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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
FDSPRODECDescription: PRODEC - FDS - Schwamm
tariffCode: 96034090
Tuchmaterial: Schaumstoff
Tuchbreite: 110mm
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
Tuchlänge: 190mm
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS 09 L 1000Fischer ElektronikD-Sub filter connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS 09 T 1000Fischer ElektronikConn Filtered D-Sub M 9 POS Solder ST Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-216Jonard ToolsWire Stripping & Cutting Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm(
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-216Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X
Features: Ergonomic
Packaging: Box
Type: Stripper
Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-312Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM
Features: Ergonomic, Side Entry
Packaging: Bulk
Type: Stripper
Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.19 EUR
5+52.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Packaging: Bag
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Connector, M3
Light Source: LED
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-42-1050 LD ADVEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 206PFSC09+ SO-8
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 206PFSC
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 3170N3FSC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 3170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 3170N7FSC
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 3170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 4080N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 4080N3FSC
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 5170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 5170N3FSC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 5170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 5170N7FSC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 7060N7FSC
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 7060N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-E 7082N3FSC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7082N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7088N7FSC
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7088N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7096N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7096N3FSC
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7288N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E 7288N3FSC
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E7064NFSC09+ SO-8
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E7064NFSC
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E7064N3FSC
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E7064N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E7296N3FSC
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E7296N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E9 7096N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-E9 7096N3FSC
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-N 7064N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS-N 7064N3FSC
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-O 7064N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-O 7064N3FSC
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-PCRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-PC-DPRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-Q 2170N3FSC
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-Q 2170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-Q 2170N7FSC
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS-Q 2170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS005S102Molex / FCTRF Connectors / Coaxial Connectors FCT TERM HFREQ CRP RCPT 50 OHM
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.80 EUR
10+17.55 EUR
25+16.88 EUR
100+15.31 EUR
250+13.96 EUR
400+13.04 EUR
1200+11.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS009FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS06LSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS06RSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Air Conditioners
Accessory Type: Door Switch
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.56 EUR
5+87.54 EUR
10+85.01 EUR
20+78.31 EUR
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FDS1HammondRemote Door Switch For Use With Eclipse, Hme
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1HAMMONDDescription: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Air Conditioners
Accessory Type: Door Switch
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.31 EUR
5+44.71 EUR
10+41.79 EUR
25+38.22 EUR
50+35.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1Hammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Door Switch
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA(BA)60SanRex07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA40SanRex100A/400V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA40module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA60module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA60SANREXCDH2-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100AA60EUPECMODULE
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA60SANREXF4-5
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA60EUPECMODULE
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA60SANREX
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA60SANREXCDH2-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA60module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100BA80SANREXF4-5
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA100EUPECMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA100SanRex100A/1000V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA100module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA100(120)SanRex07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120SANREXCDH2-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120SanRexDiode Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.32 EUR
10+115.39 EUR
20+113.17 EUR
50+110.95 EUR
100+108.75 EUR
200+106.97 EUR
500+106.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120SanRex100A/1200V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120SanRex CorporationDescription: DIODE MODULE 1200V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120SANREXF4-5
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120EUPECMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS100CA120SANREX
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Interface: HDMI; LAN; USB
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Display resolution: 1024x768
Supply voltage: 100...240V AC
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Connectors for the country: Europe
Output current: 3A
Number of channels: 2
Output voltage 2: 15V DC
Measurement memory: 100
Input impedance: 1MΩ/15pF
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Sampling: 1Gsps
Output current 2: 3A
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Type of oscilloscope: digital
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Input coupling: AC, DC, GND
Vertical resolution: 8bit
Trigger modes: automatic; normal; single
Max. input voltage: 300V
Manufacturer series: FDS
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Band: 100MHz
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Software: download from manufacturers website
Memory record length: 10Mpts
Touchpad: yes
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Output voltage: 15V DC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1482.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Interface: HDMI; LAN; USB
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Display resolution: 1024x768
Supply voltage: 100...240V AC
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Connectors for the country: Europe
Output current: 3A
Number of channels: 2
Output voltage 2: 15V DC
Measurement memory: 100
Input impedance: 1MΩ/15pF
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Sampling: 1Gsps
Output current 2: 3A
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Type of oscilloscope: digital
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Input coupling: AC, DC, GND
Vertical resolution: 8bit
Trigger modes: automatic; normal; single
Max. input voltage: 300V
Manufacturer series: FDS
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Band: 100MHz
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Software: download from manufacturers website
Memory record length: 10Mpts
Touchpad: yes
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Output voltage: 15V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+1482.30 EUR
3+1425.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Interface: HDMI; LAN; USB
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Display resolution: 1024x768
Supply voltage: 100...240V AC
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Connectors for the country: Europe
Output current: 3A
Number of channels: 2
Output voltage 2: 15V DC
Measurement memory: 100
Input impedance: 1MΩ/15pF
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Sampling: 1Gsps
Output current 2: 3A
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Type of oscilloscope: digital
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Input coupling: AC, DC, GND
Vertical resolution: 14bit
Trigger modes: automatic; normal; single
Max. input voltage: 300V
Manufacturer series: FDS
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Band: 100MHz
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Software: download from manufacturers website
Memory record length: 10Mpts
Touchpad: yes
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Output voltage: 15V DC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1635.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Interface: HDMI; LAN; USB
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Display resolution: 1024x768
Supply voltage: 100...240V AC
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Connectors for the country: Europe
Output current: 3A
Number of channels: 2
Output voltage 2: 15V DC
Measurement memory: 100
Input impedance: 1MΩ/15pF
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Sampling: 1Gsps
Output current 2: 3A
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Type of oscilloscope: digital
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Input coupling: AC, DC, GND
Vertical resolution: 14bit
Trigger modes: automatic; normal; single
Max. input voltage: 300V
Manufacturer series: FDS
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Band: 100MHz
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
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Touchpad: yes
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Output voltage: 15V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+1635.58 EUR
3+1578.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+513.06 EUR
25+478.85 EUR
30+448.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+279.19 EUR
5+248.49 EUR
10+241.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.000" L x 12.000" W (304.80mm x 304.80mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+259.65 EUR
5+221.87 EUR
10+215.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+288.66 EUR
10+288.01 EUR
25+286.81 EUR
50+285.61 EUR
100+285.26 EUR
250+285.21 EUR
500+285.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+513.06 EUR
25+478.85 EUR
30+448.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2240.74 EUR
25+2091.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - 316SS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1212S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 12X12 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1140.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS136SBSFAIRCHILD00+ SOP-8
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818GYHammondFold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+334.86 EUR
5+287.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818LGHammondFold Down Shelf, Steel, Light Gray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+359.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818S16HammondFold Down Shelf, Stainless Steel 316
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS1818S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1550.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS187N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.80 EUR
1140+3.12 EUR
5130+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS187N2Amphenol PositronicDescription: CONTACTS
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.86 EUR
10+5.33 EUR
25+5.04 EUR
50+4.93 EUR
100+4.69 EUR
250+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS187N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2-420-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS200B
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2020NZFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N3FSC
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
auf Bestellung 13327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
152+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N3onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7FSC
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
auf Bestellung 12998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
139+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7FDS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2070N7FAIRCHILDSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2074N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2074N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2074N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2074N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3FAIRCHILD09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3FSC09+
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
auf Bestellung 2627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7FDS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
auf Bestellung 23636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
139+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7NS2004 SOP
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2170N7FAIRCHALSOP8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2360AMJRCSOP8
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2370N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2370N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2370N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2370N7FSC
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2370N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2370N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2407FDSSOP-8
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
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FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
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FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
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FDS24C256FDSSOP-8
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS24C64FDSSOP-8
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2570FDSSOP-8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
221+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 221
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FDS2570FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2570FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 14221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.99 EUR
100+1.60 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.53 EUR
117+1.22 EUR
118+1.17 EUR
130+1.02 EUR
250+0.94 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.27 EUR
118+1.21 EUR
130+1.06 EUR
250+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572ONSEMIFDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
53+1.36 EUR
57+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS2572onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.99 EUR
100+1.61 EUR
250+1.52 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS2572Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS2572NLFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2572_Qonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
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FDS2574FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2582onsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 19193 Stücke:
Lieferzeit 576-580 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.92 EUR
100+1.49 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.00 EUR
2500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
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FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
auf Bestellung 5466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+1.94 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582ONSEMIFDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
80+0.90 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670FSC
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.92 EUR
100+1.69 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ONSEMIFDS2670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670FAIRCHILD09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670FDSSOP-8
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 7503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.74 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2670_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 175200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672ONSEMIFDS2672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672onsemi / FairchildMOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 535-539 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+2.68 EUR
100+2.15 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
auf Bestellung 39323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
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FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2682FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ONSEMIFDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734onsemi / FairchildMOSFETs 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
auf Bestellung 13302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.10 EUR
10+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.60 EUR
1000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
auf Bestellung 20619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.04 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734-NLFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2ND 7064N7FSC
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2P102FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2P102FDSSOP-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2P102AFAI04/05/
auf Bestellung 14745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS300BB50SANREXCDH4-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 1 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 3 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N3FSC
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7FAI02+
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7FAIRCHILD09+
auf Bestellung 90018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3170N7FSC
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3172N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3172N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+4.10 EUR
100+3.29 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.25 EUR
2500+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.86 EUR
10+4.36 EUR
100+3.51 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.80 EUR
10+4.32 EUR
100+3.47 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS35606N/A09+
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
auf Bestellung 78778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570Fairchild
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3570_NLonsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.33 EUR
77+1.87 EUR
82+1.69 EUR
100+1.36 EUR
250+1.23 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ONSEMIFDS3572 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
10+2.13 EUR
100+1.70 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.33 EUR
77+1.87 EUR
82+1.69 EUR
100+1.36 EUR
250+1.23 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.18 EUR
100+1.74 EUR
250+1.65 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.16 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3572_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
126+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 14496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.52 EUR
10+2.25 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 80V
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.71 EUR
100+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3580ONSEMIFDS3580 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
auf Bestellung 5105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
12+1.48 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
100+0.72 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 49698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601FSC0430+ SOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601onsemi / FairchildMOSFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 49698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 740
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 54500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3601_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3612ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3612FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3612FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
auf Bestellung 4809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
489+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 489
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3670FDSSOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3670FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3670FAI01+ SMD
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.97 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.53 EUR
120+1.19 EUR
121+1.14 EUR
146+0.90 EUR
250+0.87 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.05 EUR
1000+1.00 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672onsemi / FairchildMOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 22185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.11 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
auf Bestellung 46375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.40 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS3672-NL
Produktcode: 38205
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 573 Stücke:
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120+1.23 EUR
121+1.19 EUR
146+0.94 EUR
250+0.90 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672-NLFAIRCHILDSOP8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS3672-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672NLFSIRCHILD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672_NLFAIRCHIL..07+ SOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672_Qonsemi / FairchildMOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3680FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3680FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682FAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
360+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS36882FSC02+ SMD-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3690FAIRCHILD09+
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3690FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3690FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692ONSEMIFDS3692 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692onsemi / FairchildMOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 36516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.66 EUR
100+1.14 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
auf Bestellung 6644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
12+1.57 EUR
100+1.22 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS37C931CQFP
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS37C93202+ QFP
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS37C932
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS37H869
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3812FAIRCHILD09+
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3812onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3812FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3812FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3812_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890
Produktcode: 49621
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.17 EUR
10+2.69 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890FAIRCHILD09+
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890ONSEMIFDS3890 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
auf Bestellung 20675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.34 EUR
10+2.39 EUR
100+1.71 EUR
500+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.24 EUR
5000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3890-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3896FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3896FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3912onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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FDS3912FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS3912FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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FDS3912onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
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FDS3912FAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3912FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3912-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS399FAIRCHILDSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992onsemi / FairchildMOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 23071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+2.06 EUR
100+1.49 EUR
500+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.06 EUR
5000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 8655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.50 EUR
10+2.25 EUR
100+1.52 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.55 EUR
115+1.24 EUR
116+1.19 EUR
138+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.29 EUR
116+1.24 EUR
138+1.00 EUR
250+0.96 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS3992ONSEMIFDS3992 Multi channel transistors
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FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1767 Stücke:
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FDS3992
Produktcode: 117038
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FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3992NLFAIRCHILD
auf Bestellung 7500 Stücke:
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FDS3992_Qonsemi / FairchildMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3FAIRCHILD0903+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3FSC
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
auf Bestellung 8613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N3FAI03+
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7FSC
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7FDS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
auf Bestellung 69332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3FSC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3FAI242
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V
auf Bestellung 9775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
180+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4072N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N3FSC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
auf Bestellung 39912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
181+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
180+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4080N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4080N7FSC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4141onsemi / FairchildMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.83 EUR
100+1.62 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.37 EUR
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 43249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.28 EUR
124+1.15 EUR
136+1.01 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4141-F085onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
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FDS4141-SN00136onsemionsemi
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FDS4141-SN00136Ponsemionsemi
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FDS4141SN00136PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4141_TSN00136onsemi / Fairchildonsemi
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FDS4201D/AAPositronicDescription: CON F SIZE 8 PCB
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDS4201D/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS425N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS425N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS425P2Positronic IndustriesFDS425P2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS425P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
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FDS425P2Amphenol PositronicDescription: FDS425P2
Packaging: Bulk
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FDS425P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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FDS425P2/AAAmphenol PositronicDescription: FDS425P2/AA
Packaging: Bulk
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FDS425P2/AAPositronic IndustriesFDS425P2/AA
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FDS4310DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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FDS4310DPEI-GenesisDescription: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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FDS4310D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4310MAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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FDS4310M/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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FDS4312DAmphenol PositronicDescription: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.69 EUR
10+10.33 EUR
30+9.37 EUR
50+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4312DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4312D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4314DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.99 EUR
10+12.67 EUR
25+11.97 EUR
100+10.31 EUR
250+9.86 EUR
500+9.63 EUR
1000+9.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4314D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.33 EUR
10+10.24 EUR
25+10.21 EUR
105+8.64 EUR
210+8.55 EUR
420+8.38 EUR
945+8.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
auf Bestellung 5905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.58 EUR
1018+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 962
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FDS4410onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
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FDS4410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.58 EUR
1018+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 76100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410FAIRCHILDFDS4410
auf Bestellung 30995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.58 EUR
1018+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 962
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
auf Bestellung 39200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 833
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410AFairchild SemiconductorDescription: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410Aonsemi / FairchildMOSFETs LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410NLFAIRCHILD
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4416FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4416FSC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4420FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4420FSC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4420AFSCSOP-8
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4425-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435(LF)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435-NLFairchildSOP8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
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FDS4435-NLFAIRCHILD09+
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FDS4435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
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FDS4435AFAIRCHILD
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FDS4435AFAI00+
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FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4435AFSC
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FDS4435AFAIRSOP8
auf Bestellung 165 Stücke:
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FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5068 Stücke:
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FDS4435AFAIRCHILSOP8
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4435AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4435AFAI2001+ SMD
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4435AFSC09+ SO-8
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435AFAIRCHIL
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4435ANL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435A_NL
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.79 EUR
279+0.51 EUR
282+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.89 EUR
169+0.85 EUR
247+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZonsemi / FairchildMOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 66017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.50 EUR
10+1.08 EUR
100+0.70 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.40 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 11286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.60 EUR
17+1.06 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435 (Mikroschaltung DC-DC Konverter)
Produktcode: 45479
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
ZCODE: 8504409000
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
23+0.77 EUR
100+0.50 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 41616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.10 EUR
102+0.70 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
250+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.40 EUR
5000+0.39 EUR
7500+0.37 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.40 EUR
5000+0.39 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.10 EUR
102+0.70 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
250+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.87 EUR
187+0.77 EUR
189+0.73 EUR
279+0.47 EUR
282+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 43495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
auf Bestellung 329000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435NLFAIRCHILD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 450000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4450-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4463
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4463-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4463NLFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.32 EUR
44+1.66 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.35 EUR
1000+1.20 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 151
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FDS4465ON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
auf Bestellung 7431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
10+2.41 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDS4465onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
auf Bestellung 7661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+2.08 EUR
100+1.46 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.51 EUR
82+1.75 EUR
83+1.66 EUR
119+1.12 EUR
250+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+1.19 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 466
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
44+1.66 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
5000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDS4465-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
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FDS4465-NLFDS
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465NLFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465_NLFSC09+
auf Bestellung 6818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4467FDSSOP-8
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4467-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4467NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
auf Bestellung 6091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
10+2.54 EUR
100+2.02 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 5649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.62 EUR
103+1.39 EUR
104+1.33 EUR
115+1.16 EUR
250+1.08 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.17 EUR
10+2.69 EUR
25+2.39 EUR
100+1.87 EUR
250+1.75 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ONSEMIFDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480Fairchild
auf Bestellung 4863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
11+1.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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FDS4480FAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
66+1.09 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FDS4480FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1455 Stücke:
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FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4480FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
66+1.09 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FDS4480onsemi / FairchildMOSFETs SO-8
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3+1.27 EUR
10+1.26 EUR
100+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDS4480FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS4480-NLFAIRSOP8
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FDS4480NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FDS4480SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
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FDS4480_F095onsemi / FairchildArray
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FDS4480_NL
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FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
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FDS4485FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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FDS4488FAIRCHILDFDS4488
auf Bestellung 25000 Stücke:
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517+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 517
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FDS4488FAIRCHILD09+
auf Bestellung 1218 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 517
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FDS4488onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 256 Stücke:
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19+0.93 EUR
25+0.71 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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FDS4488FAIRCHILDFDS4488
auf Bestellung 31980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 517
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FDS4488onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 769 Stücke:
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3+1.00 EUR
10+0.77 EUR
100+0.64 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4488ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 117757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4488FAIRCHILDFDS4488
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 517
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
auf Bestellung 117757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
497+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 497
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FDS4488FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 517
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488FAIRCHILDFDS4488
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 517
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4488-NL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4489FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 40090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
415+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 415
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFSC09+ SO-8
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFAIRSOP8
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+1.21 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 459
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.83 EUR
100+1.61 EUR
1000+1.47 EUR
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hfsc04+ sop
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFAI02+
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+1.21 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 459
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hONSEMIFDS4501H Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFAIRCHILD09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501HFAIRCHILDTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+1.21 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 459
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501hFSC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501HNLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4501NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4532F00+ SOP-8
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4532FDS
auf Bestellung 22350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4532FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4532NLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4542FAI2004 SMD8
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 18747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
14+1.28 EUR
100+0.84 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.11 EUR
134+1.07 EUR
197+0.70 EUR
250+0.61 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 18600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+0.49 EUR
7500+0.47 EUR
12500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559onsemi / FairchildMOSFETs 60V/-60V N/P
auf Bestellung 5797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.22 EUR
100+0.89 EUR
250+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.27 EUR
133+1.07 EUR
134+1.03 EUR
197+0.67 EUR
250+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
auf Bestellung 8150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4559_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4585
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4585NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672FDSSOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.99 EUR
100+1.55 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.95 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
auf Bestellung 77196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
11+1.71 EUR
100+1.20 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AONSEMIFDS4672A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
auf Bestellung 77156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675ONSEMIFDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 3887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.83 EUR
100+1.43 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
auf Bestellung 11715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675NLFAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675_NL
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4678FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685
Produktcode: 82291
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 25790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
auf Bestellung 6644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
11+1.62 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
61+1.19 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
61+1.19 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.75 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685onsemi / FairchildMOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 6867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.44 EUR
100+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685NLFAIRCHILD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4770FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4770FAI03+
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4770FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4770NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4780FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4780FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4780onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4780FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4780FSC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4831-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4835FAIRCHILD
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4835F02+ SOP8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4835A
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4835ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS487N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS487N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS487P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS487P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4884-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885CFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885CFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885C-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885CNLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4885C_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 175200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895CFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895CFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 740
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895CFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 392500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1137+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 577500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.81 EUR
220+0.65 EUR
244+0.56 EUR
262+0.50 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 577500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
917+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 917
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897Consemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 40632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+1.17 EUR
100+0.91 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+0.91 EUR
207+0.69 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.22 EUR
161+0.89 EUR
205+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.39 EUR
12+1.51 EUR
100+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4897C-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4920FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4920FDSSOP-8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4925-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4925NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4935FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935FAIRCHILD
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4935FAIRCHILD09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS4935FSC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935onsemi / FairchildMOSFETs 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
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FDS4935-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
63+1.15 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
63+1.15 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
802+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 802
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 37816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
12+1.56 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935Aonsemi / FairchildMOSFETs -30V Dual
auf Bestellung 33046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.53 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A
Produktcode: 40550
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 7
Rds(on),Om: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar 193 Stück:
12 Stück - stock Köln
181 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.49 EUR
10+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
802+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 802
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.66 EUR
5000+0.64 EUR
7500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.12 EUR
160+0.90 EUR
200+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A_NLFSC
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFETs -30V Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935B
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.59 EUR
7500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.08 EUR
140+1.02 EUR
181+0.76 EUR
250+0.70 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
84+0.86 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.27 EUR
138+1.04 EUR
140+0.98 EUR
181+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
84+0.86 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
12+1.50 EUR
100+1.00 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.66 EUR
7500+0.61 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZonsemi / FairchildMOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
auf Bestellung 31868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.32 EUR
100+0.95 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.70 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDS4935BZ-NLFairchild
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FDS4935BZ_Gonsemi / FairchildArray
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FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4935NLFAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4935_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4936FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4936-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4953ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS4953
Produktcode: 205323
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4953onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH DUAL -30V
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FDS4953-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4953A
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4953ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4953NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5009FDS04+
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 21520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N3FSC
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7FDS09+
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5341FSCSOP-8
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS53418MFDSSOP-8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351On Semiconductor/FairchildMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.84 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 23281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
14+1.27 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.76 EUR
244+0.56 EUR
250+0.54 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.86 EUR
188+0.73 EUR
244+0.54 EUR
250+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
84+0.86 EUR
92+0.77 EUR
100+0.72 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+0.49 EUR
7500+0.46 EUR
12500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.44 EUR
5000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.11 EUR
85+1.62 EUR
102+1.30 EUR
250+1.16 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.11 EUR
85+1.62 EUR
102+1.30 EUR
250+1.16 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ONSEMIFDS5670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
auf Bestellung 20147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
10+2.85 EUR
100+2.02 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
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FDS5670onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
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FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
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FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5670
Produktcode: 66965
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS5670-NLFDS
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FDS5670-NLFAIRCHILD1025+/1041+ SOP8
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FDS5670NLFAIRCHILD
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FDS5670_NLFAIRCHILD
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FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5672ONSEMIFDS5672 SMD N channel transistors
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FDS5672onsemi / FairchildMOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 43863 Stücke:
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FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 827 Stücke:
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FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.63 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 866 Stücke:
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80+1.86 EUR
94+1.53 EUR
95+1.46 EUR
100+1.39 EUR
250+0.99 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.86 EUR
89+1.62 EUR
90+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+0.99 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 827 Stücke:
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FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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20+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS5672-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
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FDS5672NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680
Produktcode: 131521
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680NLRHFAIRC09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5680NLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5682-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690Fairchild
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
auf Bestellung 16036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.27 EUR
100+0.99 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
auf Bestellung 51346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
15+1.26 EUR
100+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.27 EUR
12500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690FAIRCHILD09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690FAI99+
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690FAIRCHILDSOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
12500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS5690FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
12500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS5690FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS5690FAIRSOP8
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS5690FDSSOP-8
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS5690-NBBM009AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
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