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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDS 09 L 1000Fischer ElektronikD-Sub filter connector
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FDS 09 T 1000Fischer ElektronikConn Filtered D-Sub M 9 POS Solder ST Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
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FDS-216Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X
Features: Ergonomic
Packaging: Box
Type: Stripper
Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+79.66 EUR
5+ 75.23 EUR
FDS-216Jonard ToolsJonard Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm(
Produkt ist nicht verfügbar
FDS-312Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM
Packaging: Bulk
Features: Ergonomic, Side Entry
Type: Stripper
Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+81.54 EUR
5+ 77.87 EUR
FDS-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Packaging: Bag
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Connector, M3
Light Source: LED
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+153.4 EUR
FDS-42-1050 LD ADVEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS-42-1050 LD ADV-BEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver, black case
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS-E 206PFSC09+ SO-8
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 206PFSC
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 3170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 3170N3FSC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 3170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 3170N7FSC
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 4080N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 4080N3FSC
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 5170N3FSC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 5170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 5170N7FSC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 5170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7060N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7060N7FSC
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7082N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7082N3FSC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7088N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7088N7FSC
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7096N3FSC
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7096N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7288N3FSC
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E 7288N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E7064NFSC09+ SO-8
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E7064NFSC
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E7064N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E7064N3FSC
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E7296N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E7296N3FSC
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E9 7096N3FSC
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-E9 7096N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-N 7064N3FSC
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-N 7064N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-O 7064N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-O 7064N3FSC
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-PCRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-PC-DPRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-Q 2170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-Q 2170N3FSC
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-Q 2170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS-Q 2170N7FSC
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS009FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS06LSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW
Produkt ist nicht verfügbar
FDS06RSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW
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FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS1Hammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Door Switch
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDS1HammondRemote Door Switch For Use With Eclipse, Hme
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS1HAMMONDDescription: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS100AA(BA)60SanRex07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100AA40module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100AA40SanRex100A/400V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100AA60SANREXCDH2-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100AA60EUPECMODULE
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100AA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100AA60module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA60SANREXCDH2-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA60module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA60SANREXF4-5
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA60EUPECMODULE
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA60SANREX
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100BA80SANREXF4-5
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA100SanRex100A/1000V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA100module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA100EUPECMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA100(120)SanRex07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA120SanRexDiscrete Semiconductor Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 252-266 Tag (e)
1+188.08 EUR
10+ 153.89 EUR
FDS100CA120SanRex100A/1200V/High Speed Diode/2U
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA120SANREXF4-5
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA120EUPECMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA120SANREX
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA120SANREXCDH2-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS100CA120SanRex CorporationDescription: DIODE MODULE 1200V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
FDS100CA120module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1212Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS1212Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1212GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+381.29 EUR
5+ 374.48 EUR
10+ 367.69 EUR
25+ 362.21 EUR
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS1212LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+399.23 EUR
5+ 392.11 EUR
10+ 384.98 EUR
25+ 379.26 EUR
FDS136SBSFAIRCHILD00+ SOP-8
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS1818Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+501.2 EUR
FDS1818GYHammondFold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818LGHammondFold Down Shelf, Steel, Light Gray
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS
Produkt ist nicht verfügbar
FDS1818S16HammondFold Down Shelf, Stainless Steel 316
Produkt ist nicht verfügbar
FDS187N2Amphenol PositronicDescription: CONTACTS
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.66 EUR
10+ 7.87 EUR
25+ 7.45 EUR
50+ 7.28 EUR
100+ 6.93 EUR
250+ 6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDS187N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.62 EUR
1140+ 4.6 EUR
5130+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS187N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2-420-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS200B
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2020NZFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2070N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2070N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
auf Bestellung 13740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
165+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 165
FDS2070N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N3onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2070N3FSC
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2070N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
auf Bestellung 15138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
150+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
FDS2070N7FAIRCHILDSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2070N7FSC
auf Bestellung 190 Stücke:
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FDS2070N7onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
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FDS2070N7FAIRCHILDSO-8
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FDS2070N7FDS
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FDS2074N3FAIRCHILDSO-8
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FDS2074N3FAIRCHILD07+ SO-8
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FDS2074N7FAIRCHILDSO-8
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FDS2074N7FAIRCHILD07+ SO-8
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FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
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FDS2170N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDS2170N3FAIRCHILDSO-8
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FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
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FDS2170N3FAIRCHILD09+
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FDS2170N3FSC09+
auf Bestellung 641 Stücke:
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FDS2170N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
auf Bestellung 2627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
145+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 145
FDS2170N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
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FDS2170N7NS2004 SOP
auf Bestellung 2190 Stücke:
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FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
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FDS2170N7FAIRCHALSOP8
auf Bestellung 500 Stücke:
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FDS2170N7FDS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
auf Bestellung 23636 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
139+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
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FDS2360AMJRCSOP8
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2370N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2370N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2370N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2370N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2370N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2370N7FSC
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 3420 Stücke:
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FDS2407FDSSOP-8
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
FDS24C256FDSSOP-8
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS24C64FDSSOP-8
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
221+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 221
FDS2570FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2570FDSSOP-8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2570FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.05 EUR
5000+ 0.98 EUR
10000+ 0.92 EUR
12500+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.07 EUR
38+ 1.89 EUR
53+ 1.36 EUR
56+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.5 EUR
80+ 1.91 EUR
81+ 1.8 EUR
100+ 1.44 EUR
250+ 1.36 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 63
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
38+ 1.89 EUR
53+ 1.36 EUR
56+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+ 1.06 EUR
10000+ 0.99 EUR
12500+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 17196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.27 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.5 EUR
80+ 1.91 EUR
81+ 1.8 EUR
100+ 1.44 EUR
250+ 1.36 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 63
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.77 EUR
5000+ 1.71 EUR
12500+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2572onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
auf Bestellung 11596 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.95 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.56 EUR
250+ 2.54 EUR
500+ 2.16 EUR
1000+ 1.81 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS2572NLFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2574FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
59+ 1.23 EUR
81+ 0.89 EUR
85+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2582onsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 19193 Stücke:
Lieferzeit 580-594 Tag (e)
17+3.17 EUR
19+ 2.83 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.48 EUR
2500+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.04 EUR
11+ 2.5 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
59+ 1.23 EUR
81+ 0.89 EUR
85+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2670FDSSOP-8
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2670FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670FSC
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.61 EUR
19+ 2.83 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.26 EUR
1000+ 2.02 EUR
2500+ 1.95 EUR
5000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 3.53 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670FAIRCHILD09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2670_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 175200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672onsemi / FairchildMOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 539-553 Tag (e)
12+4.37 EUR
14+ 3.95 EUR
100+ 3.17 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.16 EUR
2500+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.86 EUR
10+ 4.38 EUR
100+ 3.52 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2682FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2734ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2734onsemi / FairchildMOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
auf Bestellung 14834 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.81 EUR
13+ 4 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.14 EUR
5000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS2734ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
auf Bestellung 11729 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.76 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2734-NLFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2ND 7064N7FSC
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2P102FDSSOP-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2P102FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2P102AFAI04/05/
auf Bestellung 14745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS300BB50SANREXCDH4-1
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 1 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 3 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3170N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N3FSC
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N7FAIRCHILD09+
auf Bestellung 90018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N7FSC
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
179+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 179
FDS3170N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3170N7FAI02+
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3172N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3172N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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FDS3512FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.1 EUR
10+ 6.39 EUR
100+ 5.13 EUR
500+ 4.22 EUR
1000+ 3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDS3512FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.18 EUR
10+ 6.45 EUR
100+ 5.18 EUR
500+ 4.26 EUR
1000+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 6.06 EUR
100+ 4.86 EUR
500+ 4 EUR
1000+ 3.33 EUR
2500+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3512FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1002 Stücke:
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FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS35606N/A09+
auf Bestellung 228 Stücke:
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FDS3570Fairchild
auf Bestellung 2102 Stücke:
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FDS3570onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3570FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
auf Bestellung 279272 Stücke:
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FDS3570FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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FDS3570-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDS3570_NLonsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3572onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4084 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.56 EUR
250+ 2.44 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.46 EUR
77+ 1.97 EUR
82+ 1.79 EUR
100+ 1.44 EUR
250+ 1.3 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 64
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.71 EUR
5000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3572ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
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FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.46 EUR
77+ 1.97 EUR
82+ 1.79 EUR
100+ 1.44 EUR
250+ 1.3 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 64
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
10+ 3.15 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3572-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FDS3572NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3572_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
126+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 126
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.53 EUR
5000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3580onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.77 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.65 EUR
2500+ 1.55 EUR
5000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 9823 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.72 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.35 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3590onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
108+ 0.66 EUR
115+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
108+ 0.66 EUR
115+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.79 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDS3601FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3601Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 49698 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 740
FDS3601FSC0430+ SOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 49698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3601onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3601FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3601onsemi / FairchildMOSFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3601-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3601NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3601_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3601_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 54500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3612FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
auf Bestellung 4809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
489+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 489
FDS3612FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3612ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3670FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3670FAI01+ SMD
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3670FDSSOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 2.98 EUR
100+ 2.32 EUR
500+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDS3672onsemi / FairchildMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 12140 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 2.99 EUR
100+ 2.33 EUR
500+ 1.98 EUR
1000+ 1.61 EUR
2500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDS3672-NL
Produktcode: 38205		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 3870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.33 EUR
83+ 1.83 EUR
84+ 1.74 EUR
108+ 1.29 EUR
250+ 1.23 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 68
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 3870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
84+ 1.81 EUR
108+ 1.35 EUR
250+ 1.28 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 83
FDS3672-NLFAIRCHILDSOP8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3672-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3672NLFSIRCHILD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3672_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3672_NLFAIRCHIL..07+ SOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3672_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3680FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3680FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3682FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3682FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3682FAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3682-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3682_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
360+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 360
FDS36882FSC02+ SMD-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3690FAIRCHILD09+
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3690FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3690FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
auf Bestellung 4407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.81 EUR
12+ 2.29 EUR
100+ 1.78 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3692onsemi / FairchildMOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 8974 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.24 EUR
2500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3692FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDS3692-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3692NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3692_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3692_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDS37C931CQFP
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS37C93202+ QFP
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS37C932
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS37H869
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3812FAIRCHILD09+
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3812FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3812onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3812FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3812_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3890FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.91 EUR
5000+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS3890ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3890ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3890onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 22836 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.29 EUR
15+ 3.56 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.81 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.09 EUR
2500+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDS3890FAIRCHILD09+
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3890
Produktcode: 49621		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3890ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 3.52 EUR
100+ 2.8 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS3890FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3890-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3896FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3896FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3912FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3912FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS3912Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS3912FAIRCHILD
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FDS3912FAIRCHILDSO-8
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FDS3912-NL
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FDS399FAIRCHILDSOP-8
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FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDS3992onsemi / FairchildMOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
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14+3.77 EUR
17+ 3.09 EUR
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500+ 2.02 EUR
1000+ 1.69 EUR
2500+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS3992
Produktcode: 117038		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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66+2.39 EUR
80+ 1.88 EUR
81+ 1.8 EUR
106+ 1.33 EUR
250+ 1.26 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 66
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
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FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2032 Stücke:
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80+1.95 EUR
81+ 1.86 EUR
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250+ 1.31 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 80
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
10+ 3.06 EUR
100+ 2.38 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS3992NLFAIRCHILD
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FDS3992_Qonsemi / FairchildMOSFET
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FDS4070N3FAIRCHILD0903+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
auf Bestellung 9403 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
171+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 171
FDS4070N3FSC
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FDS4070N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
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FDS4070N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N3FAI03+
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
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FDS4070N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
auf Bestellung 72429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
171+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 171
FDS4070N7FSC
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
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FDS4070N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N7FDS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
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FDS4070N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4072N3FSC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4072N3FAI242
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4072N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4072N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4072N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4072N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V
auf Bestellung 9775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
180+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 180
FDS4072N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N3FSC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
auf Bestellung 39912 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
181+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 181
FDS4080N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4080N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
180+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 180
FDS4080N7FSC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 379-393 Tag (e)
18+3.04 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.35 EUR
2500+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -10.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13mΩ
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
65+ 1.11 EUR
92+ 0.78 EUR
98+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.87 EUR
99+ 1.53 EUR
125+ 1.17 EUR
500+ 0.96 EUR
1000+ 0.75 EUR
2500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 84
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141-F085onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
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FDS4141-SN00136onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141-SN00136Ponsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141SN00136PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4141_TSN00136onsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4201D/AAPositronicDescription: CON F SIZE 8 PCB
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4201D/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: PW Series
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS425N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS425N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS425P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS425P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4310DPEI-GenesisDescription: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4310DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4310MAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4312DAmphenol PositronicDescription: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.18 EUR
10+ 18.17 EUR
25+ 17.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDS4312DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
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FDS4312D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4314DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4314D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.6 EUR
10+ 13.44 EUR
25+ 13 EUR
105+ 12.35 EUR
210+ 11.05 EUR
420+ 10.4 EUR
945+ 9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDS4410onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
auf Bestellung 56616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
833+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 833
FDS4410ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 56616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4410AFairchild SemiconductorDescription: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410Aonsemi / FairchildMOSFET LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4410NLFAIRCHILD
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4416FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4416FSC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4420FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4420FSC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4420AFSCSOP-8
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4425-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435(LF)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435-NLFairchildSOP8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AFAI00+
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435AFSC
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
229+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 229
FDS4435AFAIRSOP8
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.6 EUR
13+ 2.12 EUR
100+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS4435AFAIRCHILSOP8
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AFAI2001+ SMD
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435AFSC09+ SO-8
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435AFAIRCHIL
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435AFAIRCHILD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435ANL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435A_NL
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.78 EUR
249+ 0.61 EUR
259+ 0.56 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 201
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4435BZonsemi / FairchildMOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 84340 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.64 EUR
41+ 1.29 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.71 EUR
2500+ 0.61 EUR
5000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
117+ 0.61 EUR
136+ 0.53 EUR
162+ 0.44 EUR
167+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.04 EUR
192+ 0.79 EUR
201+ 0.72 EUR
249+ 0.56 EUR
259+ 0.52 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 151
FDS4435BZON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 218
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 23753 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.64 EUR
19+ 1.42 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
117+ 0.61 EUR
136+ 0.53 EUR
162+ 0.44 EUR
167+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4435 (Mikroschaltung DC-DC Konverter)
Produktcode: 45479		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
ZCODE: 8504409000
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+ 0.59 EUR
12500+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435BZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
auf Bestellung 329000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435NLFAIRCHILD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4435_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 450000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4450-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4463
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4463-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4463NLFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.51 EUR
92+ 1.65 EUR
93+ 1.57 EUR
114+ 1.23 EUR
250+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 63
FDS4465onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 15130 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.75 EUR
2500+ 1.63 EUR
5000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.03 EUR
5000+ 0.96 EUR
10000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4465ON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
auf Bestellung 10463 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.95 EUR
10+ 3.23 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
5000+ 0.97 EUR
10000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
43+ 1.7 EUR
60+ 1.2 EUR
63+ 1.14 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
43+ 1.7 EUR
60+ 1.2 EUR
63+ 1.14 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.63 EUR
5000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.51 EUR
92+ 1.65 EUR
93+ 1.57 EUR
114+ 1.23 EUR
250+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 63
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4465-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4465-NLFDS
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4465NLFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4465_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4465_NLFSC09+
auf Bestellung 6818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4467FDSSOP-8
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4467-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4467NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 194011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
91+ 1.66 EUR
93+ 1.57 EUR
102+ 1.38 EUR
250+ 1.11 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 83
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.45 EUR
33+ 2.17 EUR
43+ 1.67 EUR
46+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 12.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4470onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.76 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.13 EUR
2500+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDS4470Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
auf Bestellung 193682 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
329+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 329
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.45 EUR
33+ 2.17 EUR
43+ 1.67 EUR
46+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
91+ 1.66 EUR
93+ 1.57 EUR
102+ 1.38 EUR
250+ 1.11 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 83
FDS4470-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4470NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4480Fairchild
auf Bestellung 4863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480FAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4480FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 9874 Stücke:
Lieferzeit 189-203 Tag (e)
20+2.65 EUR
25+ 2.16 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.16 EUR
5000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.63 EUR
13+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4480FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4480-NLFAIRSOP8
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480_NL
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4485FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4488FAIRCHILD09+
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
auf Bestellung 117757 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
606+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 606
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4488FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4488onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.48 EUR
46+ 1.14 EUR
100+ 0.94 EUR
2500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FDS4488FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4488-NL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4489FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hfsc04+ sop
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501hFAI02+
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 2.38 EUR
1000+ 2.17 EUR
2500+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hFAIRCHILD09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hFSC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 40090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
415+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 415
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4501hFSC09+ SO-8
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501hFAIRSOP8
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501HNLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4501NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4532F00+ SOP-8
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4532FDS
auf Bestellung 22350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4532FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4532NLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4542FAI2004 SMD8
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4559onsemi / FairchildMOSFET 60V/-60V N/P
auf Bestellung 6571 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
29+ 1.86 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 6356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 15097 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.13 EUR
15+ 1.84 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 6326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+ 0.77 EUR
12500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
auf Bestellung 8150 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
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FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FDS4559-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4559ANLFAIRCHILD
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FDS4559NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4559_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4585
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4585NLFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4672FDSSOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
55+ 1.3 EUR
74+ 0.97 EUR
75+ 0.96 EUR
79+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
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FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.29 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.5 EUR
2500+ 1.4 EUR
5000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4672AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
55+ 1.3 EUR
74+ 0.97 EUR
75+ 0.96 EUR
79+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4672A-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4672ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4675ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
56+ 1.29 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.77 EUR
90+ 1.69 EUR
113+ 1.29 EUR
250+ 1.23 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 89
FDS4675ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
56+ 1.29 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675onsemi / FairchildMOSFET SO-8
auf Bestellung 3574 Stücke:
Lieferzeit 834-848 Tag (e)
15+3.51 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.66 EUR
2500+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDS4675-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4675-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4675NLFAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4675_NL
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4678FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.07 EUR
5000+ 1.02 EUR
12500+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.66 EUR
117+ 1.3 EUR
128+ 1.14 EUR
149+ 0.94 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 95
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
67+ 1.07 EUR
88+ 0.82 EUR
93+ 0.77 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.34 EUR
128+ 1.19 EUR
149+ 0.97 EUR
250+ 0.93 EUR
500+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 117
FDS4685
Produktcode: 82291		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.11 EUR
5000+ 0.98 EUR
10000+ 0.88 EUR
15000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
67+ 1.07 EUR
88+ 0.82 EUR
93+ 0.77 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
auf Bestellung 21196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.6 EUR
13+ 2.11 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4685onsemi / FairchildMOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.6 EUR
25+ 2.13 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.21 EUR
2500+ 1.13 EUR
5000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
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FDS4685NLFAIRCHILD
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FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
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FDS4770FAIRCHILD07+ SO-8
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FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
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FDS4770FAI03+
auf Bestellung 740 Stücke:
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FDS4770FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDS4770NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FDS4780FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS4780FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1026 Stücke:
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FDS4780FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4780FSC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4780onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4831-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4835FAIRCHILD
auf Bestellung 415 Stücke:
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FDS4835F02+ SOP8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4835A
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4835ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4884-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4885-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4885CFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4885CFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
419+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 419
FDS4885CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4885CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4885CFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4885C-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4885CNLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4885C_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 175200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4895CFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4895CFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4895CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4895CFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.86 EUR
5000+ 0.82 EUR
12500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4897Consemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 59908 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
31+ 1.73 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.93 EUR
2500+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 13524 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4897CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDS4897CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
25+ 2.86 EUR
68+ 1.06 EUR
500+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDS4897C-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4920FDSSOP-8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4920FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4925-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4925NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935FSC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935FAIRCHILD
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935onsemi / FairchildMOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935FAIRCHILD09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935A
Produktcode: 40550		FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 7
Rds(on),Om: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar 84 Stück:
12 Stück - stock Köln
72 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.49 EUR
10+ 0.48 EUR
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
5000+ 0.55 EUR
12500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
5000+ 0.56 EUR
12500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4935Aonsemi / FairchildMOSFET -30V Dual
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.42 EUR
27+ 1.93 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
2500+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 25791 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.39 EUR
14+ 1.96 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDS4935AON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
83+ 0.87 EUR
100+ 0.72 EUR
105+ 0.69 EUR
250+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 52
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.99 EUR
5000+ 0.94 EUR
12500+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
83+ 0.87 EUR
100+ 0.72 EUR
105+ 0.69 EUR
250+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 52
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935A_NLFSC
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFET -30V Dual
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935B
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.8 EUR
198+ 0.76 EUR
222+ 0.65 EUR
250+ 0.62 EUR
500+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 196
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
83+ 0.87 EUR
108+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
83+ 0.87 EUR
108+ 0.67 EUR
114+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.88 EUR
196+ 0.77 EUR
198+ 0.73 EUR
222+ 0.63 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 178
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS4935BZonsemi / FairchildMOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
auf Bestellung 52459 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.2 EUR
29+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.97 EUR
2500+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.79 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4935BZ-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935NLFAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4935_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4936FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4936-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4953onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH DUAL -30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4953ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4953-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4953A
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4953ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4953NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
Produkt ist nicht verfügbar
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5009FDS04+
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 21520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N3FSC
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N7FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5170N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N7FDS09+
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5170N7FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5341FSCSOP-8
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS53418MFDSSOP-8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 29791 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.95 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
109+ 0.66 EUR
122+ 0.59 EUR
143+ 0.5 EUR
151+ 0.48 EUR
500+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 60
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5351onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7276 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.91 EUR
31+ 1.68 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.82 EUR
2500+ 0.75 EUR
5000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 28
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.8 EUR
244+ 0.6 EUR
250+ 0.57 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 188
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+ 0.7 EUR
12500+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5351On Semiconductor/FairchildMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
109+ 0.66 EUR
122+ 0.59 EUR
143+ 0.5 EUR
151+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 60
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.91 EUR
188+ 0.77 EUR
244+ 0.57 EUR
250+ 0.55 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 172
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5670
Produktcode: 66965		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
auf Bestellung 8013 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.86 EUR
14+ 3.98 EUR
100+ 3.22 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.31 EUR
2500+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5670-NLFAIRCHILD1025+/1041+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5670-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5670NLFAIRCHILD
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5670_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.77 EUR
5000+ 1.71 EUR
12500+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.97 EUR
89+ 1.71 EUR
90+ 1.63 EUR
100+ 1.46 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 80
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5672onsemi / FairchildMOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 17015 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.34 EUR
14+ 3.9 EUR
25+ 3.69 EUR
100+ 3.15 EUR
500+ 2.59 EUR
1000+ 2.14 EUR
2500+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 14742 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.27 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.97 EUR
94+ 1.61 EUR
95+ 1.54 EUR
100+ 1.46 EUR
250+ 1.04 EUR
500+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 80
FDS5672-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5672NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680
Produktcode: 131521		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5680NLRHFAIRC09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5680NLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS5682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
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FDS5682-NLFairchild
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FDS5690FDSSOP-8
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FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5690Fairchild
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FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
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FDS5690ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
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FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5690FAIRCHILD09+
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FDS5690FAI99+
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FDS5690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
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FDS5690FAIRCHILDSOP-8
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FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5690FAIRCHIL09+ SOP8
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FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5690FAIRCHILD07+ SO-8
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FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
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FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5690FAIRCHILDSO-8
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FDS5690FAIRSOP8
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FDS5690-NBBM009AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
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FDS5690-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
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FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
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FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
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FDS5692ZFairchild
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FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
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FDS5692ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS5692ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
auf Bestellung 8231 Stücke:
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304+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 304
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6064N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6064N3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
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FDS6064N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
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FDS6064N3FAIRCHILD07+ SO-8
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FDS6064N3Fairchild
auf Bestellung 12500 Stücke:
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FDS6064N7FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6064N7FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6064N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
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FDS6064N7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 310 Stücke:
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FDS6141CSFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1008 Stücke:
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FDS6143FDSSOP-8
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6143CSFAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 10150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6162N3FSC09+ SO-8
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6162N3FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6162N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
auf Bestellung 33137 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
171+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 171
FDS6162N3FSC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDS6162N3FAI02+
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)