+2.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.4 EUR
10+9.43 EUR
480+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.82 EUR
10+4.96 EUR
100+4.12 EUR
480+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf
IKW50N65ES5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.4 EUR
10+6.16 EUR
100+4.54 EUR
480+4.03 EUR
1200+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.15 EUR
10+5.74 EUR
100+4.38 EUR
480+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.4 EUR
20+3.75 EUR
25+2.89 EUR
28+2.62 EUR
30+2.49 EUR
120+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.71 EUR
10+4.29 EUR
100+4.14 EUR
480+3.45 EUR
1200+3.13 EUR
2640+2.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 Infineon_IKW50N65H5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW50N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.06 EUR
10+5.26 EUR
100+4.14 EUR
480+3.43 EUR
1200+3.19 EUR
2640+2.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.22 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 info-tikw50n65h5.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.28 EUR
10+6.48 EUR
100+5.58 EUR
480+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.4 EUR
10+9.08 EUR
100+7.69 EUR
480+7.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon_IKWH50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.13 EUR
10+5.26 EUR
100+4.38 EUR
480+3.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.95 EUR
10+3.13 EUR
100+2.52 EUR
480+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.73 EUR
10+9.68 EUR
100+8.24 EUR
480+8.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon_IKZ50N65ES5_DS_v02_01_EN.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.21 EUR
10+6.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.29 EUR
10+5.77 EUR
100+4.8 EUR
480+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.37 EUR
10+7.18 EUR
100+6.02 EUR
480+5.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.28 EUR
10+11.09 EUR
100+9.19 EUR
480+8.47 EUR
1200+8.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+62.09 EUR
10+52.96 EUR
100+46.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN150N65X2_Datasheet.PDF
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+107.08 EUR
10+90.99 EUR
100+80.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.58 EUR
10+8.87 EUR
100+7.16 EUR
500+6.35 EUR
1000+5.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.43 EUR
10+10.27 EUR
30+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.38 EUR
10+18.57 EUR
120+13.13 EUR
510+12.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_50N65C3_Datasheet.PDF
IXYP50N65C3
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.84 EUR
10+10.14 EUR
100+8.34 EUR
500+7.43 EUR
1000+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
27+2.67 EUR
31+2.36 EUR
33+2.19 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
27+2.67 EUR
31+2.36 EUR
33+2.19 EUR
120+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
NTB150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.31 EUR
10+6.83 EUR
100+4.86 EUR
500+4.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL050N65S3H ntbl050n65s3h-d.pdf
NTBL050N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.13 EUR
10+12.57 EUR
100+9.89 EUR
1000+9.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3H ntd250n65s3h-d.pdf
NTD250N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.23 EUR
10+3.78 EUR
100+2.9 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
NTHL050N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 50MOHM
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.06 EUR
10+14.82 EUR
120+14.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT150N65S3HF ntmt150n65s3hf-d.pdf
NTMT150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88
auf Bestellung 2729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.6 EUR
10+7.23 EUR
100+5.9 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP150N65S3HF ntp150n65s3hf-d.pdf
NTP150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.28 EUR
10+4.93 EUR
100+4.49 EUR
500+4.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF150N65S3HF ntpf150n65s3hf-d.pdf
NTPF150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.91 EUR
10+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTPF250N65S3H ntpf250n65s3h-d.pdf
NTPF250N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM TO-220F
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.34 EUR
10+3.82 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]